DE3106477A1

DE3106477A1 - Spitzendetektor

Info

Publication number: DE3106477A1
Application number: DE19813106477
Authority: DE
Inventors: Johannes Frans Arend 7541 WK Enschede Raadsen
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1980-02-29
Filing date: 1981-02-21
Publication date: 1982-01-21
Also published as: NL8001234A; GB2070781A; GB2070781B; DE3106477C2; FR2477281A1; US4420698A; FR2477281B1; JPS56134827A

Description

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PHN 9696 ^ ^ 12.11.1980

Spitzendetek-tor

Die Erfindung bezieht sich auf einen Spitzendetektor, der einen ersten Kondensator als Speicherelement, eine mit diesem Kondensator gekoppelte Ladeschaltung und eine Spannungsvergleichsschaltung enthält, die die Eingangsspannung des Spitzendetektors mit der Spannung über dem ersten Kondensator vergleicht und die Ladung dieses Kondensators im ausgleichenden Sinne regelt, wenn die Kondensatorspannung dem zu messenden Spitzenwert der Eingangsspannung nicht proportional ist.

Ein derartiger Spitzendetektor ist aus dem Aufsatz von

J. Hawke in der Zeitschrift "Electronic Engineering", Band 49, Mitte Oktober 1977, Seite 23, mit dem Titel "Low offset peak detektor circuit uses transistors" bekannt.

In diesem Aufsatz wird das Problem der Offsetspannung angegeben, die bei Spitzendetektoren auftritt, die mit einer Diode bestückt sind. Dadurch, dass die Diode in einen Rückkopplungskreis eines Operationsverstärkers aufgenommen wird, kann dieses Problem grösstenteils gelöst werden. Dabei ist es nachteilig, dass der Verstärker eine beschränkte Bandbreite aufweist, so dass Hochfrequenzsignale ausserhalb des Bandes nicht genau gemessen werden können.

In dem genannten Aufsatz wird eine Schaltung mit Transistoren vorgeschlagen, die eine geringe Anzahl Einzelteile enthält und dennoch einen hohen Verstärkungsfaktor aufweist, wodurch die Bandbreite zunimmt. Der obengenannte Operationsverstärker ist durch einen Differenzverstärker ersetzt, der aus zwei als emittergekoppeltes Paar geschalteten Transistoren mit einem Stromspiegel in den Kollektoren besteht. Diese Spannungsvergleichsschaltung vergleicht die angebotene Ejjigangsspannung mit der Spannung über einen Kondensator, der als Speicherelement dient. Wenn die letztere Spannung nicht gleich dem Spitzenwert der Eingangsspannung ist, regelt eine Ladeschaltung die Ladung des Kondensators. Die Ladeschaltung enthält einen Entladewiderstand und eine Stromquellenschaltung, die mit einem der Kollektoren der Verstärkertransistoren verbunden ist.

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Sowohl der Spitzendetektor mit Operationsverstärker als auch der oben beschriebene Spitzendetektor führen Hechfrequenzströme durch die ganze Schaltung bis zu dem Speicherkondensator, jeweils wenn die Hochfrequenzeingangsspannung nahezu ihren Spitzenwert erreicht.

Jedes verstärkende Element in der Schaltung beschränkt jedoch durch seine eigene abfallende Frequenzkennlinie die Gesamtfrequenzkennlinie.

Die Erfindung basiert nun auf dem Gedanken, dass als Spannungsvergleichsschaltung auch ein einziger Transistor verwendet werden kann, der damit das einzige hochfrequente verstärkende Element im Spitzendetektor sein soll.

Ein Spitzendetektor vom eingangs genannten Typ ist dazu dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsvergleichsschaltung ein Transistor ist, dessen Basis-Emitterstrecke mit einer ersten Eingangsklemme des Spitzendetektors und über den ersten Kondensator mit der zweiten an Masse angeschlossenen Eingangsklemme verbunden ist und dessen Kollektor über einen zweiten Kondensator mit der zweiten Eingangsklenrne verbunden ist, und dass die Ladeschaltung eine Verstärkerschaltung enthält, die mit einem hochohmigen Eingang, der mit dem Kollektor und mit einer Stromquellenschaltung verbunden ist, und mit einem Ausgang versehen ist, der mit dem Ausgang des Spitzendetektors und mit der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode des Transistors verbunden ist.

Der Vorteil eines derartigen Spitzendetektors ist der, dass eine sehr grosse Bandbreite erhalten wird, deren sogenannte 3-dB-Punkte leicht auf eine Frequenz von einigen Hz, die durch die Stromquellenschaltung und den zweiten Kondensator bestimmt wird, und auf eine Frequenz eingestellt werden können, dio in dor Grössenordnung der sogenannten Trnnuitfrequonz tr liegt. D icy i::;t: die Frequenz, bei der der Stromverstärkungsfoiktor h_{f s} des Transistors gleich 1 geworden ist.

Dieser Hochfrequente -3 dB-Punkt wird durch das Hochfrequenz-Ersatzschaltbild des Transistors, wobei vor allem der Basisreihenwiderstand r, _b von Bedeutung ist, und weiter durch die Qualität der Kondensatoren, die Anordnung (Layout) der Einzelteile und die Amplitude des Eingangssignals bestimmt.

Die Hechfrequenzströme, die oben bereits erwähnt wurden, fHessen bei diesem Spitzendetroktor nur durch den Eingangskreis, den Transistor und die zwei Kondensatoren. Die Verstärkerschaltung ist

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zu träge, um anzuspechen. Die letztere Schaltung und die Stromguellenschaltung bewirken aber die Gleichstraneinstellung des Detektors und damit der Gleichspannungen an den zwei Kondensatoren, also des Masses für den zu messenden Spitzenwert. Für sehr niedrige Frequenzen und für Gleichspannung bildet die ganze Schaltung ein selbsteinstellendes rückgekoppeltes System.

Der Spitzendetektor nach der Erfindung kann derart eingerichtet werden, dass in absolutem Sinne der niedrigste Wert eines Signals oder der höchste Wert eines Signals als Gleichspannung angegeben wird.

Die Eingangssignale können sinusförmig sein, mit einer Gleichspannung versehen sein, impulsförmig sein mit gegebenenfalls einer sehr kurzen Impulsperiode oder eine beliebige Form aufweisen.

Zum Messen des Spitzenwertes kleiner Signale ist es wünschenswert, den Einfluss der Basis-Emitterspannung zu beseitigen.

Dazu ist eine Ausführungsform nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen dem Ausgang und der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode einen ersten Widerstand enthält, der zwischen dieser Elektrode und dem Knotenpunkt eines einstellbaren Spannungsteilers angeordnet ist, dem eine Diode parallel geschaltet ist, die einerseits mit dem Ausgang und andererseits über einen zweiten Widerstand mit einer ersten Bezugsspannung verbunden ist und dadurch in der Durchlassrichtung eingestellt ist, um den Einfluss der Basis-Emitterspannung auf die Messung des Spitzenwertes auszugleichen.

Der für die Erfindung kennzeichende Transistor kann in Basis- oder in Emitterschaltung angeordnet sein.

In Basisschaltung wird das Messsignal dem Emitter zugeführt und die Verstärkerschaltung wirkt als Impedanztransformator. Die Schaltung misst negative Spitzenwerte, wenn der Transistor vom npn-Typ ist, und positive 'Spitzenwerte, wenn der Transistor vom pnp-Typ ist.

In Emitterschaltung wird das Messsignal der Basis zugeführt. Die Verstärkerschaltung muss das Signal am hochohmigen Eingang um 180° in der Phase drehen, bevor es dem Emitter angeboten wird. Dazu ist in einer ausfuhrungsform ein Differenzverstärker in einer invertierenden Gegenkopplungsschaltung vorgesehen. Der hochohmige Eingang der Verstärkerschaltung wird mittels eines Pufferverstärkers erhalten. In einer anderen Ausführungsform der gemeinsamen Emitterschaltung enthält die Verstärkerschaltung einen Integrator, dessen

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nichtinvertierender Eingang an einer Bezugsspannung und dessen invertierender Eingang an dem. Kollektor und an dem Integratorkondensator liegt.

Bei der gemeinsamen Emitterschaltung kann der zweite Kondensator auch zwischen den Kollektor und dem Emitter des Transistors angeordnet werden. Durch passende Bemessung der zwei Kondensatoren in bezug auf den Verstärkungsfaktor des Transistors kann auch bei den hohen Frequenzen die Spannung an dem Kollektro des Transistors ohne Welligkeit sein.
Einige Aasführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen

Fig. 1 ein Blockschaltbid nach der Erfindung, Fig. 2 eine Ausführung einer gemeinsamen Basisschaltung mit npn-Transistor,

Fig. 3 eine Ausführung einer gemeinsamen Emitterschaltung mit npn-Transistor und

Fig. 4 eine Ausführung einer gemeinsamen Emitterschaltung mit pnp-Transistor und Integrator.

In Fig. 1 ist im Blockschaltbild der Spitzendetektor dargestellt. Der Teil A stellt den Teil dar, in dem bei Hochfrequenzeingangssignalen die Ilochfrequenzströme fliessen, während der Teil B den niederfrequenten und gleichspannungsgegenkoppelnden Teil nach der Erfindung darstellt.

^⁵ Das Signal, dessen positiver oder negativer Spitzenwert

gemessen werden muss, wird der ersten Eingangsklemme 1 und der zweiten Eingangsklemme 2, die zugleich mit der Masse der Schaltung verbunden ist, zugeführt. Die Klemme 1 ist mit der einen Elektrode 3 und die Klemme 2 über den ersten Kondensator 4 mit der anderen Elektrode 5 der ³ⁱ⁾ Basis- und Emitter-Elektroden eines Transistors 6 verbunden, der mit seinem Kollektro über den zweiten Kondensator 8 wieder an die Klemme 2 angeschlossen ist.

Eine Stromquellenschaltung 9 liefert einen Strom entweder an den Transistor 6 oder an den Kondensator 8. Bei gesperrtem Transistor wird der Kondensator 8 aufgeladen und die Spannung über dem Kondensator nimmt zu. Diese Spannung wird mit einer durch einen Block dargestellten Verstärkerschaltung 10 mit einem hochohmigen Eingang 11 gemessen. Der Bezugseingang 12 ist mit der Massenverbindung 13 verbunden.

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Der Ausgang 14 ist die Ausgangsklemme 15 des Spitzendetektors. Er ist zugleich mittels einer Verbindung 16 mit der Elektrode 5 und dem Kondensator 4 verbunden. Die andere Ausgangsklemme 17 des Spitzendetektors ist mit der Masse 13 verbunden.

Die Wirkung der Schaltung ist derart, dass bei gesperrtem Transistor 6 die Basis-Emitterdiode zwischen den Punkten 3 und 5 nach einiger Zeit stromdurchlässig wird. Zu diesem Zeitpunkt kann der Transistor Kollektorstrom führen. Es ist einleuchtend, dass der Transistor 6 vom pnp-Typ ist, wenn die Stromquellenschaltung Strom gemäss dem Pfeil 18 führt und dass der Transistor vom npn-Typ ist, wenn der Strom gemäss dem Pfeil 19 fliesst.

Beispielsweise lässt sich folgendes sagen: Der Transistor 6 ist vom pnp-Typ, der Strom fliesst gemäss dem Pfeil 18. Bei gesperrtem Transistor lädt sich der Kondensator 8 negativ auf. Weiter sei angenommen, dass das positive Signal detektiert werden muss. Die Basis- Emitterdiode muss dan bei positiven Spitzenwerten des Eingangssignals leitend werden. Dann wird der Punkt 3 der Emitter und der Punkt 5 die Basis sein, während bei gesperrtem Transistor die Spannung über dem Kondensator 4 abnehmen muss. Die Verstärkerschaltung 10 soll also einen positiven Verstärkungsfaktor aufweisen. Die anderen drei möglichen Fälle werden in den Fig. 2, 3 und 4 beschrieben.

In Fig. 2 ist ein Detektor für negative Spitzenwerte mit einem npn-Transistor 6 in gemeinsamer Basisschaltung dargestellt. Die Strotquellenschaltung 9 mit gemäss dem Pfeil 19 fliessenden Strom ist gestrichelt dargestellt, weil sich herausstellt, dass statt dieser Schaltung der Einstellstrom der ersten Stufe der Verstärkerschaltung verwendet werden kann; der Eingang 11 liefert also diesen Strom. Der Wert dieses Stroms für den Typ LM 324 ist z.B. 50 nA. Die Verstärkerschaltung 10 enthält den Differenzverstärker 20 mit hochohmigen nichtinvertierendem Eingang 11 und dan Eingang 12, der mit dem Knotenpunkt

21 eines pannungsteilers 22, 23 verbunden ist, der zwischen dem Ausgang 14 des Verstärkers 20 und einer zweiten Bezugsspannung +E angeordnet ist. Diese Bezugsspannung sorgt dafür, dass die Kollektorspannung des Transistors 6 stets grosser als die Basisspannung ist, während das Teilverhältnis des Widerstandes 23 und des Widerstandes

22 den Verstärkungsfaktor der Verstärkerschaltung bestimmt. Die Verbindung 16 zwischen dem Ausgang 14 und der Basis 5 besteht aus einem ersten Widerstand 24, der zwischen der Basis 5 und dem Abgriff 25 eines

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einstellbaren Spannungsteilers 26 angeordnet ist, der zu einer Diode 27 parallelgeschaltet ist. Diese Parallelschaltung wird von dem Spannungsteiler 22, 23 aus der Spannungsquelle +E gespeist, die positiv gegenüber dem Ausgang 14 ist. Die Einstellung am Abgriff 25 ist derart, dass die Basis-Emitterspannung zwischen den Punkten 5 und 3 beim Erreichen des zu detektierenden Spitzenwertes nahezu gleich der Spannung zwischen den Punkten 25 und 14 ist und bei Temperaturänderungen dieser Spannung gleich bleibt.

Die Wirkungsweise des Spitzendetektors ist wie folgt: Bei gesperrtem Transistor 6 lädt sich der Kondensator 8 positiv mit dem Strom der Quelle 9 gernäss der Pfeilrichting 19 auf. Dadurch steigt die Spannung am Ausgang 14 der Verstärkerschaltung 10 ebenfalls an, und der Kondensator 4 wird auf dieselbe Spannung aufgeladen. Sobald diese Spannung nahezu gleich dem negativen Wert des Eingangssignals 28 am Eingang 1-2 wird, wird der Transistor 6 leitend, wobei der Strom der Quelle 9 und ein Entladestrom des Kondensators 8 den Kollektorstrom bilden werden. Wenn der Mittelwert der zugeführten Ladung bei gesperrtem Transistor gleich dan Mittelwert der abgeführten Ladung bei leitendem Transistor ist, ist ein Gleichgewichtszustand erreicht. Die Welligkeits-

2g spannung am Kondensator 8 wird durch den Wert dieser Wechselladung und den Kapazitätswert bestimmt. Bei abnehmenden Frequenzen des Eingangssignals wird diese Welligkeitsspannung immer grosser infolge der langen Zeit, während deren der Kondensator 8 von der Stromquelle 9 zwischen zwei Spitzenwerten aufgeladen wird. Diese Welligkeitsspannung ist auch am Ausgang 15 vorhanden und bestimmt damit die Genauigkeit der Spitzenwertmessung bei niedrigen Frequenzen. Bei hohen Frequenzen wird die Welligkeitspannung am Kondensator 8 nicht weitergeleitet, sondern bestimmt der Mittelwert der Kondensatorspannung die Einstellung der Verstärkerschaltung 10. Wenn die Welligkeit am Kondensator 8 grosser wird, nimmt die

₃Q Genauigkeit des Spitzendetektors ab.

In Fig. 3 werden mit einem npn-Transistor in gemeinsamer Emitterschaltung positiv gerichtete Maximalwerte des Eingangssignals gemessen. Die Verstärkerschaltung 10 enthält einen Pufferverstärker 20, dessen einer Eingang 11 hochohmig ist und mit dem Kondensator 8 und dem Kollektor 7 verbunden ist. Min nachgeschalteter Verstärker 29 ist als Umkehrverstärker geschaltet. Dazu ist der nichtinvertierende Eingang 12 mit dem Knotenpunkt 21 eines Spannungsteilers 22-23 verbunden, der zwischen der Massenleitung 13 und einer Quelle +E angeordnet ist. Der

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invertierende Eingang 30 ist über einen Widerstand 31 mit dem Ausgang des Verstärkers 20 und über einen Widerstand 32 mit dem Ausgang 14 des Verstärkers 29 verbunden. Die Parallelschaltung der Diode 27 und des Spannungsteilers 26 wird über einen Widerstand 33 aus einer Quelle -E- gespeist.

Bei diesem Spitzendetektor wird bei gesperrtem Transistor 6 der Kondensator S ebenfeills positiv aufgeladen, aber der Kondensator 4 wird durch die Inversion in (3er Verstärkerschaltung 10 in negativer Richtung aufgeladen werden. Dadurch kann tatsächlich der positive Maximalwert eines Signals 28 den Basis-Emitter-Übergang 5-3 des Transistors 6 leitend machen.

In Fig. 4 ist der Transistor 6 auch in Emitterschaltung angeordnet. Der Transistor ist vom pnp-Typ, so dass sich einige Polaritäten in bezug auf den Spitzendetektor nach Fig. 3 geändert haben. Die negativen Spitzenwerte des Signals 28 werden gemessen und die Stromquelle 9 liefert Strom gemäss der Pfeilrichtung 18. Die Diode 27 ist gegensinnig angeschlossen und die Quelle E₁ weist nun eine negative Polarität in bezug auf den Ausgang auf. In dieser Schaltung sind zwei Änderungen im Vergleich zu der Schaltung nach Fig. 3 enthalten. Zunächst ist der Kondensator 8 nicht unmittelbar mit der Massenleitung 13, sondern über den Kondensator 4 mit dieser Leitung verbunden. Für den Hochfrequenzstran bedeutet diese Schaltung, dass der Entladestrom des Kondensators 8 unmittelbar zwischen diesem und dem Emitter-Kollektor-Ubergang fliesst, und dass der Kondensator 4 nur den Eingangsstrom in dem Kreis 2-4-3-5-1 führt. Wenn das Verhältnis zwischen den Kapazitäten der Kondensatoren 8 und 4 gleich dem Stromverstärkungsfaktor h_f des Transistors 6 gewählt wird, sind die Welligkeitsspannungen gleich, aber von entgegengesetztem Vorzeichen. Dies bedeutet, dass am Eingang 11 keine hochfrequente Welligkeitsspannung angeboten wird. Dies kann von Bedeutung sein bei der ebenfalls in Fig. 4 dargestellten Verstärkerschaltung 10, die nur aus einem einzigen Integrator besteht. Dazu ist der Eingang 11 über einen Kondensator 36 mit dem Ausgang 14 und der Eingang 12 mit einer Quelle -E~ verbunden. Der Integrator hält ein Potential -E₂ am Kollektor des Transistors 6 dadurch aufrecht, dass die Ausgangsspannung am Ausgang 14 derart geregelt wird, dass Ladesträne für den Kondensator 4, den Kondensator 8 und den Kondensator 36 in Kombination mit dem Strom der Quelle 9 die richtige Spannungsverteilung über die Kondensatoren 4 und 8 ergeben. Der Wiederstand 35 am Eingang ist. vorgesehen, um ein Koaxialkabel mit

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seiner charakteristischen Impedanz abschliessen zu können. Der Widerstand 34 ist niederohmig und soll Streueffekte/ die durch den nichtidealen Transistor herbeigeführt werden, dämpfen.

Es wird noch bemerkt, dass der angewendete Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden auch ein Feldeffekttransistor sein kann mit Gate-, Source- bzw. Drainelektroden.

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Claims

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Patentansprüche:

M. j Spitzendetektor, der einen ersten Kondensator als Speicherelement, eine mit diesem Kondensator gekoppelte Ladeschaltung und eine Spannungsvergleichsschaltung enthält, die die Eingangsspannung des Spitzendetektors mit der Spannung über dem ersten Kondensator vergleicht und die Ladung dieses Kondensators im ausgleichenden Sinne regelt, wenn die Kondensatorspannung dem zu messenden Spitzenwert der Eingangsspannung nicht proportional ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsvergleichsschaltung ein Transistor (6) ist, dessen Basis-Emitterstrecke (3) mit einer ersten Eingangsklemme (1) des Spitzendetektors und über den ersten Kondensator (4) mit der zweiten an Masse angeschlossenen Eingangsklemme (2) verbunden ist und dessen Kollektor über einen zweiten Kondensator (8) mit der zweiten Eingangskleinne (2) verbunden ist, und dass die Ladeschaltung eine Verstärkerschaltung (10) enthält, die mit einem hochohmigen Eingang (11), der mit dem Kollektor und mit einer Stromquellenschal tung (9) verbunden ist, und mit einem Ausgang (14) versehen ist, der mit dem Ausgang (15) des Spitzendetektors und mit der mit dem ersten Kondensator (4) verbundenen Elektrode des Transistors (6) verbunden ist.
2. Spitzendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen dem Ausgang (14) und der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode (5) einen ersten Widerstand (24) enthält, der zwischen dieser Elektrode (5) und dem Knotenpunkt (25) eines einstellbaren Spannungsteilers (16) angeordnet ist, dem eine Diode (27) parallelgeschaltet ist, die einerseits mit dem Ausgang (14) und andererseits über einen zweiten Widerstand (22, 23, 33) mit einer ersten Bezugsspannung (+E; -E.; +E-) verbunden ist und dadurch in der Durchlassrichtung eingestellt ist, um den Einfluss der Basis-Emitterspannung auf die Messung des Spitzenwertes auszugleichen.
3. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter (3) des Transistors (6) mit der ersten Eingangsklenome (1) und die Basis mit der zweiten Eingangsklemme (2) verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Differenzverstärker (29) enthält, dessen nichtinvertierender Eingang (11) mit dem Kollektor des Transistors (7) gekoppelt ist und dessen invertierender Eingang (12) mit dem Abgriff (21) eines Spannungsteilers (22, 23, 16) verbunden ist, der zwischen einer zweiten Bezugsspannung (+E) und dem Ausgang (14) des Verstärkers angeordnet ist, der zugleich der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist. (Fig. 2).

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4. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis (5) des Transistors (6) mit der ersten Eingangsklemme und die Emitter-Elektrode (3) mit der zweiten Eingangsklemme verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Pufferver- stärker (20) und einen Differenzverstärker (29) enthält, wobei der Eingang (11) des PufferVerstärkers (20) mit dem Kollektor des Transistors (6) gekoppelt ist und sein Ausgang mittels eines dritten Widerstandes (31) mit dem invertierenden Eingang (30) des Differenzverstärkers (29) verbunden ist, dessen nichtinvertierender Eingang (12) mit einer dritten Bezugsspannung (+E₂) verbunden ist und dessen Ausgang (14) oder über einen vierten Widerstand (32) mit dem invertierenden Eingang (30) verbunden ist der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist (Fig. 3).
5. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis-Elektrode (3) des Transistors (6) mit der ersten

^⁵ Eingangsklemme (1) und die Emitter-Elektrode mit der zweiten Eingangsklemme verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Differenzverstärker (29) enthält, dessen nichtinvertierender Eingang (12) mit einer vierten Bezugsspannung (-E-) verbunden ist und dessen invertierender Eingang (11) nut dem Kollektor des Transistors (6) gekoppelt ist, wobei zwischen diesem Eingang (11) und dem Ausgang (14) des Verstärkers (20), der zugleich der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist, ein dritter Kondensator (36) angeordent ist (Fig. 4).
6. Spitzendetektor nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Kondensator (8) zwischen dem Kollektor (7) und dem Emitter (3) des Transistors (6) und der erste Kondensator (4) zwishcen dem Emitter (3) und der zweiten Eingangsklenme (2) angeordnet ist.(Fig. 4).

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