DE3106477A1 - Spitzendetektor - Google Patents
SpitzendetektorInfo
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Description
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PHN 9696 ^ ^ 12.11.1980
Spitzendetek-tor
Die Erfindung bezieht sich auf einen Spitzendetektor, der einen ersten Kondensator als Speicherelement, eine mit diesem Kondensator
gekoppelte Ladeschaltung und eine Spannungsvergleichsschaltung enthält, die die Eingangsspannung des Spitzendetektors mit der Spannung
über dem ersten Kondensator vergleicht und die Ladung dieses Kondensators
im ausgleichenden Sinne regelt, wenn die Kondensatorspannung dem zu messenden Spitzenwert der Eingangsspannung nicht proportional
ist.
Ein derartiger Spitzendetektor ist aus dem Aufsatz von
J. Hawke in der Zeitschrift "Electronic Engineering", Band 49, Mitte
Oktober 1977, Seite 23, mit dem Titel "Low offset peak detektor circuit
uses transistors" bekannt.
In diesem Aufsatz wird das Problem der Offsetspannung angegeben, die bei Spitzendetektoren auftritt, die mit einer Diode
bestückt sind. Dadurch, dass die Diode in einen Rückkopplungskreis eines Operationsverstärkers aufgenommen wird, kann dieses Problem
grösstenteils gelöst werden. Dabei ist es nachteilig, dass der Verstärker eine beschränkte Bandbreite aufweist, so dass Hochfrequenzsignale
ausserhalb des Bandes nicht genau gemessen werden können.
In dem genannten Aufsatz wird eine Schaltung mit Transistoren vorgeschlagen, die eine geringe Anzahl Einzelteile enthält und
dennoch einen hohen Verstärkungsfaktor aufweist, wodurch die Bandbreite zunimmt. Der obengenannte Operationsverstärker ist durch einen
Differenzverstärker ersetzt, der aus zwei als emittergekoppeltes Paar geschalteten Transistoren mit einem Stromspiegel in den Kollektoren
besteht. Diese Spannungsvergleichsschaltung vergleicht die angebotene Ejjigangsspannung mit der Spannung über einen Kondensator, der als
Speicherelement dient. Wenn die letztere Spannung nicht gleich dem Spitzenwert der Eingangsspannung ist, regelt eine Ladeschaltung die
Ladung des Kondensators. Die Ladeschaltung enthält einen Entladewiderstand
und eine Stromquellenschaltung, die mit einem der Kollektoren der Verstärkertransistoren verbunden ist.
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Sowohl der Spitzendetektor mit Operationsverstärker als auch der oben beschriebene Spitzendetektor führen Hechfrequenzströme
durch die ganze Schaltung bis zu dem Speicherkondensator, jeweils wenn die Hochfrequenzeingangsspannung nahezu ihren Spitzenwert erreicht.
Jedes verstärkende Element in der Schaltung beschränkt jedoch durch
seine eigene abfallende Frequenzkennlinie die Gesamtfrequenzkennlinie.
Die Erfindung basiert nun auf dem Gedanken, dass als Spannungsvergleichsschaltung auch ein einziger Transistor verwendet
werden kann, der damit das einzige hochfrequente verstärkende Element im Spitzendetektor sein soll.
Ein Spitzendetektor vom eingangs genannten Typ ist dazu dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsvergleichsschaltung ein
Transistor ist, dessen Basis-Emitterstrecke mit einer ersten Eingangsklemme des Spitzendetektors und über den ersten Kondensator mit der
zweiten an Masse angeschlossenen Eingangsklemme verbunden ist und dessen Kollektor über einen zweiten Kondensator mit der zweiten Eingangsklenrne
verbunden ist, und dass die Ladeschaltung eine Verstärkerschaltung enthält, die mit einem hochohmigen Eingang, der mit dem
Kollektor und mit einer Stromquellenschaltung verbunden ist, und mit einem Ausgang versehen ist, der mit dem Ausgang des Spitzendetektors
und mit der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode des Transistors verbunden ist.
Der Vorteil eines derartigen Spitzendetektors ist der, dass eine sehr grosse Bandbreite erhalten wird, deren sogenannte
3-dB-Punkte leicht auf eine Frequenz von einigen Hz, die durch die
Stromquellenschaltung und den zweiten Kondensator bestimmt wird, und
auf eine Frequenz eingestellt werden können, dio in dor Grössenordnung
der sogenannten Trnnuitfrequonz tr liegt. D icy i::;t: die Frequenz, bei
der der Stromverstärkungsfoiktor hf s des Transistors gleich 1 geworden
ist.
Dieser Hochfrequente -3 dB-Punkt wird durch das Hochfrequenz-Ersatzschaltbild
des Transistors, wobei vor allem der Basisreihenwiderstand r, b von Bedeutung ist, und weiter durch die Qualität
der Kondensatoren, die Anordnung (Layout) der Einzelteile und die Amplitude des Eingangssignals bestimmt.
Die Hechfrequenzströme, die oben bereits erwähnt wurden, fHessen bei diesem Spitzendetroktor nur durch den Eingangskreis, den
Transistor und die zwei Kondensatoren. Die Verstärkerschaltung ist
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zu träge, um anzuspechen. Die letztere Schaltung und die Stromguellenschaltung
bewirken aber die Gleichstraneinstellung des Detektors und
damit der Gleichspannungen an den zwei Kondensatoren, also des Masses für den zu messenden Spitzenwert. Für sehr niedrige Frequenzen und für
Gleichspannung bildet die ganze Schaltung ein selbsteinstellendes rückgekoppeltes
System.
Der Spitzendetektor nach der Erfindung kann derart eingerichtet
werden, dass in absolutem Sinne der niedrigste Wert eines Signals oder der höchste Wert eines Signals als Gleichspannung angegeben wird.
Die Eingangssignale können sinusförmig sein, mit einer Gleichspannung
versehen sein, impulsförmig sein mit gegebenenfalls einer sehr kurzen
Impulsperiode oder eine beliebige Form aufweisen.
Zum Messen des Spitzenwertes kleiner Signale ist es wünschenswert, den Einfluss der Basis-Emitterspannung zu beseitigen.
Dazu ist eine Ausführungsform nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet,
dass die Verbindung zwischen dem Ausgang und der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode einen ersten Widerstand enthält, der zwischen
dieser Elektrode und dem Knotenpunkt eines einstellbaren Spannungsteilers angeordnet ist, dem eine Diode parallel geschaltet ist, die
einerseits mit dem Ausgang und andererseits über einen zweiten Widerstand mit einer ersten Bezugsspannung verbunden ist und dadurch in der
Durchlassrichtung eingestellt ist, um den Einfluss der Basis-Emitterspannung auf die Messung des Spitzenwertes auszugleichen.
Der für die Erfindung kennzeichende Transistor kann in Basis- oder in Emitterschaltung angeordnet sein.
In Basisschaltung wird das Messsignal dem Emitter zugeführt und die Verstärkerschaltung wirkt als Impedanztransformator.
Die Schaltung misst negative Spitzenwerte, wenn der Transistor vom npn-Typ ist, und positive 'Spitzenwerte, wenn der Transistor vom pnp-Typ
ist.
In Emitterschaltung wird das Messsignal der Basis zugeführt. Die Verstärkerschaltung muss das Signal am hochohmigen Eingang
um 180° in der Phase drehen, bevor es dem Emitter angeboten wird. Dazu
ist in einer ausfuhrungsform ein Differenzverstärker in einer invertierenden
Gegenkopplungsschaltung vorgesehen. Der hochohmige Eingang der Verstärkerschaltung wird mittels eines Pufferverstärkers erhalten.
In einer anderen Ausführungsform der gemeinsamen Emitterschaltung enthält die Verstärkerschaltung einen Integrator, dessen
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nichtinvertierender Eingang an einer Bezugsspannung und dessen invertierender
Eingang an dem. Kollektor und an dem Integratorkondensator liegt.
Bei der gemeinsamen Emitterschaltung kann der zweite Kondensator auch zwischen den Kollektor und dem Emitter des Transistors
angeordnet werden. Durch passende Bemessung der zwei Kondensatoren in bezug auf den Verstärkungsfaktor des Transistors kann auch bei den
hohen Frequenzen die Spannung an dem Kollektro des Transistors ohne Welligkeit sein.
Einige Aasführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Einige Aasführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 ein Blockschaltbid nach der Erfindung,
Fig. 2 eine Ausführung einer gemeinsamen Basisschaltung mit npn-Transistor,
Fig. 3 eine Ausführung einer gemeinsamen Emitterschaltung
mit npn-Transistor und
Fig. 4 eine Ausführung einer gemeinsamen Emitterschaltung mit pnp-Transistor und Integrator.
In Fig. 1 ist im Blockschaltbild der Spitzendetektor dargestellt.
Der Teil A stellt den Teil dar, in dem bei Hochfrequenzeingangssignalen
die Ilochfrequenzströme fliessen, während der Teil B den
niederfrequenten und gleichspannungsgegenkoppelnden Teil nach der Erfindung
darstellt.
^5 Das Signal, dessen positiver oder negativer Spitzenwert
gemessen werden muss, wird der ersten Eingangsklemme 1 und der zweiten
Eingangsklemme 2, die zugleich mit der Masse der Schaltung verbunden ist, zugeführt. Die Klemme 1 ist mit der einen Elektrode 3 und die
Klemme 2 über den ersten Kondensator 4 mit der anderen Elektrode 5 der 3i) Basis- und Emitter-Elektroden eines Transistors 6 verbunden, der mit
seinem Kollektro über den zweiten Kondensator 8 wieder an die Klemme 2 angeschlossen ist.
Eine Stromquellenschaltung 9 liefert einen Strom entweder an den Transistor 6 oder an den Kondensator 8. Bei gesperrtem Transistor
wird der Kondensator 8 aufgeladen und die Spannung über dem Kondensator nimmt zu. Diese Spannung wird mit einer durch einen Block dargestellten
Verstärkerschaltung 10 mit einem hochohmigen Eingang 11 gemessen.
Der Bezugseingang 12 ist mit der Massenverbindung 13 verbunden.
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Der Ausgang 14 ist die Ausgangsklemme 15 des Spitzendetektors. Er ist
zugleich mittels einer Verbindung 16 mit der Elektrode 5 und dem
Kondensator 4 verbunden. Die andere Ausgangsklemme 17 des Spitzendetektors
ist mit der Masse 13 verbunden.
Die Wirkung der Schaltung ist derart, dass bei gesperrtem Transistor 6 die Basis-Emitterdiode zwischen den Punkten 3 und 5 nach
einiger Zeit stromdurchlässig wird. Zu diesem Zeitpunkt kann der Transistor Kollektorstrom führen. Es ist einleuchtend, dass der Transistor
6 vom pnp-Typ ist, wenn die Stromquellenschaltung Strom gemäss dem
Pfeil 18 führt und dass der Transistor vom npn-Typ ist, wenn der Strom
gemäss dem Pfeil 19 fliesst.
Beispielsweise lässt sich folgendes sagen: Der Transistor 6 ist vom pnp-Typ, der Strom fliesst gemäss dem Pfeil 18. Bei gesperrtem
Transistor lädt sich der Kondensator 8 negativ auf. Weiter sei angenommen, dass das positive Signal detektiert werden muss. Die
Basis- Emitterdiode muss dan bei positiven Spitzenwerten des Eingangssignals leitend werden. Dann wird der Punkt 3 der Emitter und der Punkt
5 die Basis sein, während bei gesperrtem Transistor die Spannung über dem Kondensator 4 abnehmen muss. Die Verstärkerschaltung 10 soll also
einen positiven Verstärkungsfaktor aufweisen. Die anderen drei möglichen
Fälle werden in den Fig. 2, 3 und 4 beschrieben.
In Fig. 2 ist ein Detektor für negative Spitzenwerte mit einem npn-Transistor 6 in gemeinsamer Basisschaltung dargestellt. Die
Strotquellenschaltung 9 mit gemäss dem Pfeil 19 fliessenden Strom ist
gestrichelt dargestellt, weil sich herausstellt, dass statt dieser Schaltung der Einstellstrom der ersten Stufe der Verstärkerschaltung
verwendet werden kann; der Eingang 11 liefert also diesen Strom. Der
Wert dieses Stroms für den Typ LM 324 ist z.B. 50 nA. Die Verstärkerschaltung 10 enthält den Differenzverstärker 20 mit hochohmigen nichtinvertierendem
Eingang 11 und dan Eingang 12, der mit dem Knotenpunkt
21 eines pannungsteilers 22, 23 verbunden ist, der zwischen dem Ausgang
14 des Verstärkers 20 und einer zweiten Bezugsspannung +E angeordnet ist. Diese Bezugsspannung sorgt dafür, dass die Kollektorspannung
des Transistors 6 stets grosser als die Basisspannung ist, während das Teilverhältnis des Widerstandes 23 und des Widerstandes
22 den Verstärkungsfaktor der Verstärkerschaltung bestimmt. Die Verbindung
16 zwischen dem Ausgang 14 und der Basis 5 besteht aus einem ersten Widerstand 24, der zwischen der Basis 5 und dem Abgriff 25 eines
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einstellbaren Spannungsteilers 26 angeordnet ist, der zu einer Diode 27
parallelgeschaltet ist. Diese Parallelschaltung wird von dem Spannungsteiler
22, 23 aus der Spannungsquelle +E gespeist, die positiv gegenüber dem Ausgang 14 ist. Die Einstellung am Abgriff 25 ist derart, dass
die Basis-Emitterspannung zwischen den Punkten 5 und 3 beim Erreichen des zu detektierenden Spitzenwertes nahezu gleich der Spannung zwischen
den Punkten 25 und 14 ist und bei Temperaturänderungen dieser Spannung gleich bleibt.
Die Wirkungsweise des Spitzendetektors ist wie folgt: Bei gesperrtem Transistor 6 lädt sich der Kondensator 8 positiv mit dem
Strom der Quelle 9 gernäss der Pfeilrichting 19 auf. Dadurch steigt die
Spannung am Ausgang 14 der Verstärkerschaltung 10 ebenfalls an, und
der Kondensator 4 wird auf dieselbe Spannung aufgeladen. Sobald diese Spannung nahezu gleich dem negativen Wert des Eingangssignals 28 am
Eingang 1-2 wird, wird der Transistor 6 leitend, wobei der Strom der Quelle 9 und ein Entladestrom des Kondensators 8 den Kollektorstrom
bilden werden. Wenn der Mittelwert der zugeführten Ladung bei gesperrtem Transistor gleich dan Mittelwert der abgeführten Ladung bei leitendem
Transistor ist, ist ein Gleichgewichtszustand erreicht. Die Welligkeits-
2g spannung am Kondensator 8 wird durch den Wert dieser Wechselladung und
den Kapazitätswert bestimmt. Bei abnehmenden Frequenzen des Eingangssignals wird diese Welligkeitsspannung immer grosser infolge der langen
Zeit, während deren der Kondensator 8 von der Stromquelle 9 zwischen zwei Spitzenwerten aufgeladen wird. Diese Welligkeitsspannung ist auch am Ausgang
15 vorhanden und bestimmt damit die Genauigkeit der Spitzenwertmessung
bei niedrigen Frequenzen. Bei hohen Frequenzen wird die Welligkeitspannung am Kondensator 8 nicht weitergeleitet, sondern bestimmt der
Mittelwert der Kondensatorspannung die Einstellung der Verstärkerschaltung 10. Wenn die Welligkeit am Kondensator 8 grosser wird, nimmt die
3Q Genauigkeit des Spitzendetektors ab.
In Fig. 3 werden mit einem npn-Transistor in gemeinsamer
Emitterschaltung positiv gerichtete Maximalwerte des Eingangssignals gemessen. Die Verstärkerschaltung 10 enthält einen Pufferverstärker 20,
dessen einer Eingang 11 hochohmig ist und mit dem Kondensator 8 und dem
Kollektor 7 verbunden ist. Min nachgeschalteter Verstärker 29 ist als
Umkehrverstärker geschaltet. Dazu ist der nichtinvertierende Eingang 12 mit dem Knotenpunkt 21 eines Spannungsteilers 22-23 verbunden, der
zwischen der Massenleitung 13 und einer Quelle +E angeordnet ist. Der
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invertierende Eingang 30 ist über einen Widerstand 31 mit dem Ausgang
des Verstärkers 20 und über einen Widerstand 32 mit dem Ausgang 14
des Verstärkers 29 verbunden. Die Parallelschaltung der Diode 27 und des Spannungsteilers 26 wird über einen Widerstand 33 aus einer Quelle
-E- gespeist.
Bei diesem Spitzendetektor wird bei gesperrtem Transistor 6
der Kondensator S ebenfeills positiv aufgeladen, aber der Kondensator
4 wird durch die Inversion in (3er Verstärkerschaltung 10 in negativer Richtung aufgeladen werden. Dadurch kann tatsächlich der positive
Maximalwert eines Signals 28 den Basis-Emitter-Übergang 5-3 des Transistors 6 leitend machen.
In Fig. 4 ist der Transistor 6 auch in Emitterschaltung angeordnet. Der Transistor ist vom pnp-Typ, so dass sich einige Polaritäten
in bezug auf den Spitzendetektor nach Fig. 3 geändert haben. Die negativen Spitzenwerte des Signals 28 werden gemessen und die Stromquelle
9 liefert Strom gemäss der Pfeilrichtung 18. Die Diode 27 ist gegensinnig angeschlossen und die Quelle E1 weist nun eine negative Polarität in
bezug auf den Ausgang auf. In dieser Schaltung sind zwei Änderungen im
Vergleich zu der Schaltung nach Fig. 3 enthalten. Zunächst ist der Kondensator 8 nicht unmittelbar mit der Massenleitung 13, sondern über
den Kondensator 4 mit dieser Leitung verbunden. Für den Hochfrequenzstran bedeutet diese Schaltung, dass der Entladestrom des Kondensators
8 unmittelbar zwischen diesem und dem Emitter-Kollektor-Ubergang fliesst, und dass der Kondensator 4 nur den Eingangsstrom in dem Kreis 2-4-3-5-1
führt. Wenn das Verhältnis zwischen den Kapazitäten der Kondensatoren 8 und 4 gleich dem Stromverstärkungsfaktor hf des Transistors 6 gewählt
wird, sind die Welligkeitsspannungen gleich, aber von entgegengesetztem Vorzeichen. Dies bedeutet, dass am Eingang 11 keine hochfrequente Welligkeitsspannung
angeboten wird. Dies kann von Bedeutung sein bei der ebenfalls in Fig. 4 dargestellten Verstärkerschaltung 10, die nur aus einem
einzigen Integrator besteht. Dazu ist der Eingang 11 über einen Kondensator
36 mit dem Ausgang 14 und der Eingang 12 mit einer Quelle -E~ verbunden.
Der Integrator hält ein Potential -E2 am Kollektor des Transistors
6 dadurch aufrecht, dass die Ausgangsspannung am Ausgang 14 derart
geregelt wird, dass Ladesträne für den Kondensator 4, den Kondensator 8
und den Kondensator 36 in Kombination mit dem Strom der Quelle 9 die richtige Spannungsverteilung über die Kondensatoren 4 und 8 ergeben.
Der Wiederstand 35 am Eingang ist. vorgesehen, um ein Koaxialkabel mit
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ΡΙΊΝ 9696 -JBT- 40 12.11.1980
seiner charakteristischen Impedanz abschliessen zu können. Der Widerstand
34 ist niederohmig und soll Streueffekte/ die durch den nichtidealen Transistor herbeigeführt werden, dämpfen.
Es wird noch bemerkt, dass der angewendete Transistor mit Basis-, Emitter- und Kollektor-Elektroden auch ein Feldeffekttransistor
sein kann mit Gate-, Source- bzw. Drainelektroden.
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Claims (6)
- PHN 9696 - $ - 12.11.1980Patentansprüche:M. j Spitzendetektor, der einen ersten Kondensator als Speicherelement, eine mit diesem Kondensator gekoppelte Ladeschaltung und eine Spannungsvergleichsschaltung enthält, die die Eingangsspannung des Spitzendetektors mit der Spannung über dem ersten Kondensator vergleicht und die Ladung dieses Kondensators im ausgleichenden Sinne regelt, wenn die Kondensatorspannung dem zu messenden Spitzenwert der Eingangsspannung nicht proportional ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsvergleichsschaltung ein Transistor (6) ist, dessen Basis-Emitterstrecke (3) mit einer ersten Eingangsklemme (1) des Spitzendetektors und über den ersten Kondensator (4) mit der zweiten an Masse angeschlossenen Eingangsklemme (2) verbunden ist und dessen Kollektor über einen zweiten Kondensator (8) mit der zweiten Eingangskleinne (2) verbunden ist, und dass die Ladeschaltung eine Verstärkerschaltung (10) enthält, die mit einem hochohmigen Eingang (11), der mit dem Kollektor und mit einer Stromquellenschal tung (9) verbunden ist, und mit einem Ausgang (14) versehen ist, der mit dem Ausgang (15) des Spitzendetektors und mit der mit dem ersten Kondensator (4) verbundenen Elektrode des Transistors (6) verbunden ist.
- 2. Spitzendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen dem Ausgang (14) und der mit dem ersten Kondensator verbundenen Elektrode (5) einen ersten Widerstand (24) enthält, der zwischen dieser Elektrode (5) und dem Knotenpunkt (25) eines einstellbaren Spannungsteilers (16) angeordnet ist, dem eine Diode (27) parallelgeschaltet ist, die einerseits mit dem Ausgang (14) und andererseits über einen zweiten Widerstand (22, 23, 33) mit einer ersten Bezugsspannung (+E; -E.; +E-) verbunden ist und dadurch in der Durchlassrichtung eingestellt ist, um den Einfluss der Basis-Emitterspannung auf die Messung des Spitzenwertes auszugleichen.
- 3. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter (3) des Transistors (6) mit der ersten Eingangsklenome (1) und die Basis mit der zweiten Eingangsklemme (2) verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Differenzverstärker (29) enthält, dessen nichtinvertierender Eingang (11) mit dem Kollektor des Transistors (7) gekoppelt ist und dessen invertierender Eingang (12) mit dem Abgriff (21) eines Spannungsteilers (22, 23, 16) verbunden ist, der zwischen einer zweiten Bezugsspannung (+E) und dem Ausgang (14) des Verstärkers angeordnet ist, der zugleich der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist. (Fig. 2).130063/0663PHN 9696 - Iff - S 12.11.1980
- 4. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis (5) des Transistors (6) mit der ersten Eingangsklemme und die Emitter-Elektrode (3) mit der zweiten Eingangsklemme verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Pufferver- stärker (20) und einen Differenzverstärker (29) enthält, wobei der Eingang (11) des PufferVerstärkers (20) mit dem Kollektor des Transistors (6) gekoppelt ist und sein Ausgang mittels eines dritten Widerstandes (31) mit dem invertierenden Eingang (30) des Differenzverstärkers (29) verbunden ist, dessen nichtinvertierender Eingang (12) mit einer dritten Bezugsspannung (+E2) verbunden ist und dessen Ausgang (14) oder über einen vierten Widerstand (32) mit dem invertierenden Eingang (30) verbunden ist der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist (Fig. 3).
- 5. Spitzendetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis-Elektrode (3) des Transistors (6) mit der ersten^5 Eingangsklemme (1) und die Emitter-Elektrode mit der zweiten Eingangsklemme verbunden ist und die Verstärkerschaltung einen Differenzverstärker (29) enthält, dessen nichtinvertierender Eingang (12) mit einer vierten Bezugsspannung (-E-) verbunden ist und dessen invertierender Eingang (11) nut dem Kollektor des Transistors (6) gekoppelt ist, wobei zwischen diesem Eingang (11) und dem Ausgang (14) des Verstärkers (20), der zugleich der Ausgang (15) des Spitzendetektors ist, ein dritter Kondensator (36) angeordent ist (Fig. 4).
- 6. Spitzendetektor nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Kondensator (8) zwischen dem Kollektor (7) und dem Emitter (3) des Transistors (6) und der erste Kondensator (4) zwishcen dem Emitter (3) und der zweiten Eingangsklenme (2) angeordnet ist.(Fig. 4).130063/0663
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