DE3004480A1 - Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von kontakten an halbleiterbauelementen

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DE3004480A1
DE3004480A1 DE19803004480 DE3004480A DE3004480A1 DE 3004480 A1 DE3004480 A1 DE 3004480A1 DE 19803004480 DE19803004480 DE 19803004480 DE 3004480 A DE3004480 A DE 3004480A DE 3004480 A1 DE3004480 A1 DE 3004480A1
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silicon nitride
semiconductor body
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DE19803004480
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German (de)
English (en)
Inventor
Joseph Palen Perry
Robert Henry Wakefield
John Michael Young
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers

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NL-Z.: Philips Research Report, Bd. 26, 1971, S. 166-180 *

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FR2449332A1 (fr) 1980-09-12
GB2042801B (en) 1983-12-14
IT1209190B (it) 1989-07-16
GB2042801A (en) 1980-09-24

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