DE3018074A1 - Verfahren zum auftragen einer gut haftenden siliconkautschukschicht und anwendung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zum auftragen einer gut haftenden siliconkautschukschicht und anwendung des verfahrens

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DE3018074A1
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Günter Ing.(grad.) 3170 Gifhorn Krüger
Horst 3171 Grassel Krüger
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    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16J—PISTONS; CYLINDERS; SEALINGS
    • F16J15/00—Sealings
    • F16J15/02—Sealings between relatively-stationary surfaces
    • F16J15/14—Sealings between relatively-stationary surfaces by means of granular or plastic material, or fluid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes

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Description

VOLKSWAGENWERK
AKTIENGESELLSCHAFT
5180 Wolfsburg 1
- 5 -
Unsere Zeichen: K 2915
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Verfahren zum Auftragen einer gut haftenden Siliconkautechukschicht und Anwendung des Verfahrens
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Auftragen einer gut haftenden Siliconkautschukschicht enger Schichtdickentoleranz auf einen metallischen oder nichtmetallischen Gegenstand sowie auf die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung formsteifer Silicondichtungen.
Siliconkautschuk wird in vielen Bereichen der Technik als Korrosionsschutz-, Geräuschdämpfungs- und Dichtungsmaterial eingesetzt.
Üblicherweise wird der Siliconkautschuk hierbei auf die zu beschichtende Oberfläche oder die zu beschichtende Stelle des Gegenstandes in Form einer Masse hoher Viskosität aufgebracht, z. B. gespachtelt, geknetet oder mittels einer Zartuschenspritze aufgetragen, und danach entweder unter einem Druck von z. B. 60 bar und einer Temperatur von z. B. 150 C vulkanisiert oder aber ohne Druck bei Raumtemperatur kaltvernetzt.
Der maschinelle und zeitliche Aufwand bei diesem bekannten Auftragungsverfahren ist verhältnismäßig groß. Bei der Kaltvernetzung, bei welcher der Siliconkautschuk üblicherweise aufgespachtelt oder aus Spritzkartuschen aufgetragen wird, ist es kaum möglich, eine gleichmäßig
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dicke Siliconkautschukschicht herzustellen.
Bei der Vulkanisation ist man demgegenüber hinsichtlich der möglichen Oberflächenkontur sowie der Größe der Besehichtungsfläche insofern beschränkt, als hierbei jeweils eine entsprechende Vulkanisationsform mit Hegativkontur erforderlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Auftragen einer gut haftenden Siliconkautschukschicht auf einen metallischen oder nichtmetallischen Gegenstand zu entwickeln, mit dem Siliconkautschukschichten unter Einhaltung enger Dickentoleranzen auch auf Gegenstände mit vergleichsweise komplizierten Formen schnell und ohne wesentlichen apparativen Aufwand aufgebracht werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Es wird also eine wasserfreie Siliconkautschuklösung lackierfähiger, geringer Viskosität.hergestellt und auf den Gegenstand aufgetragen. Wegen ihrer verhältnismäßig großen DünnflüsBigkeit kann diese Siliconkautschuklösung mit herkömmlichen Lackierpistolen gleichmäßig und sehr schnell auf den Gegenstand aufgespritzt werden oder der Gegenstand kann in die Siliconkautschuklösung eingetaucht werden. Die Aushärtung der aufgebrachten Siliconkautschukschicht kann bei Raumtemperatur und üblicher Luftfeuchtigkeit erfolgen, wobei das Lösemittel verdunstet und der Kautschuk vernetzt. Um den Aushärteprozeß zu beschleunigen, kann die Aushärtung natürlich auch bei Temperaturen oberhalb der Raumtemperatur durchgeführt werden.
Mit Vorzug wird Siliconkautschuk auf Acetatbasis verwendet, welcher im allgemeinen besonders gute Baftungseigenschaften zeigt. Als wasserfreies Lösemittel zur Lösung bzw. Verdünnung des Siliconkautschuks wird mit Vorzug Essigsäureäthylester verwendet, der in der für die gewünschte Viskosität erforderlichen Menge unter ständigem Rühren dem Siliconkautschuk zugefügt wird, bis sich die lackierfähige Viskosität eingestellt hat. Wichtig ist es, bei der Herstellung und
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Lagerung der Siliconkautschuklösung Feuchtigkeit und Wasser fernzuhalten, weil es sonst zu einer vorzeitigen Aushärtung kommen würde.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können unabhängig von Oberflächenkontur und Größe der Beschichtungsfläche schnell und mit geringem maschinellen Aufwand Beschichtungen mit einer vergleichsweise genauen Schichtdiokenkonstanz hergestellt werden. So ist es in vorteilhafter Weise möglioh, formsteife Silioondichtungen, z. B. Zylinderkopfdichtungen für Verbrennungsmotoren, herzustellen, indem man eine formsteife Einlage allseitig mit Siliconkautschuk umspritzt. Als Einlage kann hierbei beispielsweise ein metallisches Blech verwendet werden, welches ggf. eine vergleichsweise komplizierte, von vielen Durchbrechungen unterschiedlicher Kontur und Größe durchsetzte Form aufweisen kann.
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Claims (6)

  1. ANSPRÜCHE
    Verfahren zum Auftragen einer gut haftenden Siliconkautschukschicht enger SchichtcLickentoleranz auf einen metallischen oder nichtmetallischen Gegenstand,
    dadurch gekennzeichnet, daß aus Siliconkautschuk mittels eines wasserfreien Lösemittels eine wasserfreie Siliconkautschuklösung geringer Viskosität hergestellt und auf den gesäuberten Gegenstand in einer oder mehreren Schichten aufgetragen wird, und daß die Beschichtung unter Verdunsten dee Lösemittels und Vernetzen des Siliconkautschuks bei Raumtemperatur ausgehärtet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß ein Siliconkautschuk auf Acetatbasis verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1· oder 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß als Lösemittel Essigsäureäthylester verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Siliconkautschuklösung mit einer Lackierpistole aufgespritzt wird.
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  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 his 3»
    dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand in die Siliconkautschuklösung eingetaucht wird.
  6. 6. Anwendung des Verfahrens nach den Ansprüche 1 bis 5 zur Herstellung formsteifer Silicondichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliconkautschuk allseitig um eine formsteife Einlage aufgetragen ist".
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