DE3021140A1 - Verfahren zur herstellung von kuehlbloecken fuer halbleiterlaser - Google Patents

Verfahren zur herstellung von kuehlbloecken fuer halbleiterlaser

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Description

N.V.Phi!' ϊζϊ-r:■■>.?:■.&\ϊ.\ ^dhoven 3021 HO
8.2.1980 - ' Λ PHN 9^85
Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für Halbleiterlaser
Die Erfindung bezieht sich, auf ein Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für Halbleiterlaser, wobei diese Kühlblöcke mindestens zwei Oberflächen aufweisen, die sich gemäss einer geraden Linie schneiden, und wobei der Ab— rundungsradius zwischen diesen zwei Oberflächen eine geringe Grosse besitzt.
Es ist bekannt, dass Halbleiterlaserelemente sehr gut gekühlt werden müssen, um eine genügend lange Lebensdauer zu erzielen. Dazu muss das Laserelement über seine ganze Länge über einen niedrigen thermischen Widerstand an einem Kühlblock befestigt werden.
Bei vielen Anwendungen von Halbleiterlasern ist es wünschenswert, dass das Laserelement sehr nahe dem Rand des Kühlblockes angeordnet wird, d.h. dass ein Laserspiegel höchstens einige /um von einer Seitenfläche des Kühlblocks entfernt ist. Dies ist z.B. notwendig, um eine zweckmässige optische Kopplung mit einer Einmodenfaser zur Anwendung bei optischer Kommunikation zu erhalten. Auch zur Vermeidung von Reflexionen an der Oberfläche des Kühlblocks ist
" diese Anordnung erforderlich.
Bei sehr genauen Bearbeitungstechniken, wie Funken— Zerspanung, wird der Radius der Rippe eines z.B. kubusförmigen Kühlblocks noch immer eine Grosse von 20 /um oder mehr besitzen. Bei mechanischer Zerspanungsbearbeitung ist
Φ der Radius grosser, während weiter die Rippe etwas abbrökkeln und Gratbildung auftreten kann.
Wenn bei einem Kühlblock, bei dem derAbrundungsradius der Rippe 20/um oder grosser ist, ein Spiegel des Laserelements in ein·» Abstand von einigen /um von der Seitenwand entfernt iat, wird ein Teil des Laserelements keinen oder einen schlechten thermischen Kontakt mit dem Kühlblock bilden, wodurch die Lebensdauer beeinträchtigt wird.
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8.2.1980 - / PHN 9^85
Die Erfindung hat die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für'Halbleiterlaserelemente zu schaffen, bei dem wenigstens die Schnittlinie, die durch die Tragfläche für das Laserelement und die Seitenfläche gebildet wird, in deren Nähe einer der Spiegel des Laserelements angeordnet werden wird, einen äusserst kleinen Abrundungsradius, vorzugsweise kleiner als 2 /um, aufweist. Um dies zu erreichen, ist das Verfahren nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass zwei zu einem Kühlblock zusammenzubauende Körper mit je einer flachen Oberfläche versehen werden; dass diese flachen Oberflächen mit Hilfe eines härtbaren Klebers aneinander befestigt werden; dass eine Seite der aneinander befestigten Körper quer zu den beiden aneinander befestigten Oberflächen einer spanabhebenden Bearbeitung unterworfen wird, um eine weitere flache Oberfläche zu erhalten, wobei bei dieser spanabhebenden Bearbeitung durch das Vorhandensein des gehärteten Klebers eine Verformung und Gratbildung bei den Körpern in der Nähe der genannten zu bildenden Schnittlinie vermieden wird, und dass, gegebenenfalls nach Bearbeitung weiterer Flächen, der Kleber entfernt wird.
Die Anwendung des härtbaren Klebers bewirkt, dass bei der spanabhebenden Bearbeitung, wie Fräsen oder Sägen, keine Möglichkeit zur Verformung, Gratbildung oder zum Aus — bröckeln des Materials des Kühlblocks an der Stelle der zu bildenden Schnittlinie auftritt. Auf diese Weise wird eine Ecke mit einem äusserst geringen Abrundungsradius gebildet.
Eine günstige Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass von Material in Form von Metallstäben ausgegangen wird; dass die Stäbe mit zwei einander gegenüber liegenden parallelen Oberflächen versehen werden; dass eine Anzahl von Stäben mit Hilfe eines härtbaren Klebers entlang ihrer parallelen Oberflä-
^5 chen aneinander befestigt werden, und dass quer zu den Befestigungsflächen durch eine spanabhebende Bearbeitung zwei weitere einander gegenüber liegende parallele flache Oberflächen gebildet werden, wonach das Gebilde von Stäben
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8.2.1980 - # _ PHN 9^85
• b·
quer zu seiner Längsrichtung durch eine Sägebearbeitung in Teile aufgeteilt wird.
Dabei werden eine Anzahl von Kühlblöcken gleichzeitig hergestellt, wobei jeder Kühlblock eine Anzahl von Schnittlinien mit einem Radius von weniger als 2 /um aufweist.
Eine für industrielle Anwendung günstige Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass bevor eine Aufteilung in Teile stattfindet, eine Anzahl der genannten Gebilde von Stäben aufeinander gestapelt und mit Hilfe eines härtbaren Klebers aneinander befestigt werden, wobei alle Stäbe parallel verlaufen; dass der so gebildete Körper durch eine Sägebearbeitung in Teile aufgeteilt wird; dass die Teile einer quer zu der Sägerichtung verlaufenden spanabhebenden Bearbeitung unterworfen werden, und dass dann der Kleber aufgelöst wird.
Auf diese Weise können in Massenanfertigung Kühlblöcke z.B. in Form von Kuben mit Rippen hergestellt werden, die einen Abrundungsradius von weniger als 2 /um aufweisen.
Als härtbarer Kleber kann vorzugsweise ein Epoxydharz verwendet werden. Ein Epoxydharz auf Basis von Acrylnitrilbutadien hat sich als besonders geeignet erwiesen.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf einen Halbleiterlaser, der ein Halbleiterlaserelement enthält, das auf einem Kühlelement befestigt und mit Anschlüssen versehen ist, über die dem Halbleiterbauelement Spannung zugeführt wird. Nach der Erfindung ist dabei das Kühlelement als ein prismatischer Block ausgebildet, von dem wenigstens eine Rippe einen Abrundungsradius von weniger als 2/um aufweist, ist das Halbleiterlaserelement mit einer seiner Spiegelflächen, die zu der Rippe parallel ist, in einem Abstand von weniger als 5/um von dem Rand des Kühlkörpers befestigt und ist auf der Befestigungsfläche ein Stützblock aus Isoliermaterial angebracht, wobei ein bandförmiger Anschlussleiter mit einem Ende an dem Halb- ^S leiterlaserelement befestigt ist und von dem Stützblock abgestützt wird.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher be-
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8.2.1980 '· )/ PHN 9^85
• Ό '
schrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Anzahl von Stäben, aus denen Kühlblöcke hergestellt werden;
Fig. 2 ein Gebilde miteinander verbundener und gefräster Stäbe;
Fig. 3 ein Paket von Gebilden nach Fig. 2, Fig. 4 eine aus dem Paket nach Fig. 3 gesägte Scheibe,
Fig. 5 einen Kühlblock zur Kühlung, eines Halbleiterlasers, und
Fig. 6 einen Kühlblock, der mit einem Laserelement und einem streifenförmigen Leiter versehen ist.
Fig. 1 zeigt eine Anzahl von Stäben 1, die z.B. aus einem Kupferdraht gebildet sind, der flachgedrückt ist. Vorzugsweise sind die flachen Seiten der Stäbe 1 genau geebnet, was z.B. durch eine Fräsbearbeitung erreicht werden kann. Die Stäbe 1 sind mit ihren flachen Seiten 2 einander zugewandt und werden mit Hilfe eines Klebers zwischen den flachen Seiten 2 zu einem Ganzen zusammengefügt. Vorzugsweise wird dazu ein Epoxydkleber verwendet. Ein Epoxydkleber auf Basis von Acrylnitrilbutadien hat sich als besonders geeignet erwiesen. Der Kleber wird unter Druck bei einer Temperatur von z.B. 15O°C ausgehärtet. Die Dicke der Kleberschicht wird vorzugsweise klein gehalten und kann, abhängig von der Glätte der Oberflächen und dem angewandten Druck, einige /um betragen.
Die so miteinander verbundenen Stäbe werden einer spanabhebenden Bearbeitung, wie Fräsen., in einer Richtung senkrecht zu den miteinander verklebten Flächen. 2 unterworfen. Dann wird ein Gebilde nach Fig. 2 erhalten. Wenn; beim Fräsen alle Stäbe einzeln behandelt wären, hätte der Radius der zwischen den oberen und den Seitenflächen bzw. den unteren und Seitenflächen gebildeten Schnittlinien einen verhältnismässig grossen Wert von mehr als 20/um, wobei weiter Materialteilchen ausgebröckelt wären und Gratbildung aufgetreten wäre. Der gehärtete Kleber zwischen den Stäben bewirkt, dass das gestapelte Gebilde von Stäben vor der Fräsebearbeitung ein homogenes Ganzes zu sein scheint, wobei die Fräse keinen Übergang zwischen den
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8.2.1980 " J? PHN 9^85
Stäben fühlt. Die zu fräsende Oberfläche wird denn auch völlig glatt; Ausbröckeln und Gratbildung an den Schnittlinien treten nicht auf. Wenn der Kleber zwischen den Stäben nun aufgelöst werden würde, würde sich herausstellen, dass die gebildeten Schnittlinien sehr scharf sind und einen Abrundungsradius von weniger als 2 ,um aufweisen. Es hat sich sogar als möglich erwiesen, einen Abrundungsradius von 0,2 /um zu erzielen.
Das in Fig. 2 dargestellte Gebilde kann nun in Scheiben gesägt werden, wonach der Kleber aufgelöst werden kann.
Dann würden Blöcke entstehen, von denen eine Anzahl Schnittlinien einen äusserst kleinen Radius aufweisen. Es ist aber zu bevorzugen, eine Anzahl der in Fig. 2 dargestellten Gebilde unter Zwischenfügung eines härtbaren Klebers zu einem Paket nach Fig. 3 zu stapeln. Der Stapel wird unter Druck gebracht, wobei der Kleber bei einer Temperatur von z.B. 15O°C ausgehärtet wird.
Die gestapelten Stäbe werden anschliessend in Scheiben gesägt, wie in Fig. k dargestellt ist. Gegebenenfalls werden die Scheiben nach dem Sägen noch nachgefräst, um eine glatte Oberfläche zu erhalten. Die Scheiben enthalten eine Anzahl noch miteinander verklebter Blöcke. Die Rippen dieser Blöcke, die durch eine spanabhebende Bearbeitung miteinander verklebter Körper erhalten sind, weisen alle
M einen sehr kleinen Abrundungeradiu« von weniger als Z Aim auf. Die Blöcke weisen am Aussenrand einige Rippen auf, die nicht durch die spanabhebende Bearbeitung miteinander verleimter Körper erhalten sind; diese Rippen weisen einen grösseren Abrundungsradius auf. Gegebenenfalls können diese äusseren
8* Blöcke markiert «erdtn, wonach der Kleber mit Hilfe eines Lösungsmittels entfernt wird. Dann werden Blöcke erhalten, von denen einer in PIf. 5 dargestellt ist. Die Blöcke 3 weisen eine besondere glatte Oberfläche auf; einander gegenüber liegende Fläch·* sind genau parallel und die Rippen h besitzen einen äusserst kleinen Abrundungsradius.
Ein Beispiel der Anwendung des so gebildeten Kühlblocks ist in Fig. 6 dargestellt; diese Anwendung ist für optische Faserkommunikation geeignet. Die Befestigung des
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Halbleiterlasers und. eines Stromleiters ist derart, dass eine günstige Kühlung und eine niedrige elektrische Induktanz auftreten.
Auf dem Kühlblock 3 ist ein Halbleiterlaserelement angeordnet. Die Befestigung kann z.B. mit Hilfe von Indiumlot erfolgen. Eine Spiegelfläche 6 des Laserelements liegt dabei in einem Abstand von höchstens einigen /um von dem Rand des Kühlkörpers. Dies kann notwendig sein, um eine zweckmässige optische Kopplung des Lasers mit einer optischen Faser zu erhalten. Auch kann dies erforderlich sein, um Reflexionen, des Laserlichts an der Metalloberfläche des Kühlblocks zu vermeiden. Da die Rippen des Blocks 3 einen Abrundungsradius von weniger als 2 /um aufweisen, wird das Laserelement 5 über seine ganze untere Fläche mit dem Kühlkörper verbunden sein, und zwar auch mit demjenigen Teil der unteren Fläche, der am Rande des Kühlblocks liegt. Dadurch wird das Laserelement otpimal gekühlt.
Auf dem Kühlblock ist weiter ein keramisches Abstandsglied 7 z.B. mittels eines Epoxydklebers angebracht. Ein streifenförmiger Leiter 8 erstreckt sich über dem Kühlblock von der oberen Fläche des Laserelements 5 über den isolierenden Stützblock 7 zn der Seitenkante des Kühlblocks. Durch die dargestellte Ausführung tritt nur eine geringe Induktanz auf, was bei Anwendung des Lasers für optische Kommunikation günstig ist.
Es ist einleuchtend, dass der Kühlblock nicht nur bei Lasern für optische Kommunikation anwendbar ist. Es wird nahezu stets erwünscht sein, das Laserelement möglichst nahe bei dem Rand eines Kühlelements zu befestigen, und dazu eignet sich der Kühlblock nach der Erfindung gerade besonders gut. Eine günstige weitere Anwendung liegt z.B. beim Abtasten von Aufzeichnungsträgern mit optisch auslesbaren Informationsstrukturen vor. Die Informationsstrukturen können sich z.B. auf Bild- oder Toninformation be-
" ziehen. Bei einer derartigen Anwendung wird das Laserelement auch mit einer Spiegelfläche in einem Abstand von einigen /um vom Rande des Kühlblocks angeordnet. ¥eiter wird auf der Fläche, auf der sich das Laserelement befindet, ausser-
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• ä>
dem eine Regeldiode angeordnet. Zum Erhalten einer geeigneten Befestigungsfläche der Diode auf dem Kühlblock kann es zweckmässig sein, die Diode kubusförmig zu gestalten.
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Claims (1)

  1. 302ΊΗ0
    8.2.1980 - ' PHN 9^85
    PATENTANSPRÜCHE
    1y Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für Halbleiterlaser, wobei diese Kühlblöcke mindestens zwei Oberflächen aufweisen, die sich, gemäss einer geraden Linie schneiden, und wobei der Abrundungsradius zwischen diesen beiden Oberflächen eine geringe Grosse aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zwei zu einem Kühlblock zusammenzubauende Körper mit je einer flachen Oberfläche versehen werden, dass diese flachen Oberflächen mit Hilfe eines härtbaren 'Klebers aneinander befestigt werden, dass eine Seite der aneinander befestigten Körper quer zu den zwei aneinander befestigten Oberflächen einer Zerspanungsbearbeitung unterworfen wird, um eine weitere flache Oberfläche zu erhalten, wobei bei dieser Zerspanungsbearbeitung durch das Vorhandensein des gehärteten Klebers eine Verformung und Gratbildung der Körper in der Nähe der genannten zu bildenden Schnittlinie vermieden werden, und dass, gegebenenfalls nach Bearbeitung weiterer Oberflächen, der Kleber entfernt wird.
    Z. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass von Material in Form von Metallstäben ausgegangen wird; dass die Stäbe mit zwei einander gegenüber liegenden parallelen flachen Oberflächen versehen werden; dass eine Anzahl von Stäben mit Hilfe eines härtbaren Klebers entlang ihrer parallelen Oberflächen aneinander befestigt werden, und dass quer zu den Befestigungsflächen durch eine Zerspanungsbearbeitung zwei weitere einander gegenüber liegende parallele flache Oberflächen gebildet werden, wonach das Gebilde von Stäben quer zu seiner Längsrichtung durch eine Sägebearbeitung in Teile aufgeteilt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Aufteilung in Teile eine Anzahl der genannten Gebilde von Stäben aufeinander gestapelt und mit Hilfe eines härtbaren Klebers aneinander befestigt werden,
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    wobei, alle Stäbe parallel verlaufen; dass der so gebildete Körper durch, eine Sägebearbeitung in Teile aufgeteilt wird; dass die Teile einer quer zu der Sägerichtung durchgeführten spanabhebenden Bearbeitung unterworfen werden, und dass dann der Kleber gelöst wird.
    4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als härtbarer Kleber ein Epoxydharz verwendet wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
    dass als Kleber ein Epoxydharz auf Basis von Acrylnitrilbutadien-styren verwendet wird.
    6. Halbleiterlaser, der. ein Halbleiterlaserelement enthält, das·auf einem Kühlelement befestigt und mit Anschluss— leitern versehen ist, über die dem Halbleiterlaserelement Spannung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Kühlelement als ein prismatischer Block ausgebildet ist, von dem wenigstens eine Rippe einen Abrundungsradius von weniger als 2 /um aufweist; dass das Halbleiterlaserelement mit einer seiner Spiegelflächen parallel zu der Rippe in einem Abstand von weniger als 5/üm von dem Rand des Kühlblocks befestigt ist; dass auf der Befestigungsfläche ein Stützblock aus Isoliermaterial angeordnet ist, und dass ein bandförmiger Anschlussleiter mit einem Ende an dem
    Halbleiterlaserelement befestigt ist und von dem Stützblock abgestützt wird.
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DE3021140A 1979-06-11 1980-06-04 Verfahren zur Herstellung von Kühlblöcken für Halbleiterlaser und Halbleiterlaser mit einem nach diesem Verfahren hergestellten Kühlblock Expired DE3021140C2 (de)

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US (1) US4348795A (de)
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FR (1) FR2458922A1 (de)
GB (1) GB2050896B (de)
IT (1) IT1131523B (de)
NL (1) NL180365C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4550333A (en) * 1983-09-13 1985-10-29 Xerox Corporation Light emitting semiconductor mount

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612453B2 (ja) * 1982-05-17 1994-02-16 積水フアインケミカル株式会社 光硬化性樹脂組成物
FR2531819A1 (fr) * 1982-08-12 1984-02-17 Demeure Loic Embase pour laser a semi-conducteur et son procede de fabrication
JPH05173046A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Sony Corp 光導波路装置
US5324387A (en) * 1993-05-07 1994-06-28 Xerox Corporation Method of fabricating asymmetric closely-spaced multiple diode lasers
JP2737625B2 (ja) * 1993-12-27 1998-04-08 日本電気株式会社 半導体レーザ装置
US9529155B2 (en) 2012-11-28 2016-12-27 Corning Optical Communications LLC Gradient index (GRIN) lens chips and associated small form factor optical arrays for optical connections, related fiber optic connectors
US20140143996A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 Venkata Adiseshaiah Bhagavatula Methods of forming gradient index (grin) lens chips for optical connections and related fiber optic connectors
CN109332775B (zh) * 2018-11-27 2020-05-05 株洲钻石切削刀具股份有限公司 一种内冷三面刃铣刀

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542174A1 (de) * 1974-09-21 1976-07-22 Nippon Electric Co Halbleiterlaservorrichtung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2762954A (en) * 1950-09-09 1956-09-11 Sylvania Electric Prod Method for assembling transistors
US3165824A (en) * 1962-05-21 1965-01-19 Leach & Garner Co Method for producing jewelers' stock
NL301162A (de) * 1962-12-03
US3613228A (en) * 1969-07-02 1971-10-19 Ibm Manufacture of multielement magnetic head assemblies
US3685110A (en) * 1970-08-31 1972-08-22 George J J Randolph Jr Manufacture of piezoresistive bars
GB1500156A (en) * 1974-09-06 1978-02-08 Rca Corp Semiconductor injection laser
US4268946A (en) * 1977-06-08 1981-05-26 Owens-Corning Fiberglas Corporation Method for finishing a plate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542174A1 (de) * 1974-09-21 1976-07-22 Nippon Electric Co Halbleiterlaservorrichtung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Technical Diclosure Bulletin 17(1975), Nr. 10, S. 3134 *
IBM Technical Disclosure Bulletin 17(1974), Nr. 1, S. 282 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4550333A (en) * 1983-09-13 1985-10-29 Xerox Corporation Light emitting semiconductor mount

Also Published As

Publication number Publication date
GB2050896A (en) 1981-01-14
NL7904550A (nl) 1980-12-15
IT8022639A0 (it) 1980-06-06
NL180365C (nl) 1987-02-02
FR2458922B1 (de) 1981-12-04
IT1131523B (it) 1986-06-25
DE3021140C2 (de) 1985-01-17
JPS611082A (ja) 1986-01-07
US4348795A (en) 1982-09-14
GB2050896B (en) 1983-01-19
NL180365B (nl) 1986-09-01
CA1143463A (en) 1983-03-22
FR2458922A1 (fr) 1981-01-02
JPS562695A (en) 1981-01-12
JPS6237896B2 (de) 1987-08-14

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