DE3028117C2 - Verfahren zum Herstellen von Bildaufnahmevorrichtungen mit dünnem Substrat und Verwendung dieses Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Bildaufnahmevorrichtungen mit dünnem Substrat und Verwendung dieses VerfahrensInfo
- Publication number
- DE3028117C2 DE3028117C2 DE19803028117 DE3028117A DE3028117C2 DE 3028117 C2 DE3028117 C2 DE 3028117C2 DE 19803028117 DE19803028117 DE 19803028117 DE 3028117 A DE3028117 A DE 3028117A DE 3028117 C2 DE3028117 C2 DE 3028117C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate wafer
- substrate
- image recording
- image pickup
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Description
dadurch gekennzeichnet, daß
e) in dem Verfahrensschritt a) mehrere Bildaufnahmeeinrichtungen angeordnet werden und
daß
f) anschliröend an den Verfahrensschritt d) mit
der Rückseite des dünn geätzten Teils der Substratscheibe
ein Glaspiuttchen verklebt wird, das in die durch dit Ätzung entstandene Vertiefung
in der Rückseite der :;.ibstratscheibe paßt, so daß eine Schichtstruktur gebildet wird, die
relativ fest ist und längs Schnittlinien, die zwischen den einzelnen Bildaufnahmceinrichtungen
verlaufen, zertrennbar ist.
2. Verfahren nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet,
daß die durch die angegebenen Verfahrensschritte erhaltene Schichtstruktur längs der
Schnittlinien zu einer Mehrzahl einzelner Bildaufnahmevorrichtungen
zerschnitten wird, die jeweils eine Bildaufnahmeeinrichtung mit einem dünn geätzten
Substrat, das an seiner Rückseite mit einem Glasplättchen verklebt ist. enthalten.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Glasplättchen eine Dicke hat.
die wenigstens annähernd vergleichbar mit der Dikke der Substratschicht ist. die beim Dünnerätzen der
Substratscheibe von deren Rückseite entfernt wurde.
4. Verfanren nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet,
daß das Glasplättchen eine Dicke hat. die wesentlich größer ist als die Dicke der Substratschicht,
die beim Dünnerätzen der Substratscheibe von deren Rückseite entfernt wurde.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der
Substratscheibe vor dem Dünnerätzen höchsten etwa 380 um beträgt und auf eine Schichtdicke von
25 Jim geätzt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verkleben
im Vakuum und mit Druckcinwirkiiiig auf das Glasplättchen durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratscheibe
beim Eintauchen in das Ätzbad um eine Achse gedreht wird, die durch den Mittelteil der Substratscheibe
und parallel zur Flächennormale der Substratscheibe verläuft
8. Anwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei der Herstellung von
mit Ladungskopplung arbeitenden Bilda^fnahmevorrichtungen.
9. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 7 bei der Herstellung von Bildaufnahmevorrichtungen
für Speicherplatten in Vidikon-Bildaufnahmeröhren.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie es aus der DE-AS
22 26 237 bekannt ist. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung eines solchen Verfahrens.
Bei iadungsgekoppelten (CCD) Schwarzweiß-Bildaufnahmevorrichtungen,
die mit Feldübertragung arbeiten, erfolgt die Beleuchtung der Bildaufnahmevorrichtung
durch eine einschichtige Elektrodenstruktur. Wenn jedoch mit einer GCD-Bildaufnahmevorrichtung dieser
Art ein Farbbild aufgenommen werden soll, ist diese Art der Beleuchtung nicht ganz zufriedenstellend, da die
jo Elektroden am blauen Ende des sichtbaren Spektralbereichs
relativ stark absorbieren. Es ist daher erforderlich, das Substrat der Bildaufnahmevorrichtung dünn zu
machen und die Bildaufnahmevorrichtung von hinten durch das dünne Substrat zu beleuchten. Farbbildauf-
j; nahmevorrichtungen dieser Art sind unter der Typenbezeichnung
RCA SID 25501 bekannt.
Es ist ein Verfahren zum Herstellen solcher Bildaufnahmevorrichtungen
mit dünnem Substrat bekannt, das jedoch nur relativ wenige Bildaufaahmevorrichtungen
pro Substratscheibe liefert. Bei diesem Verfahren werden unter Verwendung einer im Durchmesser etwa
50 mm messenden Substratscheibe bis zu drei Bildaufnahmeeinrichtungen unter Anwendung photolithographischer
Verfahren gleichzeitig auf der gemeinsamen Substratscheibe gebildet. Dann werden zwei der drei
Bildaufnahmeeinrichtungen maskiert, d. h. mit Ausnahme der Rückseite der Bilcljufnahmeeinrichtung. deren
Substrat dünn geatzt werden soll, wird die ganze Substratscheibe
mit einer Ätzschulzschicht überzogen, die
>o durch das für das Dünnätzen der Substratscheibe verwendete
saure chemische Ätzbad nicht angegriffen wird. Dann wird die ganze Substratscheibe in das zum
Dünnätzen dienende Ätzbad eingetaucht und um eine Achse gedreht, die durch die Mitte der dünn zu ätzenden
Bildaufnahmeeinrichtung geht. Nachdem die Bildaufnahmeeinrichtung im gewünschten Ausmaß dünner
geätzt worden ist. wird die Substratscheibe aus dem Ätzbad entnommen, die Ätzschutzschicht wird entfernt,
die nächste Bildaufnahmeeinrichiung wird geätzt und
bo die geschilderten Verfahrensschritte werden für jede
weitere Bildäufnähmeeinrichtuiig wiederholt. Dann
wird tue Substratscheibe so zerschnitten, daß Bildaufnahmevorrichtungen
erhalten werden, die einen die ßildaufnahinecinrichtung umgebenden dick gebliebe-
b5 ncn Substratritnd enthalten. Dieser dicke Substratrand
ergibt eine gewisse steife und mechanisch feste Halterung für den ziemlich zerbrechlichen, dünn geätzten Bereich
der Substratscheibe.
Das oben erwähnte bekannte Verfahren liefert zwar eine gute Ausbeute an funktionsfähigen Bildaufnahmevorrichtungen,
es ist jedoch nicht ohne Probleme. So ist es ζ. B. schwierig, ein gleichmäßiges Dünnätzen über
dem ganzen Abbildungsteil der Bildaufnahmeeinrichtung zu erreichen. Vermutlich greift das Ätzbad wegen
der rechteckigen Form der Bildaufnahmeeinrichtungen in den Bereichen der Ränder und Ecken nicht so stark
an, wie in der Mitte der Bildaufnahmeeinrichtung, so daß die Substn;tscheibe beim fertigen Produkt oft am
Rand und in den Ecken etwas dicker ist als in der Mitte. Solche Ungleichiörmigkeiten sind unerwünscht, da sie
entspiechende Ungleichmäßigkeiten in der von der
Bildaufnahmeeinrichtung erzeugten Bildinformation zur Folge haben können. Ein weiterer Nachteil besteht
darin, daß man nicht gleichzeitig eine größere Anzahl von Bildaufnahmevorrichtungen aus einer Substratscheibe
herstellen kann, auch nicht wenn man eine größere Substratscheibe verwendet. Wenn man nämlich eine
größere Substratscheibe verwendet, z. B. mit einem Durchmesser von 100 oder 125 mm. gibt es Probleme,
wenn man die Subsiratächeibe während des Ätzens urn
eine Achse dreht, die bezüglich der Mitte du- Substratscheibe
erheblich versetzt ist und es ist daher schwierig, die äußeren Randbereiche der Substratscheibe zu nutzen,
da ja die Drehachse durch die Mitte des dünn zu ätzenden Bereiches verläuft. Außerdem ergibt sich bei
diesem Verfahren eine geringere Ausbeute. Schließlich ist es wegen der Zerbrechlichkeit der dünn geätzten
Substratscheibe schwierig, die Bildaufnahmevorrichtungen nach dem Dünnätzen zu prüfen, da die dünn geätzte
Substratscheibe durch die Prüfsonden leicht zerbrochen oder anderweitig beschädigt wird.
Dieses Problem tritt nicht auf, wenn auf der Substratscheibe nur eine Bildaufnahmeeinrichtung erzeugt wird,
wie es beispielsweise bei dem aus der DE-AS 22 26 237 bekannten Verfahren der Fall ist, da dann der äußere
Umfangsrand der Bildaufnahmevorrichtung eine ausreichende Stabilität gewährleistet, jedoch ist dann die Ausbeute
pro Substratscheibe nur gering.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das aus der DE-AS 22 26 237 bekannte Verfahren
der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, daß mit einer Substratscheibe gleichzeitig eine
größere Anzahl von relativ robusten Bildaufnahmevorrichtungen mit hoher Ausbeute hergestellt werden können.
Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten Verfahren erfindungsgerr.äß durch die kennzeichnenden
Merkmale des Patentanspruchs I gelöst.
Weiterbildungen unö vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Mit dein vorliegenden Verfahren läßt sich eine Anzahl
von Bildaufnahmevorrichtungen gleichzeitig herstellen und man erhält ein relativ robustes Produkt, welches
ohne die Gefahr von Beschädigungen geprüft werden kann. Das eine Mehrzahl von Bildaufnahmevorrichtungen
enthaltende primäre Verfahrensprodukt läßt sich wegen seiner durch das Glasplättchen verstärkten
Struktur dann problemlos in einzelne Bildaufnahrnevorrichtungen zerteilen, die ihrerseits ebenfalls mechanisch
fest und relativ unempfindlich sind.
im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
unter Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert, die nicht maßstabsgerecht sind. Es zeigt
Fig. I eine Draufsicht auf eine Substratscheibe, die
mehrere Bildaufnahmeeinrichtungen enthäli.
F i g. 2 einen Schnitt i; einer Ebene 4-4 der Fig. 1;
Fig.3 Schnittansichten, aus denen die Abmessungen
einer möglichen Konfiguration einer dünn geätzten Substratscheibe ersichtlich sind;
Fig.4A—4E beispielsweise Darstellungen von Verfahrensschritten
einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen von Bildaufnahmevorrichtungen
mit dünn geätzter Substratscheibe:
Fig. 5A und 5B schematische Darstellungen zur Erläuterung der ersten beiden Verfahrensschritte eines
Verfahrens der anhand von F i g. 4 erläuterten Art, wobei
jedoch eine Maskiervorrichtung anstelle einer Ätzschutzschicht verwendet wird;
Fig.6 eine Schnittansicht einer Silizium-Vidikon-Speicherplatte,
die nach dem vorliegenden Verfahren hergestellt wurde, und
Fig. 7 eine vereinfachte Schnittansicht eines Vidikons,
das eine Speicherplatte gemäß F i g. 6 enthält.
F i g. 1 zeigt eine Draufsicht auf e:ne Substratscheibe,
die mehrere Bildaufnahmeeinrichtungen enthält, die in der Figur rechteckig eingezeichnet sind und beispielsweise
CCD-Einrichtungen sein könr?-n.
Das Verfahren gemäß der Erfinornj* ermöglicht es.
eine größere Anzahl dünn geätzter Bildaufnahmeeinrichtungen auf einer einzigen großen Substratscheibe
herzustellen, wie es in den F i g. 2 und 3 gezeigt isi.
Anschließend können die Bildaufnahmevorrichtungen auf der Substratscheibe bequem geprüft werden.
Nach dem Prüfen können die einzelnen Bildaufnahmevorrichtungen voneinander getrennt und montiert wer-
JO den, ohne daß dabei eine große Bruchgefahr besteht. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird vorteilhafterweise
eine relativ große Substratscheibe, beispielsweise mit einem Durchmesser zwischen 50 und 127 mm verwendet.
Die Substratscheibe besteht vorteilhafterweise aus Silizium, das in geeigneter Weise dotiert ist. Auf
dieser gemeinsamen, dicken Substratscheibe wird dann, z. B. durch photolithographische Verfahren, eine relativ
große Anzahl von Bildaufnahmeeinrichtungen in konventioneller Weise gebildet. Die Vorderseite (d. h. die
Seite, die die Elektroden enthält) der Substratscheibe kann nun mit einer Ätzschutzschicht, die für das zum
Ai'-.dünnen der Substratscheibe verwendete Bad, wie
ein Säurebad, undurchlässig ist und von diesem nicht angegriffen wird, überzogen werden Dasselbe gilt für
den Umfangsrand. d. h. einen Streifen längs cies Umfanges
der Rückseite der Substratscheibe, v»ie es in F i g. 4A
dargestellt ist.
Alternativ kann die Substratscheibe in eine Halterung eingesetzt werden, die sie an den nicht zu ätzenden
so Flächen gegen das Ätzbad schützt, wie es in F i g. 5A
dargestellt ist. Die Halterung enthält eine ringförmige Kappe 30 und ein schalenförmiges Unterteil 32. die beide
säuiefest sind. Die dünn zu ätzende Substratscheibe wird mit ihrem Außenrand zwischen einem innen mit
einer Schulter versehenen Teil 36 des schalenförmigen Unterteils 32 und e:ne innere Umfangslippr. 38 der Kappe
30 eingeklemmt. Die dünn zu ätzende Fläche 40 lieg· frei, während die die Bildaufnahmeeinrichtungen tragende
Vorderfläche der Substratscheibe geschützt isi.
Μ» Die Abdichtung ζ .vischen der Substratscheibe und der
Halterungsvorrichtung ist dicht und verhindert, daß das Ätzbad in den innenraum 42 eintritt. Als zusätzlicher
Schutz kann der Innenraum 42 vor dem Einsetzen der Substratscheibe in den Halter mit Wasser gefüllt werden.
so daß Säure, die etwa doch in den Innenraum 42 einleckt, verdünnt ^ird und die Bildaufnahmeeinrichtungen
nicht beschädigen kann.
Anstatt die verschiedenen Bildaufnahmeeinrichtun-
Anstatt die verschiedenen Bildaufnahmeeinrichtun-
gen jeweils ein/ein dünn zu ätzen, wie bei dem oben
beschriebenen Verfahren, wird nach dem vorliegenden Verfahren nun die Substratscheibc in ihrem ganzen
mittleren Bereich auf die gewünschte Dicke dünn geätzt,
so daß nur ein dicker Rand am Umfang der Sub- ·> stratscheibe als Träger verbleibt, wie es in den F: i g. 2, 3.
4B und 5B dargestellt ist. Beim Dünnätzen können das Ätzbad oder die Substratscheibe rotieren.
Als Ätzmittel können viele verschiedene Bäder verwendet werden. Als besonders geeignet hat sich die fol- ι ο
gende Mischung erwiesen: Tin Teil Fluorwasserstoffsäure, drei Teile Rssigsäure. sechs teile Salpetersäure:
die Badtemperatur kann 30° C betragen und die Äizdauer
40 bis 60 Minuten. Bei manchen Anwendungen kann man je nach dem Material der dünn zu ätzenden Substratscheibe
auch eine starke Base als Ätzmittel verwenden.
Wie erwähnt, ist es zweckmäßig, die .Substratscheibe
beim DünnJUicn uni eine A'.'b^e /'.' ilre^c" '!ir "^Ti'.ücl
zur Flächennormale der Substr.itscheibe verläuft und >o
durch die Mitte der Substratscheibe geht. Da die Substratscheibe rund ist, gibt es keine Ecken, durch die Ungleichmäßigkeiten
auftreten können und man kann daher durch das Verfahren gemäß der Erfindung eine sehr
gleichmäßige Verringerung der Dicke erreichen. Die .'■-, Dicke der Substratscheibe kann auf etwa 8 bis 10 Mikrometer
verringert werden.
Die Substratscheibe wird dann aus dem Ätzbad entnommen und. wenn eine Ätzschut/.sehicht verwendet
worden war. wird diese auf übliche Weise entfernt. Bei jo
Verwendung einer speziellen 1 lalterungs- und Abdeckvorrichtung (F i g. 5) wird die Substratscheibe aus dieser
entfernt.
Nach der Bearbeitung der Rückseite der dünn geätzten Substratscheibe wird auf die Mitte der Rückseite r>
des dünnen Bereiches der Substratscheibe ein flüssiger Kleber, wie ein Epoxyharz aufgebracht: die Substratscheibe
ist dabei mit ihrer Rückseite nach oben angeordnet, wie es in F i g. 4C dargestellt ist. Dann wird ein
kreisförmiges Glasplättchen 20, das relativ genau in den -in
dünn geätzten Bereich paßt, auf diesen aufgelegt, wie es ebenfalls in F i g. 4C dargestellt ist. Bei einer praktischen
Ausführungsform, die in F i g. 3 dargestellt ist. wurde für eine etwa 0.305 mm dicke Substratscheibe ein Glasplättchen
mit einer Dicke von etwa 0.254 mm verwendet, -ti Glasplättchen mit einer Dicke von 0.254 mm sind im
Handel erhältlich, und dies ist der Grund für die Bemessung dieser Ausführungsform. Bei einem anderen Beispiel
wurde ein Glasplättchen mit einer wesentlich größeren Dicke, nämlich etwa 0.5 mm verwendet, das erheblich
über der stehengebliebenen Rand der Substratscheibe vorstand.
Nach dem Aufbringen des Klebers kann die Schichistruktur
in eine Presse gebracht und unter Druck gesetzt werden, wie es durch die Pfeile 22 in F i g. 4C dargestellt
ist. Hierdurch wird der Kleber über die gesamte Oberfläche des Glasplättchens verteilt. Während der
Kleber nach außen fließt, verdrängt er alle Luftblasen,
so daß sich eine dünne transparente Membran zwischen dem Glasplättchen und dem dünn geätzten Teil der Sub- ω
stratscheibe ergibt. Das Pressen wird am besten im Vakuum durchgeführt, um die Entfernung aller Hohlräume
und Blasen zwischen dem Giaspiättchen und der Oberfläche der Substratscheibe zu entfernen. Man iäßt dann
den flüssigen Kleber aushärten und polymerisieren, so daß sich eine mechanisch feste Schichtstruktur ergibt
wie sie in F i g. 4 D dargestellt ist.
Nach dem Festwerden des Klebers ist die resultierende .Schichtstruktur sehr fest und starr. Es ist nun möglich,
die ein/einen Bildaufnahmeeinrichtungen in einem konventionellen Prüfgerät zu prüfen, ohne daß man ein
Brechen oder eine andere Beschädigung der dünn geätzten Substratscheibe befürchten müßte.
Nach der Prüfung können die einzelnen Bildaufnahmevorrichtungen,
die jeweils ein dünn geätztes Substrat, das an einen rückseitigen Glasträger angeklebt ist,
enthalten voneinander getrennt werden, z. B. mittels einer konventionellen Trennsäge 24, wie es in 1 ig. 4D
dargestellt ist. Die gestrichelten Linien 26 in F i g. I und Fig. 4D. die in F i g. I mit »Schnittlinien« bezeichnet
sind, zeigen, wo die Schnitte erfolgen. Die auseinandergeschnittenen
Bildaufnahmevorrichtungen, von denen eine in F i g. 4E in größerem Maßstab als in den F i g. 4Λ
bis 4D dargestellt ist. haben eine ausreichende Festigkeit, so daß sie den normalen Beanspruchungen beim
Montieren und Handhaben ohne nennenswerte Bruchi»i'f;ihr <;t:inith:illrn können. Da das Glnsnlältrhen und
der Kleber praktisch farblos und hochtransparent sind, wird .»ich die Photoempfindlichkeit durch die Gegenwart
des Glases und des Klebers nicht wesentlich verringert. Das Glas und der Kleber beeinträchtigen auch
die Blauempfindlichkeit der Büdaufnahmevorrichuing nicht wobei selbstverständlich vorausgesetzt ist. daß das
Glas selbst am blauen Ende des Spektralbereiches transparent ist, was üblicherweise der Fall ist. Der Kleber
b\! !et eine äußerst dünne Schicht und hat daher einen allenfalls nur sehr geringen Einfluß auf die Farbempfindlichkeil
der Bildaufnahmevorrichiung.
Das vorliegende Verfahren wirde oben am Beispiel
einer ladungsgekoppelten Büdaufnahmevorrichtung (CCD) mit Feldtransfer beschrieben, es ist selbstverständlich
auch nicht auf diese spezielle Anwendung begrenzt, sondern kann auch bei anderen Arten von ladungsgekoppelten
Bildaufnahmevorrichtungen und bei anderen Fcstkörper-Bildaufnahmevorrichtungen. die
nicht mit Ladungskopplung arbeiten, sowie auch bei Speicherplatten von Bildaufnahmeröhren, wie Siliziumspeicherplatten
für Vidikons. und ähnliche Einrichtungen verwendet werden. Fig. 6 zeigt den Aufbau einer
solchen Speicherplatte. Die Speicherplatte 52 soll bei dem dargestellten Ausführungsbcispiel aus Silizium
bestehen und wird auf die gleiche Weise dünn geätzt und auf ein Glasplättchen 54 geklebt, wie es oben erläutert
wurde. Die Schichtstruktur 60 wird durch Halterungsringe 56 und 58 in einer Fassung 62, 64 gehaltert.
Ein Vidikon mit montierter Schichtstruktur 60 ist in F i g. 7 schematisch dargestellt. Die Glasschicht 54 weist
zum Eintrittsfenster des Röhrenkolbens während die Silizium-Speicherplatte einem Elektronenstrahl .-rzeugungssystem
zugewandt ist. so daß sie beim Betrieb der Röhre durch einen Elektronenstrahl abgetastet werden
kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung von Bildaufnahmevorrichtungen mit folgenden Verf&hrensschritten:
a) auf der Vorderseite einer dünnen Substratscheibe wird mindestens eine Bildaufnahmeeinrichtung
angeordnet,
b) die Substratscheibe wird zum Schutz gegen die ätzende Wirkung eines Ätzbades so maskiert,
daß das Ätzbad lediglich in einem unmaskierten Teil in der Mitte der Rückseite der Substratscheibe
angreifen kann,
c) die Substratscheibe wird in dem Ätzbad so lang geätzt, bis der in der Mitte der Rückseite der
Substratscheibe gelegene unmaskierte Bereich bis auf eine vorgegebene Tiefe abgetragen ist,
so daß die Substratscheibe nunmehr aus oinem in de. Dicke reduzierten mittleren Teil und einem
nicht dünner geätzten äußeren Umfangsrand
besteht,
d) die so behandelte Substratscheibe wird dem Ätzbad entnommen,
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB7925870 | 1979-07-25 | ||
US06/098,699 US4266334A (en) | 1979-07-25 | 1979-11-29 | Manufacture of thinned substrate imagers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3028117A1 DE3028117A1 (de) | 1981-02-19 |
DE3028117C2 true DE3028117C2 (de) | 1984-05-10 |
Family
ID=26272314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803028117 Expired DE3028117C2 (de) | 1979-07-25 | 1980-07-24 | Verfahren zum Herstellen von Bildaufnahmevorrichtungen mit dünnem Substrat und Verwendung dieses Verfahrens |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3028117C2 (de) |
FR (1) | FR2462828B1 (de) |
NL (1) | NL8004265A (de) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3864819A (en) * | 1970-12-07 | 1975-02-11 | Hughes Aircraft Co | Method for fabricating semiconductor devices |
US3701705A (en) * | 1971-06-07 | 1972-10-31 | Western Electric Co | Fluidic masking apparatus for etching |
NL7312152A (de) * | 1972-09-11 | 1974-03-13 |
-
1980
- 1980-07-24 DE DE19803028117 patent/DE3028117C2/de not_active Expired
- 1980-07-24 FR FR8016371A patent/FR2462828B1/fr not_active Expired
- 1980-07-24 NL NL8004265A patent/NL8004265A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3028117A1 (de) | 1981-02-19 |
NL8004265A (nl) | 1981-01-27 |
FR2462828B1 (fr) | 1985-09-27 |
FR2462828A1 (fr) | 1981-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4415132C2 (de) | Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium | |
DE2431960C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Schicht auf einem Substrat mit Hilfe von Photoätzprozessen sowie Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
CH644955A5 (de) | Fluessigkristall-anzeigeelement und verfahren zu dessen herstellung. | |
DE102006014852A1 (de) | Halbleiter-Wafer mit mehrfachen Halbleiterelementen und Verfahren zu ihrem Dicen | |
DE3006919A1 (de) | Festkoerper-farbbildwandler und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102008011153A1 (de) | Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen | |
DE3539201A1 (de) | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren | |
DE2855080A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duesenplaettchen fuer tintenstrahldrucker | |
DE2805970C3 (de) | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung | |
DE2260229A1 (de) | Maske mit einem zu reproduzierenden muster | |
DE3600169C2 (de) | ||
DE3019851A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer lithographie-maske und mit einem solchen verfahren hergestellte maske | |
DE3534186C2 (de) | Festkörper-Bildwandleranordnung | |
DE2832151C2 (de) | Verfahren zum Prüfen eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Film | |
DE2226237B2 (de) | Verfahren zur Behandlung der einen Oberfläche eines plattenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE3028117C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Bildaufnahmevorrichtungen mit dünnem Substrat und Verwendung dieses Verfahrens | |
DE2924068C2 (de) | Verfahren zur Herstellung koplanarer optoelektronischer Koppelelemente | |
DE2853295C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Speicherplatte für ein Vidikon | |
DE2123887C3 (de) | ||
DE1123723B (de) | Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen | |
DE1303738C2 (de) | Verfahren zum herstellen von gittern fuer die spektralanalyse von weichen roentgenstrahlen | |
DE2846866A1 (de) | Fluessigkristallanzeigezelle fuer eine elektronische uhr | |
DE3105333A1 (de) | Verfahren zur herstellung von farbfilter-platten | |
EP0573879A2 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Leuchtstoffschicht | |
DE2314635C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Auftreffplatte einer Farbfernseh-Kameraröhre |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |