DE2942205A1 - Halbleiter-lichtverstaerker - Google Patents

Halbleiter-lichtverstaerker

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DE2942205A1
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DE
Germany
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light
amplifier
timing
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Ceased
Application number
DE19792942205
Other languages
English (en)
Inventor
Kitsutaro Amano
Yukio Nakagome
Takaya Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KDDI Corp
Original Assignee
Kokusai Denshin Denwa KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

Firma KOKUSAI DENSHIN DENWA KABUSHIKI KAISHA, 2-3-2, Nishishinjuku, Shinjuku-Ku, Tokyo-To, Japan
Halbleiter - Lichtverstärker
Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Lichtverstärker mit einer die Lichtverstärkung bewirkenden aktiven Schicht. Hat eine Lichtimpulsfolge einen optischen Faserleiter durchwandert, so zeigt sie bekanntlich sogenannte Zittererscheinungen und wird dann diese Lichtimpulsfolge in diesem Zustand optisch verstärkt, dann ergibt sich im Fall eines Mehrfach-Wiederholungssystems eine Vervielfachung dieses Zittereffekts, mit der Folge einer beträchtlichen Erhöhung der Code-Fehlermenge.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Halbleiter-Lichtverstärker zu schaffen, der den erwähnten Nachteil der bekannten Verstärker vermeidet, was dadurch geschieht, daß er durch Stromimpulse einer Taktfrequenz betrieben wird, die mit dem Takt der Impulsfolge eines Licht-Eingangssignals synchronisiert ist.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert, und zwar in Gegenüberstellung zum Stand der Technik. Auf der Zeichnung zeigen:
Fig. 1: schematisch den Aufbau eines üblichen Halbleiter-
030017/0924 - 3 -
Verstärkers mit Halbleiter-Laser,
Fig. 2A Erläuterungsskizzen der grundlegenden Vorgänge bei einem und 2B:
Lichtverstärker, und zwar in den beiden Fällen, daß eine Verstärkung stattfindet und daß keine Verstärkung stattfindet ,
Fig. 3: schematische Wellendiagramme zur Erläuterung der Wellenform eines übertragenen Lichtimpulses und eines empfangenen Lichtimpulses, und zwar nach Durchlaufen eines langen
optischen Faserleiters und einer Übertragungsleitung, und
Fig. 4: ein Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung.
Zur Heraushebung des Unterschieds zwischen dem Stand der Technik
und vorliegender Erfindung wird zunächst ein üblicher Lichtverstärker beschrieben. Ein typisches Beispiel eines bekannten Halbleiter-Lichtverstärkers mit Halbleiter-Laser ist in Fig. 1 dargestellt. Dabei ist der Verstärker von Fig. 1 identisch in seinem
Aufbau mit einem üblichen Halbleiter-Laser, um jedoch Laserschwingungen durch spontane Lichtemission in der die Lichtverstärkung bewirkenden aktiven Schicht zu verhindern ist auf jeder der
beiden gegenüberliegenden Endflächen 2 und 3, welche einen
optischen Resonator darstellen, eine Antireflexionsschicht 3 vorgesehen, die aus SiO- bestehen kann und durch Vakuumniederschlagung aufgebracht worden ist. Damit wird erreicht, daß ein auf die eine Endfläche 2 auftreffendes Licht-Eingangssignal 5 in eine aktive
optische Führungsschicht 1 eindringt und dann ein verstärktes
Licht-Ausgangssignal 6 von der anderen Enflache 3 abgegeben wird.
Das Beispiel von Fig. 1 soll nachfolgend mehr ins einzelne gehend
0 3 0 ι) 1 7 / ii 9 2 U _ 4
beschrieben werden, und zwar für den Fall eines GaAs/AlGaAs-Doppellasers. Dabei besteht der Aufbau aus einer η-Al Ga1- As-Uberzugsschicht 8, einer aktiven GaAs-Schicht 1, einer p-Al Ga1- As-
X I ^X
Uberzugsschicht 9 und einer p-GaAs-Schicht 10, wobei diese Schichten nacheinander auf einer n-GaAs-Unterschicht 7 gewachsen sind, und zwar durch ein epitaxisches Wachsen in flüssiger Farbe
en
oder dergleichen. Die Uberzugsschicht 8 und 9 dienen dazu, in der aktiven Schicht 1 das Auftreten von Trägern, also von Elektronen oder Elektronenlöchern, sowie einer Lichtstreuung in Dickenrichtung der aktiven Schicht zu begrenzen, wobei das Zusammensetzungsverhältnis χ von Al Ga1-As etwa 0,3 beträgt. Auf der Deckfläche
X I X
und auf der Bodenfläche des Körpers sind ohm'sche Elektroden 11 und 12 angebracht. Wenn über die Leitungen 13 und 14 ein Strom in Vorwärtsrichtung fließt, dann wirkt der Baukörper als Lichtverstärker, wobei die Verstärkung von der Größe des Stroms abhängt.
Die Grundlage/t der Lichtverstärkung werden nun anhand der Fig. 2A und 2B erläutert. Wenn ein Strom in Vorwärtsrichtung fließt dann werden von der η-Al Ga1- As-Überzugsschicht 9 in die aktive Schicht
X I X
1 Elektronen 15 (in den Fig. 2A und 2B als schwarze Kreisscheiben dargestellt) und Elektronenlöcher (in den Fig. 2A und 2B als weiße Kreisscheiben dargestellt) injiziert, wobei dann in der Schicht 1 die Elektronen 15 und die Elektronenlöcher 16 miteinander rekombinieren, mit der Folge einer individuellen bzw. spontanen Lichtemission 17. Gemäß Fig. 2ft. wird das Licht in alle Richtungen emittiert. Wird der fließende Strom verstärkt dann wird eine induzierte Emission ausgelöst, wie dies in Fig. 2B dargestellt ist. Die induzierte Emission, die durch den Pfeil 18 angedeutet
0 3 0 D 1 7 / 0 9 2 4
Elektronist, ergibt sich in der Weise, daß ein angeregtes Elektronenloch-Paar rekombiniert und Licht aussendet, welches auf ein anderes Elektron-Elektronenloch-Paar auftrifft, welches dadurch dazu stimuliert wird, ebenfalls zu rekombinieren und Licht auszusenden. Das induzierte Licht 18 pflanzt sich mit derselben Phase und in derselben Richtung fort wie das stimulierende Licht und durch ein wiederkehrendes Auftreten derartiger Stimulanzeffekte ergibt sich eine optische Verstärkung.
Wenn gemäß Fig. 3 ein Lichtimpuls 20 eine lange optische Faserleitung 19 durchwandert hat, dann ist er stark abgeschwächt und besitzt
und eine vergleichsweise große Impulsbreite,zwar im Vergleich mit dem ursprünglichen Ubertragungsimpuls 20a. Wird der empfangene Lichtimpuls etwa durch einen Halbleiter-Lichtverstärker verstärkt, so erfolgt die optische Verstärkung auf der Grundlage der vergrößerten Impulsbreite. Bei einem System mit Mehrfachwiederholung wird dann die Impulsbreite bei jedem Wiederholungsvorgang größer, mit der Folge, daß die Übertragungsgeschwindigkeit beträchtlich abnimmt.
Nachfolgend wird nun auf der Grundlage der vorausgehenden Erläuterungen die Erfindung beschrieben.
Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung. Das auf einen Halbleiter-Verstärker 21 von Fig. 1 auftreffende Licht-Eingangssignal 5 wird von diesem direkt verstärkt und führt zu dem Licht-Ausgangssignal 6. Ein Teil 23 des Ausgangssignals 6 wird jedoch durch einen halbdurchlässigen Spiegel 22 abgezweigt und mittels einer Lawinen-Fotodiode 24 in ein elektrisches Signal 25 umgesetzt,
030017/0924
welches auf einen Zeitgeber-Detektor 26 gegeben wird, so daß ein Taktsignal 27 entsteht. Auf der Basis den Taktsignals 27 werden durch einen Impulsgenerator 28 Treiber-Stromimpulse 29 erzeugt und dem Halbleiter-Lichtverstärker 21 zugeführt. Dabei kann es beispielsweise zweckmäßig sein, wenn der Impulsgenerator 28 die Funktion eines Verzögerungskreises hat, der den Takt des Impulsgenerators zu regeln vermag.
Bei dieser Anordnung sind somit die Stromimpulse 29 mit dem Zeittakt des Licht-Eingangssignäls 5 synchronisiert und dadurch, daß der Verstärker 21 mit diesen synchronisierten Stromimpulsen 29 betrieben wird;ergibt sich, daß der Verstärker 21 eine intermittierende Lichtverstärkung des Licht-Eingangssignals 5 vornimmt, und zwar im richtigen Zeittakt.
Gemäß der Erfindung dient also ein durch Stromimpulse einer mit dem Takt des ankommenden Lichtsignals synchronisierten Taktfrequenz betriebener Lichtverstärker nur dann als Verstärker, wenn Stromimpulse ankommen. Damit aber werden die Licht-Ausgangsimpulse 30 dadurch erzeugt, daß das Licht-Einaangssignal 5 auf der Grundlage der Treiber-Stromimpulse 29 verstärkt und geformt wird; mit anderen Worten, dem verstärkten Ausgangssignal kann eine gewünschte schmale Impulsbreite gegeben werden. Darüberhinaus erfolgt auch eine Unterdrückung sogenannter Zittererscheinungen.
17^0924
Leerseite

Claims (2)

ί·Λ Γ EN TANWAl I E ■WlDtrjMAt'F.HSlHASSfc: t> U HUO(J ML)NCHEN 2.2 ILi ■ κι·>■ jj j') χ) 2'i ■'>; \yj 18.10.1979 Unser Zeichen: A 21079 Mü/De PATENTANSPRÜCHE
1. Halbleiter-Lichtverstärker mit einer eine Lichtverstärkung bewirkenden aktiven Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtverstärkung intermittierend in einem Zeittakt erfolgt, der mit dem Zeittakt einer auf die aktive Schicht (1) auftreffenden Eingangs-Lichtimpulsfolge (5) synchronisiert ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Zeittakt-Detektor (26), der mit dem Lichtverstärker (21) verbunden ist und den Zeittakt der auf die aktive Schicht (1) auftreffenden Eingangs-Lichtimpulse feststellt, und durch einen Impulsgenerator (28), der mit dem Zeittakt-Detektor (26) und dem Lichtverstärker (21) verbunden ist und drei der Impulse erzeugt, die mit dem festgestellten Zeittakt synchronisiert sind, derart, daß die Treiberimpulse eine intermittierende Lichtverstärkung durch den Lichtverstärker (21) hervorrufen.
Bankhaus Merck. Fmck & Co München (BLZ 7OO304OO) Konto Nr 254 649
0 3 U U 1 7 / 0 9 2 A
(BLZ 700 3O6 0O» Konto Nr 26t 3OO Telegrammadresse Patentsenior
ORIGINAL INSPECTED
Postscheck München
(BLZ 7ΟΟ1ΟΟ8Ο) Konto Nr 2Ο9Ο4 8OO
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4661786A (en) * 1984-04-16 1987-04-28 Mcdonnell Douglas Corporation Method and apparatus for producing an optical phased array
JPS61201222A (ja) * 1985-03-04 1986-09-05 Hitachi Ltd 光パルス増幅整形装置
GB8709224D0 (en) * 1987-04-16 1987-06-10 British Telecomm Optical amplifier
JPH01287426A (ja) * 1988-05-13 1989-11-20 Hamamatsu Photonics Kk 光信号サンプリング装置
JP2522022B2 (ja) * 1988-07-27 1996-08-07 日本電気株式会社 光波形整形装置
JPH02184828A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Toshiba Corp 半導体光増幅器
US4991229A (en) * 1989-04-03 1991-02-05 Honeywell Inc. Optical transmitter power measurement and control
US5029297A (en) * 1989-10-13 1991-07-02 At&T Bell Laboratories Optical amplifier-photodetector device
US4980891A (en) * 1989-12-22 1990-12-25 Bell Communications Research, Inc. Clocked optical regenerator and other optoelectronic functional circuits
US5103455A (en) * 1990-05-09 1992-04-07 Gte Laboratories Incorporated Monolithically integrated semiconductor optical preamplifier
US5128800A (en) * 1991-06-19 1992-07-07 At&T Bell Laboratories Gain switchable optical fiber amplifier
JP2661438B2 (ja) * 1991-09-24 1997-10-08 日本電気株式会社 光再生中継器
US5331455A (en) * 1991-10-31 1994-07-19 The Research Foundation Of State University Of New York Electrical pulse operated laser sampling light amplifier
US6388753B1 (en) * 1996-03-14 2002-05-14 Massachusetts Institute Of Technology All-optical bit phase sensing and clock recovery apparatus and methods
WO2003082748A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Orica Australia Pty Ltd Process for regenerating ion-exchange resins

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3319080A (en) * 1964-04-08 1967-05-09 Rca Corp Electro-optical digital system
US4038610A (en) * 1966-11-21 1977-07-26 Semiconductor Research Foundation Luminosity control system employing semiconductor lasers
US3641459A (en) * 1969-06-16 1972-02-08 Bell Telephone Labor Inc Apparatus and method for narrowing the pulse width and stabilizing the repetition rate in semiconductor lasers exhibiting self-induced pulsing
DE2144780A1 (de) * 1971-09-08 1973-03-15 Licentia Gmbh Nachrichtenuebertragungssystem mit einem kabel mit parallelgefuehrten glasfaserlichtleitungen
DE2248372C2 (de) * 1972-10-03 1984-09-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Zwischenverstärker für ein optisches Nachrichtenübertragungssystem
US3863063A (en) * 1973-06-01 1975-01-28 Bell Telephone Labor Inc Optical communications systems
US4019048A (en) * 1976-03-22 1977-04-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Regenerator for an optical transmission system
US4065729A (en) * 1976-04-16 1977-12-27 California Institute Of Technology Monolithic PNPN injection laser optical repeater
DE2652608C3 (de) * 1976-11-19 1979-12-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur Regelung der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers
US4292512A (en) * 1978-06-19 1981-09-29 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical monitoring photodiode system
US4287606A (en) * 1980-09-17 1981-09-01 Nasa Fiber optic transmission line stabilization apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5555591A (en) 1980-04-23
JPS6244435B2 (de) 1987-09-21
GB2035673A (en) 1980-06-18
US4484144A (en) 1984-11-20
GB2035673B (en) 1983-05-18

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