DE3014214A1 - Anordnung zur uebertragung digitaler signale auf einer uebertragungsstrecke - Google Patents

Anordnung zur uebertragung digitaler signale auf einer uebertragungsstrecke

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    • H04B10/80Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
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Description

  • Anordnung zur Übertragung digitaler Signale auf
  • einer Übertragungsstrecke Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Übertragung digitaler Signale auf einer Übertragungsstrecke, deren Ein- und Ausgänge iiber je einen optoelektronischen Koppler an einen Sender bzw. Empfänger angeschlossen sind.
  • Durch eine galvanische Trennung von Sender und Empfänger kann bei Übertragungsstrecken eine größere Sicherheit gegen Störungen erreicht werden. Fiir eine solche Trennung lassen sich optoelektronische Koppler verwenden, die jeweils eine Lumineszenzdiode als strahlungsemittierendes Element und einen Fototransistor als Strahlungsempfänger aufweisen. Die maximal mögliche Übertragungsfrequenz auf der Strecke hängt stark von der Abschaltzeit des Fototransistors ab.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs erwähnten Gattung derart weiterzuentwickeln, daß die Übertragungsfrequenz mit einfachen Mitteln erhöht werden kann.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die sendeseitigen Enden der Leitungen der Übertragungsstrecke je an den Drain-Anschluß eines Feldeffekttransistors und an einen mit dem Source-Anschluß des Feldeffekttransistors verbundenen niederohmigen Widerstand angeschlossen sind, daß der Gate-Anschluß des Feldeffekttransisotrs an den Hollektor eines Fototransistors des sendeseitigen optoelektronischen Hopplers gelegt ist, dessen leitender bzw. nichtleitender Zustand den Schaltzustand des Feldeffekttranistors in umgekehrtem Sinn beeinflußt und dessen Hasiaspannung bei Strahlungsempfang auf einem an der Grenze der Sättigung oder unterhalb dieser Grenze liegenden Wert durch eine an ein vorgegebenes Potential gelegte Diode gehalten ist, und daß die Basis eines in Hollektorschaltung angeordneten Fototransistors des empfangsseitigen optoelektronischen Hopplers an eine weitere Diode angeschlossen ist, die an ein vorgebbares Potential gelegt ist, durch das die Basisspannung bei Strahlungsempfang auf einen Wert an der Grenze der Sättigung oder unterhalb dieser Grenze gehalten wird. Die Anordnung am sendeseitigen Eingang hat bei hoher Maximalfrequenz eine große Leistungsverstärkung. Sie eignet sich daher für Übertragungsstrecken mit größeren Entfernungen zwischen Sender und Emofänger. Weiterhin wird die Schaltzeit des Fototransistors auf der Empfängerseite wesentlich vermindert. Mit der vorstehend erläuterten Schaltung werden durch die Beseitigung der Sättigung der Fototransistoren die Abschaltzeiten verkürzt.
  • Bei-eine4zweckma.ßigen Ausführungsform ist vorgesehen, daß beim empfängerseitigen optoelektronsichen Koppler die Basis des Fototransistors über einen Widerstand an einen Abgriff eines Spannungsteilers gelegt ist, dessen Abgriffspannung für einen nachgeschalteten Differenzverstärker die Referenzspannung ist, während der andere Eingang des Differenzverstärkers mit dem Signal am Emitter des Fototransistors beaufschlagt ist, und daß die Diode mit einem weiteren Abgriff des Spannumgsteilers verbunden ist, an dem ein unterhalb der Grenze der Sättigung für den Fototransistor liegendes Potential abgreifbar ist.
  • Diese Anordnung zeichnet durch ihren einfachen Aufbau aus.
  • Eine zweckmaßige Ausfiihrungsform besteht darin, daß beim sendeseitigen optoelektronischen Koppler die Basis des Fototransistors einerseits einer einen hochohmigen Widerstand und andererseits über die Diode und den niederohmigen Widerstand an eine der Leitungen der Übertragungsstrecke gelegt ist, daß parallel zum niederohmigen Widerstand eine Diode angeordnet ist und daß der Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors über einen Widerstand mit der anderen Leitung verbunden ist.
  • Der Feldeffekttransistor arbeitet im Schalterbetrieb. Werden dem Fototransistor keine Lichtsignale zugeführt, dann ist der Schalter geschlossen. Der Stromverbrauch des Fototransistors im leitenden Zustand, in dem der Feldeffekttransistor gesperrt ist, liegt wesentlich unter dem über den leitenden Feldeffekttransistor fließenden Strom. Mit der Anordnung läßt sich daher ein großer Signalhub erreichen.
  • Die Erfindung wird im folgenden an Hand eines in einer Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert aus dem sich weitere Merkmale sowie Vorteile ergeben.
  • Eine Anordnung zur Übertragung digitaler Signale auf einer aus zwei Leitungen 1,2 bestehenden Übertragungsstrecke enthält einen ersten optoelektronischen Koppler 3, dessen Eingang an einen nicht dargestellten Sender angeschlossen ist. Die beiden Leitungen 1,2 der Übertragungsstrecke sind ausgangsseitig mit einem zweiten optoelektronischen Koppler 4 verbunden, dem ein Empfanger 5 nachgeschaltet ist. Der nicht dargestellte Sender speist die Lumineszenzdiode 6 des Kopplers 3. Der Fototransistor 7 des Kopplers 3 ist mit dem Ermittler an die Leitung 2 angeschlossen.
  • Der Kollektor des Fototransistors 7 steht mit dem Gate-AnschluB eines Feldeffekttransiators 8 in Verbinduny, dessen Drain-Anschluß an die Leitung 1 gelegt ist. Der Source-Anschluß des Feldeffekttransistors 8 ist über einen Widorstand 9 an die Leitung 2 angeschlossen. Parallel zum Widerstand 9 liegt eine Diode 10.
  • Zwischen der Leitung 1 und dem Gate-Anschluß ist ein weiterer Widerstand 11 angeordnet. Die Basis des Fototransistors 7 ist einerseits iiber einen Widerstand 12 an die Leitung 2 und andererseits über eine Diode 13 an den Source-Anschluß des Feldeffekttransistors 8 gelegt.
  • Eine Energiequelle 1 speist die aus den Leitungen 1,2 bestehende Übertragungsstrecke. Die Leitung 1 wird vom positiven Pol der Energiequelle 14 versorgt. Die Diode 10 ist in Bezug auf die Polarität der an der Leitung 1 anstehenden Spannung in Durchlassrichtung gepolt. Die Diode 13 ist mit ihrer Anode an die Basis des Transistors 7 und mit ihrer Kathode an den Source-Anschluß angeschlossen.
  • Die empfängerseitigen Leitungsenden 15,16 stehen je mit der Lumineszenzdiode 17 des Kopplers 4 in Verbindung. Der Fototransistors 18 ist mit seinem Emitter über einen Widerstand 19 an Bezugspotential, z.B. Masse 20, gelegt. Der Kollektor des Fototransistors 18 ist an den positiven Pol 21 einer nicht näher dargestellten Gleichspannungsquelle angeschlossen. Zwischen der dem Pol 21 und Bezugspotential 20 ist ein aus drei Widerständen 22,23,24 bestehender Spannungsteiler mit zwei Abgriffen 25,26 angeordnet. Die Basis des Fototransistors 18 ist über einen Widerstand 2 8 mit dem Abgriff 26 zwischen den Widerständen 23,24 verbunden. An den zwischen den Widerständen 22,23 angeordneten Abgriff 25 ist eine Diode 27 mit ihrer Kathode angeschlossen. Die Anode der Diode 27 liegt an der Basis des Fototransistors 18.
  • Wenn die Lumineszenzdiode 6 keine Strahlung aussendet, befindet sich der Fototransistor 7 in nichtleitendem Zustand. Der Feldeffekttransistor 8 ist über den Widerstand 11 an seinem Gate-Anschluß mit positivem Potential beaufschlagt und befindet sich in leitendem Zustand; in dom der Drain-Source-Strom einer den niederohmig ausgebildeten Widerstand 9 bzw. die Diode 10 fließt.
  • Dieser Strom bringt die Lumineszenzdiode 17 zur Abgabe von Strahlung, die den Fototransistor 18 leitend steuert.
  • Das Verhältnis der Widerstände 22,23 zu dem Widerstand 24 ist so gewählt, daß der Fototransistor 18, ohne daß er einer Strahlung ausgesetzt ist, einer für die Sperrung ausreichendes Basispotential erhält. Das Basispotential nimmt durch die Bestrahlung der Kollektor-Basis-Grenzschicht zu. Hierdurch wird die Diode 27 leitend und begrenzt das Basispotential auf einen Wert, der um den Spannungsabfall in Durchlaßrichtung größer als das Potential des Abgriffs 25 ist Das Potential des Abgriffs 25 ist durch eine entsprechende Auswahl der Werte der Widerstände 22,23 so eingestellt, daß die Summe aus diesem Potential und dem Spannungsabfall in Durchlaßrichtung an der Diode 27 den Grenzwert für die Sättigung des Fototransistors 27 nicht übersteigt. Der Transistor 27 wird daher unabhängig von der Dauer und der Stärke der von der Lumineszenzdiode 18 ausgebender Strahlung nicht gesättigt. Am Emitter des leitenden Fototransistors 18 steht dann ein Potential zur Verfügung, das um den Spannungsabfall am Widerstand 19 höher als das Bezugspotential ist.
  • Wenn die Lumineszenzdiode 6 Strahlung aussendet, wird der Fototransistor 7 leitend und legt den Gote-Anschluß des Feldeffekttransistors 8 an das Potential der Leitung 2. Der Feldeffekttransistor 8 wird dadurch gesperrt. Der Stromfluß über die Leitungen 1,2 wird somit unterbrochen, so daß die Lumineszenzdiode 17 nicht mehr strahlt. Da der Fototransistor 18 nicht im Sättigungsbereich betrieben wird, geht seine ßasisspannung sehr schnell auf das vom Abgriff 26 vorgegebene Potential zurück. Am Fototransistor 18 steht dann am Emitter das Potential des Abgriffs 26 an, vermindert um die Basis-Emitter-Flußspannung und den durch den ßaissstrom erzeugten Spannungsabfall am Widerstand 28.
  • Der Feldeffekttransistor 8 schaltet die Spannung auf der Leitung 1,2 mit sehr kurzen Anstiegs- und Abfallflanken. Im Sperrzustand des Feldeffekttransistors 8 fällt das Potential am Source-Anschluß ab, Durch den Anstieg der Basisspannung des bestehenden Fototransistors 7 wird die Diode 13 leitend. Es fließt ein Strom über die Diode 13 und den Widerstand 9, der niederohmig ausgebildet ist. Der Wert des Widerstands 9 ist so bemessen, daß der von der Basis des Fototransistors 7 ausgehende Strom einen Spannungsabfall erzeugt, der kleiner als die Durchlaßspannung der Diode 10 ist. Infolgedessen kann die ßasisspannung des leitenden Fototransistors 7 auf einen Wert ansteigen, der nur geringfügig über der Durchlaßspannung der Diode 13 liegt. Dies bedeutet, daß der Fototransistor 7 nicht gesättigt wird.
  • Setzt die Strahlung der Lumineszenzdiode 6 aus, dann geht der Fototransistor 7 schnell wieder in den nichtleitenden Zustand über. Durch die Vermeidung der Betriebsweise in der Sättigung bei beiden Fototransistoren 7, 18 kann die Übertragungsfrequenz fiir digitale Signale auf den Leitungen 1, 2 erhöht werden. Beide Fototransistoren arbeiten im Transistorbetrieb, so daß darüber hinaus eine hohe Signalverstärkung erreicht wird.
  • Ein Differenzverstärker 29 ist mit neuen Eingängen jeweils an den Abgriff 26 und den Emitter des Fototransistors 18 angeschlossen.
  • Der Abgriff 26 liefert die Referenzspannung für den Differenzverstärker 29.

Claims (3)

  1. Patentansprüche rn Anordnung zur Übertragung digitaler Signale auf einer Übertragungsstrecke, deren Ein- und Ausgänge über je einen optoelektronischen Koppler an einen Sender bzw. Empfänger angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die sendeseitigen Enden der Leitungen (1,2) der Übertragungsstrecke je an den Drain-Anschluß eines Feldeffekttransistors (8) und an einen mit dem Source-Anschluß des Feldeffekttransistors (8) verbundenen niederohmigen Widerstand (9) angeschlossen sind, daß der Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors (8) an den Kollektor eines Fototransistors (7) des sendeseitigen optoelektronischen Kopplers (3) gelegt ist, dessen leitender bzw. nichtleitender Zustand den Schaltzustand des Feldeffekttransistors (8) in umgekehrtem Sinn beeinflußt und dessen Basisspannung bei Strahlungsempfang auf einen an der Grenze der Sättigung oder unterhalb dieser Grenze liegenden Wert durch eine an ein vorgegebenes Potential gelegte Diode (13) gehalten ist, und daß die Basis eines in Kollektorschaltung angeordneten Fototransistors (18) des empfangsseitigen optoelektronsichen Kopplers (4) an eine weitere Diode (27) angeschlossen ist, die an ein vorgebbares Potential gelegt ist, durch das die Basisspannung bei Strahlungsempfang auf einen Wert an der Grenze der Sättigung oder unterhalb dieser Grenze gehalten wird.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim empfängerseitigen optoelektronischen Koppler (4) die Basis des Fotorransistors (18) über einen Widerstand (28) an einen Abgriff (2cd) eines Spannungsteilers gelegt ist, dessen Abgriffspannung für einen nachgeschalteten Differenzverstärker (29) die Referenzspannung ist, während der andere Eingang des Differenzverstärkers (29) mit dem Signal am Emitter des Fototransistors (18) beaufschlagt ist, und daß die Diode (27) mit einem weiteren Abgriff (25) des Spannungsteilers verbunden ist, an dem ein unterhalb der Grenze der Sättigung für den Fotofransistor (18) liegendes Potential abgreifbar ist.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß beim sendeseitigen optoelektronischen Koppler (3) die Basis des Fototransistors (7) einerseits über einen hochohmigen Widerstand (12) und andererseits über die Diode (13) und den niederohmigen Widerstand (9) an eine der Leitungen (2) der Übertragungsstrecke gelegt ist, daß parallel zum niederohmigen Widerstand eine Diode (10) angeordnet ist und daß der Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors (8) über einen Widerstand (11) mit der anderen Leitung (1) verbunden ist.
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DE2419380B2 (de) * 1973-05-03 1980-01-10 Hollandse Signaalapparaten B.V., Hengelo (Niederlande) Übertragungssystem

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Das Opto-Kochbuch, Texas Instruments, Deutschland GmbH, Freising 1975, S.446 u.449 *
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