DE3030753A1 - Unterkreuzung in einer integrierten halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen. - Google Patents

Unterkreuzung in einer integrierten halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen.

Info

Publication number
DE3030753A1
DE3030753A1 DE19803030753 DE3030753A DE3030753A1 DE 3030753 A1 DE3030753 A1 DE 3030753A1 DE 19803030753 DE19803030753 DE 19803030753 DE 3030753 A DE3030753 A DE 3030753A DE 3030753 A1 DE3030753 A1 DE 3030753A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dopant
undercrossing
layer
zones
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803030753
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Andrew Gordon Francis Bridgewater N.J. Dingwall
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE3030753A1 publication Critical patent/DE3030753A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
DE19803030753 1979-08-20 1980-08-14 Unterkreuzung in einer integrierten halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen. Withdrawn DE3030753A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US6814879A 1979-08-20 1979-08-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3030753A1 true DE3030753A1 (de) 1981-03-12

Family

ID=22080712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803030753 Withdrawn DE3030753A1 (de) 1979-08-20 1980-08-14 Unterkreuzung in einer integrierten halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5632770A (https=)
DE (1) DE3030753A1 (https=)
FR (1) FR2463977A1 (https=)
GB (1) GB2056771B (https=)
IT (1) IT1131790B (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3138950A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierter halbleiterspeicher

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61127174A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE19604776A1 (de) * 1996-02-09 1997-08-14 Siemens Ag Auftrennbare Verbindungsbrücke (Fuse) und verbindbare Leitungsunterbrechung (Anti-Fuse), sowie Verfahren zur Herstellung und Aktivierung einer Fuse und einer Anti-Fuse

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3443176A (en) * 1966-03-31 1969-05-06 Ibm Low resistivity semiconductor underpass connector and fabrication method therefor
US3958266A (en) * 1974-04-19 1976-05-18 Rca Corporation Deep depletion insulated gate field effect transistors
CA1040321A (en) * 1974-07-23 1978-10-10 Alfred C. Ipri Polycrystalline silicon resistive device for integrated circuits and method for making same
JPS52139388A (en) * 1976-05-17 1977-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Mos type semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3138950A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierter halbleiterspeicher

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5632770A (en) 1981-04-02
JPH0478011B2 (https=) 1992-12-10
IT1131790B (it) 1986-06-25
FR2463977B1 (https=) 1983-02-04
IT8023809A0 (it) 1980-07-30
GB2056771B (en) 1983-10-19
FR2463977A1 (fr) 1981-02-27
GB2056771A (en) 1981-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3853778T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements.
DE69513680T2 (de) Laterale hochspannungs-dmos-anordnung mit höherer driftzone
DE69625815T2 (de) Durchbruchtransierter niederspannungs-unterdrücker mit zweischichtiger basis
DE3326534C2 (https=)
DE4340405C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit isolierender Trennschicht und Wannenbereich
DE69015666T2 (de) MOSFET-Transistor mit nicht-gleichmässiger Schwellspannung im Kanalbereich.
DE4223272C2 (de) Halbleitervorrichtung mit einer Wannenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE68928326T2 (de) Eingeschlossener transistor mit eingegrabenem kanal
DE68925116T2 (de) In gemischter Technologie hergestellte integrierte Schaltung mit CMOS-Strukturen und leistungsfähigen lateralen Bipolartransistoren mit erhöhter Early-Spannung und Herstellungsverfahren dafür
DE2823967C2 (https=)
DE3709708C2 (de) Halbleitervorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors
DE3856150T2 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung
DE19642538A1 (de) Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE3110477A1 (de) Verfahren zur herstellung von cmos-bauelementen
DE69020160T2 (de) Misfet-anordnung mit abmessungen im submikrometerbereich und beseitigung der heissen ladungsträger.
DE2441432B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines VMOS-Transistors
DE19520958A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2420239A1 (de) Verfahren zur herstellung doppelt diffundierter lateraler transistoren
DE69022346T2 (de) MOS-Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung.
DE69504215T2 (de) Halbleiterbauelement vom MOS-Typ
DE112018007354T5 (de) Siliciumcarbid-halbleitereinheit und herstellungsverfahren für dieselbe
DE69105621T2 (de) Herstellungsverfahren eines Kanals in MOS-Halbleiteranordnung.
DE2645014C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten MOS-Schaltungsstrukrur mit doppelten Schichten aus polykristallinem Silizium auf einem Silizium-Substrat
DE69113673T2 (de) Halbleiterbauelement mit MOS-Transistoren und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE10239310B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer ersten und einer zweiten vergrabenen Halbleiterschicht

Legal Events

Date Code Title Description
8130 Withdrawal