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Piezoelektrische Vorrichtung
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Zusammenf as sung Es werden verbesserte piezoelektrische Quarzkristall-Produkte
gezeigt, wie sie vorzugsweise in Quarzkristall-Filtern und für Resonanzanwendungen
benutzt werden, sowie Herstellungsverfahren für dieselben. Es werden verschiedene
Ausgestaltungen gezeigt einschließlich eines im wesentlichen kreisförmigen, eines
quadratförmigen und eines rechteckförmigen Quarzkristall-Produktes, wobei jedes
derselben an jeder seiner beiden Seiten eine einzelne dreieckförmige Elektrode in
zueinander überlappender Anordnung aufweist. Es werden andere Ausgestaltungen gezeigt
einschließlich eines im wesentlichen kreisförmigen, eines quadratförmigen und eines
rechteckförmigen Quarzkristall-Produktes, wobei jedes an jeder seiner beiden Seiten
Nehrfach-Elektroden, wie zwei in einem kleinen Abstand voneinander befindliche dreieckförmige
Elektroden in zueinander überlappender Anordnung aufweist. Eine weitere gezeigte
Ausgestaltung ist ein im wesentlichen tortenstückförmiges, vorzugsweise vierteltortenförmige
Quarzkristall-Produkt, welches auf jeder seiner beiden Seiten entweder eine einzelne
im wesentlichen tortenstückförmige Elektrode oder zwei in einem kleinen Abstand
voneinander befindliche im wesentlichen tortenstückförmige Elektroden in einer überlappenden
Konfiguration aufweist. Auch wird ein Verfahren zur Herstellung des im wesentlichen
tortenstückförmigen Quarzkristall-Produktes entsprechend der Erfindung gezeigt.
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Die Erfindung betrifft allgemein piezoelektrische Einheiten sowie
deren Herstellungsverfahren und im einzelnen piezoelektrische Quarzkristall-Einheiten
wie Filter mit verbesserten Elektrodenkonfigurationen oder verbesserten piezoelektrischen
Quarzkristallsubstraten oder Kombinationen aus beidem, sowie deren Herstellungsverfahren0
Das
Spektrum der Radiofrequenzen ist sehr breit und erstreckt sich von etwa 15 kHz bis
wenigstens etwa 200 GHz. Folglich ist es über diesen gesamten Frequenzbereich sehr
kritisch, daß eine Quarzkristalleinheit einwandfrei ist, um die Übertragung und/oder
den Empfang des gewünschten Frequenzsignals zu erlauben. Dies erhielt besondere
Bedeutung in der heutigen Umgebung in Folge der Anhäufung und der engeren Abstände
zwischen den zugeteilten Frequenzen innerhalb des verfügbaren Radiofrequenzspektrums.
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Um das Ziel zu erreichen, daß elektronische Geräte mit einem Maximum
an Wirkungsgrad und maximaler Genauigkeit arbeiten, um einen optimalen Nutzen des
limitierten verfügbaren Radiofrequenzspektrums zu gewährleisten, ist folglich die
höchstmögliche Präzision und Stabilität für die übertragene Frequenz erforderlich
sowie eine maximale Selektivität beim Empfänger.
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Obwohl -ommunikationssysteme mit nur einem Seitenband und unterdrüctem
Träger die Benutzung von mehr Kommunikationskanälen in einem gegebenen Frequenzband
ermöglichen, dient dies nur r Vorkehrung einer größeren Emphasis und benötigt zur
Frequenzstabilität und Steuerung sowohl des Senders als auch des Empfängers elektronischer
Geräte mit Quarzkristall-Einheiten.
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Viele elektronische Systeme mit anspruchsvollen Geräten, die für Regierungs-
oder Militärzwecke, für Navigation und Meßsysteme usw. benutzt werden, erfordern
eine präzise Frequenzkontrolle und sehr genaue Zeitmessungen. Die in Sender- und
Empfängersystemen benötigte Frequenzkontrolle und -stabilität hängt zu einem großen
Teil von der Genauigkeit und Präzision der Quarzkristalleinheiten ab, die als passive
Elemente in Oszillatorfaltungen und in elektrischen Wellenfiltern benutzt werden.
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Ferner ist auch eine sehr hohe Präzision und Genauigkeit bei Quarzkristalleinheiten
notwendig, welche für Zeitmeßanwendungen sowie für Vorrichtungen oder Systeme benutzt
werden, wo gleiche Zeitintervalle präzise abzugrenzen sind. Andere Anwendungen
wo
hochgeraue Quarzkristalleinheiten benutzt werden sind beispielsweise digitale Termometer,
Druckanzeigegeräte, Beschleunigungsmesser usw.
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Die von einer piezoelektrischen Quarzkristalleinheit hervorgerufenen
oder ihr anhaftenden nicht harmonischen Moden oder Nebenschwingungen sind als "spurs"
(von spurious modes) bekannt, deren Frequenzen im allgemeinen in einem relativ nahen
Bereich unmittelbar oberhalb der Harmonischen oder Hauptmode liegen. Beim Entwurf
und bei der Anwendung piezoelektrischer Quarzkristalleinheiten für Oszillatorzwecke
sind diese von der antreibenden Quelle entfachten unerwünschten Moden von geringerer
Bedeutung als bei Filteranwendungen.
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Diese nicht harmonischen oder ungewollten Moden sind aber ein erstes
Problem für Rochfrequenz-Filteranwendungen piezoelektrischer Quarzkristalle und
es besteht ein Erfordernis verbesserte piezoelektrische Quarzkristalleinheiten zu
entwickeln, welche den Effekt dieser nicht harmonischen Moden merklich herabsetzen
sollten. Durch Reduzierung oder Dämpfung dieser unerwünschten Moden kann die Quarzkristalleinheit
(durch den piezoeiektrischen Effekt) dazu angeregt werden, auf einer ihrer bestimmten
Resonanzmoden mit verbesserter Dämpfung der Nebenmoden zu schwingen.
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In der Vergangenheit fabrizierten die Hersteller von piezoelektrischen
Quarzkristallen allgemein entweder Einzelelektroden pro Bubstratfliche oder Mehrfachelektroden
pro Substratfläche, wobei quadratförmige, rechteckformige oder im wesentlichen kreisförmige
piezoelektrische Quarzkristall substrate benutzt wurden.
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Diese bekannten Typen von piezoelektrischen Quarzkristalleinheiten
benutzten Elektroden, welche entweder von allgemein quadratischer, rechteckiger
oder kreisförmiger Konfiguration waren. Vorrichtungen dieser Art mit einer im wesentlichen
quadratförmigen Elektrodenkonfiguration für piezoelektrische
Quarzkristalleinheiten
kreSförmigen Typs sind beispielsweise aus der US-PS 3 564 463 bekannt.
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Ein Beispiel einer bekannten piezoelektrischen Quarzkristalleinheit,
welche ein im wesentlichen kreisförmiges Quarzkristallsubstrat und Elektroden von
im wesentlichen kreisförmiger Geometrie benutzt, ist in der US-PS 3 396 327 gezeigt.
Diese bekannten piezoelektrischen Quarzkristalleinheiten mit ihren allgemein quadratförmigen,
rechteckförmigen oder kreisförmigen Elektroden waren in vielen Anwendungsfällen
zur Unterdrückung oder Dämpfung der unerwünschten Moden oder der nicht harmonischen
Schwingungen unbefriedigend.
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In der US-PS 3 582 866 ist ein Quarzkristallfilter monolithischen
Typs gezeigt, welches vier Resonatoren mit vier tortenstückförmigen Elektroden an
einem kreisförmigen Substrat benutzt.
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Eine tortenstückförmige Elektrode kann auch als sektorförmige Elektrode
bezeichnet werden.
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Zwei dieser Resonatoren, nämlich 43 und 46 bilden den Eingangs-bzw.
Ausgangsresonator. Dort ist eirneinzelne Vierpol-Filtereinheit gezeigt, bei welcher
jede der tortenstückförmigen Elektroden in einem Quadranten des kreisförmigen Substrates
liegt.
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Dies kann nicht nahelegen, eine einzelne oder doppelte todænstückförmige
Elektrode pro Substratfläche zu benutzen, welche angeordnet und arrangiert werden
könnte, um eine merkliche Dämpfung der unerwünschten Moden zu bringen. Die einzigen
dort gezeigten Substrate sind rechteckförmige und kreisförmige Substrate.
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In der US-PS 3 638 146 ist ein piezoelektrisches Keramikfilter gezeigt,
welches zwei Elektroden an einer Substratfläche ud eine einzelne Elektrode an der
rückwärtigen Substrattläche
benutzt. Die beiden Elektroden haben
die Gestalt von zwei eilen eines Halbkreises mit relativ geraden Seiten über beide
Teile. Für diese piezoelektrische Vorrichtung keramischen Typs, welche ein rechteckförmiges
Substrat und diesen Typ einer Spaltelektrode benutzt, wurde offenbar eine Verbesserung
der Dämpfung von Nebenwellen erreicht. Die Anwendung eines solchen Elektrodenarrangemant,
nämlich drei Elektroden pro Einheit und die Gestaltung der Elektroden, wurde jedoch
nicht seitens der Hersteller von Quarzvorrichtungen angenommen oder nachdrücklich
benutzt.
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Infolge der Schwiergkeit der Auffindung ergiebiger Quellen von natürlichen
Quarzkristallen werden hochqualitative piezoelektrische Quarzkristalleinheiten derzeit
hauptsächlich von Menschenhand gemacht. Jedenfalls können in beiden Fällen die Herstellungskosten
piezoelektrisSher Quarzkristallsubstrate von sehr guter Qualität zur Anfertigung
von Quarzkristalleinheiten mit der Eigenschaft einer strengen Nebenwellendämpfung
sehr hoch sein.
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Der hauptsächliche Kostennachteil im Zusammenhang mit den bekannten
piezoelektrischen Quarzkristalleinheiten liegt darin, daß sie eine große Menge des
wertvollen und teueren piezoelektrischen Quarzkristallmaterials benötigen. Wesentlich
ist, daß die bekannten piezoelektrischen Quarzkristalleinheiten entweder ein ganzes
im wesentlichen kreisförmiges piezoelektrisches Quarzkristallsubstrat oder ein ganzes
quadratförmiges oder rechteckförmiges piezoelektrisches Quarzkristallsubstrat benutzen,
um eine einzige piezoelektrisehe Quarzkrlstalleinheit verfügbar zu machen. Mit der
genannten Notwendigkeit, sowohl die Kosten zu reduzieren als auch die Produktionsleistung
piezoelektrischer Quarzkristalleinheiten mit strenger Dämpfung der Nebenmoden zu
steigern9 wurde es recht bedeutungsvoll, piezoelektrische Quarzkristallprodukte
zu entwichen, die
weniger piezoelektrische Quarzkristall-Substratmaterial
benötigen und dennoch beim Einsatz in verschiedenen elektronischen Geräten eine
deutlich verbesserte Wirkungsweise haben.
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Folglich besteht ein Bedarf für verbesserte piezoelektrische Quarzkristalleinheiten,
die (a) bei Anwendung in verschiedenen Fällen hohe elektrische Parameter haben würden,
(b) weiterhin die Dämpfung oder Unterdrückung nicht harmonischer Moden verbessern,
und (c) welche relativ preiswert herstellbar wären.
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A u f g a b e der Erfindung ist es somit, eine verbesserte piezoelektrische
Quarzkristalleinheit verfügbar zu machen, welche die vorstehend genannten Bedingungen
erfüllt.
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Ein Vorteil der Erfindung ist die Verfügbarkeit einer piezoelfEtrischen
Quarzkristalleinheit mit einer verbesserten Elektrodenkonfigurati on.
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Sin weiterer Vorteil der Erfindung ist die Verfügbarkeit einer piezoelektrischen
Quarzkristalleinheit, welche an jeder Seite der Einheit eine verbesserte Einzelelektrode
hat.
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Ein weiterer Vorteil der erfindung ist die Verfügbarkeit einer verbesserten
piezoelektrischen Quarzkristalleinheit, welche an jeder Seite der Einheit zwei oder
mehr verbesserte Elektroden hat.
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Ein noch weiterer Vorteil der Erfindung ist die Verfügbarkeit eines
Verfahrens zur Herstellung von piezoelektrischen Mehr-Pach-Quarzkristalleinheiten
aus einem einzigen piezoelektrischen Quarzkri stallsub strat.
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Entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung wird ein piezoelektrische
Vorrichtung offenbart, welche ein tortenstückförmiges
piezoelektrisches
Substrat umfaßt. Zumindest zwei elektrisch leitende Stützglieder sind mit dem tortenstückförmigen
piezoelektrischen Substrat verbunden. An jeder hläche des tortenstückförmigen piezoelektrischen
Substrats ist zumindest eine tortenstückförmige Elektrode angeordnet. Für piezoelektrische
Vorrichtungstypen mit einer Einzelelektrode pro Fläche ist an jeder Fläche (zwei
flächen pro Substrat) des tortenstückförmigen piezoelektrischen Substrats eine tortenstückförmige
Elektrode angeordnet, aber für piezoelektrische Vorrichtungstypen mit Doppelelektroden
pro Fläche ist an jeder Fläche des tortenstückförmigen piezoelektrischen Substrats
ein Paar tortenstückförmiger Elektroden angeordnet.
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Im Fall der piezoelektrischen Vorrichtungstypen mit Doppelelektroden
sind drei elektrisch leitende Stützglieder mit dem tortenstückförmigen piezoelektrischen
Substrat verbunden.
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Die eine tortenstückförmige Elektrode, welche an der einen Fläche
des tortenstückförmigen piezoelektrischen Substrats des piezoelektrischen Vorrichtungstyps
mit einer Einzelelektrode pro Fläche angeordnet ist, ist elektrisch verbunden mit
einem der beiden elektrisch leitenden Stützglieder, wahrend die eine tortenstückförmige
Elektrode, welche an der anderen Fläche des tortenstückförmigen piezoelektrischen
Substrats angeordnet ist, mit dem anderen der beiden elektrisch leitenden Stützglieder
verbunden ist. Die eine tortenstückförmige Elektrode, die an der einen Fläche des
tortenstückförmigen piezoelektrischen Substrats angeordnet ist, überlappt sich und
ist in Deckung mit der einen tortenstückförmigen Elektrode, welche an der anderen
Fläche des tortenstückförmigen piezoelektrischen Substrats angeordnet ist.
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Entsprechend einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist ein piezoelektrische
Vorrichtung offenbart, welche ein piezoelektrisches Substrat umfaßt. Mit dem piezoelektrischen
Substrat sind zumindest zwei elektrisch leitende Stützglieder verbunden.
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Es sind Mittel vorgesehen zur Verbesserung der Dämpfung ungewollter
Moden
der Vorrichtung. Diese Mittel umfassen zumindest eine dreieckförmige Elektrode auf
jeder Fläche des piezoelektrischen Substrats. Die dreieckförmige Elektrode auf der
einen Seite des piezoelektrischen Substrats ist elektrisch verbunden mit einem der
beiden elektrisch leitenden Stützglieder.
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Die eine dreieckförmige Elektrode auf der anderen Fläche des piezoelektrischen
Substrats ist elektrisch verbunden mit dem anderen der beiden elektrisch leitenden
Stützglieder. Die eine dreieckförmige Elektrode auf der einen Fläche des piezoelektrischen
Substrats überlappt sich und ist in Deckung mit der anderen dreieckförmigen Elektrode
auf der anderen Fläche des piezoelektrischen Substrats.
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Entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird eine
piezoelektrische Quarzkristall-Vorrichtung offenbart, welche ein piezoelektrisches
Quarzkristall-Substrat umfaßt.
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Mit dem piezoelektrischen Quarzkristall-Substrat sind zumindest zwei
elektrisch leitende Stützglieder verbunden. Es sind Mittel vorgesehen zur Dämpfung
ungewollter Moden der Vorrichtungen. Diese Mittel umfassen zumindest eine tortenstückförmige
Elektrode an jeder Fläche des piezoelektrischen Quarzkristall-Substrats. Die eine
tortenstückförmige Elektrode an der einen Fläche des piezoelektrischen Quarzkristall-Substrets
ist elektrisch verbunden mit einem der beiden elektrisch leitenden Stützglieder.
Die eine tortenstückförmige Elektrode an der anderen Fläche des piezoelektrischen
Quarzkristall-Substrats ist elektrisch verbunden mit dem anderen der beiden elektrisch
leitenden Stützglieder. Die eine tortenstückförmige Elektrode auf der einen Fläche
des piezoelektrischen Quarzkristall-Substrats überlappt sich und ist in Deckung
mit der einen tortenstückförmigen Elektrode auf der anderen Fläche des piezoelektrischen
Quarzkristall-Substrats.
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Entsprechend einer wieder anderen Ausgestaltung der Erfindung wird
ein Verfahren offenbart zur Herstellung mehrerer piezoelektrischer
Vorrichtungen,
welche vorzugsweise Substrate von tortenstückförmiger Konfiguration haben, aus einem
einzigen piezoelektrischen Substrat, welches vorzugsweise eine im wesentlichen tortenstückförmige
Geometrie hat. Die Schritte umfassen die Bildung einer Metallschablone einer gewünschten
Konfiguration an dem einzelnen piezoelektrischen Substrat.
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Das einzelne piezoelektrische Substrat wird geschnitten mit einer
Mehrzahl von Stücken, wobei auf jedem Stück ein Bereich der Metallschablone liegt,
um zumindest eine Elektrode pro Fläche für jedes Stück zu liefern.
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Weitere Einzelheiten mögen nun anhand der verschiedenen Ausgestaltungen
und mit Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert sein. Die einzelnen
Zeichnungen haben folgende Bedeutung: Fig. 1 A zeigt eine Seite einer viertelkreisförmigen
piezoelektrischen Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer Ausgestaltung der
Erfindung, wobei zwei Elektroden mit tortenstückförmiger Geometrie pro Fläche dargestellt
sind.
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Fig. 1 B zeigt die andere Seite der viertelkreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung der Fig. 1 A.
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Fig. 2 A zeigt eine Seite einer viertelkreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer anderen Ausgestaltung der Erfindung,
wobei eine Einzelelektrode mit tortenstückförmiger Geometrie pro Fläche dargestellt
ist.
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Fig. 2 B zeigt die andere Seite der viertelkreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung der Fig. 2 A.
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Fig. 3 A zeigt eine Seite einer im wesentlichen kreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer anderen Ausgestaltung der Erfindung,
wobei eine Einzelelektrode mit dreieckförmiger Geometrie pro Fläche dargestellt
ist.
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Fig. 3 B zeigt die andere Seite der im wesentlichen kreisförmigen
piezoelektrischen Quarzkristallvorrichtung der Fig. 3 A.
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Fig. 3 C zeigt eine Seite einer im wesentlichen kreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
wobei eine Einzelelektrode pro Fläche dargestellt ist, deren dreieckförmige Geometrie
sich von der dreieckförmigen Geometrie der Elektrode der Fig. 3 A oder 3 B unterscheidet.
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Fig. 3 D zeigt die andere eite der Vorrichtung der Fig. 3 C.
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Fig. 4 A zeigt eine Seite einer quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
wobei eine Einzelelektrode mit dreieckförmiger Geometrie pro Fläche dargestellt
isL Fig. 4 B zeigt die andere Seite der quadratförmigen piezoelektrischen Quarzkristallvorrichtung
der Fig. 4 A.
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Fig. 4 C zeigt eine Seite einer quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
die der in Fig. 4 A gezeigten Vorrichtung ähnlich ist, wobei aber das Substrat und
auch die dreieckförmige Elektrode gedreht sind.
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Fig. 4 D zeigt die andere Seite der Vorrichtung der Fig. 4 C.
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Fig. 5 A zeigt eine Seite einer rechteckförmigen piezoelektrisehen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
wobei eine Einzelelektrode mit dreieckförmiger Geometrie pro Fläche dargestellt
ist.
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Fig. 5 B zeigt die andere Seite der rechteckförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung der Fig. 5 A.
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Fig. 6 A zeigt eine Seite einer im wesentlichen kreisförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer anderen Ausgestaltung der Erfindung,
wobei zwei Elektroden pro Fläche dargestellt sind, deren jede eine dreieckförmige
Geometrie hat.
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Fig. 6 B zeigt die andere Seite der im wesentlichen kreisförmigen
piezoelektrischen Quarzkristallvorrichtung der Fig. 6 A.
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Fig. 7 Ä zeigt eine Seite einer quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
wobei zwei Elektroden pro Fläche dargestellt sind, deren jede eine dreieckförmige
Geometrie hat.
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Fig. 7 B zeigt die andere Seite der quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung der Fig. 7 A.
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Fig. 7 C zeigt eine Seite einer quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung
ähnlich der in Fig. 7 A gezeigten Vorrichtung, jedoch mit gedrehtem Substrat.
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Fig. 7 D zeigt die andere Seite der quadratförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung der Fig. 7 C.
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Fig. 8 A zeigt eine Seite einer rechteckförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung entsprechend einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung,
wobei ein Elektrodenpaar pro Fläche dargestellt sind, deren jede eine dreieckförmige
Geometrie hat.
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Fig. 8 B zeigt die andere Seite der rechteckförmigen piezoelektrischen
Quarzkristallvorrichtung mit Doppelelektrode der Fig. 8 A.
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Fig. 9 zeigt Schirtte A bis E in perspektivischer Darstellung der
Schrittfolge eines Verfahrens zur Herstellung von vier gleichen tortenstückförmigen
piezoelektrischen Quarzkristallsubstraten aus einem einzelnen Substrat (eines der
vier Substrate ist in der Fig. 1 A, 1 B gezeigten Vorrichtung verwendet).
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Fig. 10 ist eine graphische Darstellung der elektrischen Ansprechkurve
einer Vorrichtung mit einem im wesentlichen kreisförmigen piezoelektrischen Substrat
mit einem Paar von rechteckförmigen Elektroden, wobei auf der Abszisse die Frequenz
in kHz und auf der Ordinate die Abweichung in db aufgetragen sind.
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Fig. 11 ist eine der Fig. 10 ähnliche graphische Darstellung, doch
liegt hier eine Vorrichtung mit tortenstückförmigen piezoelektrischem Substrat mit
einem Paar von tortenstückförmigen Elektroden zugrunde, welche eine Dämpfungsverbesserung
von mindestens zehn db im jeweiligen Störmodus bringt, im Vergleich zu den Ansprechergebnissen
der bei Fig. 10 benutzten Vorrichtung.
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Unter Bezugnahme auf Fig. 1 A bezeichnet das Bezugszeichen 20 allgemein
die in dieser Figur dargestellte piezoelektrische Quarzkristallvorrichtung (mit
Doppelelektrode pro Fläche).
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Die Vorrichtung 20 umfaßt ein im wesentlichen tortenstückförmiges
piezoelektrisches Quarzkristallsubstrat 22, welches ein Elektrodenpaar 24 A und
24 B hat, welches mit einer Fläche des Substrates 22 in Kontakt ist. Ein erstes
elektrisch leitendes W:ntage-Stützglied 26 ist mit einem Seitenabschnitt des Substrats
22 mechanisch verbunden und ein zweites elektrisch leitendes Montage-Stützglied
28 ist mit dem anderen Seitenabschnitt des Substrats 22 mechanisch verbunden. Jedes
dieser Stützglieder erstreckt sich durch ein Kopfstück 30, welches vorzugsweise
einen äußeren Metallbereich und einen isolierenden Innenbereich aus Glas aufweist,
wodurch sowohl eine Abstützung als auch eine elektrische Isolation für die sich
hindurch erstreckenden Stützglieder gegeben ist. Ein mittiges elektrisch leitendes
Montage-Stützglied 32 erstreckt sich durch die Isolation des Kopfstücks 3C und ist
elektrisch und mechanisch mit einem metallischen Basisabschnitt 34 verbunden, der
sich am untersten Bereich des Substrates 22 befindet und das Anschlußglied für das
Elektrodenpaar 24 A und 24 B bildet.
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Unter Bezugnahme auf Fig. 1 B, welche die Rückseite oder die andere
Seite der Vorrichtung 20 der Fig. 1 A darstellt ist auf der Rückseite des Substrats
22 ein anderes Elektrodenpaar 36 A und 36 B angeordnet. Die Elektrode 36 A ist eine
metallisierte Schicht, die mit dem Stützglied 28 elektrisch verbunden ist, während
die Elektrode 36 B mit dem Stützglied 26 elektrisch verbunden ist. Die Elektroden
24 A und 24 B der Fig. 1 A und die Elektroden 36 A und 36 B der Fig. 1 B haben jeweils
Erweiterungsabschnitte 38 mit im wesentlichen tortenstückförmiger metallisierter
Geometrie, deren äußerer Formgebungsbereich der Kontur des Substrats 22 angepaßt
ist. Die Anordnung der im wesentlichen tortenstückförmigen metallisierten Erweiterungsabschnitte
38 ist
derart, daß jeder der beiden auf einer Seite des Substrats
22 liegenden Abschnitte in überlappender Deckung liegt mit einem der beiden auf
der anderen Seite des Substrats 22 liegenden Abschnitte.
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Mit bezug auf Fig. 2 A ist eine andere Ausgestaltung einer vierteltortenförmigen
piezoelektrischen Quarzkristallvorrichtung 40 gezeigt, welche pro Fläche eine tortenförmige
Einzelelektrode hat. Die Bezugszeichen in Fig. 2 A, welche den Bezugszeichen der
Figuren 1 A oder 1 B entsprechen, sind wieder benutzt um ähnliche Elemente der Vorrichtung
40 zu bezeichnen, doch ist an die entsprechenden Bezugszeichen der Fig. 2 A (oder
2 B) ein S angehängt.Somit ist ein einzelner tortenstückförmiger Elektrodenabschnitt
38 S eine Erweiterung der Elektrode 24 S, welche mit dem Stützglied 26 S elektrisch
verbunden ist. Mit bezug auf Fig. 2 B ist der einzelne tortenstückförmige Elektrodenbereich
38 S eine Erweiterung der Elektrode 36 S, welche mit dem Stützglied 28 S elektrisch
verbunden ist. Der tortenstückförmige Elektrodenabschnitt 38 S auf der einen Seite
des Substrats 22 S ist in überlappender Deckung mit dem entsprechenden tortenstückförmigen
Elektrodenbereich 38 S auf der anderen Seite des Substrats 22 S.
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Sowohl die Vorrichtung 20 der Fig. 1 A (1 B) als auch die Vorrichtung
40 der Fig. 2 A (2 B) zeigte bei ihrer Benutzung als Filter einen bedeutenden Vorteil
gegenüber herkömmlichen Typen piezoelektrischer Quarzkristallvorrichtungen. Durch
die Verwendung der Vorrichtungen 20 und 40 der Figuren 1 A bzw. 2 A wurde beispielsweise
eine Steigerung der Dämpfung ungewollter oder nicht harmonischer Moden um zehn db
erreicht gegenüber anderen Vorrichtungen mit rechteckigen, quadratischen oder kreisförmigen
Elektroden-Geometrien und nicht tortenstückförmigen Substraten. Die bedeutende Dämpfungsverbesserung
(unerwünschRer Moden) der Vorrichtung von Fig. 1 A (oder 1 B) im Vergleich zu herkömmlichen
Vorrichtungen ist in Fig. 11 im Vergleich zu Fig. 10 graphisch dargestellt0
Mit
bezug auf Fig. 3 A ist eine im wesentlichen kreisförmige piezoelektrische Quarzkristallvorrichtung
50 mit einer Einzelelektrode pro Fläche gezeigt, die der in Fig. 2 A gezeigten Vorrichtung
40 ähnlich ist, aber einen dreieckförmigen Elektrodenabschnitt 38 T und eine unterschiedliche
( im wesentlichen kreisförmige statt tortenstückförmige) Substratkonfiguration hat.
Die Bezugszeichen der Figuren 1 A oder 1 B sind wiederum benutzt, um ähnliche Elemente
der Vorrichtung 50 zu identifizieren, doch ist an die eSiprechenden Bezugszeichen
der Fig. 3 A (oder 3 B) ein T angehängt. Der dreieckförmige Elektrodenabschnitt
38 g auf der einen Seite der Vorrichtung 50 (Fig. 3 A) hat einen überlappenden Bereich,
der sich mit einem ähnlichen Bereich des dreieckförmigen Elektrodenabschnittes 38
T auf der anderen Seite der Vorrichtung 50 (Fig. 3B) deckt.
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Mit bezug auf Fig. 3 C ist eine im wesentlichen kreisförmige piezoelektrische
Quarzvorrichtung 50 A mit einer dreieckförmigen Einzelelektrode pro Fläche gezeigt,
welche der Vorrichtung 50 der Fig. 3 A ähnlich ist, doch hat diese einen Elektrodenbereich
38 U von anderer dreieckförmiger Geometrie oder Eonfiguration auf einem Substrat
im wesentlichen kreisförmigen Typs. An die entsprechenden Bezugszeichen der Fig.
3 C (oder 3 D) der in Figuren 1 A oder 1 B benutzten Bezugszeichen ist hier ein
U angehängt. Die dreieckförmige Elektrode 38 U auf der einen Seite der Vorrichtung
50 A (Fig. 3 C) hat einen Uberlappungsbereich, der sich mit einem ähnlichen Bereich
des dreieckförmigen Elektrodenabschnittes 38 U auf der anderen Seite der Vorrichtung
50 A (Fig. 3 D) deckt.
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Mit bezug auf Fig. 4 A ist eine quadratförmige piezoelektrische Quarzkristallvorrichtung
60 mit einer Einzelelektrode pro Fläche gezeigt, welche etwas Ähnlichkeit mit der
Vorrichtung der Fig.
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3 A hat, jedoch hat sie ein quadratförmiges piezoelektrisches Quarzkristellsubstrat
22 V, welches an zwei Ecken des Substrats 22 V in einer Diagonalen montiert ist.
Die Bezugszeichen in Fig. 4 A, die den Bezugszeichen der Fig. 1 A oder 1 B entsprechen,
sind wiederum vor Kennzeichnung ähnlicher Elemente der Vorrichtung 60 benutzt, doch
ist an die entsprechenden Bezugszeichen für Fig. 4 A (oder 4 B) ein V angehängt.
Der dreieckförmige Elektrodenabschnitt 38 V auf der einen Seite der Vorrichtung
60 (Fig. 4 A) hat einen Überlappungsbereich, der mit einem ähnlichen Bereich des
dreieckförmigen Elektrodenabschnittes 38 V auf der anderen Seite der Vorrichtung
60 (Fig.
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4 B) in Deckung liegt.
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In bezug auf Fig. 4 C ist eine quadratförmige piezoelektrische Quarzkristallvorrichtung
60 A mit einer einzelnen dreieckförmigen Elektrode pro Fläche gezeigt, welche etwas
ähnlichkeit mit der Vorrichtung der Fig. 4 A hat, doch ist das quadratförmige piezoelektrische
Quarzkristall substrat 22 W in der Vorrichtung 60 A anders montiert (es sind die
beiden unteren Ecken des Substrats 22 W mit den Stützgliedern 26 W und 28 W verbunden).
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Die Bezugszeichen in Fig. 4 C, welche den Bezugzeichen der Fig.
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1 A oder 1 B entsprechen, sind wiederum zur Identifizierung ähnlicher
Elemente der Vorrichtung 60 A benutzt, doch ist an die entsprechenden Bezugszeichen
der Fig. 4 C (oder 4 D) ein W angehängt. Die dreieckförmige Elektrode 38 W der Fig.
4 C oder 4 D zeigt eine unterschiedliche Anordnung auf dem quadratförmigen Substrat
22 W im Vergleich zu der dreieckförmigen Elektrode 38 V der Fig. 4 A oder 4 B, doch
hat der dreieckförmige Elektrodenabschnitt 38 W auf der einen Seite der Vorrichtung
60 A (Fig. 4 C) einen Uberlappungsbereich, der sich mit dem dreieckförmigen Elektrodenbereich
38 W auf der anderen Seite der Vorrichtung 60 A (Fig. 4 D) deckt.
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Mit bezug auf Fig. 5 A ist eine recnteckförmige piezoelektrische Quarzkristallvorrichtung
70 mit einer Einzelelektrode pro
Fläche gezeigt, die etwas ähnlichkeit
mit der in Fig. 4 C gezeigten Vorrichtung hat, die jedoch ein rechteckförmiges piezoelektrisches
Quarzkristallsubstrat 22 X hat. Die Bezugszeichen in Fig. 5 A, die den Bezugszeichen
der Fig. 1 A oder 1 B entsprechen, sind wiederum zur Identifizierung ähnlicher Elemente
der Vorrichtung 70 benutzt, doch ist an die entsprechenden Bezugszeichen der Fig.
5 A (oder 5 B) ein X angehängt. Der dreieckförmige Elektrodenabschnitt 38 X auf
der einen Seite der Vorrichtung 70 (Fig. 5 A) hat einen Uberlappungsbereich, der
mit einem ähnlichen Bereich des dreieckförmigen Elektrodenabschnittes 38 X auf der
anderen Seite der Vorrichtung 70 (Fig. 5 B) ausgefluchtet ist.
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Mit bezug auf Fig. 6 A ist eine im wesentlichen kreisförmige piezoelektrische
Quarzkristallvorrichtung 80 mit einer Doppelelektrode pro Fläche gezeigt, die etwas
Ähnlichkeit mit der in Fig. 1 A (oder 1 B) gezeigten Vorrichtung hat, doch hat sie
ein im wesentlichen kreisförmiges Substrat 22 Y und eine andere (dreieckförmige)
Elektrodenkonfiguration. Die Bezugszeichen in Fig. 6 A die den Bezugszeichen der
Fig. 1 A oder 1 B entsprechen, sind wiederum zur Identifizierung ähnlicher Elemente
der Vorrichtung 80 benutzt, doch ist an die entsprechenden Bezugszeichen der Fig.
6 A (oder 6 B) ein Y angehängt. Jede einzelne der beiden dreieckförmigen Elektroden
38 Y auf der einen Seite der Vorrichtung 80 (Fig. 6 A) hat einen Überlappungsbereich,
der mit einer korrespondierenden dreieckförmigen Elektrode 38 Y auf der anderen
Seite der Vorrichtung 80 (Fig. 6 B) fluchtet.
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Mit bezug auf Fig. 7 A ist eine im wesentlichen quadratförmige piezoeleitrische
Quarzkristallvorrichtung 90 mit einer Doppelelektrode pro Fläche gezeigt, die etwas
Ähnlichkeit mit der in Fig. 6 A oder 6 B gezeigten Vorrichtung hat, doch hat sie
ein quadratförmiges Substrat 22 Z, welches in der Vorrichtung 90 montiert ist wie
das in Fig. 4 A oder 4 B gezeigte Substrat 22 V. Die Bezugszeichen in Fig. 7 Ä,
die den Bezugszeichen von
Fig. 1 A oder 1 B entsprechen, sind wiederum
zur Kennzeichnung ähnlicher Elemente der Vorrichtung 90 benutzt, doch ist an die
entsprechenden Bezugszeichen der Fig. 7 A (oder 7 B) ein Z angehängt. Jede der beiden
dreieckförmigen Elektroden 38 Z auf der einen Seite der Vorrichtung 90 (Fig. 7 A)
hat einen Überlappungsbereich, der sich mit einer korrespondierenden dreieckförmigen
Elektrode 38 Z auf der anderen Seite der Vorrichtung 90 (Fig. 7 B) deckt.
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Mit bezug auf Fig. 7 a ist eine im wesentlichen quadratförmige piezoelektrische
Quarzkristallvorrichtung 90 A mit einer Doppelelektrode pro Fläche gezeigt, die
etwas Ähnlichkeit mit der in Fig. 7 A oder 7 B gezeigten Vorrichtung hat, doch ist
das quadratförmige Substrat 22 F an der Vorrichtung 90 A etwas ähnlich dem Substrat
22 W der Fig. 4 C montiert; der Anschluß ist hier jedoch nicht an den Bodenecken
desselben vorgenommen.
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Die Bezugszeichen in Fig. 7 C, welche den Bezugszeichen der Fig. 1
A oder 1 B entsprechen, sind wiederum zur Identifizierung ähnlicher Elemente der
Vorrichtung 90 A benutzt, doch ist den entsprechenden Bezugszeichen der Fig. 7 C
(oder Fig. 7 D) ein F angehangt. Jede der beiden dreieckförmigen Elektroden 38 F
auf einer Seite der Vorrichtung 90 A (Fig. 7 C) hat einen Uberlappungsbereich, der
sich mit einer korrespondierenden dreieckförmigen Elektrode 78 auf der anderen Seite
der Vorrichtung 90 A (Fig. 7 D) deckt.
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Mit bezug auf Fig. 8 A wird eine im wesentlichen rechteckförmige piezoelektrische
Quarzkristallvorrichtung 100 mit einer Doppelelektrode pro Fläche gezeigt, welche
der in Fig. 7 C oder 7 D gezeigten Vorrichtung ähnlich ist, doch hat sie ein rechteckförmiges
Substrat 22 G ähnlich dem rechteckförmigen Substrat 22 X der Fig. 5 A. Die Bezugszeichen
der Fig. 8 A, welche den Bezugszeichen der Fig. 1 A oder 1 B entsprechen sind wiederum
zur Identifizierung ähnlicher Elemente der Vorrichtung 100 benutzt, doch ist den
Bezugszeichen der Fig. 8 A (oder 8 B) ein G angehängt. Jede der beiden dreieckförmigen
Elektroden 38 G
auf der einen Seite der Vorrichtung 100 (Fig. 8
A) hat einen ÜTerlappungsbereich, der sich mit einer korrespondierenden dreieckförmigen
Elektrode 38 G auf der anderen Seite der Vorrichtung 100 (Fig. 8 B) deckt.
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Die dreieckförmigen Elektrodenabschnitte bei den Vorrichtungen der
Figuren 3 A, 3 B; 3 G, 3 D; 4 A, 4 B; 4 G, 4 D; 5 A, 5 B; 6 A, 6 B; 7 A, 7 B; 7
C, 7 D; und 8 A, 8 B haben die Beistungsfahigkeit dieser Vorrichtungen wesentlich
gesteigert durch Erzielung einer Dämpfung der unerwünschten oder nicht harmonischen
Moden um 5 db im Gegensatz zu ähnlichen Vorrichtungen mit rechteckförmigen Elektroden
(vgl. Fig. 10).
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Mit bezug auf Fig. 9 zeigt Schritt A ein Ausgangssubstrat 110, welches
ein Stück piezoelektrischen Quarzkristallsubstrats ist.
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Das Ausgangs-Substrat hat vorzugsweise eine kreisförmige Eonfiguration
mit einer flachen Kante an sich gegenüberliegenden Abschnitten und ist in seiner
Dicke mechanisch oder chemisch auf eine allgemein gewünschte Dicke für eine vorbestimmte
Frequenz reduziert. Wenn gewünscht können auch quadratförmige oder rechteckförmige
Substrate benutzt werden, doch ist das kreisförmige Substrat insbesondere vorteilhaft
zur Herstellung der tortenstückförmigen Substrate 22 oder 22 S der Vorrichtungen
der Figuren 1 A bzw. 2 A.
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In Schritt B ist das Substrat 110 dünner gemacht durch eine Ätzbehandlung
unter Benutzung einer gepufferten HF-Säure. Dies erfolgt zur genaueren Steuerung
der resultierenden Frequenz eigenschaften der fertigen Vorrichtung.
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Vor dem Aufbringen der in Schritt C gezeigten Metallauflage erfolgt
eine Reinigungsbehandlung, beispielsweise unter Benutzung von ultravioletem Licht
in einer speziellen Umgebung.
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Dann wird auf der Oberseite und der Unterseite des Substrats 110 vorzugsweise
durch eine Maske eine Metallschicht 112 aus
Aluminium aufgebracht,
um, wie n Schritt D für die Vorder- und die Rückseite gezeigt, ein gewünschtes Muster
zu erreichen. Alternativ wird die Metallschicht 112 auf der gesamten oberen und
unteren Hauptfläche des Substrats 110 aufgebracht, wie in Schritt C der Fig. 9 gezeigt,
woraufhin die in Schritt D gezeigten gewünschten Muster durch übliche photolithopraphische
Maskenabdeckung und Metallsäure-Techniken geätzt werden. Bei Bedarf können andere
Metallschichten benutzt werden. Falls gewünscht können Mehrfach-Metallschichten
benutzt werden, beispielsweise eine solche, wie aus einer 100 Angström starken Chromschicht
und einer 1,000 bis 10,000 starken Außenschicht aus Silber oder Gold zusammengesetzt
ist.
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Mit bezug auf Schritt D ist das auf der Vorder- oder Oberseite des
Substrats 110 und das auf der Rück- oder Bodenseite des Substrats 110 geformte Metallmuster
112 vor der Zerteilung gezeigt, welche in Schritt E ausgeführt wird, um aus einem
einzigen Ausgangs substrat vier tortenstückförmige Vorrichtungen zu erhalten.
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Mit bezug auf Schritt E wird (mittels eines Schreib- und Brechverfahrens
oder durch Anwendung eines Diamantrad-Schnittes oder durch einen Schnitt mit einer
Schlammsäge) eine Zerteilung durchgeführt, um vier vierteltortenförmige Teile zu
erhalten, deren jedes zwei tortenstückförmige Elektroden pro Fläche hat (eines dieser
Stücke ist in der Vorrichtung der Fig. 1 A oder 1 B gezeigt). Bei Benutzung eines
(kreisförmigen) Ausgangssubstrats hat jedes der vier vierteltortenförmigen Stücke
die gleichen Temperatur- und Frequenzeigenschaften wie die anderen, woraus sich
angepaßte Komponenten für die Anwendung bei elektronischen Systemen ergeben. Die
Herstellung der einzelnen tortenförmigen Elektrode auf dem tortenstückförmigen Substrat,
wie in Fig. 2 A oder 2 B gezeigt, erfolgt in der gleichen Weise mit Ausnahme der
Bildung eines Metallmusters auf jeder Seite mit vier tortenstückförmigen Elektroden,
um die Bildung der in Fig. 2 A gezeigten
Vorrichtung zu ermöglichen.
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Fig. 10 zeigt eine graphische Ansicht der elektrischen Ansprechkurve
eines im wesentlichen kreisförmigen piezoelektrischen Quarzkristallsubstrats mit
zwei rechteckförmigen Elektroden pro Fläche, wie sie im oberen rechten Feld dieser
Figur gestrichelt angedeutet sind. Die Abszisse ist die Frequenz der Vorrichtung
in kHz und die Ordinate ist die Veränderung in db. Wie man erkennt, ist die Vorrichtung,
deren elektrische Ansprechkurve in Fig. 10 dargestellt ist, durch die Frequenz von
1070 kHz einer Bauptharmonischen ausgezeichnet, hat aber Nebenmoden, wie in der
Höhe von -30 db unterhalb der Hauptharmonischen-Mode gezeigt.
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Fig. 11 zeigt eine graphische Ansicht ähnlich derjenigen der Fig.
10, basiert aber auf einem tortenstückförmigen (vierteltortenförmigen) piezoelektrischen
Quarzkristallsubstrat mit zwei tortenstückförmigen Elektroden pro Fläche, wie im
oberen Rechten Feld der Fig. gestrichelt dargestellt. Wiederum ist die Abszisse
äie Frequenz der Vorrichtung in kHz und die Ordinate ist die Veränderung in db.
Die Vorrichtung der Fig. 11 ist ebenso durch die Frequenz einer Hauptharmonischen
von 1070 kHz ausgezeichnet, zeigt aber eine deutliche Dämpfung der Nebenmoden bis
zu einem Pegel von -40 db abwärts von der Hauptharmonischen-Mode, was eine Verbesserung
von 10 db gegenüber einer Vorrichtung herkömmlichen Typs bedeutet, deren Ansprechkurve
in Fig. 10 gezeigt ist.
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Es versteht sich, daß die gezeigten Ausgestaltungen nicht erschöpfend
sind. So können tortenstückförmige Elektroden anstelle der in den Figuren gezeigten
dreieckförmigen Elektroden im Zusammenhang mit kreisförmigen, quadratförmigen oder
rechteckförmigen Substraten benutzt werden. Natürlich können im Bedarfsfall auch
mehr als zwei Elektroden pro Substratfläche benutzt werden.