DE3018510A1 - Josephson-uebergangselement - Google Patents
Josephson-uebergangselementInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 V Ga Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
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- Y10S505/873—Active solid-state device
- Y10S505/874—Active solid-state device with josephson junction, e.g. squid
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Description
Die Erfindung betrifft sandwichartige Josephson-übergängselemente,
insbesondere sandwichartige Josephson-Übergangselemente,
die frei von Beschädigungen'aufgrund von Temperaturänderungen
sind und eine höhe Betriebstemperatur besitzen. .
Ein supraleitender Tunnelübergang mit Josephson-Effekt kann
Veranlassung geben, zu einem: Übergang zwischen einer 0-Spannung
und einer Gfe.nzspannung durch Einwirkung eines Magnetfeldes.
Da die- Schaltz'eit in diesem Falle im Bereich von 10 - 100 -p's.
liegt, ist der Josephson-Übergang als Schaltelement besonders hervorragend geeignet. Aus.diesem Grunde wurde vom Josephson-Obergangselement
seine Verwendung als Bauelement für Operationen
oder zur Speicherung in einem elektronischen Computer erwartet.-Außerdem
Sind viele Einsatzzwecke, einschließlich der Anwendung als Detektor^ für elektromagnetische Wellen usw. bekanntgeworden»
Josephson-Übergangselentente gibt es in verschiedenen Typen und
Baufarmen. Dabei ist ein sandwichartiges Übergangselement, bei dem eine Sparirtung im Norjnalzustand unabhängig von Strömen oder
Magnetfeldern ist, zur Verwendung in einer logischen Schaltung geeignet. Pb und Legierungen auf der Basis von Pb sind bislang
für supraleitende. Elektroden bei sandwichartigen Obergangselementen
verwendet worden. Die Materialien Pb und Legierungen auf
der Basis yon Pb haben den Vorteil, daß sich die Übergänge ohne
weiteres herstellen lassen. Die Josephson-Elemente, die sie
verwenden, haben jedoch die Schwierigkeit, daß ein Hügel in einer Basiselektrode aufgrund des Temperaturwechsels zwischen Raumtemperatur
und der Temperatur von flüssigem Helium auftritt und eine Oxidsperrschicht zerreißt, was zu einer Verschlechterung der
JosephsonrSpannung-Strom-Charakteristik führt. Da darübei^hinaus
die kritische Temperatur des die Elektrode bildenden Materials'
einen sehr niedrigen Wert von ungefähr 7 K aufweist, ist es
schwierig, die Betriebstemperatur des Elementes auf einen Wert von ungefähr 5 K oder höher zu bringen. Bei der Betriebstemperatur
von ungefähr 5 K kann das Josephson-Übergangselement nicht
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betrieben werden, indem es mit einer kryogenen Kältemaschine mit geschlossenem Kreislauf gekühlt wird, und es ist erforderlich
j 'das Element in flüssiges Helium einzutauchen, um damit
zu arbeiten* ' . . ' -
Man kennt auch Nb als Material für supraleitende Elektroden
bei sandwichartigen Josephson-Üb.ergangselementen. Das Material Nb bildet keinen Hügel wie.", die Materialien Pb und Pb-Legierungen;
ferner liegt seine kritische Temperatur um ungefähr 2 K höher
als die von Pb und■beträgt ungefähr 9 K, so daß es besser ist
als Pb und Pb-Legierungen als Material für die Elektrode eines
Josephson-Übergangselementes^ Auch ein Josephson-Übergangselement unter Verwendung von Nb für-die Elektrode hat jedoch eine
Betriebstemperatur von ungefähr 6 K. Es kann daher auch ,nicht
betrieben werden, indem man es mit einer kryogenen Kältemaschine mit geschlossenem Kreislauf kühlt, und es ist immer noch erfor^
derLieh, die Kühlung.mit flüssigem Helium vorzunehmen. .
■Als supraleitende Materialien mit. hohen kritischen Temperaturen
sind eine große Anzahl von Materialien bekannt geworden, zu denen Nb0Sn, Nb0Ge, V„Si usw. gehören, die alle höhere kritische Temperaturen
als■Nb besitzen. Es hat den Anschein, daß dann, wenn
die Elektroden aus diesen Materialien hergestellt werden, sich
Josephsph-Übergangselemente herstellen lassen, die betrieben
werden können, indem man sie mit kryogenen Kältemaschinen mit geschlossenem Kreislauf kühlt, ϊη Wirklichkeit jedoch ist es
in den Fällen, wo ein derartiges Material als Gegenelektrode auf eine Grenzschicht aufgedampft wird, erforderlich, daß die SUbsträttemperatur
oder die Temperatur des zusammengesetzten Körpers,·
bestehend aus einer Basiselektrode und der Grenzschicht, auf einige 100° C oder mehr gebracht wird". Wenn das Material der
Gegenelektrode bei derartig hohen Temperaturen aufgebracht wird}
reagieren die Grenzschicht und das Material der aufgebrachten
Elektrode miteinander' oder es treten feine Löcher (pinholes)
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in der Grenzschicht auf, was zu dem Ergebnis führt, daß ein
guter Josephson-Effekt beim Obergang nicht erreicht wird, wie
es zu'erwarten ist. Andererseits ist es so, daß auch dann, wenn
ein Material wie Nb-Sn auf die Grenzschicht bei.einer Substrattemperatur
von weniger als ungefähr 500° C aufgedampft wirda
keine Elektrode hoher kritischer Temperatur erzeugt wird« Dem-
. ■ ' ■ ' es ■ , ' ■.
entsprechend ist/so, daß auch dann, wenn diese Materialien für'
die Gegenelektrode von sandwichartigen Josephson-G'ber.gangsele- ■
menten verwendet werden, die hergestellten Elemente- nicht betrieben werden "können, indem inan sie mit einer kryogeneri· Kalter
'maschine mit geschlossenem Kreislauf kühlte -
Hankann daher sagen, daß es bislang keine sandx-jichartigen
Josephson-iibergangs elemente gegeben hat-, die betriebsfähig sind^
wenn man sie mit einer kryogenen Kältemaschine mit -geschlossenem Kreislauf kühlt, ohne flüssiges Helium zu verwenden.. Die
Leistungsfähigkeit von derzeitigen kryogenen Kältemaschinen
mit geschlossenem Kreislauf beträgt ungefähr 6,5 - 9 K, ausgedrückt
in Temperaturen am kühlen Ende -bei einer Kühlleistung
von G, ungef-ähr 8,2 - B,8 K bei einer Kühlleistung von Q.,5 1«J
mid ungefähr 9 -IO.K bei einer Kühlleistung van IW. Es -steUrt
sieh heraus, daß das Josephson-übergangselement., das durch
Kühlung mit einer kryogenen Kältemaschine mit geschlossenem Kreislauf betriebsfähig ist, eine Betriebstemperatur von ungefähr
8,5 K oder mehr haben muß.
Wenn Elemente, deren Betriebstemperaturen unterhalb von 8,5 K
liegen und die eine Kühlung mit flüssigem Helium erfordern,
höhere Betriebstemperaturen als die von herkömmlichen Elementen haben, so wird ihre Kühlung in diesem Maße erleichtert. Lediglich
der Vollständigkeit halber darf gesagt werden, daß derartige Josephson-Obergangselemente ebenfalls nützlich sind»
Zum Stande der Technik darf auf die JP-OS H7-1327U, die
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JP-OS 52-97695 und JP-OS 53-5 3293 verwiesen werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein sandwlchartiges Josephson-Übergangselement
anzugeben, das frei von Verschlechterungen oder Zerstörungen aufgrund einer säkularen Änderung oder eines
Temperaturwechsels ist und das hohe Betriebstemperaturen aufweist, wobei ein derartiges sandwichartiges Josephson-Obergangselement
eine hohe Lebensdauer aufweisen und betriebsfähig seinsoll j wenn man es mit einer kryqgenen Kältemaschine mit geschlossenem Kreislauf kühlt. .
Zur Erreichung die-ses Zieles wird gemäß tier "Erfindung ein sand—
wichartiges Josephson-Übergangselement angegeben, welches eine
Basiselektrode aus -einem supraleitenden Material, eine Sperrschicht, die aus einer .auf der -Basiselektrode aufgebrachten
Isolierschicht und/oder -einer Haibleitsrschicht bestellt, sowie
-eine auf die Sperrschicht aufgebrachte Gegenelektrode aus supraleitendem-Material
aufweist und sich dadurch, -auszeichnet, daB
die Gegenelektrode -aus einer Mb-JRe-Legierung besteht, die 10 9£>
Atom-% Re enthält*
Ein noch -vorteilhafterer Bereich des Re-Gehaltes der die Gegenelektrode bildenden Ko-Re-Legierung liegt bei 20 — 80_Atom-l,
während der bevorzugteste Bereich des Re-Gehaltes 35 - 50 Atom-' ausmacht. Die kritische Temperatur der Mo-Re-Legierung,. deren
Re-Gehalt zwischen 10 Atom-% und 90 Atom-% liegt, beträgt ungefähr 7 K. Mo-Re-Legierungen, deren Re-Gehalte niedriger als
10 Atom-% oder höher als 90 Atom-% ausmachen, .ftaben kritische
Temperaturen unterhalb von 7 K, welche in ungünstiger Weise niedriger sind als die kritische Temperatur von Pb oder Pb-Legierungen,
die als Elektrodenmaterial bei Josephson-Elementen gemäß dem Stande der Technik verwendet werden. Die kritischen
Temperaturen der Mo-Re-Legierungen, deren Re-Gehalte 20 - 80
AVtom-% bzw. 35 - 50 Atom-% ausmachen, betragen ungefähr 9 K oder darüber bzw. ungefähr 13 K, wobei beide Werte höher liegen
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als die kritische Temperatur von Nb bei herkömmlichen Anord- . ■
nungen. -
Die Basiselektrode kann aus einem supraleitenden Material mit
einer hohen kritischen Temperatur bestehen. Die kritische Temperatur
des Basiselektrodenmaterials sollte zweckmäßigerweise höher liegen als die des Gegenelektrodenmaterials. Andererseits
wird die'-Wirkung verringert, die dadurch erzielt wird, daß man
die Gegenelektrode aus dem speziellen, oben genannten Material
herstellt. Bevorzugte. Materialien für die Basiselektrode sowie ihre.ungefähren kritischen Temperaturen, die in Klammern angegeben
-sind ,sind folgende:' V3Si (17 K),- V3Ga (15 K)',. V3Al (13 K),
Nb3Oa (20,-&K) ν Hb3Al (ia|7-K>, Nb3Si (.9,9 K), Nb3Ge (23 K), "
Nb-Sn- (IS: K:),.NbN (16 K)v MoC (13 K) und MoN (13 K). Es ver- :
steht sich von selbst, daß die für die Gegenelektrode angegebenen
Mo-Re-Legierungen auch als 'Materialien für die Basiselektrode
Verwendet werden können, %Tobei-hinsichtlich .des Bereiches für
den Re"-Gßhalt das gleiche gdlt wie für die Gegenelektrode- Wenn
in diesem Falle, die -Gegenelektrode und die. Basiselektrode aus
dem-selben Material hergestellt werden& läßt sich die. Herstellung
weiter vei-einfachen. Jedes dieser· supraleitenden Materialien
enthält ein. Obergangsmetallelemen't, z".B. Nb, Mo oder Re zumindest
zu einem Teil. / : ■ ;'
Die Dicke der Gegenelektrode beträgt mindestens 2.000 S und die
der Basis elektrode, beträgt 1.500 -■ 2.000 8 oder mehr, obwohl
sie etwas in Abhängigkeit davon schwankt» welches Herstellungs-material
verwendet wird. Geringere Dicken "sind ungünstig, da
. Wird . .--.-■-
der magnetische Abschirmeffekt dann unzureichend^Obwohl die
jeweiligen Elektroden hinsichtlich ihrer Dicke nicht unbedingt die obere Grenze haben, sind sie selten so ausgebildet, daß sie
sehr dick sind, um die Bauelemente zu miniaturisieren, die
Kühlung zu erleichtern, die Zeitspanne zur Herstellung der Elektroden zu verkürzen usw.. Oft ist es zweckmäßig, die Gegenelektrode
mit einer Dicke von etwa 4.000 8 und die Basiselektrode
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mit einer Dicke von 2.000 - 4.000 R auszubilden.
Im allgemeinen wird die Sperrschicht aus einer-Isolierschicht
oder einer Halbleiterschicht hergestellt. Besonders bevorzugt
als Sperrschicht wird eine Schicht, die einen Siliziumoxidfilis.
aufweist, der durch thermische Oxydation einer Si-Schicht erhalten worden ist, die mit einer Dicke von 10 - 50 A aufgebracht worden ist. Üblicherweise beträgt die Dicke der Si-Schicht
ungefähr 15 - 30 Λ . Wenn die Sperrschicht zu dünn ist, besteht
eine höhere Wahrscheinlichkeit, daß ein Kurzschluß zwischen der Gegenelektrode und der Basiselektrode auftritt, und wenn die
Sperrschicht zu dick ist, kann man nicht damit rechnen, daß der Tunneleffekt auftritt. Üblicherweise wird der Oberflächenbereich
der Si-Schicht durch thermische Oxydation der Si-Schicht in eine Siliziumoxidschicht umgewandelt, während eine_nicht oxydierte
Si-Schicht unter der Siliziumoxidschicht bleibt, um eine Döppelschicht aus einer Sxlizxumoxidschicht und einer Siliziumschicht
zu bilden. In einigen Fällen wird jedoch die gesamte Si-Schicht oxydiert. ■
Die Basiselektrode, die durch.Oxydation in die Grenzschicht umzuwandelnde
Si-Schicht und die Gegenelektrode können durch Verdampfung hergestellt werden. Die Substrattemperatur, d.h. die
Temperatur eines zusammengesetzten Körpers, der aus der Basiselektrode und der Sperrschicht besteht, kann zu dem Zeitpunkt,
wenn die Mo-Re-Legierung der Gegenelektrode verdampft wird, den Wert der Raumtemperatur oder niedrigere Werte haben.
Ein Substrat, um die Basiselektrode darauf aufzudampfen, besteht
zumindest an seiner Oberfläche zum Aufdampfen aus einem Isolator. Üblicherweise werden Al„0,, Si0_, Glas, Silizium dessen Ober-^
fläche mit einem durch Oxydation hergestelltem SiO--Film überzogen
ist, und andere verschiedene flache Materialien, deren Oberflächen mit Isolatoren Überzogen sind, als Substrate ver-
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wendet, auf welche die Basiselektroden aufgedampft werden.
In "den Fällen,, wo das sandwichartige Josephson-Element als
Bauelement in einer Logikschaltung oder dgl. verwendet wird,,,
wird im allgemeinen so vorgegangen, daß eine Basiselektrode auf ein Substrat aufgebracht wird, das aus einer geschliffenen
Platte mit einer darauf ausgebildeten Isolierschicht besteht, und daß eine Steuerleitung auf dem Element durch eine Isolierschicht
angeordnet ist. Das sandwichartige Josephson-Element gemäß der Erfindung kann selbstverständlich bei einer derartigen
Konstruktion zum Einsatz gelangen.
Das erfindungsgemäße sandwichartige Josephson-Element der oben
beschriebenen Art unterliegt keiner Zerstörung aufgrund einer säkularen Änderung oder einer Temperaturänderung, da das Auftreten
eines Hügels oder Ätzhügels nicht festzustellen ist. Darüberhinaus kann es bei einer höheren Temperatur arbeiten als
die bisher bekannten Elemente, und es ist möglich, mit einer Kühlung mit einer kryogenen Kältemaschine mit geschlossenem
Kreislauf zu arbeiten, wenn man die Elektroden gemäß der bevorzugten
Ausführungsform verwendet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen'
und unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in
Figur 1 eine Darstellung im Schnitt zur Erläuterung einer Ausführungsform
des sandwichartigen Josephson-Übergangselementes gemäß der Erfindung; und in
Figur 2 eine graphische Darstellung zur Erläuterung der Strom-Spannung-Charakteristik
des erfindungsgemäßen sandwichartigen Josephson-Übergangselementes.
Figur 1 zeigt im Schnitt ein Beispiel eines Josephson-Übergangs-
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BAD ORIGINAL
elementes. Bei der Darstellung gemäß Figur 1 besteht das
Josephson-Übergangselement aus einem Substrat I5 das aus
Al2O3 (Saphir) besteht, einer Basiselektrode 2 in Form eines
V3Si-FiInIeS, einer Sperrschicht. 3, die aus einer -Siliciumoxid-"
schicht oder einer Doppelschicht aus einer Siliziumoxidschicht und einer Siliziumschicht besteht, sowie einer Gegenelektrode M-aus
einer Mo-Re-Legiarung. Das Element wird in der nachstehend
beschriebenen Weise hergestellt.
Während das Substrat I5 das aus Al2O3 besteht und dessen Oberfläche
sauber war, auf ungefähr 900° C aufgeheizt ist, wird VoSi durch eine Metallmaske aus Mo mit einem vorgegebenen Muster
durch Vakuumverdampfung bis zu einer Dicke von ungefähr M-. 000 Ä
auf das Substrat aufgebracht. Auf diese Weise wird die Basiselektrode 2 hergestellt. Bei der Verdampfung werden V und Si
aus einzelnen und unabhängigen Verdaiapfungsquellen in einem
Vakuum von 10 Pa verdampft und die Verdampfungsgeschwindigkeiten der entsprechenden Materialien so festgelegt, daß eine
gleichmäßige Verdampfungsschicht entsteht; ein derartiges Aufdampfungsverfahren mit einer gleichzeitigen Verdampfungstechnik
is'C ansich bekannt.
Anschließend wurde die Substrattemperatur auf ungefähr 300 C
gebracht und Si durch die Metallmaske mittels Vakuumverdampfung bis zu einer Dicke von 20 - 30 Ä aufgebracht, indem man eine
Elektronenstrahlbeheizung verwendete. Anschließend wurde die Substrattemperatur auf etwa 4-0° C gebracht und Sauerstoff einge·*
leitet, um eine Sauerstoffatmosphäre unter 1 atm aufzubauen,
die für eine Stunde aufrechterhalten wurde, um die Oberflächenschicht des aufgedampften Siliziumfilmes in Siliziumoxid umzuwandeln.
Auf diese Weise imrde/Sperrschicht 3 hergestellte Da
die identische Metallmaske für die Aufdampfung der V3Si Schicht
und die Aufdampfung· der Si-Schicht verwendet wurde, lagen die
Positionen der beiden Schichten ohne Verschiebung übereinander»
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ORIGINAL
,Anschließend wurde das mit der Basiselektrode 2 und der Sperrschicht 3 versehene Substrat 1 der oben beschriebenen Art auf
einem Substrathalter angeordnet, der mit flüssigen Stickstoff gekühlt wurde j und es wurde eine Mo-Re-Legierung, die 42 Atorn-%
Re enthielt, durch eine Metallmaske aus Mo mit einem vorgegebenen
Küster nit der gleichzeitigen Verdampfungstechnik bis zu einer
Dicke von"etwa 4.000 Ä auf das Substrat aufgedampft. Auf diese
Weise wurde die Gegenelektrode 4 hergestellt. Die Metallmaske war in diesem Falle eine andere als die Metallmaske, die zum
Aufdampfen der V„Si-Schicht und der Si-Schicht verwendet wurde.
Die jeweiligen Elektrocip^ des in der oben beschriebenen Weise
hergestellten Josephson-Elementes wurden durch Verdampfung mit Tn-Elektroden versehen, anschließend wurden die Eigenschaften
des Josephson-Elementes gemessen. Als Ergebnis stellte sich heraus, daß das sandwiclfertige Josephson-Element des beschriebenen
Ausführungsbeispiels keine Verschlechterung seiner Eigenschaften aufgrund eines Mikrokurzschlus.aes/erlitt, eine geeignete Spannung-Strom-Kennlinie
bei Gleichspannung für ein Schaltelement aufwies und frei von Zerstörung oder Verschlechterung seiner Eigenschaften
aufgrund von Temperaturänderungen oder seiner Anordnung in Luft war. Josephson-Eigenschaften und supraleitende Tunnelübergange
:konnten bis zu 9 - 10 K gemessen werden. Die kritische Temperatur
der; Gegenelektrode betrüg ungefähr 13 K.
Figur 2 zeigt eine graphische Darstellung zur Erläuterung des Zusammenhanges zwischen dem Strom und der Spannung des sandwichartigen
Josephson-Elementes beim vorliegenden Ausführungsbeispiel.
Es basiert auf dem folgenden'Grunde, daß der bei ungefähr 10 K
betriebsfähige Josephson-Übergang durch die Kombination der erfindungsgemäßen supraleitenden Materialien hergestellt werden
konnte. Hinsichtlich der supraleitenden Materialien mit hohen kritischen Temperaturen, wie z.B. Nb3Ge und Nb3Sn, muß die
Substrattemperatur während der Verdampfung auf 500 C oder mehr
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gebracht werden5 um die hohen kritischen Temperaturen zu erreichen,
die den entsprechenden Materialien eigen sind. Dies ist deswegen erforderlich, weil die Kristallisationstemperaturen
dieser Materialien hoch sind und weil die kritische Temperatur
vom Grad der Anordnung der Atome abhängt, wobei eine Substrattemperatur
von 500 C bis 1 000 C erforderlich ist, um. einen höheren Grad der Anordnung der Atome zu erreichen. Wenn ein
supraleitender Film aus einem, derartigen Material, der als Gegenelektrode dienen soll, auf eine dünne Oxidschicht von
10 nm oder weniger bei einer Temperatur von 500° C oder mehr
aufgedampft wird, so reagieren die Sperrschicht und die supraleitende Schicht, und es wird unmöglich, die in Figur 1 dargestellte
Struktur zu erreichen. Angenommen, daß es möglich wäre, so treten feine Löcher oder pinholes in der Sperrschicht auf
oder die Eigenschaften in der Grenzschicht zwischen der supraleitenden Schicht und der Sperrschicht werden schlechter, so
daß keine zufriedenstellenden Tunnelübergangseigenschaften erreicht werden. Dementsprechend muß die Schicht der Gegenelektrode
aus einem Material hergestellt werden, das die damit zusammenhängende kritische Temperatur auch dann besitzen kann,
wenn es bei einer Substrattemperatur· in der Größenordnung der Raumtemperatur oder weniger oder höchstens bei 100 C hergestellt v/orden ist. Hinsichtlich der gemäß der Erfindung verwendeten
Schichten aus Mo-Re-Legierungen stellte sich heraus, daß auch dann, wenn die Schichten bei Substrattemperaturen von
Umgebungstemperatur oder weniger aufgedampft waren, diese gemäß einer Röntgenstrahl-Beugungsraessung kristallisiert waren
und kritische· Temperaturen von 12 - 13 K aufwiesen.
Die Mo-Re-Legierung kann bei einer Substrattemperatur von Raumtemperatur
oder weniger·in der oben beschriebenen Weise" aufgedampft
werden. Wenn eine Mo-Re-Schicht somit als Basiselektrode verwendet wird, ergibt sich der Vorteil, daß ein üblicher Resistfilm
oder Photolack, dessen Wärmewiderstand vergleichsweise
niedrig.ist, als Abhebematerial bei der Herstellung von Mustern
030047/0913
verwendet werden kann, wie es bei Abhebeverfahren praktiziert wird.
Zusammenfassend wird somit ein sandwichartiges Josephson-Übergangselement
angegeben, bei dem eine Gegenelektrode aus einer Mo-Re-Legierung verwendet wird, die 10 - 90 Atom-% von Re enthält.
Das Josephson-übergangselement weist eine hohe Betriebstemperatur auf, und es sind keine Zerstörungen oder Verschlech-*
terungen seiner Eigenschaften aufgrund von Temperaturänderungen festzustellen.
030047/0913
BAD ORIGINAL
Leerseite
Claims (8)
1. Sandwichartiges Josephson-übergangselement, mit einer Basiselektrode
aus einen· supraleitendem Material, mit einer Sperrschicht aus einer Isolierschicht und/oder einer Halbleiterschicht
auf der Basiselektrode und mit einer Gegenelektrode aus einem supraleitendem Material, die auf die Sperrschicht
aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet ,
daß die Gegenelektrode aus einer Mo-Re-Legierung besteht,
die 10 - 30 Atom-% an Re enthält.
2. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mo-Re-Legierung 20 - SO Atom-% an Re enthält.
3. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mo-Re-Legierung W - 50 Atom-% an Re enthält.
4. Element nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basiselektrode aus einem supraleitendem Material besteht, dessen kritische Temperatur größer oder gleich der
kritischen Temperatur der die Gegenelektrode bildenden
030047/QI13
Mo-Re-Legierung ist*.
5. Element nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil des die Basiselektrode- bildenden
Materials ein Übergangsmetallelement ist.
6. Element nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, : *
daß das die Basiselektrode bildende Katerial ein. supraleiten- -;.;
des Material aus der Gruppe ist, die aus V_Si, V Ga, V^Al,
Nb3Ga, Nb3Al, Nb3Si, Nb3Ge, Nb3Sn5 NbN, MoC, KoN und einer .,-MoτRe-Legierung
besteht, die 10 - 90 Atom-% an Re enthält-. . .
7. Element nach einem der Ansprüche 1-6 3 dadurch- gekennzeichnet,
.daß das die Basiselektrode bildende Material aus derselben
-Mo-Re-Legierung besteht, wie das die Gegenelektrode bildende, supraleitende Material. ■ ■
8.. Element nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch'gekennzeichnet,
daß zumindest ein Teil des die Sperrschicht Taildenden Materials
aus Siliciumoxid besteht. - .
0300A7/0I13
ORIGINAL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1979064227U JPS55164860U (de) | 1979-05-16 | 1979-05-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3018510A1 true DE3018510A1 (de) | 1980-11-20 |
DE3018510C2 DE3018510C2 (de) | 1982-11-11 |
Family
ID=13252004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE3018510A Expired DE3018510C2 (de) | 1979-05-16 | 1980-05-14 | Josephson-Übergangselement |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4319256A (de) |
JP (1) | JPS55164860U (de) |
DE (1) | DE3018510C2 (de) |
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