DE3026927A1 - Thyristor fuer integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents
Thyristor fuer integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung desselbenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7918464A FR2462028A1 (fr) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | Structure de thyristor pour circuit integre et son procede de fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3026927A1 true DE3026927A1 (de) | 1981-02-12 |
| DE3026927C2 DE3026927C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1992-07-09 |
Family
ID=9227967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803026927 Granted DE3026927A1 (de) | 1979-07-17 | 1980-07-16 | Thyristor fuer integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3026927A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR2462028A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10351014B4 (de) * | 2003-10-31 | 2008-06-05 | Infineon Technologies Ag | Diodenstruktur und integrale Leistungsschaltanordnung mit Low-Leakage-Diode |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1265875B (de) * | 1963-01-05 | 1968-04-11 | Licentia Gmbh | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
| CH576705A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1973-06-08 | 1976-06-15 | Borg Warner | |
| US3967308A (en) * | 1971-10-01 | 1976-06-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor controlled rectifier |
| DE2753320A1 (de) * | 1976-12-03 | 1978-06-08 | Western Electric Co | Halbleiter-pnpn-kreuzpunktschalter |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3993512A (en) * | 1971-11-22 | 1976-11-23 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an integrated circuit utilizing outdiffusion and multiple layer epitaxy |
| JPS5724659B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1974-10-31 | 1982-05-25 | ||
| US3901735A (en) * | 1973-09-10 | 1975-08-26 | Nat Semiconductor Corp | Integrated circuit device and method utilizing ion implanted and up diffusion for isolated region |
| FR2358024A1 (fr) * | 1976-07-06 | 1978-02-03 | Western Electric Co | Structure de thyristor integre |
-
1979
- 1979-07-17 FR FR7918464A patent/FR2462028A1/fr active Granted
-
1980
- 1980-07-16 DE DE19803026927 patent/DE3026927A1/de active Granted
Patent Citations (4)
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| DE2753320A1 (de) * | 1976-12-03 | 1978-06-08 | Western Electric Co | Halbleiter-pnpn-kreuzpunktschalter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2462028A1 (fr) | 1981-02-06 |
| DE3026927C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1992-07-09 |
| FR2462028B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1983-04-29 |
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