DE3020515C2 - Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung - Google Patents
Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder FlossenleitungInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Uebergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung in Form einer gestuften Erweiterung der Schlitz- oder Flossenleiterbreite, wobei das Substrat, auf dem die Schlitz- oder Flossenleitung mit gestuftem Uebergang angeordnet ist, parallel zur E-Ebene im Hohlleiter aufgestellt ist und die Schlitz- oder Flossenleitung sich in Ausbreitungsrichtung des Hohlleiters fortsetzt, und wobei die metallisierte Flaeche auf dem Substrat mit dem Hohlleiter mindestens fuer HF-Energie leitend verbunden ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen breitbandigen, reflexionsarmen Uebergang geringer Baulaenge von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung zu schaffen. Die Aufgabe wird erfindungsgemaess dadurch geloest, dass sich an die Schlitz- oder Flossenleiterstufung eine oder mehrere den Hohlleiter dielektrisch belastende Uebergangsstufen anschliessen, welche als nichtmetallisierte Bereiche auf dem Substrat ausgebildet sind, die sich ber die ganze H!he des Hohlleiters erstrecken und bis an den in den Hohlleiter hineinweisenden Rand des Substrats reichen. ...U.S.W
Description
Die Erfindung betrifft einen Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung in Form
einer gestuften Erweiterung der Schlitz- oder Flossenleiterbreite, wobei das Substrat, auf dem die Schlitz- oder
Flossenleltung mit dem gestuften Übergang angeordnet Ist, parallel zur E-Ebtme im Hohlleiter aufgestellt !stund
die Schlitz- oder Flossenleitung sich in Ausbreitungsrichtung des Hohlleiters fortsetzt, und wobei die metallisierte
Fläche auf dem Substrat r.-.rt dem Hohlleiter mindestens für HF-Energie leitend verbunden Ist.
freie Anpassung zwischen diesen L-.iden unterschiedlichen Leitungstypen gesorgt werden. Aus »Paul J. Meier:
Prlnted-Clrcult balanced mixer for the 4- and 5-mm-bands, IEEE 1979 MTT Symposium, pp 84, 85« Ist ein
__ getaperter Übergang auf eine Flossenleitung (Fin-llne) bekannt. Die Flossenleitung und der davor gesetzte Taper
befinden sich auf einem Substrat, das in den Hohlleiter hineinragt. Dabei steht das Substrat parallel zum E-FeId
des Hohlleiters und verläuft in Richtung der Hohlleiterlängsachse. Es 1st bekannt, daß derartige Taper eine
umso breitbandlgere Anpassung bewirken je allmählicher der Übergang vom breiten auf den schmalen Querschnitt
erfolgt. Dies bringt eine sehr große Baulänge des Übergangs mit sich, was aber gerade, unerwünscht 1st
im Hinblick auf eine große Integrationsdichte planarer Strukturen auf einem Substrat. An der Substratkante, die
in den Hohlleiter hineinweist, tritt eine störende Reflexion der Hohlleiterwelle auf, deren Stärke mit der Dicke
des Substrats und mit wachsender Dielektrizitätskonstante ε, zunimmt. Mit einem Taper kann aber keine rückläufige
Welle erzeugt werden, die die an der Kante reflektierte Welle kompensiert. Der getaperte Übergang mit
der anschließenden Flossenleltung 1st daher, wie aus der oben erwähnten Schrift hervorgeht, auf einem sehr
dünnen (d — 0,12 mm) Substrat mit geringem ζ, (ε, = 2,35) aufgebracht, um die Reflexion an der Substratkante
möglichst gering zu halten. Für eine hohe Integrationsdichte von planaren Schaltungstellen auf dem Substrat ist
dagegen ein Material mit relativ hoher Dielektrizitätskonstante (ε, - 10) gefordert. Um hierbei die nötige
mechanische Festigkeit zu gewährleisten, 1st ein dickeres Substrat zu wählen (d ^. 0,4 mm).
Für eine breltbandlge Kompensation der Reflexion selbst an einer breiten Substratkante 1st ein gestufter Übergang
zwischen dem Hohlleiter und der Schlitz- oder Flossenleltung geeignet. Er erzeugt nämlich an seinen
Stufungen rücklaufende Wellen, die über ein breites Frequenzband die an der Substratkante reflektierten Wellen
kompensieren. Ein derartiger gestufter Schlitzleitungsübergang geht aus der DE-OS 21 62 196 hervor. Die
Schlitzleitung erfährt, wie dort die F1 g. 7 zeigt, In Richtung des Hohlleiterinneren eine gestufte Erweiterung
ihrer Breite. Man erhält eine breltbandlge Impedanzanpassung zwischen dem Hohlleiter und der Schlitzleitung,
wenn die Übersetzungsverhältnisse nicht zu groß gewählt werden. Vor allem Ist es entscheidend, daß das Übersetzungsverhältnis
zwischen dem Weilenwiderstand des Hohlleiters und der ersten Übergangsstufe auf dem
Substrat nicht zu sehr von 1 abweicht. Beim Übergang aus der DE-OS 21 62 196 direkt vom Hohlleiter auf die
erste Schlitzleiterstufe liegt ein ziemlich großer Wellenwiderstandssprung vor, der die gesamte Anpassung
schmalbandlg werden läßt.
Aus der DE-OS 27 38 326 Ist ein Übergang von einem Hohlleiter auf eine Streifenleiterstruktur mit stufenweise
sich verbreiternden strelfenförmlgen Leitern bekannt, bei dem sich an die Strelfenlelterstufung eine den
Hohlleiter dielektrisch belastende Übergangsstufe anschließt, die als nlchtmetalllslerter Bereich auf dem Strelfenleltersubstrat
ausgebildet Ist und die sich über die ganze Hohe des Hohlleiters erstreckt und bis an oen In
den Hohlleiter hineinweisenden Rand des Substrates reicht.
Ebenfalls ein Übergang von einem Hohlleller auf eine Streifenleitung Ist aus der DE-AS 10 75 690 bekannt.
Dabei Ist die Masseleitung mit einer Hohlleiterwand und der Streifenleiter mit einem an einer Hohllelterinnenffs
wand angeordneten leitenden Steg kontaktiert. Das die Streifenleitung tragende Substrat, welches senkrecht zum
E-FeId Im Hohlleiter ausgerichtet 1st, ragt mit seinem nichtmetalllsierten vorderen Bereich In den Hohlleiter
hinein. Dieser als Wellenformwandler wirkende nlchtmetalllslerte Bereich des dielektrischen Substrats nimmt In
seiner Dicke zum Hohlleiterinneren hin gestuft ab.
Der Erfindung Üegt die Aufgabe zugrunde, einen Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung
der eingangs genannten Art anzugeben, der möglichst reflexionsarm ist und eine geringe Durchlaß- s
dämpfung aufweist
Diese Aufgabe wird auf zwei verschiedene Arten durch die kennzeichnenden Merkmale der nebengeordneten
Ansprache 1 und 2 gelöst. Eine zweckmäßige Ausführung der Erfindung geht aus dem Unteranspruch hervor.
Die erfindungsgemäßen Übergänge haben den Vorteil, daß sie eine geringe Baulänge besitzen. Anhand des in
der Zeichnung dargestellten Ausführungsbelsplels wird nun die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines mit dem Übergang versehenen Substrats, das In einem Hohlleiter
angeordnet ist,
In der Flg. 1 1st ein Rechteckhohlleiterstück 1 der Höhe b und der Breite α dargestellt, In dem In der
Symmetrieebene parallel zum E-FeId ein Substrat 2 der Dicke d angeordnet 1st. Der Hohlleiter, der sich in Richtung
aus der Zeichenebene heraus fortsetzt, ist auf Höhe der Substratkante abgeschnitten dargestellt, um die
Lage des die Schlitzleiterstruktur tragenden Substrats zu zeigen. Das einseitig mit einer metall; v-^rten Schicht 3
(kreuzschraffiert gezeichnet) versehene Substrat 2 v/ird in Nuten 4 in den Hohlleiterwänden gehalter.
Der Flg. 2, weiche den Schnitt A-A durcn den Hohlleiter darstellt, 1st die aus der Metallisierung 3 herausgeätzte
Schlitzleiterstruktur zu entnehmen. Auf die Schlitzleitung der Breite w, folgen zwei Übergangsstufen mit
den Längen I1 und I2 und den Schlitzbreiten W1 und W1, wobei gilt: W1
> W1 > wt. Der Stufe mit der Breite W1 ist
eine weitere, bis an den Substratraad reichende Stufe der Länge Λ und der Breite wt vorangestellt. Sie besteht
aus einem nichtmetaUislerten Bereich auf dem Substrat, dessen Breite w, gleich der Höhe b des Hohlleiters Ist.
Diese Stufe stellt also eine rein dielektrische Belastung für den Hohlleiter dar. Das durch diese Stufe dielektrisch
belastete Hohlleiterstück weist einen Wellenwiderstand Zi auf, der mit dem Wellenwiderstand Zo des unbelasteten,
leeren Hohlleiters ein für die breltbandlge Anpassung gefordertes niedriges Transformationsverhältnis
bildet. Ein noch niedrigeres Transformationsverhältnis läßt sich erreichen beispielsweise durch eine Aussparung M
5 Im Substrat 2 Im Bereich dieser Stufe, wie dies In Fl 3. 3 dargestellt 1st. Bei sehr hohen Anforderungen an die
Bandbreite können weitere nlchtmetalllslerte Stufen mit Aussparungen abgestufter Breite eingefügt werden. Die
gleiche Wirkung läßt sich durch Abstufungen der Substratdicke erreichen.
Die Flg. 4 a und 4 b zeigen die Vorder- und Seltenansicht eines Substrats 2, das z. B. mit drei Abstufungen 7,
8 und 9 versehen ist.
Um eine gut leitende HF-Verbindung zwischen der metallisierten Schicht 3 auf dem Substrat und dem Hohlleiter
1 herzustellen, Ist auf bekannte Weise die Metallisierung an beiden Rändern mit einer kammartigen
Leiterstruktur 6 versehen. Und zwar greift diese Kammstruktur, die beim In der FI g. 2 dargestellten Ausiilhrungsbelsptsl
oberhalb und unterhalb der ersten Transformationsstufe mit der Breite w, verläuft, in den unteren
Teil 3' der In die Hohlleiterwände eingelassenen Nuten 3 ein. Der untere Teil 3' der Nuten 3 1st etwas verbreitert,
so daß die kammartige Leiterstruktur 6 keinen galvanischen Kontakt mit den Hohlleiterwänden eingeht.
Die Zähne der Kammstruktur haben eine Länge, die etwa einem Viertel der Betriebswellenlänge der Anordnung
entspricht. Sie bilden λ/4-Transformatoren, die die hohen Impedanzen an den offenen Enden auf eine niedrige
Impedanz an der Stelle der oberen und unteren Hohlleiterwand transformieren. Dadurch Ist auch bei kleinen
Abweichungen von der Idealen Läse des Substrats Im Hohlleiter ein einwandfreier HF-Kontakt zwischen den
Hohlleiterwänden und der leitenden Fläche 3 auf dem Substrat gewährleistet.
Die Flg.S zeigt ein Leitungsersatzschaltbild der aus den Flg. 1 und 2 hervorgehenden Anordnung. Darin
sind für die einzelnen Abschnitte der Wellenwiderstand und die Betriebswellenlänge aufgeführt: Zo, X0 für den
leeren, unbelasteten Hohlleiter, Zx, λ, für den durch die erste Transformationsstufe dielektrisch belasteten Hohl-Ieiierabschnitt,
Z1, X1 und Zj, Xj für die beiden weiteren Schlltzleltungs-TranMbrmatlonsstufen und Ζ«, JU für
die eigentliche Schlltzlelfing. Die Induktivitäten Lsu, Ls13 und Ls34 treten an den Sprungstellen zwischen den
Transformationsstufen auf.
Bei folgenden Abmessungen des Übergangs ergibt sich e.'ne guie reflexionsarme Anpassung zwischen dem
Hohlleiter und de,- Schlitzleitung In einem Frequenzband von 18 bis 22 GHz:
und eine DurchlaBdilmpfung von ca. 0,2 dB.
Claims (3)
1. Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung In Form einer gestuften Erweiterung
der Schlitz- oder Flossenleitcrbrelte, wobei das Substrat, auf dem die Schlitz- oder Flossenleitung mit
dem gestuften Übergang angeordnet 1st, parallel zur Ε-Ebene Im Hohlleiter aufgestellt Ist und die Schlitzoder
Flossenleltung sich in Ausbrettungsrichtung des Hohlleiters fortsetzt und wobei die metallisierte Fläche
auf dem Substrat mit dem Hohlleiter mindestens für HF-Energie leitend verbunden Ist, dadurch gekennzeichnet,
daß sich an die Schlitz- oder Flossenlelterstufung eine oder mehrere den Hohlleiter (1) dielektrisch
belastende Übergangsstufen anschließen, welche als nichtmetallislerts Bereiche auf dem Substrat (2)
ausgebildet sind, die sich über die ganze Hohe (&) des Hohlleiters erstrecken und bis an den In den Hohlleiter
hineinweisenden Rand des Substrats reichen, und daß in der (den) Übergangsstufe(n) mindestens eine oder
mehrere hintereinander liegende Aussparungen (S) mit abgestufter Breite vorhanden sind.
2. Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung In Form einer gestuften Erweiterung
der Schlitz- oder Flossenlelterbrelte, wobei das Substrat, auf dem die Schlitz- oder Flossenleltung mit
dem gestuften Übergang angeordnet 1st, parallel zur Ε-Ebene im Hohlleiter aufgestellt ist und die Schlitzoder
Flossenleltung sich In Ausbreitungsrichtung des Hohlleiters fortsetzt und wobei die metallisierte Flache
auf dem Substrat mit dem Hohlleiter mindestens fur HF-Energie leitend verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß sich an die Schlitz- oder Flossenlslterstufung eine oder mehrere den Hohlleiter (1) dielektrisch
belastende C'bergangsstufen anschließen, welche als nlchtmetalllslerte Bereiche auf dem Substrat (2) ausgebildet
sise, die sich über die ganze Höhe (£>) des Hohlleiters erstrecken und bis an den in den Hohlleiter
hineinweisenden Rand des Substrats reichen, und daß die Substratdicke in der (den) Übergangsstufe(n) zum
Hohllelterinnern hin gestuft abnimmt.
3. Übergang nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die den Hohlleiter (1) dielektrisch
belastenden Übergangsstufen λ/4 lang sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803020515 DE3020515C2 (de) | 1980-05-30 | 1980-05-30 | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803020515 DE3020515C2 (de) | 1980-05-30 | 1980-05-30 | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3020515A1 DE3020515A1 (de) | 1981-12-10 |
DE3020515C2 true DE3020515C2 (de) | 1985-05-02 |
Family
ID=6103554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803020515 Expired DE3020515C2 (de) | 1980-05-30 | 1980-05-30 | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Schlitz- oder Flossenleitung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3020515C2 (de) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1075690B (de) * | 1954-01-14 | 1960-02-18 | International Standard Electric Corporation New York N Y (V St A) | LeVme New York N Y und Robert J Merkel Clifton N J (V St A) I Wellenformwandler zur Kopp lung von Hohlleitern mit unsymmetrischen Bandleitungen |
JPS518709B1 (de) * | 1970-12-23 | 1976-03-19 | ||
NL7609903A (nl) * | 1976-09-07 | 1978-03-09 | Philips Nv | Microgolfinrichting voor het omzetten van een golfpijp- in een microstripgeleiderstructuur. |
-
1980
- 1980-05-30 DE DE19803020515 patent/DE3020515C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3020515A1 (de) | 1981-12-10 |
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