DE2855168A1 - Bipolarer spannungsdetektor - Google Patents

Description

GLAWE, DELFS, MOLL & PARTNER Nippon Electric Company Ltd. Tokyo / JAPAN

Bipolarer Spannungsdetektor

2855168 Patentanwälte

DR.-ING. RICHARD GLAWE. MÜNCHEN DIPL.-ING. KLAUS DELFS. HAMBURG DIPL.-PHYS. DR. WALTER MOLL, MDNCHEN* DIPL.-CHEM. DR. ULRICH MENGDEHL. HAMBURQ

ZUGELASSENE VERTRETER BEIM

EUROPAISCHEN PATENTAMT * ZUGL. OFF. BEST. U. VEREID. DOLMETSCHER

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Beschreibung

Die Erfindung betrifft einen bipolaren Spannungsdetektor.

Ein bipolarer Spannungsdetektor oder -vergleicher weist vielfältige Anwendungsgebiete auf und wird gegenwärtig in monolithischen integrierten Schaltkreisen implementiert. Der 5 Detektor wird beispielsweise in einem RauEchunterdrücker in

einer Schaltung verwendet, wie sie von L. Calandrino in "Alta yrequenza", Band 36, Seite 726 - 731 (Nr. 8, August 19-67) beschrieben wurde. Ein herkömmlicher bipolarer Spannungsdetektor weist, wie es im nachfolgenden anhand der Fig. 1 und 2 beschrie· 10 ben wird, den Nachteil auf, daß die Spannungsdetektionspegel

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stark von der Umgebungstemperatur und der Stromversorgung abhängen und daß der Detektor eine große Anzahl von Schaltungselementen aufweisen muß, wie etwa Kondensatoren, die dem Grundbestandteil des Detektors hinzugefügt werden, der durch einei monolithischen integrierten Schaltkreis realisiert wird.

Demgegenüber besteht eine wesentliche Aufgabe der Erfindung darin, einen bipolaren Spannungsdetektor zu schaffen, dessen Spannungsdetektionepegel bzw. Spannungspegel im wesentlichen unabhängig von der Umgebungstemperatur und der Stromversorgung sind.

Eine weitere wesentliche Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen bipolaren Spannungsdetektor zu schaffen, der lediglich einen Kondensator benötigt.

Eine weitere sehr wesentliche Aufgabe der Erfindung besteht darin, einaabipolaren Spannungsdetektor der oben beschriebenen Art zu schaffen, der für eine Implementierung in monolithische integrierte Schaltkreise geeignet ist.

Der erfindungsgemäße bipolare Spannungsdetektor mit einer Eingangeklemme für ein bipolares Eingangssignal, einer Ausgangsklemme für ein Auegangssignal, einer Stromversorgungs- klemae für eine Stromversorgungsspannung, und einer Transistor-

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anordnung, die entsprechend mit der Eingangs-, Ausgangs- bzw. Stromversorgungsklemme verbunden ist und vorbestimmte Schwellenwertpegel für die positive und negative Komponente des Eingangssignalβ aufweist, um der Ausgangeklemme als Ausgangssignal eine Folge von Ausgangsimpulsen zuzuführen, die sich auf- und abbauen, wenn das Eingangssignal den Absolutwert der Schwellenwertpegel überschreitet, ist dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoranordnung aufweist: Ein erstes Transistorpaar mit einem ersten und zweiten Transistör, deren Emitter miteinander verbunden sind, ein zweites Transistorspaar mit einem dritten und vierten Transistor, deren Emitter miteinander verbunden sind, eine erste und zweite Konstantstromschaltung, die die Emitter der Transistoren des ersten und zweiten Transietorpaars jeweils mit Erde verbindet und für jeden Transistor einen vorgewählten Strom liefert, Vorspannungseinrichtungen, die die Basen des ersten und dritten Transistors mit einer höheren Vorspannung beaufsohlagen als die des zweiten und vierten Transistors, eine Verbindungsleitung zwischen den Kollektoren des ersten und dritten Transistors und der Stromversorgungeklemme,eine mit der Eingangsklemme verbundenen Eingangseinrichtung zur Überlagerung der jeweiligen Basisvorspannungen des zweiten und dritten Transistors mit dem Eingangssignal und eine mit den Kollektoren des zweiten und vierten Transistors der Ausgangsklemme und der Stromversorgungsklemme verbundene Auegangseinrichtung zur Zuführung des Ausgangssignals zur Aus-

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gangsklemme. Dabei sollten die Differenzen zwischen den Easisvorspannungen des ersten und zweiten Transistors und zwischen den Basisvorspannungen des dritten und vierten Tranaistors jeweils durch die Schwellenwertpegel für die positive und negative Komponente bestimmt werden.

Hit dem erfindungsgemäßen bipolaren Spannungedetektor können Ausgangsimpulse erzeugt werden, die sich schnell aufbauen, und zwar im wesentlichen unabhängig von der Umgebungstemperatur und der Stromversorgungsspannung. Darüber hinaus erleichtert der bipolare Spannungsdetektor gemäß der Erfindung die Ausbildung eines Verstärkers, der in der Stufe vor dem Detektor verwendet wird.

Demnaoh sieht die Erfindung einen bipolaren Spannungsdetektor vor, der erste und zweite Transistoren, deren Elek- troden über eine erste Konstantstromschaltung mit einem vorgewählten Strom mit Erde verbunden sind, einen dritten und vierten Transistor, deren. Elektroden über eine zweite Konetantatromquelle mit vorgewähltem Strom mit Erde verbunden sind, sowie eine Stromvereorgungeklemme für die Stromver sorgungsspannung auf. Die dem ersten und dritten Transistor zugeführte Basisvorspannung ist jeweils größer als die für den zweiten und vierten Transistor. Die Kollekteren des ersten und dritten Transistors werden mit der Stromvereorgungeklemme verbunden. In Abhängigkeit von einem bipolaren Eingangs-

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signal, das der Basisvorspannung des zweiten und dritten Transistors überlagert wird, wird eine Folge von Ausgangsimpulsen, die eich dann auf- und abbauen, wenn das Eingangssignal die Differenzen zwischen den Basisvorspannungen des ersten und zweiten Transistors und zwischen denen des dritten und vierten Transistors überschreitet, als ein Ausgangesignal von den Kollektoren des zweiten und vierten Transistors erzeugt, die mit der Stromversorgungskleaune verbunden sind. Die Basisvorspannungen werden vorzugsweise von Potentialteilern abgenommen, die im wesentlichen aus Widerständen bestehen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 die Schaltung eines herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektorsι

Fig. 2 die Eingangs- und Ausgangs-Kennlinie des Detektors nach Fig. 1j

Fig. 3 die Schaltung eines erfindungsgemäßen bipolaren Spannungedetektorsj

Fig. 4 die Eingangs-Ausgangs-Kennlinie des Detektors nach Fig. 3>

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Fig· 5 die Temperaturabhängigkeit der Spannungsdetektionspegel dee Detektors nach Fig. 3 gegenüber der eines herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektors]

Fig. 6 die Schaltung· eines bipolaren Spannungsdetektore gemäß einem zweiten Aueführungebeiepiel · der Erfindung und

Fig. 7 einen Teil einer AVR-Schaltung, die gegenüber

dem in Fig. 6 dargestellten Detektor eine Modifizierung aufweist.

Zum besseren Verständnis wird zuerst ein in den Fig. 1 und 2 dargestellter herkömmlicher bipolarer Spannungsdetektor 10 beschrieben. Der Detektor 10 weist eine Eingangeklemme 11 für ein bipolares Eingangssignal V, und eine Aus- gangeklemme 12 auf, an der eine Folge von AuBgangsimpulsen ala ein Ausgangssignal V- abgenommen wird. Vie am besten aus Fig. 2 zu ersehen ist, muB das Eingangssignal V, nicht sinusförmig sein. Da8 Eingangssignal V. wird einem ersten Transistor 15 über einen ersten Kondensator C zugeführt, der als Gleichspannungs-Sperrkondensator dient. Der Basis des Transistors 15 wird durch einen ersten und zweiten Widerstand und 17t die in Reihe zwischen einer Stromversorgungsklemme V

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für die Zuführung der Stromversorgungsspannung Y^_n (der

CC

Einfachheit halber werden die gleichen Bezugszeichen verwendet) und Erde geschaltet sind, eine Basisvorspannung zugeführt und der Kollektor ist über einen dritten Widerstand 18 mit der Stromversorgungsklenune V und der Emitter

CC

über einen vierten Widerstand 19 mit Erde verbunden. Das Eingangssignal V. wird durch den Transistor 15 phasengeteilt, so daß am Emitter und Kollektor positive und negativ· Komponenten auftreten. Die positiven Komponenten werden einem zweiten Transistor 21 zugeführt, und zwar über einen als Gleiohspannungssperrkondensator dienenden zweiten Kondensator 25 und eine erste Diode 24 zur Gleichrichtung der positiven Komponenten. Sie negativen Komponenten werden in ähnlioher Weise über einen dritten Kondensator 25 und eine zweit· Diode 26 dem zweiten Transistor 21 zugeführt. Die dritte und vierte Diode 28 und 29 dient zur Absorbierung bzw. Dämpfung der in umgekehrter Richtung verlaufenden Spannungsstöße. Der Detektor 10 kann auch als ein bipolares Detektionssystea verwendet werden, das einen Ver- stärker (nioht dargestellt) mit einer Ausgangsklemme auf-. weist, die direkt mit der Eingangsklemm· 11 verbunden ist.

Bei dem in Fig. 1 dargestellten Detektor 10 ist der Spannungsabfall V_fd in Durohlaßriohtung bei der ersten und zweiten Diode 24 und 26 gleich der Basisemitter-Durchlaßspannung T. des zweiten Transistors 21. Jede dieser Spannun-

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gen V_- und V, ist typischerweise 0,7 V in einer monolithischen integrierten Schaltung. Vie aus Fig. 2 zu ersehen ist, treten an der Ausgangsklemme 12 rechteckige Ausgangsimpulse als Ausgangssignal V_Q auf, wenn der Absolutwert J V. ! des Eingängeβignals V. die folgende Gleichung erfüllt ι = Y + V = 2V M)

^vfd ^{+ v}be be ^u;

Die Gleichung (1) zeigt, daß der Spannungsdetektionspegel für die jeweiligen positiven und negativen Komponenten des Eingangssignals V. bestimmt wird durch die Basis- Emitter-Durchlaßspannung V^ und gleich etwa 1,4 V ist. Die Spannungsdetektionspegel ändern sich damit mit der Umgebungstemperatur. Insbesondere steigt die Spannungsdetektionsempfindliohkeit mit der Umgebungstemperatur an, da die Basis-Emitter-Durchlaßspannung V, einen negativen

Temperaturkoeffizienten aufweist, der typischerweise gleich -2mV/°C ist. Darüber hinaus sind die spannungsabhängigen Spannungsdetektionspegel lediglich stufenweise unter Vervendung von zwei oder mehr, in Reihe geschalteten Dioden an Stelle von beiden oder einer der ersten und zweiten Dioden 24 und 26 veränderbar. Es ist daher erforderlich, die Spannungsveretärkung des Verstärkers der ersten Stufe durch wahlweises Verändern der Spannungsdetektionspegel des gesamten Systems zu verändern. Der Verstärker muß eine hohe Spannungsverstärkung aufweisen, wenn das System selbst bei

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niedriger Temperatur arbeiten sollte. Dies macht das System unstabil. Zusätzlich dazu weist der Detektor 10 drei Kondensatoren C, 23 und 25 auf.

Fig. 3 zeigt nun ein erstes Ausführungabeiepiel eines erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektors 30, bei dem gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen, wie etwa 11, 12, C und V gekennzeichnet sind. Die Eingangs- und Ausgangssignale und die Stromversorgungsspannung werden dargestellt durch V. , V_n und V . Der Detek-

in υ cc tor 30 weist eine Vielzahl von Differential- bzw. Differenz-Tranaiatorpaaren auf, wie etwa ein erstes und zweites Transistorpaar 31, 32. Das erste Traneistorpaar 31 weist einen ersten und zweiten Transistor Q₁ und Q₂ auf, deren Emitter miteinander und über eine erste Konstantstromschaltung 30 mit vorgewähltem Strom I_Q mit Erde verbunden sind. Das zweite Transiatorpaar 32 weist einen dritten und vierten Transistor Q, und Q, auf, deren Emitter miteinander und über eine zweite Konstantstromschaltung 34 mit dem vorgewählten Strom Ι« mit Erde verbunden sind. Ein gemeinsamer Widerstand R_o, eine Diode 36 und eine Zenerdiode 37 sind in Reihe geschaltet zwischen der Stromversorgungsklemme V und Erde und liefern ein· stabilisierte Spannung 7 an der

Reihenschaltung aus den Dioden $6 und 37· Dem ersten Transistor Q₁. wird eine erste Basisvorspannung V^ zugeführt,

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die aufgrund einer Spannungsteilung durch einen ersten Widerstand R₁ und eine Reihenschaltung aue zweitem und dritten Widerstand R« und R, der stabilisierten Spannung V abgenommen wird. Dem zweiten Traneistor Q„ wird eine zweite Basisvorspannung V₂ zugeführt, die durch Spannungeteilung der stabilisierten Spannung V in Folge des vierten, und fünften Widerstands R. und R₁- abgenommen wird. Dem dritten Transistor Q, wird eine dritte Baeisvorspannung V, zugeführt, die im dargestellten Ausführungsbeispiel gleich der zweiten Basisvorepannung Vg ist. Der zweite und dritte Widerstand R₂ und R, dienen zur Zuführung einer vierten Baeisvorspannung V. zum vierten Transistor Q.. Die erst· Basiavorspannung V. ist höher als die zweite Basisvorspannung V- und die dritte Basisvorepannung V, ist höher all die viert« Basisvorspannung V..

Wie aus Fig. 3 zu ersehen ist wird über eine Verbindungsleitung 41 den Kollektoren des ersten und dritten Transistors (L und Q, die Stromversorgungsspannung V zu- · geführt. Die Kollektoren des zweiten und vierten Transistore Q₂ una Q^ sind mit einer Verbindungsleitung 42 ver bunden, die mit der Auegangsklemme 12 über einen Stromreflektor 45 verbunden ißt, der einen ersten und zweiten NFN-Transistor 46 und 47 aufweist, deren Emitter mit der Stromversorgungsklemme V verbunden sind. Der erste NPN-

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Transistor 46 wird als Diode verwendet. Die Transistoren 46 und 47 weisen zueinander gleiche Emitterbereiche in einem monolithischen integrierten Schaltkreis auf. Ein Lastwiderstand 49 ist zwischen der Ausgangeklemme 12 und Erde geschaltet. Das Eingangssignal V. wird über den ersten Kondensator C, der der einzige Kondensator bei dem erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektor ist, den Basiselektroden des zweiten und dritten Traneistore Qg und Q, zugeführt. Die ersten und zweiten Traneistorpaare 51 und 32 dienen Jeweils zur Verarbeitung der positiven und negativen Komponenten des Eingangssignals V. ₄ Das Ausgangseignal V₀ wird über die Verbindungsleitung 42 abgenommen. Die Spannung von Spitze zu Spitze der Ausgangsimpulse de· Ausgangssignals V- wird bestimmt durch ein Produkt Iq * r, wobei r den Widerstandswert des Lastwider-■tanda 49 darstellt.

Die stabilisierte Spannung V ist kaum von der Stromversorgungsspannung V abhängig und ändert sich nur wenig mit der Umgebungstemperatur, da die Diode 36 einen negativen Temperaturkoeffizienten von -2 mV/°C, wie bereits oben beschrieben wurde, und die Zenerdiode 37 einen positiven Temperaturkoeffizienten von +2 mV/°C aufweist. Aber selbst wenn eine Schwankung in der stabilisierten Spannung V auftritt, ■o werden durch die Spannungeteilung die Schwankungen in den

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Basisvorapannungen V₁ tie V. klein gemacht. Die Basievorspannungen V₁ bis V. Bind daher im wesentlichen lediglich vom ViderstandeverhältniB des «raten bis fünften Widerstands R₁ bis R₁- abhängig, die für die Spannungsteilung verwendet werden. Damit können die Schwellen wert epannungen oder Spannungedetektionspegel V.. / \ und V,, / y. für die positiven und negativen Komponenten bestimmt werden mit t

^rth(₊) - ^Y1 -

V_z[(R₂ + B₃)Z(R₁ +R_{2 +} R₃) - R₅/(R₄ + R₅)] (2)

^Vth(.) · ^T3 - ^T4

+R_{2 +} R₃)J, (3)

wobei R₁, R₂, Rz, R. und R₁. die Widerstandewerte des ersten bis fünften Widerstands R₁ bis R^ darstellen und die gleichen Bezugszeichen verwendet wurden. Die Schwellenwertspannungen V._h (wobei die Indizes (+) und (-) weggelaesen werden) sind damit frei wählbar und können bis zu 0,1 V klein sein. Darüber hinaus können die Schwellenwertspannungen V₄, mit hoher Ge-

*n nauigkeit auegewählt werden, da hoch präzise Widerstandsverhältniese in einem monolithischen integrierten Schaltkreis zur Verwendung in den Gleichungen (2) und (3) leicht reali-

eiert werden können. Die Spannung von Spitze zu Spitze der Auegangeimpulse ist durch die Wahl des Viderstandswerts r des Lastwiderstands 49 wählbar. Diese Vorzüge ergeben einen weiteren Vorzug, nämlich die Möglichkeit der Anpassung an die Erfoderniese des Verstärkers der vorhergehenden Stufe und damit dessen leichtere Konzipierung.

Vie aus den Fig. 4 und. 5 ersichtbar ist, bauen sich die Ausgangsimpulse des Ausgangssignals V_Q schnell auf und ab, eo bald das Eingangssignal V. bezüglich seines Absolutwerte die Schwellenwertspannungen V₊, / \ und V., / χ für die positiven und negativen Komponenten überschreitet. Daraus ist auch zu ersehen, daß die Eingangsspannung 0 in Fig. 4 die gemeinsame Basisvorspannung des zweiten und dritten Transistors Q₂ und Q, darstellt.

Die Spannungsdetektionspegel des bipolaren Spannungsdetektors 30 werden konstant gehalten, wie es durch die Linie und in Fig. 5 dargestellt ist. Die des herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektors, wi· etwa des Detektors 10, nehmen bei zunehmender Umgebungstemperatur ab, wie ββ bereits oben beschrieben wurde und durch eine weitere Linie 52 dargestellt iet.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektors 60 ist in Fig.. 6 darge-

stellt. Der Lastwiderstand 49 ist mit der Verbindungeleitung 42 für die Kollektoren des zweiten und vierten Traneistora Q₂ ^und· Qa sowie mit der Spannungsversorgungs-

klemme V verbunden. Dem ersten Transistor Q₄ wird eine cc 1

erste Basisvorspannung V₁ zugeführt, die durch Spannungsteilung durch den ersten und zweiten Widerstand 61 und 62 von der stabilisierten Spannung V abgenommen wird. Die erste Basisvorspannung wird über einen gemeinsamen Baeiswiderstand 63 der Basis eines ersten Hilfstransistora Q^ zugeführt, um die zweite Basisvorspannung V₂ für den zweiten Transistor Q₂ von der Emitterelektrode des Hilfetransistors Qc abzunehmen.

Die erste Basisvorspannung V₁ wird auf der Basis eines zweiten Hilfetransistors Qg zugeführt, der eine dritte Basisvorspannung V, für den dritten Transistor Q, an seiner Emitterelektrode liefert. Dem vierten Transistor Q. wird eine vierte Basisvorspannung V, von einem Verbindungspunkt zwischen dem gemeinsamen Basiswiderstand 63 und der Basis des ersten Hilfstransistors Q,- zugeführt. Das Eingangesignal V. wird beiden zweiten und dritten Basisvorspannungen V„ und V, überlagert. Fig. 7 zeigt eine veränderte Ausführungaform des erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektors mit einem Stromreflektor 45t der «inen ersten und zweiten NFN-Transistor 46 und 47 vie in Fig. 3 aufweist. Der Lastwideretand 49 weist einen

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mit der Verbindungeleitung 42 über den Stromreflektor 45 verbundenen ersten Lastwiderstand 66 und einen zweiten Lastwiderstand 67 auf« der zwischen dem Widerstand 66 und Erde geschaltet ist. Mn Teil des in Fig. 7 dargestellten bipolaren Spannungsdetektors kann damit als eine Veränderung des in Fig. 3 dargestellten Detektors 30 aufgefaßt werden. Auf jeden Fall wird eine Folge von Ausgangsimpulsen mit einer Spannung von der Spitze zu Spitze = I_ · r« am zweiten Lastwiderstand 67 entwickelt, wobei r¹ den Wider- βtandswert des Widerstands 67 darstellt. Parallel zum zwei ten Lastwiderstand 67 ist ein Kondensator 69 mit einer relativ großen Kapazität geschaltet,wie etwa ein Elektrolyt -kondensator. Ee wird daher eine geglättete Spannung an der Gleichepannungsklemme 71 abgenommen, die mit der nicht ge erdeten Elektrode des Elektrolytkondensators 69 verbunden ist. Die geglättete Spannung wird einem Transistors 72 zur automatischen Regelung der Verstärkung eines Verstärkers (nicht dargestellt) zugeführt, dessen Eingangsklemme mit einer AVR-(automatisohe Verstärkungsregelung) Klemme ver bunden ist. Insbesondere ändert eich die Impedanz dee AVR- Traneietors 72 mit der geglätteten Spannung. Die Verstärkung des Veretärkere wird damit in Übereinstimmung mit dem Verhältnis eines Eingangswiderstands (nicht dargestellt), der ., zwischen einer Signalquelle (nicht dargestellt) und der

2$ AVR-Klenme 75 geschaltet ist, und der Impedanz geregelt.

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Änderungen und Ausgestaltungen der beschriebenen Ausführungsbeispiele sind für den Fachmann ohne weitere» möglich und fallen in den Rahmen der Erfindung. So kann der anhand von Fig. 3 beschriebene erfindungsgemäße bipolare Spannungsdetektor mindestens ein weiteres Differential-Transistorpaar zusätzlich zu den beiden Paaren 51 und 32 aufweisen. Sie stabilisierte Spannung V kann auch durch andere Einrichtungen geliefert werden.

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Claims (1)

1. Patentansprüche

   Bipolarer Spannungsdetektor mit einer Eingangsklemme

   für ein bipolares Eingangssignal, einer Ausgangsklemme für ein Ausgangssignal, einer Stromversorgungsklemme für die Stromversorgung und einer Transistoranordnung, die entsprechend mit der Eingangs-, Ausgangs- bzw. Stromversorgungskiemine verbunden ist und vorbestimmte Schwellenwertpegel für die positive und negative Komponente des Eingangssignals aufweist, um der Ausgangsklemme als Ausgangssignal eine Folge von Ausgangsimpulsen zuzuführen, die sich auf- und abbauen, wenn das Eingangssignal den Absolutwert der Schwellenwertpegel überschreitet, dadurch gekennzeichnet, daß die Transi«türanordnung aufweist :

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   ORIGINAL INSPECTED

   BANK: DRESDNER BANK, HAMBURG, 4 030 448 (BLZ 200 800 00) ■ POSTSCHECK: HAMBURG 147607-200 - TELEGRAMMrSPECHTZiES

   Ein Transistorpaar (31) mit einem ersten und zweiten Transistor (Q₁, Q₂)* «leren Emitter miteinander verbunden sind,

   ein zweites Transistorpaar (32) mit einen dritten und vierten Transistor (Q,, Q₄), deren Emitter miteinander verbunden Bind,

   eine erste und zweite Konstantstromsohaltung (33, 34)» die die Emitter der Transistoren (Q₁ - Q,) des ersten und zweiten Transistorpaars (31, 32) jeweils mit Erde verbindet und für jeden Transistor einen vorgewählten Strom liefert,

   Vorspannungseinrichtungen (V₁ - V.), die die Basen des ersten und dritten Transistors (Q₁, Q,) mit einer höheren Vorspannung beaufschlagen als die des zweiten und vierten Transistors (Q₂, Q₄), wobei die Differenzen zwischen den Basisvorspannungen des ersten und zweiten Transistors (Q₁, Q₂) und zwischen den Basisvorspannungen des dritten und vierten Transistors (Q-, Q.) jeweils durch die Schwellenwertpegel für die positive und negative Komponente (V.. / \, V.. / \) bestimmt werden,

   eine Leitungsverbindung zwischen den Kollektoren des ersten und dritten Transistors (Q₁, Q,) und der Stromversorgunge klemme (V_Q0),

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   ein· mit der Eingangsklemme verbundene Eingangseinrichtung zur Überlagerung der jeweiligen Basievorspannung dee zweiten und dritten Transietore (Q~, Q*) mit dem Eingangssignal und

   eine mit dem Kollektor des zweiten und vierten Transistors (Q₂, Q,), der Ausgangeklemme (12) und der Stromversorgungsklemme (V ) verbundene Ausgangseinrichtung zur Zuführung

   CC

   des Ausgangssignals zur Ausgangeklemme (12).

   2. Bipolarer Spannungsdetektor nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannunge einrichtungen eine Einrichtung zum Erzeugen einer stabilisierten Spannung (V ) und Widerstände (R, - Hc) zum Teilen der stabilisierten Spannung (V ) in Basisvorspannungen des ersten bis vierten Transistors (Q₁ - Q.) aufweisen, wobei die Basisvorspannungen des zweiten und dritten Transistors (Qo* Qx) zueinander gleich sind.

   3· Bipolarer Spannungsdetektor naoh einem der Ansprüche 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet , daß die Ausgangseinrichtung zwischen der Ausgangsklemme (12) und Erde einen Lastwiderstand (49) 66, 67) und einen Stromreflektor (45) zwischen den Kollektoren des zweiten und vierten Transistors (Q₂, Q₄)t der Ausgangeklemme (12) und der Stromversorgungsklemme (V ) aufweist.

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   4. Bipolarer Spannungedetektor nach einem der Aneprüche 1 oder 2 , daduroh gekennzeichnet« daß die Auegangeeinrichtung eine Verbindungeleitung zwischen dem Kollektor des zweiten und vierten Transistors und der Auegangsklemme sowie einen Lastwiderstand zwischen der Leitung·verbindung und der Stromvereorgungeklemme aufweist.

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