JPH01287426A - 光信号サンプリング装置 - Google Patents

光信号サンプリング装置

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JPH01287426A
JPH01287426A JP63116733A JP11673388A JPH01287426A JP H01287426 A JPH01287426 A JP H01287426A JP 63116733 A JP63116733 A JP 63116733A JP 11673388 A JP11673388 A JP 11673388A JP H01287426 A JPH01287426 A JP H01287426A
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signal
optical signal
amplifier
sampling device
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    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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    • H01S5/32391Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、被測定光信号を高速でサンプリングするため
の光信号サンプリング装置に係り、特に、高速の光波形
計測装置に応用するのに好適な、光信号を効率良くゲー
ト(サンプリング)でき、サンプリングのタイミングも
電気的に容易に制御できる、新規な光信号サンプリング
装置に間するものである。
【従来の技#7】 光信号をサンプリングする装置として、従来は、孔開き
回転板等を用いるメカニカルチョッパや、C82等の有
機溶媒を入れたセルを、互いに直交させた1組の偏光素
子で挾み込んだ光力−シャッタや、液晶シャッタ等が使
用されている。 しかしながら、メカニカルチョッパは、速度に限界があ
り、又、制御も困難である。 又、光力−シャッタは、媒質中に複屈折を生じさせるた
め、約1  kV程度の高い電圧を印加する必要があり
、電源が複雑になると共に、取扱いが容易でない、更に
、この方法は偏光波を利用するものであり、互いに直交
させた1組゛の偏光素子を用いるため、光の損失が大で
ある。 更に、前記液晶シャッタは、光力−シャッタと同様に、
互いに直交させた1組の偏光素子が必要であり、光の損
失が大であるだけでなく、光透過時と遮断時の透過率の
比が1000倍末溝倍率溝く、充分なサンプリングを行
うことができない。 又、サンプリング速度を向上することが困難である等の
問題点を有していた。
【発明が達成しようとする課題】
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、光信号を、高速で、高精度に、且つ容易にサンプ
リングできる、新規な光信号サンプリング装置を提供す
ることを目的とする。
【課題を達成するための手段】
本発明は、被測定光信号を高速でサンプリングするため
の光信号サンプリング装置において、光信号を増幅する
、電気信号によって利得が可変とされた光増幅器と、被
測定光信号を該光増幅器に入力する入力光路と、サンプ
リング信号をパルス状電気信号にして前記光増幅器に入
力する駆動回路と、前記光増幅器の利得をパルス状に変
化させることによってサンプリングされた光信号を出力
する出力光路とを備えることにより、前記目的を達成し
たものである。 又、前記光増幅器を、半導体レーザの両端面に反射防止
膜を施して両端面での反射を抑えた非共振型の一行波型
光増幅器としたものである。 又、前記光増幅器を、半導体レーザの両端面での反射を
、該両端面の角度をブリュースタ角に設定することによ
って抑えた非共振型の進行波型光増幅器としたものであ
る。 又、前記入力光路を光ファイバとすると共に、該光ファ
イバの長さを、前記光増幅器の所での光信号と電気信号
の所望タイミングに応じてf1整したものである。 又、前記光増幅器、入力光路、駆動回路及び出力光路を
、遮光性を有する導電性ケースに収容したものである。 又、前記サンプリング信号を、被測定光信号の一部を分
岐し、光電変換することによって形成したものである。 更に、前記光増幅器出力の光信号を検出する光検出器と
、前記サンプリング信号に同期したロックイン周波数で
サンプリング信号を変調して前記光増幅器に印加し、前
記光増幅器の出力を光検出してその信号を増幅するロッ
クイン増幅器とを備えたものである。 又、前記ロックイン周波数を発生するパルスゼネレータ
を独立に設けたものである。 又、前記装置を複数並列配置し、各装置の出力光信号を
検出するイメージセンサを設け、複数の被測定光信号の
同時並列測定を可能としたものである。
【作用及び効果】
本発明は、被測定光信号を高速でサンプリングする際に
、第1図に示す如く、光信号を増幅する、電気信号によ
って利得が可変とされた光増幅器10を用いて、この光
増幅器10に、入力光路12を介して被測定光信号を入
力する。一方、駆動回路14を介して、サンプリング信
号をパルス状電気信号1として、前記光増幅器10に利
得制m信号として入力する。すると、出力光路16から
は、前記光増幅器10の利得をパルス状に変化させるこ
とによってサンプリングされた光信号が出力される。従
って、光信号を高速、高精度且つ容易にサンプリングす
ることができる。又、光信号を効率良くゲート(サンプ
リング)でき、サンプリングのタイミングも電気的に容
易に制御できる。更に、構成が簡単であり、装置も小型
、安価にできる。更に、光増幅器を用いているので、被
測定光信号を増幅して検出することが可能になり、より
微弱な被測定光まで測定可能となる。 入力光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増幅
して、光出力することができる前記光増幅器10として
は、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面
での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器(Tra
veling−Wave type 。 ptical  Amplifier、TWA)や、通
常の半導体レーザを発振閾値以下にバイアスして光増幅
器として用いるファブリへロー型光増幅器(F abr
yP13rOt tYDe 0f)tical A11
Dlifier、FPA)や、ファイバ中の誘導ラマン
散乱を利用した7アイパラマン増幅器や、DFBレーザ
を用いたもの、注入同期型増幅器等を用いることができ
るが、光増幅器の小型化や、制御の容易さから半導体光
増幅器が有利である。 中でもTWAは、電気信号に対する高速応答、高速光信
号の増幅が可能で、共振器による波長選択性がないため
、数+niに渡る広い利得帯域幅(約50nm)を持ち
、増幅器の温度や、入射光の波長が変化しても利得の変
化が小さく、安定した利得が得られるという大きな利点
を有する。又、光増幅器としての重要な基本特性である
利得飽和や雑音の面でも優れた特性を持っている。 これに対して、FPAは、製作が容易であると共に、両
端面間の多重反射を利用して信号利得を得るため、低注
入電流でも閾値付近で高利得が得易いという利点を有す
る。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変えること
で容易に利得が変えられるため、本発明の如く、注入電
流のオンオフにより光スィッチとして用いることができ
る。 本発明に用いるのに好適なTWAは、例えば第2図に示
すような、V I P S (V−grooved I
 nner 5tripe on  P−3ubstr
ate)構造の半導体レニザ49の両端面に反射防止膜
を施したものとすることができる。 前記VIPSI造は、第2図に示した如く、1回目の液
相成長で、まずD−InP基板49A上に、(h−In
Pバッファ暦49B、n−夏npブロック層49C,D
z−InPブロックM49Dを成長し、Si 02スト
ライプマスクを通常の7オトリソエ程で作成しく111
)B面を持つV溝をウェットエツチングで形成する。こ
れに2回目の液相成長で、0−InPクラッド層49E
、p型乃至はノンドープGa1nAsP活性層49F、
n−InPクラッド層49G、n令−Ga InAsP
コンタクト層49Mを順次成長する。このとき、GaI
nAsP活性層49FはV溝の底に形成され、例えば幅
約1.2μm、厚み約0゜lOμ■に制御される。その
後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形成して作成さ
れる。 TWAは、この半導体レーザ49の両端面に、例えばS
i 02をターゲットにし、酸素雰、囲気中で蒸着によ
り反射防止膜を施すことによって作成される。VIPS
構造の半導体レーザ49は、活性層への注入効率が高く
、優れた高出力特性が得られるので、これを用いたTW
Aも、高利得で、高飽和出力となる。 このようにして作成されたTWA50は、第3図に示す
ような基本構成を有し、該TWA50への入力光強度I
inが一定である場合には、入力電流値iが変化すると
、TWA50からの出力光強度Ioutは、第4図に示
す如く非線形に変化する。 一方、TWA50への入力電流値iが一定であると、入
力光強度Iinに対して出力光強度I Outは、第5
図に示す如く非線形に変化する。従って、入力光強度T
inが一定である時は、出力光強度l01Jtを電流i
″′C′C制御電流iが一定である時は、出力強度I 
outを入力光強度Iinでf!ilJ御できるこがわ
かる。 なお、前記TWA50においては、その両端面に反射防
止膜を施すことによって、両端面の反射を抑えていたが
、両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第6
図に示す如く、両端面をブリュースタ角に切ることによ
って、両端面での反射を抑えることも可能である。この
場合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用
することも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要が
ある場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる
。 なお、本発明に用いる光増幅器としては、前記TWA5
0やFPAの他に、第7図に示す如く、固体レーザ媒質
52にレーザダイオード54により励起光を与え、発振
閾値以下にバイアスして共振型の光増幅器としたものや
、第8図に示す如く、固体レーザ媒質52の両端面の反
射を反射防止膜又はブリュースタ角によって抑え、TW
Aと類似の非共振型の光増幅器としたものを用いること
もできる。第7図において、56は共振鏡である。 なお、前記レーザダイオード54には、閾値付近にする
ためのバイアス電流を流してもよく、又、流さなくても
よい。 又、光増幅器10として、第9図に示す如く、色素レー
ザ媒質又は気体レーザ媒質58に対して、発光ダイオー
ド又は各種電流制御ランプ60を用いて励起光を与える
ようにしたものを用いることもできる。又、第9図にお
いて、共振鏡56を省略したものを用いることもできる
。 更に、光増幅器の他の例として、第10図に示す如く、
気体レーザ媒質62を電流−電圧変換器64を介して電
極62A間に印加される電圧によって励起するようにし
た、放電を利用したものを用いることもできる。又、第
10図において、共振鏡56を省略したものを用いるこ
ともできる。 又、前記入力光路12を光ファイバとした場合には、光
学系の厳密な位置調整が不要となると共に、各構成要素
の配置の自由度を高めて、例えば全体を小型化すること
もできる。更に、該光ファイバの長さを、前記光増幅器
10の所で光信号と電気信号のタイミングが合うように
調整しておくことができる。なお、該光ファイバの長さ
を、前記光増幅器10に光信号より先に電気信号が到達
するように調整した場合には、被測定信号の立上がり前
からサンプリング可能となる。 又、前記出力光路16を光ファイバとした場合には、光
学系の厳密な調整が不要となると共に、各構成要素の配
置の自由度を高めて、例えば全体を小型化することもで
きる。 又、前記光増幅器10、入力光路12、駆動回路14及
び出力光路16を、遮光性を有する導電性ケース、例え
ば金属ケースに収容した場合には、電磁誘導を防止する
と共に、外乱光の入射を防止することができる。 又、前記サンプリング信号を、第11図に示す如く、被
測定光信号の一部を光分岐器20で分岐し、光電変換器
22で光電変換することによって形成した場合には、被
測定光信号による自動同期サンプリングを行うことが可
能となる。 ス、同じく第11図に示す如く、切換スイッチ24を設
けて、前記被測定光信号による自動同期サンプリングと
、外部電気信号によるサンプリングを切換え可能とした
場合には、測定対象の変化に容易に対応可能となり、又
、標準の電気クロック信号等に同期したサンプリングが
可能になる。 更に、第12図に示す如く、前記光増幅器10の出力の
光信号を検出する光検出器30と、パルスゼネレータ3
1の出力信号の周波数に同期して該光検出器30の出力
を増幅するロックイン増幅器32を備え、前記パルスゼ
ネレータ31の出力であるロックイン信号で前記光増幅
器10をオン−オフ制御するか、前記パルスゼネレータ
31の出力信号で前記パルス状電気信号iを変調した場
合には、前記効果に加えて、更にSN比を向上すること
ができる。 更に、前記ロックイン周波数を発生して、前記光増幅器
10及びロックイン増幅器32を制御するパルスゼネレ
ータ31を独立に備えた場合には、サンプリング信号や
被測定光信号とは独立した、外部ロックインが可能とな
る。 更に、前記のような高速光信号サンプリング装置を複数
並列配置し、各装置の出力光信号を検出するイメージセ
ンサを設けた場合には、複数の被測定信号の同時並列測
定が可能となる。
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。 本発明の第1実施例は、前出第1図に示したような、光
電部器lOと、入力光路12と、駆動回路14と、出力
光路16とを有する光信号サンプリング装置において、
第13図に示す如く、前記光増幅器10をTWA50と
し、前記入力光路12及び出力光路16を、アパーチャ
ア0及びレンズ72.73を用いて構成し、更に、前記
TWA50、レンズ72、駆動回路14を金属ケース7
4に収容して、前記アパーチャア0を該金属ケース74
に形成したものである0図において、76は、サンプリ
ング信号を外部から入力するためのコネクタである。 以下、第1実施例の作用を説明する。 今、被測定光信号が第14図(A)で示すような繰返し
波形であったとし、これを、順次時間軸をずらしてサン
プリングする場合を考えると、駆動回路14から発生さ
れる駆動信号は、例えば第14図(B)に示すような、
順次、時間軸上の位置がずれたパルス信号となる。従っ
て、TWA 50は、該パルス状の駆動信号がオンとな
っている時間だけ高利得で被測定信号を増幅し、一方、
駆動信号が零レベルであるときには、被測定信号を遮断
するように作用する。従って、出力光路16のアパーチ
ャア0からは、第14図(C)に示すような、駆動信号
によって順次サンプリングされた光出力が得られること
となる。このサンプリングされた光出力を再構成すると
、第14図(D)に示す如くとなっている。 本実施例においては、TWA50、駆動回路14、レン
ズ72を金属ケース74に収容し、該金属ケース74に
アパーチャア0を形成しているので、電磁誘導を防止す
ると共に外乱光を遮断することができ、外乱の影響を排
除した、高精度の測定を行うことができる。 なお、出力側のレンズ73は、後段に接続する測定光検
出器との関係から、これを省略することもできる。 次に、第15図を参照して、本発明の第2実施例を詳細
に説明す、る。 この第2実施例は、前出第1図に示したような、光増幅
器10と、入力光路12と、駆動回路14と、出力光路
16とを有する光信号サンプリング装置において、前記
光増幅器10をTWA50とし、前記入力光路12及び
出力光路16を光ファイバ78.80とし、更に、前記
TWA 50 、光ファイバ78.80及び駆動回路1
4を金属ケース74に収納したものである0図において
、82は光コネクタである。 本実施例においては、入力光路12、出力光路16のい
ずれにも、光ファイバ78.80を用いているので、光
学系のItfq!!な調整が不要であると共に、各構成
要素の配置の自由度が高まり、例えば全体を小型化する
こともできる。 特に、入力光路12を光ファイバ78としているので、
該光ファイバ78の長さを、TWA 50の所で光信号
と駆動信号のタイミングが合うように調整しておくこと
ができ、電気信号の光信号に対する伝達遅れや、駆動回
路14における電気信号の遅れ等にかかわらず、光信号
と駆動信号のタイミングを合わせることができる。又、
光ファイバ78の長さを、前記TWA50に光信号より
先に電気信号(通常は光の方が電気信号より速く伝播す
る)が到達するように調整しておけば、被測定光信号の
立上がり前からサンプリングして検出することが可能と
なる。 なお、出力側の光ファイバ80とこれに接続された光コ
ネクタ82は、後段に接続される測定光検出器との関係
から、これらを省略することもできる。 次に、第16図を参照して、本発明をサンプリング型光
波形計測装置に適用した、本発明の第3実施例を詳細に
説明する。 この第3実施例は、被測定光信号を分岐するビームスプ
リッタ90と、該ビームスプリッタ90により分岐され
た一方の光が入力光路12を介して入力される、本発明
に係るTWA50と、該TWA50の出力光信号が出力
光路16を介して入力される測定光検出器92と、該測
定光検出器92の出力を積分する積分回路94と、該積
分回路94の積分結果を記憶するホールド回路96と、
サンプリング信号を発生するために、前記ビームスプリ
ッタ90で分岐された他方の光を検出するサンプリング
光検出器98と、該サンプリング光検出器98で検出さ
れたサンプリング光を、必要に応じて波形整形してサン
プリング信号とするための波形整形回路100と、該波
形整形回路100で整形されたサンプリング信号を、順
次、時間軸をずらして発生するための可変遅延回路10
2と、該可変遅延回路102の出力により駆動信号を発
生して前記TWA50に与える、本発明に係る駆動回路
14と、前記可変遅延回路102の遅延時間に比例した
出力がX軸に入力され、サンプリングパルスと同期して
新しい値に更新されている前記ホールド回路96の出力
がY軸に入力される表示器104とから構成されている
。 前記測定光検出器92としては、光電子増倍管、フォト
ダイオード、アバランシュフォトダイオード等、ダイナ
ミックレンジの広いものを用いることができる。なお、
応答速度は遅くてもよい。 又、前記サンプリング光検出器98としては、光電管、
光電子増倍管、フォトダイオード、PINフォトダイオ
ード等、高速光検出器を用いることができる。 又、前記表示器104としては、XYレコーダ、オシロ
スコープ、CRT等を用いることができる。 なお、前記波形整形回路100は省略することもできる
。ス、出力光路16を省略してTWA 50と測定光検
出器92を密着させることもできる。 このようにして、被測定光信号に基づいて順次時間軸方
向に変化する駆動信号を形成し、該駆動信号で被測定光
信号を順次サンプリングすることによって、表示器10
4上には、第16図中に図示した如く、被測定光信号の
再構成された波形が表示される。 次に、第17図を参照して、本発明の第4実施例を詳細
に説明する。 この第4実施例は、前記第3実施例と同様のサンプリン
グ型光波形計測装置において、入力光路12及び出力光
路16に光ファイバ78.80を用い、ビームスプリッ
タ90の代わりにファイバ光分岐器106を用いると共
に、前記サンプリング光検出器98と波形整形回路10
0の間に切換スイッチ24を設け、該切換スイッチ24
により、光信号による自動同期サンプリングと、外部電
気信号によるサン1リングを切換え可能としたものであ
る。 ここで、前記光ファイバ78は、光を遅延させて、駆動
信号が光入力部から波形整形回路100等を経て遅延す
る時間を補正し、TWA50の所で光信号と駆動信号の
タイミングが合うようにされている。 なお、光ファイバ80を省略して、測定光検出器92を
TWA50に密着させることもできる。 次に、第18図を参照して、本発明の第5実施例を詳細
に説明する。 この第5実施例は、前記第4実施例と同様のサンプリン
グ型光波形計測装置において、前記可変遅延回路102
の出力により、前記測定光検出器92の出力をロックイ
ン増幅するロックイン増幅器32を設けたものである。 又、TWA50は、後出第20図に示すようなロックイ
ン信号で変調された電気信号で駆動される。 本実施例においては、サンプリング信号に藁づいて、ロ
ックイン周波数が決定され、自己ロックインが行われる
。 なお、光ファイバ80は省略することもできる。 次に、第19図を参照して、本発明の第6実施例を詳細
に説明する。 この第6実施例は、前記第5実施例と同様のサンプリン
グ型光波形計測装置において、ロックイン周波数を発生
して、前記TWA50及びロックイン増幅器32を制御
するパルスゼネレータ112を設けものである。 前記パルスゼネレータ112からは、第20図に示す如
く、ロックイン周波数の周期内で前記TWA50をオン
オフするパルス信号が発生されるので、例えば第20図
(B)に示すような、波形整形回路100出力の電気信
号とは独立の周波数でロックインを行うことができ、S
/N比を向上できる。 なお、本実施例においては、ロックイン検出用のチョッ
パ素子が、前記TWA50と共用されていたので、構成
が簡略である。なお、ロックイン検出用の独立したTW
Aを設け、これを前記TWA50と直列接続することも
可能である。又、光ファイバ80を省略することもでき
る。 次に、第21図を参照して、本発明の第7実施例を詳細
に説明する。 この第7実施例は、前記第2実施例に示したような光信
号サンプリング装置を複数並列配置すると共に、各装置
の出力光信号を検出するイメージセンナ120を設け、
複数の被測定光信号の同時並列測定を可能としたもので
ある。 図において、98は、被測定光信号に応じてサンプリン
グ信号を発生するためのサンプリング光検出器、24は
、外部同期サンプリングと自己同期サンプリングを切換
えるための切換スイッチ、102は可変遅延回路、12
2はコントローラ、124は表示器である。 前記イメージセンサ120としては、例えばCOD等を
用いたりニヤセンサを用いることができる。 本実施例においては、複数の被測定光信号の同時並列測
定が可能となるので、例えばタイミングのずれを測定し
たり、分光器で波長成分に分けた後、各光ファイバ78
に入力することによって、分光測定も可能となる。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の基本的な構成を示すブロック線図、
第2図は、本発明で用いられている光増幅器の一例とし
ての進行波型光増幅器(TWA)を構成する半導体レー
ザの構造の一例を示す断面図、第3図は、前記TWAの
動作特性を説明するためのブロック線図、第4図及び第
5図は、同じく出力光強度特性の一例を示す線区、第6
図は、前記TWAの変形例の構成を示す概略図、第7図
乃至第10図は、前記光増幅器の他の変形例をそれぞれ
示す概略図、第11図及び第12図は、それぞれ本発明
の他の基本的な構成を示すブロック線図、第13図は、
本発明に係る光信号サンプリング装置の第1実施例の構
成を示すブロック線図、第14図は、第1実施例の各部
動作波形の例を示す線図、第15図は、本発明の第2実
施例の構成を示すブロック線図、第16図は、本発明を
サンプリング型光波形計測装置に適用した第3実施例の
構成を示すブロック線図、第17図は、同じく第4実施
例の構成を示すブロック線図、第18図は、同じく第5
実施例の構成を示すブロック線図、第19図は、同じく
第6実施例の構成を示すブロック線図、第20図は、第
6実施例の要部の動作波形を示す線図、第21図は、同
時並列測定に適用した本発明の第7実施例の構成を示す
ブロック線図である。 10・・・光増幅器、 12・・・入力光路、 14・・・駆動回路、 16・・・出力光路、 20・・・光分岐器、 22・・パ光電変換器、 24・・・切換スイッチ、 30・・・光検出器、 31.112・・・パルスゼネレータ、32・・・ロッ
クイン増幅器、 50・・・進行波型光増幅器(TWA)、74・・・金
属ケース、 78.80・・・光ファイバ、 90・・・ビームスプリッタ、 92・・・測定光検出器、 98・・・サンプリング光検出器、 120・・・イメージセンサ。 第1図 第2図 第3図 ぺn 第6図 第8図 第9図 第10図 第12図 第13図 第18図 第19図 第20図 第21図 手続補正書 平成元年4月27日

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被測定光信号を高速でサンプリングするための光
    信号サンプリング装置において、 光信号を増幅する、電気信号によつて利得が可変とされ
    た光増幅器と、 被測定光信号を該光増幅器に入力する入力光路と、 サンプリング信号をパルス状電気信号にして前記光増幅
    器に入力する駆動回路と、 前記光増幅器の利得をパルス状に変化させることによつ
    てサンプリングされた光信号を出力する出力光路と、 を備えたことを特徴とする光信号サンプリング装置。
  2. (2)請求項1に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、前記光増幅器が、半導体レーザの両端面に反射防止
    膜を施して両端面での反射を抑えた非共振型の進行波型
    光増幅器であることを特徴とする光信号サンプリング装
    置。
  3. (3)請求項1に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、前記光増幅器が、半導体レーザの両端面での反射を
    、該両端面の角度をブリュースタ角に設定することによ
    つて抑えた非共振型の進行波型光増幅器であることを特
    徴とする光信号サンプリング装置。
  4. (4)請求項1に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、前記入力光路が光ファイバとされ、該光ファイバの
    長さが、前記光増幅器の所での光信号と電気信号の所望
    タイミングに応じて調整されていることを特徴とする光
    信号サンプリング装置。
  5. (5)請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光信号サ
    ンプリング装置において、前記光増幅器、入力光路、駆
    動回路及び出力光路が、遮光性を有する導電性ケースに
    収容されていることを特徴とする光信号サンプリング装
    置。
  6. (6)請求項1に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、前記サンプリング信号を、被測定光信号の一部を分
    岐し、光電変換することによつて形成したことを特徴と
    する光信号サンプリング装置。
  7. (7)請求項1に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、更に、前記光増幅器出力の光信号を検出する光検出
    器と、前記サンプリング信号に同期したロックイン周波
    数でサンプリング信号を変調して前記光増幅器に印加し
    、前記光増幅器の出力を光検出してその信号を増幅する
    ロックイン増幅器とを備えたことを特徴とする光信号サ
    ンプリング装置。
  8. (8)請求項7に記載の光信号サンプリング装置におい
    て、前記ロックイン周波数を発生するパルスゼネレータ
    を独立に設けたことを特徴とする光信号サンプリング装
    置。
  9. (9)請求項1に記載の光信号サンプリング装置が、複
    数並列配置されると共に、各装置の出力光信号を検出す
    るイメージセンサが設けられ、複数の被測定光信号の同
    時並列測定が可能とされていることを特徴とする光信号
    サンプリング装置。
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