DE3032661C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Stereo-Demodulator gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Das zusammengesetzte FM-Stereosignal des Pilottonsystems besteht im allgemeinen aus einem Hauptkanalsignal, einem Nebenkanalsignal, einem Pilotsignal und einem SCA-Signal (Subsidiary Communication Authorization). Das Hauptkanalsignal ist ein Summensignal (L + R) des linken und rechten Audiosignals und das Nebenkanalsignal enthält das Differenzsignal (L - R) in der Form eines Hilfsträgersignals (38 kHz), das durch das Differenzsignal amplitudenmoduliert ist. Das Pilotsignal ist ein 19-kHz- Signal und dient als Bezugssignal, das zur Auftrennung von linkem und rechtem Audiosignal benutzt wird. Das SCA-Signal wird für Hilfskommunikationszwecke verwendet. Dieses Signal ist eine Signalkomponente, die nicht für die Stereo-Demodulation notwendig ist und im allgemeinen aus dem zusammengesetzten Stereosignal entfernt wird, bevor das zusammengesetzte Signal an den Stereodemodulator angelegt wird. Deshalb ist im folgenden unter "zusammengesetztem Stereosignal" das Signal zu verstehen, das aus Hauptkanalsignal, Nebenkanalsignal und Pilotsignal zusammengesetzt ist.

Als Schaltung zum Abtrennen des rechten und des linken Signals aus dem zusammengesetzten Signal gibt es hauptsächlich zwei Systeme, wovon eines vom Abtasttyp und das andere vom Matrixtyp ist.

Beim Matrixdekoder wird, nachdem das zusammengesetzte Signal mit Hilfe von Filtern in ein Hauptkanalsignal und ein Nebenkanalsignal getrennt worden ist, das Nebenkanalsignal durch den Hilfsträger von 38 kHz demoduliert und liefert das Differenzsignal (L - R). Die Signale (L + R) und (L - R) werden summiert bzw. subtrahiert, um die Signale L und R zu erhalten. Matrixdekoder werden aber nicht so häufig benutzt, da der Schaltungsaufbau kompliziert und die Betriebsstabilität dieses Typs beeinträchtigt ist.

Beim Abtastdekoder andererseits wird das zusammengesetzte Signal so hin- und hergeschaltet, daß es in zwei Signale L und R getrennt wird. Da der Schaltungsaufbau des Abtastdekoders einfach ist und da der Betrieb relativ stabil ist, wurden in letzter Zeit nahezu ausschließlich Abtastdekoder verwendet.

Es gibt verschiedene Vorschläge für den Aufbau von Abtastdekodern, wobei Demodulatoren, die einen Differenzverstärker aufweisen, allgemein benutzt werden, da sie einfach auf integrierten Halbleiterschaltkreisen ausgestaltet werden können. Dabei wird das zusammengesetzte Signal dem gemeinsamen Emitterknotenpunkt zweier Transistoren, die einen Differenzverstärker bilden, zugeführt und die Einzelsignale werden dadurch getrennt, daß der Basis des einen Transistors die Hilfsträgerfrequenz von 38 kHz und der Basis des anderen Transistors die Hilfsträgerfrequenz mit entgegengesetzter Phase zugeführt wird. In diesem Falle wird, da die getrennten linken bzw. rechten Signale jeweils das entgegengesetzte Signal als Übersprechsignalkomponenten mehr oder weniger überlagert enthalten, eine Löschschaltung zum Löschen dieser Übersprechsignalkomponenten hinzugefügt. Diese Löschschaltung ist so gestaltet, daß die zusammengesetzten Signale so abgeschwächt werden, daß sie im wesentlichen den gleichen Signalpegel wie die Übersprechkomponenten haben, die abgeschwächten zusammengesetzten Signale in linke und rechte Signale getrennt werden und daß die abgeschwächten linken und rechten Signale den oben erwähnten abgetrennten linken und rechten Signalen hinzuaddiert werden, um die Übersprechsignalkomponenten zu löschen bzw. zu neutralisieren.

Die Abschwächung des zusammengesetzten Signals wird normalerweise mit Hilfe einer T-Widerstandsschaltung durchgeführt. In einem Stereodekoder vom Abtasttyp, der eine solche Übersprech-Löschschaltung aufweist, werden aber die Abschwächung des zusammengesetzten Signals und Trennung des abgeschwächten zusammengesetzten Signales durch eine Kaskadeschaltung von einer T-Widerstandsschaltung, zwei Differenzverstärkerschaltern und einem Lastwiderstand durchgeführt. Dabei wird die T-Widerstandsschaltung zwischen die Emitter der zwei Transistoren des tiefer liegenden Differenzverstärkers eingefügt.

Als Folge haben die Emitter dieser Transistoren eine Gleich-Vorspannung, die durch das T-Widerstandsnetzwerk bestimmt ist. Folglich müssen die Vorspannpotentiale der in Reihe geschalteten Differenzverstärker so gewählt werden, daß sie das Gleichstrom-Potential berücksichtigen und daß die aktiven Elemente, wie z. B. die jeweiligen Transistoren, im linearen Bereich arbeiten. Auch wenn die oben beschriebenen Punkte berücksichtigt sind, um die Vorspannpotentiale zusammen mit den elektrischen Kennlinien, wie z. B. dem Verzerrungsfaktor, zu bestimmen, kann ein Demodulator mit einer herkömmlichen Übersprech- Löschschaltung im Falle des Absinkens der Versorgungsspannung nicht mit guter Kennlinie arbeiten.

Es wird nun der Fall betrachtet, in dem die Versorgungsspannung reduziert ist. Da ein Gleichspannungsverlust, der durch das T-Widerstandsnetzwerk bestimmt ist, unvermeidlich ist, werden die Vorspannungen an den aktiven Elementen, wie den Transistoren, entsprechend abgesenkt. Deshalb arbeiten die aktiven Elemente in ihrem nichtlinearen Bereich. Im schlimmsten Falle geraten die Transistoren in den Sättigungsbereich, was zur Folge hat, daß die Signaleinführung zum Löschen der Übersprechkomponenten nicht durchgeführt wird, so daß der Trennungsfaktor des produzierten Demodulationssignals erheblich verschlechtert ist. Auch wenn die aktiven Elemente bei einer um so viel höheren Versorgungsspannung betrieben werden, daß sie frei von einer Reduktion des Trennfaktors sind, ist der Spielraum der Spannungen, die an die aktiven Elemente angelegt werden können, durch den Gleichstrompotentialverlust der T-Widerstandsschaltung herabgesetzt, so daß die Klirrfaktorkennlinie der getrennten Stereosignale verschlechtert ist.

Ein Stereo-Demodulator gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruches ist bekannt aus der DE-OS 26 45 774. Einen ähnlichen Demodulator zeigt auch die US-PS 40 74 075.

Bei diesen Demodulatoren sind die Emitter des ersten und des zweiten Transistors gemeinsam an einer durch einen weiteren Transistor gebildeten Stromquelle angeschlossen. Aufgrund dessen vermindert ein Absinken der Versorgungsspannung die Emitter-Kollektorspannung, was dazu führt, daß der Transistor inaktiv wird. Bei niedriger Versorgungsspannung ist deshalb die Kanaltrennung verschlechtert.

Aus der DE-OS 26 45 774 ist ferner eine Schaltung zum Erzeugen von Kompensationssignalen bekannt.

Ferner ist aus der US-PS 40 74 075 bekannt, Stromspiegelschaltungen zum Abgreifen des rechten bzw. linken Signals vorzusehen.

Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, den bekannten Stereosignal-Demodulator so zu verbessern, daß auch bei herabgesetzter Versorgungsspannung gute Trenneigenschaften sichergestellt sind.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die im Patentanspruch angegebenen Merkmale.

Da die Emitter erfindungsgemäß getrennt voneinander an einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen sind, sind bei niedriger Versorgungsspannung im Vergleich zu den bekannten Demodulatoren eine verbesserte Kanaltrennung und ein verbesserter Klirrfaktor sichergestellt. Die Anzahl der Bauteile wird nicht erhöht, so daß der erfindungsgemäße Stereosignal-Demodulator in einfacher Weise als integrierte Schaltung ausgeführt werden kann.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen genauer erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen Schaltplan eines bekannten Stereosignal-Demodulators vom Abtastdekodertyp mit einem Differenzverstärker,

Fig. 2 einen Schaltplan des erfindungsgemäßen Stereosignal-Demodulators und

Fig. 3 ein Kennlinien-Diagramm der Versorgungsspannung gegen den Trennfaktor eines bekannten und des erfindungsgemäßen Stereosignal-Demodulators.

Bei einem herkömmlichen Stereosignal-Demodulator wird, wie in Fig. 1 gezeigt, das zusammengesetzte Signal an eine Eigangsklemme 18 gelegt, die mit der Basis eines Transistors 16 verbunden ist, dessen Emitter mit einem Signalabschwächer 29 verbunden ist, der aus einem T-Widerstandsnetzwerk aus den Widerständen 21 und 22 und einem Regelwiderstand 23 besteht. Der Kollektor des Transistors 16 ist mit dem gemeinsamen Emitterverbindungspunkt der Transistoren 11 und 12 zum Trennen des linken und rechten Kanalsignals aus dem zusammengesetzten Signal verbunden. An die jeweilige Basis der Umschalttransistoren 12 und 11 wird das Hilfsträgersignal von 38 kHz als Umschaltsignal über die Anschlußklemmen 24 und 25 angelegt, um die rechten und linken Signale aus dem zusammengesetzten Signal abzutrennen. Die Phasen der Hilfsträgersignale, die an die Eingangsklemmen 24 und 25 als Umschaltsignal gelegt werden, sind einander entgegengesetzt. Die Kollektoren der Transistoren 11 bzw. 12 sind jeweils mit einer rechten bzw. einer linken Signalausgangsschaltung 40 und 50 verbunden, die als Stromspiegelschaltungen aus den Transistoren 7, 8 und 27 bzw. den Transistoren 5, 6 und 26 gebildet sind. Die Ausgangssignale der rechten und der linken Signalausgangsschaltung 40, 50, werden an eine rechte bzw. eine linke Signalausgangsklemme 2 bzw. 3 weitergeführt. Die Ausgangsschaltungen 40 und 50 werden jeweils über eine Versorgungsklemme 1 mit einer Versorgungsspannung versorgt.

Um die Übersprechkomponenten in den jeweiligen Signalen an den Signalausgangsklemmen 2 und 3 zu löschen, ist eine Übersprechlöschschaltung 28 aus den Transistoren 9, 10 und 13 vorgesehen. Die Emitter der Transistoren 9 und 10 sind miteinander verbunden, die Kollektoren sind jeweils mit den entsprechenden Kollektoren der Transistoren 11 und 12 verbunden und die Basis der Transistoren 9 bzw. 10 ist jeweils mit der Basis der Transistoren 12 bzw. 11 verbunden. An den Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 9 und 10 ist der Kollektor eines Transistors 13 angeschlossen, dessen Emitter mit dem Signalabschwächer 29 und dessen Basis mit einer Masseklemme 4 über eine Bezugsspannungsquelle 14 verbunden ist.

Im folgenden soll die Betriebsweise des bekannten Demodulators beschrieben werden. Das zusammengesetzte Signal, das an die Eingangsklemme 18 angelegt wird, wird durch den Transistor 16 verstärkt, und das verstärkte Signal wird an die gemeinsame Emitterverbindung der Transistoren 11 und 12 über den Kollektor des Transistors 16 angelegt. Dabei werden abhängig vom Hilfsträgersignal von 38 kHz, das an die Hilfsträgeranschlüsse 24 und 25 angelegt wird, die Transistoren 11 bzw. 12 alternierend leitend bzw. nichtleitend geschaltet.

Auf diese Weise wird das zusammengesetzte, durch den Transistor 16 verstärkte Signal durch die Transistoren 11 und 12 einer Zeitteilung unterworfen. Als Folge wird das rechte Kanalsignal abhängig vom Leitungszustand des Transistors 12 an die rechte Signalausgangsschaltung 50 geführt und als Stromausgangssignal an der rechten Signalausgangsklemme 3 abgenommen, während das linke Kanalsignal in Abhängigkeit vom Leitungszustand des Transistors 11 an die linke Signalausgangsschaltung 40 geführt wird und als Stromausgangssignal an der linken Ausgangssignalklemme 2 abgenommen wird. Da die Transistoren 5 und 6 und die Transistoren 7 und 8, die die Stromspiegelschaltungen der Signalausgangsschaltungen 40 und 50 bilden, vom PNP-Typ sind, ist ihre Stromverstärkung gering und kann durch Herstellungsbedingungen schwanken. Da aber der Basisstrom dieser Transistoren durch die Transistoren 26 und 27 vergrößert wird, kann die Symmetrie zwischen den erzeugten linken und rechten Ausgangssignalen beibehalten werden. Auf die Weise sind die zusammengesetzten Signale zu einem Stereosignal demoduliert.

Das rechte Kanalsignal enthält aber die Übersprechkomponente des linken Kanalsignals und umgekehrt, wenn sie so belassen werden, wie sie sind, so daß die Trennung zwischen linkem und rechtem Kanalsignal verschlechtert ist. Um solche Übersprechkomponenten zu löschen, werden deshalb die zusätzliche Übersprechlöschschaltung 28 und der Signalabschwächer 29 vorgesehen. Das zusammengesetzte Signal von der Eingangsklemme 18 wird am Emitter des Transistors 16 durch das T-Widerstandsnetzwerk, nämlich den Signalabschwächer 29, der aus den Widerständen 21, 22 und 23 besteht, geschwächt. Das abgeschwächte Signal wird über den Transistor 13 an die Transistoren 9 und 10 geführt, und es werden Übersprechlöschsignale in den Signalausgangsschaltungen 50 und 40 überlagert, nachdem sie entsprechend den Leitungszuständen der Transistoren 9 und 10 getrennt worden sind. Entsprechend können durch geeignetes Einstellen der Widerstandswerte der Widerstände 21, 22 und 23 zum Abschwächen des zusammengesetzten Signals, die Übersprechkomponenten des linken Kanals im rechten Kanalsignal und die Übersprechkomponente des rechten Kanals im linken Kanalsignal gelöscht werden. Auf diese Weise wird die Trennung zwischen linkem und rechtem Kanalsignal verbessert.

Beim bisher beschriebenen Schaltungsaufbau wird aber, wenn der Pegel des zusammengesetzten Signals und die Verstärkung der Stereodemodulation erhöht werden, die Trennung zwischen linkem und rechtem Kanal abrupt verschlechtert, wenn die Versorgungsspannung an der Versorgungsklemme 1 klein wird. Speziell fließt, wenn der Pegel des zusammengesetzten Signals bzw. die Demodulationsverstärkung auf 1 V _eff bzw. -1 dB gesetzt wird, ein Strom von ungefähr 1 mA durch die Kollektoren der Transistoren 6 und 7, und der gleiche Strom fließt durch die Lastwiderstände oder Filterschaltkreise, die mit den Signalausgangsklemmen 2 und 3 verbunden sind. In diesem Fall tritt ein Potentialverlust im T-Widerstandsnetzwerk aus den Widerständen 21, 22 und 23 auf, so daß das Gleichstrompotential an den Verbindungspunkten der Widerstände 21 und 22 ansteigt. Da dieses Gleichstrompotential durch den Abschwächfaktor des Signalabschwächers 29 bestimmt ist, wird das Potentialniveau auf ungefähr 0,4 V durch Auswahl der Widerstandswerte der Widerstände 21, 22 und 23 gesetzt, um den Abschwächungsfaktor zu erhalten, bei dem die beste Trennung erreicht wird. Folglich hat, wenn der Eingangsspannungspegel des zusammengesetzten Signals, wie oben angenommen, 1 V _eff ist, das zusammengesetzte Signal die Maximalamplitude von 1,4 V, so daß die Basisvorspannung des Transistors 16 größer als 2,6 V sein muß, wenn ein gewisser Spielraum (0,1 V) gehalten wird. Dann schwingt, wenn das zusammengesetzte Signal die Maximalamplitude von 1,4 V hat, die Basisvorspannung des Transistors 16 um 2,6 V als Mittelpunkt, und deshalb müssen die Basispotentiale der Transistoren 19, 11 und 12 mindestens 4,8 V haben, wenn die Kollektor-Emitterspannung des Transistors 16 bei Sättigung und die Klirrkennlinie des Demodulators berücksichtigt werden. Als Folge wird, wenn die Versorgungsspannung geringer als 6 V wird, die Kollektor-Emitterspannung der Transistoren 9, 10, 11 und 12 reduziert, so daß sie in den Sättigungsbereich geraten. Dann werden die Transistoren 9 und 10 der Übersprechlöschschaltung 28 unwirksam, so daß die Übersprechlöschung vermindert wird und der Trennfaktor zwischen linkem und rechtem Kanal abrupt verschlechtert wird.

Diese spezielle Bedingung ist in Fig. 3 erläutert. In Fig. 3 zeigt Kurve 100 die Kennlinie der Versorgungsspannung V _CC gegen den Trennfaktor des bekannten Stereosignal- Demodulators. Wie aus der Kennlinienkurve 100 zu ersehen ist, ist für Versorgungsspannungen V _CC größer als 6 V der Trennfaktor 55 dB, nimmt aber für Versorgungsspannungen V _CC kleiner als 6 V abrupt ab. Das liegt daran, daß der Löscheffekt aufgrund der Spannungsreduzierung vermindert wird. Ferner ist, auch wenn der Trennfaktor zwischen rechtem und linkem Kanal bei einer Versorgungsspannung von nahe 6 V nicht verschlechtert ist, die Kollektor-Emitterspannung der Transistoren 9, 10, 11 und 12 klein, da sie ungefähr 0,5 V ist, so daß der Klirrfaktor durch diese Transistoren verschlechtert wird.

So verschlechtert sich also beim bekannten Stereosignal- Demodulator gemäß Fig. 1, wenn der Eingangspegel des zusammengesetzten Signals und die Demodulationsverstärkung hochgesetzt sind, die Trennung abrupt mit dem Abfall der Versorgungsspannung. Es ist also beim herkömmlichen Demodulator unmöglich, den Eingangspegel des zusammengesetzten Signales und die Demodulationsverstärkung heraufzusetzen, während die Spannungsabfallkennlinie verbessert wird. Zusätzlich ist der Klirrfaktor bei Betrieb mit geringer Versorgungsspannung verschlechtert. Beim herkömmlichen Demodulator ist es somit extrem schwierig, die Basisvorspannungen der Transistoren 9, 10, 11, 12 und 16 so einzustellen, daß sie die oben erwähnten Bedingungen erfüllen, während die Spannungsreduktionskennlinie verbessert wird.

Im folgenden wird ein Demodulator in einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungsform gezeigt. In diesem Stereosignal-Demodulator ist eine Übersprech- Löschschaltung 35 parallel zur Eingangsklemme 18 geschaltet, an die das zusammengesetzte Signal oder das Hauptkanalsignal und das Nebenkanalsignal des zusammengesetzten Signales angelegt wird. Deshalb kann der Abschwächer, der mit den Transistoren 13 und 16 im herkömmlichen Demodulator verbunden war, weggelassen werden, so daß die jeweiligen Emitter der Transistoren 16 bzw. 13 über die Widerstände 17 bzw. 15 an Masse gelegt werden können. Die Ausgänge der Übersprechlöschschaltung 35 werden direkt mit der linken bzw. der rechten Kanalsignalausgangsklemme 2 bzw. 3 verbunden. In diesem Aufbau wird das zusammengesetzte Signal, das an der Eingangsklemme 18 anliegt, sowohl an die Basis des Transistors 16 als auch an die jeweilige Basis der Transistoren 19 bzw. 20, die die Übersprech-Löschschaltung 35 bilden, gelegt. Zwischen die Emitter der Transistoren 19 und 20 ist ein T-Widerstandsnetzwerk aus den Widerständen 30 und 31 und dem Regelwiderstand 32 geschaltet, und die jeweiligen Kollektoren der Transistoren 19 und 20 sind mit der linken bzw. der rechten Kanalsignalausgangsklemme 2 bzw. 3 verbunden. Bei dieser Schaltungsanordnung bilden deshalb die Transistoren 9, 10 und 13, der Widerstand 15 und die Konstantspannungsquelle 14 eine Gleichstrom­ ausgangskompensationsschaltung und bewirken im Gegensatz zum herkömmlichen Demodulator gemäß Fig. 1 keinen Übersprech-Löscheffekt.

Im folgenden wird die Arbeitsweise des bevorzugten erfindungsgemäßen Stereosignal-Demodulators beschrieben. Das zusammengesetzte Signal des Pilottonsystems, das an die Eingangsklemme 18 angelegt wird, wird durch den Emitterverstärker aus dem Transistor 16 und dem Widerstand 17 verstärkt, und das verstärkte Signal wird an den gemeinsamen Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren 11 und 12 gelegt. Diese Transistoren 11 und 12 werden in Abhängigkeit vom Umschaltsignal von 38 kHz, das aus dem Pilotton von 19 kHz erzeugt wird und an die Hilfsträgeranschlüsse 24 und 25 gelegt wird, auf- und zugeschaltet, so daß das verstärkte zusammengesetzte Signal einer Zeitteilung durch die Leitung bzw. Nichtleitung der Transistoren 11 und 12 unterworfen und so in ein rechtes und ein linkes Kanalsignal aufgeteilt wird. Speziell tritt bei Leitung des Transistors 12 das rechte Kanalsignal an der rechten Kanalsignalausgangsklemme 3 als Ausgangsstrom auf, der durch die Ausgangsschaltung 50 aus den Transistoren 7, 8 und 27 fließt. Andererseits tritt bei Leitung des Transistors 11 das linke Kanalsignal an der linken Kanalsignalausgangsklemme 2 durch die Ausgangsschaltung 40 aus den Transistoren 5, 6 und 26 auf. Die Kanalsignale, die an den beiden Kanalsignalausgangsklemmen 2 bzw. 3 auftreten, enthalten, wie vorher beschrieben, die Übersprechkomponenten des jeweils anderen Kanals. An die Kanalsignalausgangsklemmen 2 bzw. 3 wird aber das zusammengesetzte Signal der Übersprech-Löschschaltung 35 in einem solchen Maße angelegt, daß die oben erwähnten Übersprechkomponenten gelöscht werden. Speziell wird das zusammengesetzte Signal, das an der Klemme 18 anliegt, an die Basis der Transistoren 19 und 20 angelegt. Das zusammengesetzte Signal, das an den Transistor 16 angelegt wird, wird abgeschwächt, um so den normalen Stereoschaltbetrieb durchzuführen, während das an die Transistoren 19 und 20 angelegte Signal durch die Widerstände 30, 31 und 32 zwischen den Emittern der Transistoren abgeschwächt wird, um so die Signale für die Übersprechlöschung zu erzeugen. Das abgeschwächte zusammengesetzte Signal zur Übersprechlöschung wird über die Kollektoren der Transistoren 19 bzw. 20 an die linke Kanalsignalausgangsklemme 2 bzw. die rechte Kanalsignalausgangsklemme 3 gelegt. Durch geeignetes Einstellen der Widerstandswerte der Widerstände 30, 31, 32 und 17 werden deshalb die Übersprechkomponenten im jeweils anderen Kanal, die im linken bzw. rechten Kanalsignal enthalten sind, gelöscht.

Im erfindungsgemäßen Demodulator betragen die Widerstandswerte der Widerstände 17, 30 und 31 vorzugsweise 1,2 kΩ, 5,1 kΩ bzw. 5,1 kΩ und es ist deshalb ausreichend, daß der Widerstandswert des Regelwiderstands 32 so eingestellt wird, daß der Trennfaktor optimal wird.

Der Abschwächwert zur Optimierung des Trennfaktors, d. h. das optimale Verhältnis der Basis/Kollektor-Signalpegel der Transistoren 19 und 20 beträgt, wenn das optimale Verhältnis mit k₁ bezeichnet wird, k₁ = 0,1817. Der Widerstandswert des Widerstandes 32 zum Erreichen dieses Wertes von k₁ ist ungefähr 752 Ω, und dabei kann der optimale Trennfaktor erreicht werden. Ferner liegt der Bereich von k, der nötig ist um Trennfaktoren größer als 50 dB zu erhalten, bei 0,1768 bis 0,1868. Wenn in diesem Falle die Widerstandswerte der Widerstände 17, 30 und 31 beibehalten werden, ist es ausreichend, daß der Widerstandswert des Widerstandes 32 so eingestellt wird, daß er zwischen 653 Ω und 876 Ω liegt. Auf diese Weise ist der Trennfaktor zwischen rechtem und linkem Kanal vergrößert.

Gegebenenfalls können andere Zusammenstellungen der Widerstände 17, 30 und 31 verwendet werden, und es reicht aus, daß der Widerstandswert des Widerstandes 32 passend zur ausgewählten Zusammenstellung eingestellt wird. Wenn der Trennfaktor größer als 40 dB sein soll, muß k zwischen 0,1654 und 0,1986 liegen, so daß der Bereich der Widerstandswerte des Widerstands 32 breiter ist. Das T-Widerstandsnetzwerk aus den Widerständen 30, 31 und 32 muß nicht notwendigerweise zwischen den Emittern der Transistoren 19 und 20 angeschlossen sein, sondern die jeweiligen Emitter können alternativ durch einzelne Widerstände an Masse gelegt sein, die solche Widerstandswerte aufweisen, daß die Übersprechkomponenten gelöscht werden. In dieser Ausführungsform sind aber zwei Anschlüsse für die jeweiligen Emitterwiderstände notwendig, so daß die erstgenannte Ausführungsform vorteilhafter ist.

Wenn nun der Spannungspegel des zusammengesetzten Eingangssignales und die Demodulationsverstärkung 1 V _eff bzw. -1 dB sind, wie oben beschrieben, kann, da der Emitter des Transistors 16 über den Widerstand 17 mit der Masseklemme 4 verbunden ist, die Basisvorspannung des Transistors 16 als 2,2 V mit einer geringen Toleranz (0,1 V) gewählt werden. Deshalb kann die Spannung der Bezugsspannungsquelle 14 2,2 V sein. Dann schwingt, wenn das zusammengesetzte Signal eine Amplitude von 1,4 V hat, die Basisspannung des Transistors 16 um die Basisvorspannung von 2,2 V. Wie vorgehend beschrieben, kann das Basispotential der Transistoren 19, 11 und 12 auf 4,4 V gesetzt werden, wenn die Kollektor-Emitterspannung des Transistors 16 bei Sättigung und die Klirrkennlinie des Demodulators berücksichtigt werden. Andererseits werden die Übersprechkomponenten, die an der linken bzw. der rechten Kanalausgangssignalklemme 2 bzw. 3 auftreten, gelöscht, da der Ausgang der Übersprech-Löschschaltung 35 direkt mit den Klemmen 2 bzw. 3 verbunden ist. Folglich wächst, wenn die Versorgungsspannung an der Versorgungsklemme 1 kleiner als 6 V wird, das Übersprechen der Schaltung aus den Transistoren 11 und 12. Da aber die Versorgungsspannung, bei der die Transistoren 19 und 20 der Übersprech-Löschschaltung 35 gesättigt sind, klein ist im Vergleich zur Spannung, bei der die Transistoren 11 und 12 gesättigt sind, wird das Übersprechlöschen auch bei einer Reduktion der Versorgungsspannung beibehalten. Folglich wird, auch wenn die Hauptspannung auf ungefähr 4 V absinkt, der Trennfaktor zwischen linkem und rechtem Kanal nicht abrupt verschlechtert. Das kommt daher, daß die Umschalttransistoren 11, 12 bzw. 9, 10 nicht in Reihe mit der Übersprech-Lösch­ schaltung 35 liegen.

Diese Bedingung ist in Fig. 3 durch Kurve 200 gezeigt. Bei Versorgungsspannungen größer als 6 V wird ein Trennfaktor von 55 dB erhalten, und bei einem Absinken der Versorgungsspannung auf 4 V kann immer noch ein Trennfaktor von 50 dB erreicht werden. Ferner kann, wie vorgehend beschrieben, da die Basisvorspannung der Transistoren 16, 11 und 12 niedrig ausgelegt werden kann, ihre Kollektor- Emitter-Spannung bei gleicher Versorgungsspannung wie beim herkömmlichen Demodulator vergrößert werden. Z. B. haben bei einer Versorgungsspannung von 6 V die Kollektor-Emitter- Spannungen der Transistoren 11 und 12 den Wert 0,9 V und die des Transistors 16 den Wert 2,2 V, so daß der Klirrfaktor weiter herabgesetzt werden kann.

Erfindungsgemäß ist die Übersprech-Löschschaltung 35 parallel zum Transistor 16 mit der Eingangsklemme 18 verbunden. Der Transistor 16 arbeitet als gemeinsamer Emitterverstärker und der Signalabschwächer 29 ist nicht mit dem Emitter des Transistors 16 verbunden, wie beim herkömmlichen Demodulator. Durch diesen Aufbau können die Basispotentiale der Transistoren 16, 11 und 12 leicht festgelegt werden, so daß die Gestaltungsfreiheit für die Schaltung sehr vergrößert ist. Demgegenüber muß beim herkömmlichen Demodulator die Basisvorspannung des Transistors 16 in Übereinstimmung mit sowohl dem zusammengesetzten Eingangsspannungspegel als auch mit der Abschwächungskonstante des Signalabschwächers 29 ausgelegt werden, so daß der Gestaltungsfreiraum für die Schaltung erheblich vermindert ist. Zusätzlich hat der erfindungsgemäße Demodulator, da der Transistor 16 als gemeinsamer Emitterverstärker verwendet wird, den Vorteil, daß der dynamische Eingangsbereich vergrößert werden kann.

Durch die Erfindung ist also ein Stereosignal-Demodulator geschaffen, dessen Trennfaktor zwischen rechtem und linkem Kanal bei einer Versorgungsspannung von ungefähr 4 V genügend groß ist, auch wenn das zusammengesetzte Signal einen Pegel von 1 V _eff und die Demodulatorverstärkung einen Wert von -1 dB hat, und es wird ein wesentlich geringerer Klirrfaktor für die gleiche Versorgungsspannung erreicht. Ferner können die Basispotentiale des Transistors 16 und der Umschalttransistoren 11 und 12 leicht festgelegt werden und außerdem kann der dynamische Eingangsbereich vergrößert werden.

Wie vorangehend beschrieben ist es möglich, auch wenn der Pegel des zusammengesetzten Eingangssignales und die Stereodemodulationsverstärkung groß sind, einen Stereosignal-Demodulator zu schaffen, der einen großen Trennfaktor, eine hervorragende Spannungsreduktionscharakteristik und einen verbesserten Klirrfaktor hat.

Die Erfindung ist nicht auf das vorbeschriebene Ausführungsbeispiel begrenzt. Z. B. kann der Widerstand 32, der in der vorbeschriebenen Ausführungsform als Regelwiderstand ausgestaltet war, in Abhängigkeit von der Abschwächung des zusammengesetzten Signales festgelegt werden, da die Abschwächung zum Löschen der Übersprechkomponenten leicht bestimmt werden kann. Zusätzlich sind die zwei Ausgangsschaltungen 40 und 50 als Stromspiegelschaltungen gestaltet, um die Stromausgangssignale zu erzeugen, sie können aber auch andere Schaltungskonstruktionen aufweisen, wie z. B. Lastwiderstände.

Ferner kann der erfindungsgemäße Demodulator natürlich als integrierte Schaltung ausgebildet werden, die auf einem einzigen Halbleitersubstrat ausgestaltet sind, und es hat sich gezeigt, daß er geeignet ist für solche Integration, da er keine Kondensatorelemente enthält. Ferner kann die Einrichtung zum Demodulieren des zusammengesetzten Signales nicht nur ein Differenzverstärker sein, sondern auch eine Diodenschaltung. Ferner bilden die Transistoren 9, 10 und 13, der Widerstand 15 und die Bezugsspannungsquelle 14 eine Gleichstromversorgung, die eine Änderung im Ausgangsgleichstrom aufgrund des Umschaltens der Transistoren 11 und 12 ausgleicht. Deshalb können, wenn die rechte und die linke Kanalausgangsklemme 2 bzw. 3 über Koppelkondensatoren mit Filterschaltungen od. dgl. der nächsten Stufe verbunden sind, die Transistoren 9, 10 und 13 usw. der Gleichstromversorgung weggelassen werden, da, auch wenn die oben erwähnte Vorspannschaltung weggelassen wird, die Ausgangssignale trotz der Änderung im Ausgang zur nächsten Stufe übertragen werden.

Claims (2)

1. Stereosignal-Demodulator mit einem Eingang (18) für das zusammengesetzte Stereosignal, einem ersten Transistor (16), dessen Basis mit dem Eingang (18) verbunden ist, einem zweiten Transistor (13), an dessen Basis eine Vorspannung anliegt, einem ersten und einem zweiten Hilfsträgeranschluß (24, 25), zwischen denen ein Hilfsträgersignal anliegt, einem dritten und einem vierten Transistor (11, 12), deren Emitter gemeinsam mit dem Kollektor des ersten Transistors (16) und deren Basen mit dem ersten bzw. zweiten Hilfsträgeranschluß verbunden sind, einem fünften und sechsten Transistor (9, 10), deren Emitter gemeinsam mit dem Kollektor des zweiten Transistors (13) und deren Basen mit dem zweiten bzw. ersten Hilfsträgeranschluß verbunden sind, zwei Stromspiegelschaltungen (40 50), an deren Ausgängen (2, 3) das rechte bzw. linke Signal abgreifbar ist, wovon die erste (40) mit den Kollektoren des dritten und fünften Transistors (11, 9) und die zweite (50) mit den Kollektoren des vierten und sechsten Transistors (12, 10) verbunden ist und mit einer mit den Stromspiegelschaltungen (40, 50) zusammenwirkenden Schaltungsanordnung (35) zum Erzeugen von Übersprechkompensationssignalen aus dem zusammengesetzten Stereosignal, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des ersten Transistors (16) über einen ersten Widerstand (17) und der Emitter des zweiten Transistors (13) über einen zweiten Widerstand (15) mit einem gemeinsamen Bezugspotentialpunkt (4) verbunden ist.

2. Stereosignal-Demodulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung (35) zum Erzeugen von Übersprechkompensationssignalen einen siebten (19) und einen achten Transistor (20) enthält, deren Emitter jeweils über einen Serienwiderstand (30, 31) mit einem Anschluß eines einstellbaren Widerstandes (32) verbunden sind, dessen anderer Anschluß auf dem Bezugspotential liegt, daß die beiden Basen dieser Transistoren (19, 20) mit der Basis des ersten Transistors (16) verbunden sind, an der das zusammengesetzte Stereosignal anliegt, daß der Kollektor des siebten (19) bzw. achten Transistors (20) mit dem Kollektor des Ausgangstransistors (5, 8) der ersten (40) bzw. zweiten Stromspiegelschaltung (50) verbunden ist und daß die Verbindungspunkte der Kollektoren zugleich die Ausgänge (2, 3) für das linke und das rechte Signal bilden.