DE2330310A1 - Verfahren zur pulsmodulation von halbleiterlasern - Google Patents
Verfahren zur pulsmodulation von halbleiterlasernInfo
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- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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Description
Verfahren zur Pulsmodulation von Hnlbleiterlasern
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Pulsmodulation
von Halbleiterlasern, insbesondere von GaAs-Laserdioden bei Pulsfolgefrequenzen im GHz-Bereich.
Halbleiterlaser werden üblicherweise bis zu hohen Frequenzen direkt über den Strom moduliert. Eine Direktraodulation des
Halbleiterlasers in der Pulsfolgefrequenz ist jedoch ab bestimmten
Frequenzwerten durch Einschwing- und Verzögerungseffekie
eingeschränkt.
Bei einer Pulsmodulation steht üblicherweise der gesamte
Bereich der Kennlinie des Lasers zur Verfügung, wobei der Übergang von überwiegend spontaner zu stimulierter Emission
an der Schwelle zur Formung von Lichtimpulsen ausgenützt werden
kann. Für eine analoge Modulation der Lichtleistung dagegen ist man auf die linearen Kennlinienbereiche des Lasers in
eingeschränkten Bereichen unterhalb und oberhalb der Schwelle angewiesen.
Bei kurzen Impulsen, d.h. Impulsen im NanoSekundenbereich, macht
sich die Fluoreszenzlebensdauer von einigen ns bemerkbar. Um Laserimpulse zu erzeugen, muß man daher bei der Pulsmodulation entweder
sehr kurz und sehr hoch über die Schwelle pumpen oder man benützt einen Vorstrom, der die Inversion im Laser schon
in der Nähe des Schwellwertes aufbaut. Dann genügen nur noch kleine Stromimpulse, um Laserimpulse zu erzeugen.
Bei einer Pulsfolgefrequenz im MHz-Bereich entstehen nach
Einschalten des Pumpstromes von O bis über die Schwelle Laserimpulse,
die das tj-pische Einschwingen von Lasern mit Re-
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laxationsimpulsen zeigen. Wegen dieses Einschwingverhaltens
ist es einerseits schwierig, große Bandbreiten analog zu übertragen,
andererseits ist dadurch die Pulsfolgefrequenz bei Pulsmodulation begrenzt.
Der vorliegenden Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zur Pulsmodulation von Halbleiterlasern, und insbesondere von GaAs-Laserdioden, bei Pulsfolgefrequenzen im GHz-Bereich anzugeben,
mit df»r große Bandbreiten übertragen werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird vorgeschlagen, daß im Halbleiterlaser
ein konstanter Gleichstrom, ein sinusförmiger Wechselstrom und ein pulsförmiger Modulationsstrom überlagert
werden.
Die Frequenz des sinusförmigen Wechselstromes ist vorzugsweise ungefähr auf die Eigenfrequenz der Relaxationsschwingungen des
Halbleiveriasers abgestimmt.
Besonders vorteilhaft können einzelne Impulse dadurch ausgetastet werden, daß die Summe von konstantem Gleichstrom und
pulsförmigem Modulationsstrom direkt am Halbleiterlaser ausgetastet werden.
Die Taktrückgewinnung in einem regenerierendem Repeater kann direkt zur Ansteuerung der Laserdiode verwendet werden, wobei
das Modulationssignal direkt der Laserdiode zur Regeneration der Impulse zugeführt wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, eine Pulsmodulation
eines Halbleiterlasers direkt über den Pumpstrom ohne zusätzlichen optischen Modulator bis zu Pulsfolgefrequenzen
von einigen GHz zu ermöglichen. Es können dabei Lichtimpulse mit einer Dauer von 0,25 ns und einer Spitzenleistung von einigen
;nW erzeugt werden.
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Ein weiterer Vorteil ergibt sich daraus, daß für Modulation und
Pulserzeugung weniger Leistung nötig ist, da die verschiedenen Signale für Gleichstrom, Pulserzeugung und Modulation aufgespalten
sind und außerdem in der Laserresonanz gearbeitet wird.
Das Pulssignal in einem Repeater braucht weiterhin nicht regeneriert zu werden, sondern wird direkt zur Ansteuerung
des Halbleiterlasers verwendet, da der Laser die Impulsformung übernimmt.
Der Aufbau zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird wesentlich vereinfacht, da die Taktrückgewinnung direkt zur Ansteuerung des Halbleiterlasers verwendet werden kann.
Der Zeitverlauf des Wechselstromes kann dabei in Grenzen beliebig sein (etwa sinusförmig).
Im folgenden soll die Erfindung anhand der Figuren näher erläutert
werden.
Es zeigen:
Figur 1 schematisch einen Halbleiterlaser mit den verschiedenen ihm zugeführten Strömen,
Figur 2 eine Anordnung mit passiven Bauelementen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
Figur 3 eine Anordnung mit aktiven Bauelementen zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens und
Figur 4 eine Anordnung zur Pulsmodulation in einem Repeater, bei der regenerierte Lichtimpulse erzeugt werden.
Bei der in Figur 1 schematisch dargestellten Anordnung -eines
Halbleiterlasersenders zur Durchführung des erfindungsgemäßen Modulationsverfahrens ist mit 1 der Halbleiterlaser bezeichnet,
beispielsweise eine GaAs-Diode, dem ein als Vorstrom dienender Gleichstrom 2, ein der Pulserzeugung dienender Wechselstrom
3 und ein die Impulsinformation enthaltender Modulationsstrom
4 getrennt zugeführt werden. Der Wechselstrom 3 ist dabei vor-
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COPY
zugsweise auf die Resonanzfrequenz der Laseremission abgestimmt.
Der die Impulsinformation enthaltende Modulationsstrom 4 braucht
keine hohen Amplituden aufzuweisen, so daß man mit geringen Leistungen auskommt.
In Figur 2 ist eine Anordnung mit passiven Bauelementen gezeigt, bei der der GaAs-Diode wieder ein Gleichstrom 2, ein
Wechselstrom 3 und ein Modulationsstrom 4 zugeführt werden, die in der Diode überlagert werden, so daß eine Reihe von Lichtimpulsen
emittiert werden, welche Riesenimpulscharakteristik aufweisen, d.h. eine kleine Halbwertsbreite und eine hohe
Spitzenleistung. Die Laseremission zeigt eine Resonanzfrequenz, welche durch die Resonatorverweilzeit und die Fluoreszenzlebensdauer
gegeben ist. Beim Pumpen des Halbleiterlasers 1 und überlagerung von einer kleinen Wechselstörung mit dieser Resonanzfrequenz
entstehen bei der Laseremission eine Folge von optischen Impulsen, wie sie mit 5 angedeutet sind. Da in der Resonanz gepumpt
wird, benötigt man nur eine geringe Leistung, wobei außerdem keinerlei Nachschwingen der Laseremission auftritt.
In Figur 3 1st eine weitere Anordnung mit aktiven Bauelementen gezeigt, um der Laserdiode 1 den Gleichstrom 2, den Wechselstrom
3 und den Modulationsstrom 4 getrennt zuzuführen.
Bei einem steilen Anstieg des Pumpstromes steigt die Inversion entsprechend sehr viel steiler an, als die Laseremission. Der
sich ausbildende Laserimpuls sieht also eine gegenüber der Schwelle überhöhte Anfangsverstärkung. Entsprechend dieser
überhöhten Anfangsverstärkung hat der Laserimpuls nahezu die charakteristischen Elemente eines Riesenimpulses, wobei die
Inversion merklich unter die Schwelle abgebaut wird. Je größer dieser Inversionsabbau ist, um so mehr muß der mittlere Pumpstrom
über der Schwelle liegen, um einen ausreichend hohen Inversionsanstieg nach Jedem Impuls zu gewährleisten.
Eine Informationsübertragung kann dadurch erfolgen, daß .der
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sinusförmige Wechselstrom 3 mit einem Modulator ausgetastet
wird. Liegt nun der als Vorstrom wirkende Gleichstrom 2 über
der Schwelle der Laserdiode 1, so fängt der Laser bei einer
Austastung nach einigen ns spontan wieder zu schwingen an. Zur Vermeidung dieses spontanen Anschwingens wird daher die Summe
von Gleichstrom 2 und Modulationsstrom 4 direkt' an der Laserdiode
1 ausgetastet. Dies bedeutet ein kurzzeitiges Herabsetzen des Vorstromes unter die Schwelle, wobei der Laser dann nicht
anschwingen kann, da der vorhergehende Impuls die Inversion auf einen Wert unterhalb der Schwelle abgebaut ist. Der nächste
Laserimpuls findet bei der Eintastung die gleichen Bedingungen vor wie ohne Austastung.
Eine Modulation der Laserimpulse kann nun dadurch erfolgen, daß einzelne Impulse ausgetastet, d.h. unterdrückt werden. Die
Impulsfolgefrequenz kann durch die Laserparameter in weiten Grenzen eingestellt werden.
Figur A zeigt schematisch eine Anordnung zur Erzeugung
regenerierter Lichtimpulse. Mit 6 ist dabei ein Empfänger bezeichnet, dem das Lichtsignal zugeführt wird, mit 7 eine Fotodiode,
die die Taktrückgewinnung durchführt, wobei die Taktimpulse dem Laser 1 alc Wechselstrom über 3 zugeführt werden. Mit 8 ist ein
Verstärker zur Signalverstärkung bezeichnet, dem sowohl die
Information zu entnehmen ist als auch ein Modulationssignal zur Modulation des Lasers 1.
Mit dem erfindungsgemäBen Verfahren ist also eine Pulsmodulation
direkt über den Pumpstrom ohne zusätzlichen optischen Modulator bis zu Pulsfolgefrequenzen von einigen GHz möglich.
Das Verfahren der Pulsmodulation, wie es hier beschrieben ist,
läßt sich vorzüglich in der optischen Breitband-Nachrichtenübertragung verwenden.
h Patentansprüche
A Figuren °0ργ
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Claims (4)
- Patentansprüche1J Verfahren zur Pulsmodulation von Halbleiterlasern, insbesondere von GaAs-Laserdioden bei Pulsfolgefrequenzen im GHz-Bereich, dadurch gekennzeichnet , daß im Halbleiterlaser ein konstanter Gleichstrom, ein sinusförmiger Wechselstrom und ein pulsförmiger Modulationsstrom Überlagert werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Frequenz des sinusförmigen Wechselstromes ungefähr auf die Eigenfrequenz der Relaxationsschwingungen des Haibleiterlasers abgestimmt wird.
- 3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch g. e k e η η zeichnet , daß einzelne Impulse dadurch ausgetastet werden, daß die Summe von konstantem Gleichstrom und pulsförmigem Modulationostrom direkt am Halbleiterlaser ausgetastet werden.
- 4. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß in einem regenerierenden Repeater die Taktrückgewinnung zur Ansteuerung der Laserdiode verwendet wird und das Modulationssignal direkt der Laserdiode zugeführt wird, so daß diese die Regeneration der Impulse durchführt.COPY VPA 9/710/3090409883/0485
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732330310 DE2330310A1 (de) | 1973-06-14 | 1973-06-14 | Verfahren zur pulsmodulation von halbleiterlasern |
GB2198574A GB1464970A (en) | 1973-06-14 | 1974-05-17 | Pulse-modulated semi-conductor lasers |
FR7420145A FR2233728B1 (de) | 1973-06-14 | 1974-06-11 | |
JP6802074A JPS5037400A (de) | 1973-06-14 | 1974-06-14 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19732330310 DE2330310A1 (de) | 1973-06-14 | 1973-06-14 | Verfahren zur pulsmodulation von halbleiterlasern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2330310A1 true DE2330310A1 (de) | 1975-01-16 |
Family
ID=5884001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732330310 Pending DE2330310A1 (de) | 1973-06-14 | 1973-06-14 | Verfahren zur pulsmodulation von halbleiterlasern |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5037400A (de) |
DE (1) | DE2330310A1 (de) |
FR (1) | FR2233728B1 (de) |
GB (1) | GB1464970A (de) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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FR2233728A1 (de) | 1975-01-10 |
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