DE2849536A1 - Bistabile magnetostriktive anordnung - Google Patents

Bistabile magnetostriktive anordnung

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DE2849536A1
DE2849536A1 DE19782849536 DE2849536A DE2849536A1 DE 2849536 A1 DE2849536 A1 DE 2849536A1 DE 19782849536 DE19782849536 DE 19782849536 DE 2849536 A DE2849536 A DE 2849536A DE 2849536 A1 DE2849536 A1 DE 2849536A1
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bistable
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/12Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using tensors; using twistors, i.e. elements in which one axis of magnetisation is twisted
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N35/00Magnetostrictive devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N35/00Magnetostrictive devices
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Description

2349536
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
ru/zi
Bistabile magnetostriktive Anordnung
Die Erfindung betrifft eine bistabile magnetostriktive Anordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Magnetostriktive Materialien und ihre Anwendung zur Speicherung von Informationen sind seit langem in der Datenverarbeitung bekannt. Auch sind durch die US-PS 3 820 090 bistabile ferromagnetische Drähte bekannt geworden, die zur Informationsspeicherung verwendet werden. Derartige Drähte werden dadurch benutzt, daß mit einem Draht, bestehend aus 48 Prozent Eisen und 52 Prozent Nickel eine Dehnung um 2 1/2 Prozent vorgenommen wird. In dem ÜS-PS 3 217 301 ist ein Herstellungsverfahren für ein bistabiles magnetostriktives Element beschrieben. Hier ist das Substrat aus einem innen leitenden Metall, wie z. B. Kupfer, Aluminium, Messing oder Bronze gebildet. Außerdem sind durch die US-PS 3 129 und die US-PS 3 145 372 Verzögerungsleitungen mit Dünnfilmen mit rechteckiger Hysteresiskurve bekannt, die aus dünnen Nickel-Eisen-Filmen mit einem Verhältnis von 85:15 oder 75:25 bestehen und eine magnetische Anisotropie (leichte Magnetisierungsachse) aufweisen. Dabei werden die akustischen Wellen, die sich längs der Leitung fortsetzen, an dem einen Ende des Substrats erzeugt und die Informationen werden an einer anderen Stelle induktiv eingebracht. Dabei werden die Wellen im dünnen Film beim Laufen entlang der Oberfläche der Verzögerungsleitung phasenverschoben. Grundsätzlich unterscheidet man bei den magnetostriktiven Verzögerungsleitungen zwischen den sogenannten Längsschwingern und den Torsionsschwingern. Bei den Längsschwingern wird die erzeugte Welle
977 οίο 90982B/06U
längs des Leiters durch Zusammenziehen und Ausdehnung des Leiters erzielt, während bei den Torsionsschwingern die erzeugten Wellen spiralförmig auf der Oberfläche des Leiters bewegt werden.
Weitere magnetostriktive Elemente sind in den US-PS 3 492 667 . und 3 534 340 beschrieben. Einen semipermanenten Speicher, j der aus einer Wicklung, die einen Kern aus einem weichen j magnetischen Film mit einem Überzug aus einem harten magne- j !tischen Film aufweist, ist in der US-PS 3 548 390 beschrieben, j
All diese bekannt gewordenen bistabilen magnetostriktiven j Anordnungen bzw. Elemente sowie deren Herstellungsverfahren beschäftigen sich mit solchen, die einen diagonalen Winkel der magnetischen Anisotropie zur Achse des zylindrisch ge- j formten oder glatten Substrats aufweisen. Dies insbesondere dann, wenn die eigentliche magnetostriktive Schicht in einem Platierungsverfahren aufgebracht wird.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine bistabile magnetostriktive Anordnung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen, ohne daß das Material beim Herstellen der schraubenförmigen Anisotropie für ein magnetostriktives Element mechanisch gestreßt wird und wobei das geschaffene bistabile magnetostriktive Element verbesserte Leistungswerte aufweist.
Die erfindungsgemäße Lösung für die bistabile magnetostriktive Anordnung besteht im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 und für das Verfahren zu seiner Herstellung im Kennzeichen des Patentanspruchs 4.
Weitere Lösungen ergeben sich aus den Kennzeichen der Unteransprüche.
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:Die erfindungsgemäße Lösung bringt ein bistabiles magnetostriktives Element, das gegenüber den bisher bekannt gewordenen hervorragende Leistungsdaten, wie Frequenz, Länge des Leiters, Einfachheit des Herstellungsverfahrens und Zuverlässigkeit erreicht.
Die Erfindung wird nun anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
'Es zeigen:
Fig. 1 zeigt ein Segment zur Schaffung eines Kerns eines \ J bistabilen magnetostriktiven Elements; ;
i -
j I
:Fig. 2 zeigt die Leitung nach Fig. 1 mit einer Schicht j j eines dünnen Films magnetostriktiven Materials über- j
I zogen; j
: j
Fig. 3 zeigt die Struktur der Fig. 2 in einem longitudinaj len Schnitt, die besonders das Magnetisierungsfeld I und das Demagnetisierungsfeld innerhalb der Struktur zeigt;
iFig. 4 zeigt eine ähnliche Struktur wie Fig. 2 mit einem
hohlen Kern;
[Fig. 5 zeigt einen rechteckigen Leiter mit einer magneto-
j striktiven Schicht;
Fig. 6 zeigt einen DünnfiImsatz, der auf ein Material mit einem überzogenen Kern in Sandwichart aufgebracht ist und
Fig. 7 zeigt einen Dünnfilmsatz auf einem Material wie in Fig.. 6 mit einem dünnen magnetostriktiven Film auf dem Kern und auf einem magnetischen Substrat.
Y0 977 01° 909825/06*2
IIn Fig. 1 ist ein Kern 10 von kurzer Länge eines geeigneten •käuflichen Materials, wie z. B. Berylliumkupfer, Molybde'n, Nickelchrom oder nicht magnetischen, rostfreiem Stahl oder einem weichen magnetischen Material aus Nickeleisen im Verhältnis 80:20 Prozent gezeigt. Der Leiter hat eine Dicke von ;0,002 bis 0,020 inch und eine zylindrische Form. Es ist allerdings auch möglich, daß der Leiter eine andere Form, (Wie z. B. eine elliptische oder eine rechteckige, aufweisen kann.
j In Fig. 2 ist der in Fig. 1 dargestellte Leiter 10 mit einer dünnen Schicht 11 eines magnetostriktiven Materials, wie z. B. Nickeleisen oder Eisenkobalt, jeweils im Verhältnis 50:50, dargestellt. Die Dicke der Schicht beträgt dabei 2 bis 20 μ, wobei die Schicht selbst durch eine bekannte iTechnik, wie z. B. Elektroplatieren oder Aufdampfen oder ;Ionenxmplantxerung, aufgebracht werden kann. Durch einen !äußeren Magneten wird ein Magnetfeld, das mit der longitu-1dinalen Achse des Leiters 10 in einer Richtung liegt, erzeugt, außerdem wird über den elektrischen Leiter ein Strom geschickt, der ein im rechten Winkel dazu stehendes Magnetfeld über die Leitung 10 und den dünnen Film 11 erzeugt. Die zwei magnetischen Felder überlagern sich, um ein schraubenförmiges magnetisches Feld über den Leiter 10 zu erzeugen, und zwar so, daß jeder Punkt an der Oberfläche des Leiters 10 dem magnetischen Feld ausgesetzt ist, und zwar genau 45 zu einer Linie parallel zu der bereits beschriebenen longitudinalen Achse. Durch die Verwendung des externen magnetischen Feldes und dadurch, daß der Strom nicht durch den dünnen magnetischen Film 11 fließt, kann der Kern entlang seiner longitudinalen Achse komprimieren und kontrahieren in einem recht ordentlich langen Stück, da die longitudinale Verformung weit unter dem elastischen Limit liegt.
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!Wenn der Kern 10 aus einem weichen magnetischen Material :
•besteht, ist seine Koerzitivkraft wesentlich unter der des j (dünnen Films 11. Die Nettomagnetisierung in dem Kern 10 :
:ist in entgegengesetzter Richtung von der des dünnen Films ! {i1 im größten Energiezustand, d.h. zum Beispiel bei Ab- j !Wesenheit eines externen magnetischen Feldes. ί
ι In Fig. 3 ist das magnetische Feld in und über einem Ausischnitt eines platierten Leiterkerns nach Fig. 2 gezeigt. I Pas Magnetisierungsfeld M ist nach rechts über den Film 11 j
ι gerichtet und das Demagnetisierungsfeld H ist von rechts nach links gerichtet.
j--'.-ι ■ -
In Fig. 4 ist ein hohler Kern 10' gezeigt, der mit einem magnetostriktiven Film 11' überzogen ist. Der hohle Kern jwird dadurch erzeugt, daß der Kern 10' auf einen Leiter ■platiert wird und dann entsprechend abgeätzt wird. Eine andejre Alternative ist in Fig. 5 gezeigt, wobei der Leiter eine !rechteckige Form aufweist, einen Kern 20 bildet, der mit jeiner magnetostriktiven Schicht 21 überzogen ist. Es soll !hier noch erwähnt sein, daß die schraubenförmige magnetische jAnisotropie genauso in dem rechteckigen Kern 20 wie in einem [runden geformten Leiter besteht, wobei das Verhältnis von Leiter zu dem Äquivalent eines Rechteckquerschnitts 1:1,5
Ih Fig. 6 ist eine dünne Filmstruktur gezeigt, wobei eine Schicht magnetostriktiven Materials auf einem Substrat 29 in einem externen magnetischen Feld gebildet wird, um einen Streifen 31 zu bilden. Dann wird ein dünner Filmstreifen 30 auf ein Kernmäterial aufgebracht, auf dem wiederum ein Streifen 31 aufgebracht wird. Danach wird ein dünner Filmstreifen 32 magnetostriktiven Materials auf den Streifen 30 in einem magnetischen Feld aufgebracht, das im rechten Winkel zum ersten magnetischen Feld steht, das jedoch ein Komponente
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;entlang des Streifens 3O in derselben Richtung aufweist, wodurch eine schraubenförmige magnetische Anisotropie auf dem Kern 30 entlang des Streifens gebildet wird.
Ein dünner Filmstreifen auf einem Kernmaterial 40 ist in Fig. 7 angeordnet, das seinerseits auf einem Substrat 39 aus ,magnetisch weichem Material angeordnet ist. Ein dünner Film imagnetostriktiven Materials ist über dem Kern 40 in einem (diagonalen magnetischen Feld angeordnet, um eine magnetische
!Anisotropie über den Kern 40 im magnetostriktiven Material
j41 zu erzeugen. Derartige magnetostriktive Filme und Leiter 'können in Tastenanordnungen für Büro- und Datenverarbeitungsjsysteme, in Kartenlesern oder in Druckern verwendet werden.
iDa dieses Material auch eine bistabile Charakteristik auf-
weist und ein großes magnetisches Feld produziert, eignet j sich eine derartige Anordung auch ganz besonders zur Speijcherung von Daten oder Informationen und ist für die Ver-
wendung in Datenspeichern innerhalb von Datenverarbeitungsanlagen besonders geeignet.
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Leerseite

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Bistabile magnetostrictive Anordnung mit einem Leiter, in dem bzw. auf dem sich Längs- oder Torsionsschallwellen , hervorgerufen durch äußere Magnetfelder, ausbreiten, die zur Speicherung und Aufnahme von Informationen und Daten dienen, mindestens einen Empfänger und einen Sender aufweisen und wobei auf dem Leiter eine dünne Schicht magnetostriktiven Materials aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetostriktiven Materialschichten (11, 21, 31, 41) auf einem rechteckigen, runden oder hohlen Leiter (10, 10', 20) oder auf einem Substrat (29, 39) so angeordnet sind, daß die magnetische Anisotropie auf der Oberfläche genau 45° relativ zu einer Linie parallel zu der longitudinalen Achse des Leiters oder Substrats liegt.
    j 2. Bistabile magnetostriktive Anordnung nach Anspruch 1, ! dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat 29 ein dünner Streifen (31) eines magnetostriktiven Materials angeordnet ist, daß darüber ein dünner Streifen (30) aus einem Kernmaterial angeordnet ist und daß darüber wiederum ein dünner Film (32) aus einem magnetostriktiven Material angebracht ist.
    Bistabile magnetostriktive Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat (39),das aus magnetisch weichem Material besteht, eine dünne Schicht aus Kernmaterial einen Streifen (40) bildet, auf dem ein weiterer dünner Film aus einem magnetostriktiven Material einen Streifen 41 bildet.
    Verfahren zur Herstellung der Anordnungen nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Filmschicht (32) aus einem magnetostriktiven Material
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    ORIGINAL INSPECTED
    2848536
    auf einem Streifen aus Kernmaterial (z. B. 30) in einem magnetischen Feld aufgebracht wird, das im rechten Winkel zu einem ersten Magnetfeld steht, jedoch eine Komponente entlang des Streifen (30) in derselben Richtung aufweist, wodurch eine schraubenförmige magnetische Anisotropie auf dem Kern (30) entlang des Streifens erzeugt wird.
    Verfahren zur Herstellung einer Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Film eines magnetostriktiven Materials, der einen Streifen (41) bildet, auf den Kern (40) in einem diagonalen magnetischen Feld aufgebracht wird, wodurch eine magnetische Anisotropie über den Kern (40) in dem magnetostriktiven Material (41) erzeugt wird.
    Verfahren nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenförmigen Leiter durch Niederschlagen eines bestimmten Materials auf einen Kern und durch anschließendes teilweises Abätzen gebildet werden.
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DE19782849536 1977-12-19 1978-11-15 Bistabile magnetostriktive anordnung Withdrawn DE2849536A1 (de)

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GB (1) GB2010615B (de)
IT (1) IT1160329B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012004119A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Nctengineering Gmbh Beschichtung von kraftübertragenden Bauteilen mit magnetostriktiven Werkstoffen

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4355221A (en) * 1981-04-20 1982-10-19 Electric Power Research Institute, Inc. Method of field annealing an amorphous metal core by means of induction heating
JPS58117718A (ja) * 1981-12-30 1983-07-13 Aisin Seiki Co Ltd 電気パルス発生器
DE3203133C2 (de) * 1982-01-30 1991-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Drahtes
US4544421A (en) * 1983-10-11 1985-10-01 Ferix Corporation Multi-directional field annealing of a thin-film electromagnetic read/write head
JPS60164375A (ja) * 1984-02-07 1985-08-27 Yokogawa Hokushin Electric Corp 磁歪材料
US4896544A (en) * 1986-12-05 1990-01-30 Mag Dev Inc. Magnetoelastic torque transducer
US4760745A (en) * 1986-12-05 1988-08-02 Mag Dev Inc. Magnetoelastic torque transducer
US5249117A (en) * 1989-04-26 1993-09-28 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Adaptive control systems
US5201964A (en) * 1989-06-21 1993-04-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Magnetostrictive torque sensor
JP3321341B2 (ja) * 1995-09-14 2002-09-03 科学技術振興事業団 双安定磁気素子及びその製造方法
US6472987B1 (en) 2000-07-14 2002-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Wireless monitoring and identification using spatially inhomogeneous structures
US20060222871A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Bonhote Christian R Method for lowering deposition stress, improving ductility, and enhancing lateral growth in electrodeposited iron-containing alloys
CN102090078B (zh) 2008-07-11 2014-08-27 智篮有限责任公司 使用磁致伸缩材料的辅助听觉的装置及方法
US8579203B1 (en) 2008-12-19 2013-11-12 Dynamics Inc. Electronic magnetic recorded media emulators in magnetic card devices
ES2352631B1 (es) * 2009-07-20 2011-12-29 CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS (CSIC) (Titular al 51%) Hilos magneticos bimetalicos con anisotropia helicoidal, proceso de fabricacion y aplicaciones
US9301066B2 (en) 2011-10-06 2016-03-29 Brain Basket, LLC Auditory comprehension and audibility device
RU169443U1 (ru) * 2016-10-21 2017-03-17 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Магнитострикционное устройство угловых перемещений
RU181063U1 (ru) * 2018-02-26 2018-07-04 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Магнитострикционное устройство угловых перемещений
CN111933196B (zh) * 2019-05-13 2022-06-17 上海交通大学 基于巨磁阻抗效应的层合物及其应用
RU193012U1 (ru) * 2019-06-17 2019-10-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Магнитострикционное устройство угловых перемещений

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3270326A (en) * 1960-11-01 1966-08-30 Ncr Co Thin film magnetic storage device
US3320596A (en) * 1961-12-07 1967-05-16 Shell Oil Co Storing and recalling signals
US3820090A (en) * 1970-01-26 1974-06-25 Vlinsky M Bistable magnetic device
JPS5115140Y2 (de) * 1971-04-12 1976-04-21
US4065757A (en) * 1976-06-07 1977-12-27 Honeywell Inc. Thin film plated wire magnetic switch of adjustable threshold

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012004119A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Nctengineering Gmbh Beschichtung von kraftübertragenden Bauteilen mit magnetostriktiven Werkstoffen
DE102012004119B4 (de) 2012-03-01 2022-02-03 Ncte Ag Beschichtung von kraftübertragenden Bauteilen mit magnetostriktiven Werkstoffen

Also Published As

Publication number Publication date
FR2412172B1 (de) 1982-10-22
IT1160329B (it) 1987-03-11
US4236230A (en) 1980-11-25
JPS5487440A (en) 1979-07-11
FR2412172A1 (fr) 1979-07-13
CA1111969A (en) 1981-11-03
GB2010615B (en) 1982-03-24
GB2010615A (en) 1979-06-27
IT7830730A0 (it) 1978-12-12
JPS6048113B2 (ja) 1985-10-25

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