DE3008754C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3008754C2 DE3008754C2 DE3008754A DE3008754A DE3008754C2 DE 3008754 C2 DE3008754 C2 DE 3008754C2 DE 3008754 A DE3008754 A DE 3008754A DE 3008754 A DE3008754 A DE 3008754A DE 3008754 C2 DE3008754 C2 DE 3008754C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- diodes
- pair
- short
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/055—Fuse
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine monolithische
integrierte trimmbare Schaltung nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Eine zutrimmende integrierte Schaltung (IC) wird zunächst
in Form einer Scheibe oder eines Plättchens
hergestellt. Eine Vielzahl von Stromkreisen wird
auf einem gemeinsamen Substrat erzeugt. Die Scheibe
wird dann einer Prüfung unterzogen und dazu in eine
sich wiederholt und schrittweise bewegende Vorrichtung
eingelegt. Die Vorrichtung
ist in der Lage, die Scheibe in Richtung zweier
Dimensionen zu bewegen, wobei eine genaue Einstellung
entsprechend den Abständen zwischen benachbarten Stromkreisen
möglich ist. Die Vorrichtung enthält eine Gruppe
von Testsonden oder Meßfühlern, die so einstellbar
sind, daß sie mit den Anschlußflächen
auf den Schaltungsplättchen zusammenfallen, die sich
auf der Scheibe befinden. Beim Betrieb der Vorrichtung
wird die Sondenanordnung derart vorgeschoben,
daß eine Schaltung berührt wird. Dann wird die Anordnung
angehoben, so daß der Kontakt aufgehoben wird, die
Scheibe entsprechend einer Stromkreislage um einen
Schritt weiterbewegt und die Sonden werden wiederum
in Kontaktgabestellung gebracht. Diese Schrittfolge
wird wiederholt ausgeführt, so daß jedes Schaltungsplättchen
einzeln kontaktiert werden kann. Während
des Kontaktintervalles oder der Kontaktgabe können
die Sonden an Potentiale aus einer Energiequelle,
Signalpotentiale und Meßinstrumente gelegt werden.
Somit kann während einer Sondenberührung eine Schaltung
derart aktiviert werden, daß sie elektrisch wirksam
ist, und es können die Kenndaten oder die Leistung
gemessen werden. Die wiederholt schrittweise erfolgende
Arbeitsweise kann so programmiert werden, daß alle
Stromkreise auf der Scheibe nacheinander automatisch
getestet und die Kenndaten der Stromkreise aufgezeichnet
werden.
Gewünschtenfalls kann die Schaltung während der Sondenberührung
auch getrimmt werden, um die Stromkreiskenndaten
zu modifizieren und sie mit vorgestimmten Bedingungen
in Einklang zu bringen. Bei einem bestimmten
derartigen Trimmverfahren wird die sogenannte Impulsbeaufschlagung
mit einer Zenerdiode ("zener zapping")
angewendet. Wenn eine Zenerdiode mit Impuls beaufschlagt
wird, kann sie sozusagen kurzgeschlossen werden, d. h.
dazu gebracht werden, daß sie wie eine Verbindungsleitung
mit niedrigem ohmschem Widerstand wirkt. Diese
Fähigkeit läßt sich in der Weise ausnutzen, daß die zu
trimmende IC mit einem mehrgliedrigen Widerstand versehen
wird, wobei jedem Glied eine Zenerdiode parallel-
geschaltet ist. Jede Diode ist mit metallenen Anschlußleitungen
versehen, die zu metallischen Auflageflächen
oder Anschlußflächen führen, welche von einer Sonde
berührt werden können. Bei der Prüfung der Scheibe
können die einer bestimmten Diode zugeordneten Sonden
mit einem elektrischen Impuls gespeist werden, der die
Diode (in dem oben erläuterten Sinne) kurzschließt
("zapped"). Um die Schaltung zu trimmen, werden so
viele Dioden kurzgeschlossen wie erforderlich ist, um
die Stromkreiskenndaten auf ein gewünschtes Niveau zu
bringen. Die einzige Anforderung an die Schaltung, die
zu dieser Art des Trimmens gehört, besteht darin, daß
der jeweils wirksame Stromkreis kein Potential an dem
trimmbaren Widerstandsabschnitt hervorbringt, welches
beim Normalbetrieb groß genug sein würde, um die Diode
leitend zu machen. Dementsprechend sind die trimmbaren
Widerstände normalerweise Teilen des Stromkreises oder
der Schaltung zugeordnet, die bei niedrigen Potentialen
wirksam sind.
Zwar bezieht sich die vorstehende Erörterung auf zu
trimmende Widerstände, jedoch können auch andere Schaltungskomponenten
verwendet werden. Zum Beispiel können die
trimmbaren Schaltungselemente Kondensatoren sein. In
diesem Fall werden mehrere Kondensatoren in Reihenschaltung
angeordnet, zu deren je eine Zenerdiode
parallelgeschaltet ist. Während bei dem vorher erörterten
Widerstandssystem die jeweils nicht kurzgeschlossenen
Dioden den maximalen Widerstandswert jeweils eines
Gliedes bedingen, entspricht bei dem Kondensatorsystem
den nicht kurzgeschlossenen Dioden der jeweils niedrigste
Kapazitätswert des Gliedes, zu dem sie gehören.
So ist bereits eine monolithische integrierte trimmbare
Schaltung bekanntgeworden, bei der eine Reihe passiver
Schaltungselemente mit je einer parallelgeschalteten
Zenerdiode versehen ist, die mit einer Reihe von Kontaktflächen
verbunden ist, so daß jede Zenerdiode wahlweise
mit der aus einer Spannungsquelle entnommenen
Spannung umkehrbarer Polarität, die größer ist als die
Durchbruchsspannung der Diode in Sperrichtung, verbunden
werden kann, wobei die Spannungsquelle genügend
Strom zu liefern vermag, um die Diode unter Umgehend
des ihr zugeordneten Schaltungselements dauerhaft
kurzzuschließen (US-PS 40 16 483).
Bei den vorstehend beschriebenen Arten des Trimmens
durch Impulsbeaufschlagung von Zenerdioden ist eine
große Zahl von Auflageflächen oder Anschlußflächen an
dem System erforderlich. Bei diesem System werden daher
beträchtliche Plättchenteilflächen benötigt, die
nicht aktiv nutzbar sind. Die Anzahl der erforderlichen
Auflageflächen beträgt N = n + 1, worin N die Anzahl
der Auflageflächen und n die Anzahl der Dioden ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
der eingangs genannten Gattung zu schaffen, die
es ermöglicht, die Zahl der Auflage- oder Anschlußflächen
bei durch Impulsbeaufschlagung getrimmten
monolithischen integrierten Schaltungen zu verringern
und damit die Voraussetzung zu einer Verkleinerung der
erforderlichen Plättchenfläche zu schaffen. Es sollen
also Dioden und trimmbare Schaltungselemente auf
einer verkleinerten Gesamtfläche bei monolithischen
integrierten Schaltungen untergebracht werden, die
nach dem Prinzip der Impulsbeaufschlagung von Zenerdioden
getrimmt werden können.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 gekennzeichneten
Merkmale gelöst.
Beispielsweise ist eine trimmbare Komponente etwa in
Form mehrerer in Reihe geschalteter Widerstände innerhalb
eines IC angeordnet. Jedem Widerstandsglied ist
eine Zenerdiode parallelgeschaltet. Die Dioden in der
Reihenschaltung sind paarweise gegensinnig gepolt und
jedes gegensinnig gepolte Diodenpaar liegt zwischen
einem Paar von Kontaktauflageflächen. Es werden also
insgesamt nur N = + 1 Kontaktauflageflächen benötigt.
Das bedeutet, daß die Zahl der erforderlichen Kontaktauflageflächen
auf annähernd die Hälfte gegenüber der
früher erforderlichen Zahl herabgesetzt wurde. Dadurch
wird es zugleich möglich, die für die Unterbringung
der Schaltung insgesamt erforderliche Fläche wesentlich
zu verkleinern.
Bei der Trimmung wird an das gegensinnig gepolte Diodenpaar
ein Beaufschlagungsimpuls angelegt. Dieser Beaufschlagungsimpuls
kann so gerichtet oder eingestellt
sein, daß nur die in Sperrichtung vorgespannte Diode
kurzgeschlossen wird. Die in Vorwärtsrichtung vorgespannte
Diode entwickelt nicht genügend Energie, um
in Mitleidenschaft gezogen zu werden. Die Diode, welche
kurzgeschlossen wird, wird daher durch die Polarität
des Impulses bestimmt. Das bedeutet, daß ein
Widerstandselement des zwischen den Sonden angeschlossenen
Paares wahlweise, entsprechend der Vorwahl der
Impulspolarität, kurzgeschlossen werden kann.
Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeichnungen
beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaltschema der üblichen, grundsätzlichen
Trimmvorrichtung,
Fig. 2 ein Schaltschema zur Erläuterung der
Trimmvorrichtung gemäß der Erfindung,
Fig. 3 die Topographie der Vorrichtung zum
Trimmen einer integrierten Schaltung
gemäß der Erfindung mit Verwendung
jeweils eines Paares gegenläufig gepolter
Zenerdioden und
Fig. 4 eine teilweise im Schnitt dargestellte
perspektivische Ansicht einer abgewandelten
Ausführungsform eines Diodenaufbaues
gemäß der Erfindung.
In Fig. 1 ist das Prinzip der Trimmung einer auf einem
Plättchen befindlichen IC-Schaltung wie es bisher üblich
war erläutert. Die zu trimmende integrierte Schaltung
ist durch einen Block 10 veranschaulicht, dem ein Trimmabschnitt
mit der gestrichelten Umrandung 11 zugeordnet
ist. Vier Widerstände 12 bis 15 in Reihenschaltung sind
mit dem IC verbunden. Wie dargestellt, sind die Widerstände
binär gerichtet oder bewertet (R, 2R, 4R, 8R).
Es können natürlich auch mehr oder weniger Widerstandsglieder
vorhanden sein und sie können auch eine andere
Gewichtung oder Wertung einschließlich einer einheitlichen
(gleiche Wichtung oder Wertung von Widerständen)
haben.
Jedem Widerstand ist eine Zenerdiode parallelgeschaltet.
Die einzelnen Dioden sind mit 16, 17, 18, 19 bezeichnet.
Jede Diode hat zwei Anschlüsse, die mit je einer IC-Anschluß-
oder Kontaktfläche 20 bis 24 verbunden sind.
Wenn die Schaltung mit sämtlichen Dioden wirksam ist,
beträgt der Widerstandswert der Widerstände in ihrer
Gesamtheit 15R. Die Art der hier gezeigten Trimmung
ist nur dann von Nutzen, wenn die IC-Schaltung im Betriebe
den trimmbaren Widerständen keine Spannung aufdrückt,
die ausreicht, den leitenden Zustand der Dioden
zu verursachen. Dies bedeutet, daß nur wenige Zehntel
Volt an jedem Widerstand in der Vorwärts-Diodenvorspannrichtung
zulässig sind.
Wenn die Trimmung ausgeführt werden soll, wird eine Impulse
liefernde Energiequelle, wie bei 25 dargestellt,
mit ausgewählten Kissen, wie z. B. den Kissen 20 und 21
in der Darstellung von Fig. 1, mittels der Sondenkontakte
26 und 27 verbunden. Die Polarität der Impulsquelle
ist gemäß Fig. 1 der Zenerdiode 16 entgegengesetzt
gerichtet, d. h. die Diode wird von dem Impuls in
Sperrichtung beaufschlagt.
Es wird ein Impuls angelegt, der genügend groß ist, um
die Diode 16 kurzzuschließen. Dabei ist darauf zu achten,
daß der angelegte Impuls die IC-Schaltung 10 nicht beschädigt,
und daß, während die Diode zwecks Hervorbringung
eines Kurzschlusses mit dem Impuls beaufschlagt
wird, ihre Anschlüsse unversehrt bleiben. Somit schließt
nun die Diode 16 den Widerstand 12 kurz und der verbleibende
Gesamtwiderstandswert beträgt 14R.
Durch wahlweises Kurzschließen einzelner Dioden oder
Diodenkombinationen läßt sich bei dem System von Fig. 1
jedes ganzzahlige Vielfache von R zwischen 0 und 15R
erhalten.
Fig. 2 veranschaulicht die Vorrichtung gemäß der Erfindung.
Hier ist eine ähnliche Widerstandsgruppe 12 bis
15 mit einer IC-Schaltung 10 verbunden. Jedoch sind
hier weniger Kontaktauflageflächen erforderlich. Es
sind Auflageflächen 120, 122 und 124 vorgesehen und
die Dioden 160, 170, 180 und 190 sind mit paarweise
gegensinniger Polung angeordnet. Die Kontaktauflageflächen
120, 122 und 124 sind so angeordnet, daß jedes
Diodenpaar von außen kontaktiert werden kann. Außerdem
ist die die Impulse liefernde Energiequelle 25 über
einen die Polung umkehrenden Wendeschalter 28 mit den
Sonden 26, 27 verbunden.
Wenn die Trimmung durchgeführt werden soll, wird der
Impulsgeber in Betrieb genommen. Bei den dargestellten
Verhältnissen ist die Diode 160 in Vorwärtsrichtung vorgespannt.
Die Impulsrichtung kann nun so gewählt werden,
daß nur die in Gegenrichtung vorgespannte Diode 170
kurzgeschlossen und die vorwärts vorgespannte Diode
nicht in Mitleidenschaft gezogen wird. Damit wird der
Widerstand 13 kurzgeschlossen, so daß sich ein Gesamtwiderstandswert
von 13R ergibt. Wenn die Polung des Impulses
mittels des Wendeschalters 28 umgekehrt wird,
wird die Diode 160 kurzgeschlossen, so daß der Widerstand
12 ausgeschaltet wird. Die Impulspolarität wird
also dazu verwendet, zu bestimmen, welche Diode des angeschlossenen
Diodenpaares kurzgeschlossen wird. Bei
der Vorrichtung gemäß der Erfindung wie sie in Fig. 2
dargestellt ist, werden nur drei Kontaktflächen benötigt,
um wahlweise eine von insgesamt vier Dioden mit einem
Impuls zu beaufschlagen, wogegen hierzu gemäß Fig. 1
fünf Kontaktflächen erforderlich waren. In Fällen, in
denen praktisch eine große Zahl von Widerständen vorhanden
ist, beträgt die Ersparnis an Kontaktflächen
annähernd 50%.
Fig. 3 zeigt eine Fragmentdarstellung der Topographie
einer IC-Schaltung mit einer Ausführungsform eines Diodenpaares,
das für die Zwecke der Erfindung geeignet
ist. Die Zeichnung ist nicht maßstäblich und soll nur
grundsätzlich das Wesen dieses Erfindungsvorschlags veranschaulichen.
Die Oberfläche 11 stellt einen Teil des
Trimmabschnitts eines IC-Plättchens auf einer Siliziumscheibe
dar. Das Siliziumoxid ist nicht dargestellt,
aber es wird vorausgesetzt, daß es wie in einem Planarprozeß
üblicher Art vorhanden ist. Die Scheibenoberfläche
stellt eine Epitaxialschicht vom n-Typ dar, die auf
einem Substrat vom p-Typ angeordnet ist. Der Ring 30
stellt eine Isolationsdiffusion oder Trenndiffusion
dar, welche die Epitaxialschicht vollständig durchdringt,
so daß durch sie innerhalb ihres Umfangs eine Wanne vom
n-Typ isoliert wird. Der rechteckigen Zone 31 entspricht
ein Widerstandselement, das eine Zone vom p-Typ umfaßt,
die als Transistorbasisdiffusion zu kennzeichnen ist,
welche nur teilweise durch die Epitaxialschicht hindurchreicht.
Kontakte bei 32, 33 und 34 teilen den Widerstand
auf in zwei getrennte in Reihe geschaltete Widerstandselemente.
Der rechteckige Bereich 35 stellt eine
Transistorbasisdiffusion dar, die als gemeinsamer Anodenteil
für ein paar gegensinnig (black-to-black) miteinander
verbundener Zenerdioden wirkt. Die Anoden der Zenerdioden
werden durch Transistormitterdiffusionen in den Bereichen
36 und 37 erzeugt. Der Kontakt 38 dient dazu, eine
elektrische Verbindung zu der gemeinsamen Anode, die
zu dem Diodenpaar gehört, herzustellen. Die Kontakte
39 und 40 bilden elektrische Zuleitungen zu den Kathoden
des Diodenpaares. Eine Metallisierung 42 verbindet
die Anoden der Dioden mit dem Übergangskontakt 33 des
Widerstandes. Die Metallisierung 43 verbindet den Widerstandskontakt
34, den Dioden-Kathoden-Kontakt 39,
und die Kontaktfläche 120. Die Metallisierung 44 verbindet
den Kontakt 32, den Dioden-Kathoden-Kontakt 40
und die Kontaktfläche 122 miteinander, um die Anschlüsse
zu der Diode 170 und dem Widerstand 13 von Fig. 2 zu
bilden.
Eine solche Zenerdiode hat eine Zenerdurchbruchsspannung
etwa im Bereich zwischen 6 und 8 Volt bei Verwendung
üblicher Verfahren zur Herstellung von IC-Schaltungen.
Fig. 4 zeigt eine abgewandelte Form des Diodenaufbaues.
Diese Fig. zeigt eine Fragmentdarstellung eines IC-
Plättchens 11′ in schräger Draufsicht auf die Oberflächentopographie
und in einer Schnittansicht. Auch hier
ist die zeichnerische Darstellung nicht maßstäblich
und das Oxid sowie die Metallisierung sind nicht gezeigt.
Die Kontakte sind in dem Schema mit 38′, 39′
und 40′ bezeichnet. Die Anschlußverbindungen können
im wesentlichen dieselben wie bei Fig. 3 sein.
Bei dieser Ausführungsform der IC-Schaltung ist auf einem
Substrat 50 vom p-Typ eine Epitaxialschicht 51 vom n-Typ
angeordnet. Eine Trenndiffusion 30′ geht vollständig
durch die Schicht 51 hindurch, um einen isolierten Abschnitt
oder eine Wanne von epitaktischem Material zu
bilden, worin die Dioden hergestellt werden. Die Vorrichtung
enthält eine vergrabene Schicht 52 vom N+-Typ
an der Grenzfläche zwischen dem Substrat und der Epitaxialschicht.
Solche vergrabenen Schichten sind in
der Technik der integrierten Schaltungen bekannt. Bei
53 wird eine Diodenanode durch P+-Diffusion nach Art
einer Trenndiffusion hergestellt. Das Vorhandensein der
vergrabenen Schicht 52 verhindert, daß das Substrat 50
von dieser Anodendiffusion kontaktiert wird. Stark dotierte
N+-Diffusionszonen 36′ und 37′ bilden die Kathoden
der Zenerdiode.
Die Arbeitsweise der Dioden nach Fig. 4 ist im wesentlichen
dieselbe wie die von denjenigen gemäß Fig. 3.
Jedoch haben die Dioden eine Zenerspannung im Bereich
zwischen 5 und 6 Volt. Die Vorrichtung nach Fig. 4 hat
den Vorteil, daß beim Kurzschluß durch Impulsbeaufschlagung
die Möglichkeit, daß die Metallisierung die Anodenzone
durchdringt, vermindert ist.
Eine Energiequelle zur Lieferung der Impulse mit einer
Ausgangsspannung von 20 bis 25 Volt und einem Maximalstrom
von etwa 1 A kann für eine Impulsdauer von etwa
5 bis 15 Millisekunden benutzt werden, um Zenerdioden
wie oben beschrieben, die eine Fläche von etwa 645,2 µm² (one
square mil) erfolgreich kurzzuschließen. Wird eine solche
Impulsstromquelle bei einer Vorrichtung nach Fig. 2
benutzt, so bleibt die vorwärts vorgespannte Zenerdiode
unbeeinträchtigt, während die in Gegenrichtung vorgespannte
Diode zuverlässig kurzgeschlossen wird, ohne
daß die damit verbundenen anderen Schaltungselemente
der IC-Schaltung beschädigt werden.
Die Möglichkeiten der Ausführung und Anwendung der
Erfindung sind nicht auf die hier beschriebenen und
dargestellten Einzelheiten beschränkt. Die vorstehende
Beschreibung betrifft zwar nur diffundierte Widerstände.
Es ist aber auch jeder andere Art der Herstellung von
Widerständen in Verbindung mit der hier dargestellten
Zenerdiodenvorrichtung brauchbar. Auch sind hier zwar
Diodenpaare mit gemeinsamer Kathode dargestellt, die
in einer gemeinsamen Trennwanne angeordnet sind. Jedoch
sind auch andere Ausführungsformen möglich. So kann z. B.
jede Diode für sich isoliert sein und es können, falls
erwünscht, gemeinsame Anodenanschlüsse vorgesehen sein.
Die einzige grundsätzliche Bedingung der Erfindung besteht
darin, daß die Dioden gegensinnig gepolt (connected
back to back) und mit je einem Paar von Schaltungselementen,
z. B. Widerständen bzw. Widerstandsabschnitten,
verbunden sind.
Claims (3)
1. Monolithische integrierte trimmbare Schaltung, bei
der eine Reihe passiver Schaltungselemente mit je
einer parallel geschalteten Zenerdiode versehen
ist, die mit einer Reihe von Kontaktflächen verbunden
ist, so daß jede Zenerdiode wahlweise mit
der aus einer Spannungsquelle entnommenen Spannung
umkehrbare Polarität, die größer ist als die
Durchbruchsspannung der Diode in Sperrichtung,
verbunden werden kann, wobei die Spannungsquelle
genügend Strom zu liefern vermag, um die Diode
unter Umgehung des ihr zugeordneten Schaltungselements
dauerhaft kurzzuschließen, dadurch gekennzeichnet,
daß jeweils zwei zu benachbarten Schaltungselementen
parallel geschaltete Dioden gegensinnig
gepolt sind und daß nur an jeweils die zweite
Verbindungsstelle zwischen den Dioden der Reihe
Kontaktflächen angeschlossen sind, so daß je nach
der Polarität eines angelegten Impulses die eine
Diode und bei Umkehr der Polarität des Impulses
die andere Diode des Diodenpaares kurzgeschlossen
werden kann.
2. Monolithische integrierte trimmbare Schaltung nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Paar
gegensinnig gepolter Dioden in einem isolierten
Bereich der integrierten Schaltung angeordnet ist,
in dem sich eine Transistorbasisdiffusion befindet,
durch die eine gemeinsame Anodenelektrode der Dioden
gebildet wird, daß innerhalb der Basisdiffusion
zwei Transistoremitterdiffusionen in einem Abstand
vorgesehen sind, daß die gemeinsame Diodenanode
mit den passiven Schaltungselementen verbunden ist,
und daß jedes Paar von Diodenanoden getrennt mit
jeweils einem der passiven Schaltungselemente und
mit getrennten Kontaktflächen der integrierten
Schaltung verbunden ist.
3. Monolithische integrierte trimmbare Schaltung nach
Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb
des isolierten Bereichs eine begraben eingebettete
leitende Schicht, die durch eine Isolationsdiffusion
innerhalb der isolierten Zone begrenzt ist, gebildet
ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/018,815 US4225878A (en) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | Integrated circuit on chip trimming |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3008754A1 DE3008754A1 (de) | 1980-09-11 |
DE3008754C2 true DE3008754C2 (de) | 1989-01-19 |
Family
ID=21789907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803008754 Granted DE3008754A1 (de) | 1979-03-08 | 1980-03-07 | Vorrichtung zum trimmen einer integrierten schaltung auf einem halbleiterplaettchen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4225878A (de) |
JP (1) | JPS55127053A (de) |
DE (1) | DE3008754A1 (de) |
FR (1) | FR2451105A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4042719C2 (de) * | 1989-07-20 | 2003-01-30 | Hitachi Ltd | Sensor |
DE4042740B4 (de) * | 1989-07-20 | 2004-09-09 | Hitachi, Ltd. | Sensor |
DE10012309B4 (de) * | 1999-09-01 | 2010-01-28 | Mitsubishi Denki K.K. | Thermisches Wärmefluss-Messgerät |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4766366A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Motorola, Inc. | Trimmable current source |
US4713599A (en) * | 1985-01-04 | 1987-12-15 | Motorola, Inc. | Programmable trimmable circuit having voltage limiting |
JPH0693488B2 (ja) * | 1985-09-28 | 1994-11-16 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
SE448264B (sv) * | 1985-12-19 | 1987-02-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordninng for justering av impedansverdet hos ett impedansnet i en integrerad halvledarkrets |
US4665356A (en) * | 1986-01-27 | 1987-05-12 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit trimming |
US4670721A (en) * | 1986-03-21 | 1987-06-02 | Cherry Semiconductor Corporation | Relaxation oscillator integrated circuit having shortable zener diodes for adjusting discharge current |
US5381034A (en) * | 1992-04-27 | 1995-01-10 | Dallas Semiconductor Corporation | SCSI terminator |
US5394019A (en) * | 1993-08-09 | 1995-02-28 | Analog Devices, Inc. | Electrically trimmable resistor ladder |
US5603172A (en) * | 1994-11-14 | 1997-02-18 | Maher; Richard J. | Selectively reversible resilient plow blade and kit |
US6472897B1 (en) * | 2000-01-24 | 2002-10-29 | Micro International Limited | Circuit and method for trimming integrated circuits |
US6674316B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for trimming electrical devices |
JP2009164373A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8405448B2 (en) * | 2011-06-10 | 2013-03-26 | David R. Hall | Capacitive discharge fuse programming apparatus and method |
CN103531575A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-01-22 | 苏州贝克微电子有限公司 | 一种多重修整结构的集成电路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3191151A (en) * | 1962-11-26 | 1965-06-22 | Fairchild Camera Instr Co | Programmable circuit |
US3848238A (en) * | 1970-07-13 | 1974-11-12 | Intersil Inc | Double junction read only memory |
US4016483A (en) * | 1974-06-27 | 1977-04-05 | Rudin Marvin B | Microminiature integrated circuit impedance device including weighted elements and contactless switching means for fixing the impedance at a preselected value |
IL47305A (en) * | 1975-05-14 | 1978-07-31 | Filtomat Water Filters For Agr | Method and apparatus for effecting the cleaning of a fluid filter |
-
1979
- 1979-03-08 US US06/018,815 patent/US4225878A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-03-06 FR FR8005016A patent/FR2451105A1/fr active Granted
- 1980-03-07 DE DE19803008754 patent/DE3008754A1/de active Granted
- 1980-03-08 JP JP2972080A patent/JPS55127053A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4042719C2 (de) * | 1989-07-20 | 2003-01-30 | Hitachi Ltd | Sensor |
DE4042740B4 (de) * | 1989-07-20 | 2004-09-09 | Hitachi, Ltd. | Sensor |
DE10012309B4 (de) * | 1999-09-01 | 2010-01-28 | Mitsubishi Denki K.K. | Thermisches Wärmefluss-Messgerät |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3008754A1 (de) | 1980-09-11 |
JPS55127053A (en) | 1980-10-01 |
FR2451105B1 (de) | 1984-11-30 |
FR2451105A1 (fr) | 1980-10-03 |
US4225878A (en) | 1980-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3008754C2 (de) | ||
DE2132652C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Festwertspeichers | |
DE2235801C3 (de) | Monolithischer Festwertspeicher und Verfahren zur Herstellung | |
DE2351761A1 (de) | Monolithisch integrierte, in chips aufgeteilte halbleiterschaltungsanordnung | |
DE2207657A1 (de) | Verfahren zum Prüfen integrierter Schaltkreise | |
DE2505186B2 (de) | ||
DE4017617C2 (de) | Spannungserzeugungsschaltung mit geringer Leistungsaufnahme und stabiler Ausgangsspannung bei kleiner Schaltkreisfläche | |
DE3342491A1 (de) | Automatische vorrichtung zum herstellen oder pruefen von geraeten | |
CH709376B1 (de) | Impedanzbasierte Messvorrichtung mit einem 2-dimensionalen Array von Spulen. | |
DE1943302B2 (de) | Integrierte, sich selbst isolierende transistoranordnung | |
CH637784A5 (de) | Halbleiteranordnung mit einem festwertspeicher und verfahren zur herstellung einer derartigen halbleiteranordnung. | |
DE1764241C3 (de) | Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung | |
DE1901665A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung in monolithischer Bauweise | |
DE2137976A1 (de) | Monolithische speichermatrix und verfahren zur herstellung | |
EP0003030B1 (de) | Dynamische bipolare Speicherzelle | |
DE2055232A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung einer Binarzahl | |
DE3033731C2 (de) | Statische bipolare Speicherzelle und aus solchen Zellen aufgebauter Speicher | |
DE19731944B4 (de) | Testmusterbereich bzw. eine Testelementgruppe zur Lebensdauerauswertung von Ladungsträgern in einem Halbleitersubstrat | |
EP0008043A1 (de) | Integrierter bipolarer Halbleiterschaltkreis | |
DE3927281A1 (de) | Bei niedriger spannung sperrender schaltkreis | |
DE1284521B (de) | Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor | |
DE1817497C3 (de) | Verfahren zum Einstellen des Stromverstärkungsfaktors einer oder mehrerer lateraler Transistorzonenfolgen eines vertikalen Planartransistors oder eines Planarthyristors mit mindestens zwei Emitterzonen | |
DE2106409A1 (de) | Signalgeber | |
DE2348984A1 (de) | Anordnung mit feldeffekttransistoren | |
DE2034169A1 (de) | Speicherzelle fur Speicher mit wahl freiem Zugriff |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: RICHTER, J., DIPL.-ING., 1000 BERLIN GERBAULET, H., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 2000 HAMBURG |