DE2844248A1 - Ladungsuebertragungsanordnung - Google Patents

Ladungsuebertragungsanordnung

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DE2844248A1 DE2844248A DE2844248A DE2844248A1 DE 2844248 A1 DE2844248 A1 DE 2844248A1 DE 2844248 A DE2844248 A DE 2844248A DE 2844248 A DE2844248 A DE 2844248A DE 2844248 A1 DE2844248 A1 DE 2844248A1
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Description

PHN 8911C
ya/rj
κ 27.9.1978
R.V. Philips' BloeilampenfabiMen, Eindhoven . 2844248
Ladungsübertragungsanordnung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungsübertragungsanordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschicht von einem ersten Leitungstyp, wobei Mittel, mit deren Hilfe örtlich Information in Form von Ladung in die Halbleiterschicht eingeführt wird, sowie Auslesemittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe Information anderswo in der Schicht ausgelesen wird, wobei wenigstens auf einer Seite der Schicht
Steuerelektroden vorhanden sind, durch die mittels
Mehrphasentaktsignale kapazitiv elektrische Felder
in der Halbleiterschicht erzeugt werden, mit deren Hilfe die von den Einlesemittela erzeugten Ladungspakete in
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PHN 8911C
einer zu der Schicht parallelen Richtung zu den Auslesemitteln transportiert werden können.
Eine Ladungsübertragungsanordnung dieser Art ist aus "Digest of Technical Papers of the Technology and Applications of Charge Coupled Devices" , University of Edinburgh, September I976, S. 3O8, Fig. bekannt.In dieser bekannten Ladungsübertragungsanordnung werden die Einlesemittel durch zwei Eingangsdiffusionszonen, drei Steuerelektroden und eine Trenndiffusionszone gebildet. Die Trenndiffusionszone ist in der Transportrichtung der Ladungspakete angebracht und teilt den Transportkanal am Anfang der Ladungsiibertragungs— anordnung in zwei Teile. In jedem Transportteil ist eine Eingangsdiffusionszone angebracht. Diese beiden Diffusionszonen sind zusammen mit einer Bezugsspannungsquelle verbunden. Oberhalb jedes der beiden Transportkanalteile ist eine erste Steuerelektrode angeordnet. An die beiden ersten Steuerelektroden werden verschiedene Taktsignale angelegt. Dann wird über die beiden Transportkanalteile eine gemeinsame zweite Steuerelektrode angeordnet, der das zu verarbeitende Eingangssignal zugeführt wird. Anschliessend werden den genannten Einlesemitteln oberhalb des einen Transportkanalteiles nebeneinander eine dritte und eine vierte Steuerelektrode nachgeordnet, während diesen beiden Steuerelektroden gegenüber oberhalb des anderen Kanals eine fünfte Steuerelektrode angebracht dst.
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Die. Oberfläche dieser fünften SteueieLektrode ist nahezu gleich der Summe der Oberflächen der dritten und der vierten Steuerelektrode. Nach den zuletzt genannten Steuerelektroden endet die Trenndiffusion und ist der Transportkanal nicht mehr in zwei Teile aufgeteilt. Oberhalb des weiteren Kanals sind Steuerelektroden angeordnet, die gegebenenfalls aufgeteilt sind, wobei die erste Steuerelektrode die Summierelektrode bildet. Die Tatsache, dass oberhalb des einen Kanalteiles eine dritte und eine vierte Steuerelektrode angeordnet sind, während oberhalb des entsprechenden anderen Kanalteils nur eine einzige Steuerelektrode angeordnet ist, hat zur Folge, dass das Signal in einem Kaiialteil in zwei Schritten transportiert wird, während das Signal im anderen Kanalteil in einem einzigen Schritt transportiert wird. Dies bedeutet, dass das Signal im einen Kanalteil gegenüber dem Signal im anderen Kanalteil verzögert wird. Nach den genannten Steuerelektroden endet die Trenndiffusion und damit auch die Kanalteilung. Unter der Summierelektrode werden nun die von den beiden Kanalteilon herrührenden Signale zueinander addiert. Für einen richtigen Ladungstransport bis unterhalb der Summierelektrode ist es erforderlich, dass die Taktphase der Taktsignale, die in den beiden Kanalteilen der Summierelektrode vorangehenden Steuerelektroden zugeführt werden, einander gleich sind. Da die Anzahl Schritte des Ladungstransports für die
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Summierelefctrode in den beiden Kanalteilen verschieden ist, ist es erforderlich, dass die Abtastzeitpunkte am Eingang der beiden Kanalteile verschieden gewählt werden. Im beschriebenen Bespiel wird dies dadurch erzielt, dass Taktsignale zugeführt werden, die über 180° gegeneinander in der Phase verschoben sind. Unter der Summierelektrode wird also die Summe eines Signals und eines gegenüber diesem Signal verzögerten Signals erhalten. Das Ganze wirkt tatsächlich wie ein Vorwärtsfilter, wie z.B. in Fig. 1 auf Seite 306 der genannten Literaturstelle angegeben ist. Im obenstehenden Beispiel ist der Transportkanal in zwei Teile aufgeteilt, wobei das Signal im einen Kanalteil in einem Schritt mehr transportiert wird. ¥enn ein schärferes Eingangs filter erforderlichst, wird am Anfang der Ladungsüb ertragungs ano rdnung der Transportkanal in mehrere Teilkanäle aufgeteilt, die alle in bezug aufeinander eine andere Verzögerung für das Signal im betreffenden Teilkanal aufweisen. Diesbezügliche Beispiele sind in den Fig. 8 und 9 auf Seite 308 der genannten Literaturstelle dargestellt,
In der genannten Literaturstelle erfolgt die Vorwärtsfilterung stets am Anfang der Ladungsüb er tragungs anordnung. Es ist aber grundsätzlich auch möglich, die Filterung nicht am Anfang, sondern weiter in der Ladungsübertragungsanordnung vorzunehmen. Die einzige Bedingung ist dann aber, dass die in den
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Kanalteilen auftretenden Zeitverzögerungen eine ganze Anzahl von Taktperioden bebragen, weil sonst die Signale in den verschiedenen Kanalteilen nicht mit der richtigen Taktphase an die Summierelektrode gelangen.
Das obenbeschriebene Verfahren zur Signalbearbeitung weist den Nachteil auf, dass das beschriebene Verfahren nur eine zeitstarre Bearbeitung eines Eingangssignals gestattet und weiter, dass bei Anwendung als Filter die übertragungsfunktion des Biters unveränderbar ist. Sie wird nähmlich völlig durch die gewählte Geometrie des zu dem Filter gehörigen Teiles der Ladungsübertragungsanordnung bestimmt. Die Übertragungsfunktion ist gleichsam durch die ¥ahl der genannten Geometrie eingebaut.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass die Oberflächen der Steuerelektroden verschieden gewählt werden, um die beabsichtigte Filterwirkung zu erzielen. Dies hat zur Folge, dass der Signaltransport unter den verbreiterten Steuerelektroden langsamer als unter den nicht verbreiterten verläuft, und zwar umso langsamer, je stärker die betreffende Steuerelektrode verbreitert ist. Dies bedeutet, dass die höchsterreichbare Transportgeschwindigkeit der Ladungsübertragungsanordnung drastisch herabgesetzt wird, und zwar umso stärker, je nachdem breitere Steuerelektroden verwendet werden.
Ein anderer Nachteil besteht darin, dass durch die grosse Verschiedenheit in Steuerelektrodenober-
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flächen die Herstellung der bekannten Ladungsübertragungsanordnung erschwert wird. Ausserdem ist die Anbringung von Kontaktleitern ziiischen den verschiedenen Steuerelektroden und den zugehörigen Taktleitern schwieriger, je nachdem die' Oberflächen der respektiven Steuerelektroden stärker voneinander verschieden sind.
Die Erfindung bezweckt, eine Lösung für die obengenannten Probleme zu schaffen, und ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Steuerelektroden oder ein Teil, derselben mit Schaltmitteln zum Zuführen einer Spannung verbunden ist, die während einer bestimmten Zeit gleich einer Phase der Taktspannung ist, die zusammen mit den Taktspannungen an den benachbarten Steuerelektroden für den Transport von Ladungspaketen in dem darunterliegenden Kanal sorgt und während einer bestimmten Zeit gleich einer Sperrspannung ist, die verhindert, dass die Ladungspakete unter der genannten Steuerelektrode hindurchtransportiert werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass vor der Sperrelektrode gegebenenfalls über oder in dem selben Kanal mindestens ein Abtastglied angeordnet ist, das mit einem Detektor verbunden ist der gegebenenfalls direkt mit einem Komparator verbunden ist, der die Grosse des
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#■ 1 .
■ - * - ·> ·—- *■■*- -v 1 fr τ ι ir 11 μ ■ 1 1 1
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am Ausgang des Detektors auftretenden Signals mit einem Bezugssignal vergleicht, wobei das Ausgangssignal des Komparators gegebenenfalls über Verzögerungselemente dem Steuereingang der genannten Schalt-• mittel zugeführt wird.
Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer Ladungstibertragungsanordnung nach der Erfindung,
Fig. 2 den Verlauf der angewandten Taktspannungen und ein Beispiel der Spannung an der Steuerelektrode 8 als Funktion der Zeit,
Fig. 3 ein Diagramm zur näheren Erläuterung der Wirkung der erfindungsgemässen Anordnung,
Fig. k ein anderes Ausführungsbeispiel einer Ladungsübertragungsanordnung nach der Erfindung , und
Fig. 5 noch ein weiteres Ausftihrungsbeispiel einer Ladungstibertragungsanordnung nach der Erfindung,
Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemässen Ladungsübertragungsanordnung,
Fig. 7 zeigt den Verlaiif der angewandten Spannungen als Funktion der Zeit, und
Fig. 8 einige Abwandlungen des Aiisführungs-
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beispiels nach. Fig. 6.
Die Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. 1 enthält einen Halbleiterkörper 30 mit einer Halbleiterschicht JI aus η-leitendem Silizium. Auf der genannten Halbleiterschicht sind wenigstens auf der Seite 33 der genannten Schicht Steuer-Elektroden 1, 2, 3> 4, 5t 6, 7» 8> 9 zum Anlegen von Taktspannungen angebracht. Mit der Unterbrechungslinie zwischen den Steuerelektroden 8 und 9 ist angegeben, dass es möglich ist, eine grössere Anzahl als die dargestellte Anzahl von Steuerelektroden zu verwenden. Die Steuerelektroden 1 und 5 sind zusammen mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 4θ· verbunden, dem das Taktsignal mit der Phase 0 zugeführt wird (siehe Fig. 2). Die Steuerelektroden 2 und 6 sind zusammen mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle kO verbunden, dem das Taktsignal mit der Phase 0„ zugeführt wird (siehe Fig. 2). Die Steuerelektroden 3 UI*d 7 sind zusammen mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle kO verbund den, dem das Taktsignal mit der Phase 0„ zugeführt wird (siehe Fig. 2). Die Steuerelektroden 4 und 9 sind zusammen mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 40 verbunden, dem das Taktsignal mit der Phase 0. zugeführt wird. Die Steuerelektrode 8 ist
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__ η— _
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/13 27.9.7s
die sogenannte Sperrelektrode. Diese ist mit Schaltmitteln verbunden,' die durch den Wechselschalter 20 gebildet werden. Der Kontakt 22 dieses Wechselschalters ist mit der negativen Anschlussklemme der Gleichspannungsquelle E verbunden, deren andere Anschlussklemme mit einem an Erdpotential liegenden Punkt verbunden ist. Der Kontakt 21 des Wechselschalters ist mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 4θ verbunden, dem das Taktsignal mit der Phase 0. zugeführt wird. In der Halbleiterschicht 31 ist die Eingangs diffus ions ζ one 13 erzeugt, die über den Anschlussleiter 15 mit der Signalspannungsquelle 50 verbunden ist. Die Sperrschicht 32 wird durch eine Isolierschicht aus Siliziumdioxid gebildet. In der . genannten Halbleiterschicht 3I ist ausserdein eine Aüsgangsdiffusionszone ik vorhanden, die mit einem Ausleseleiter 16 verbunden ist. Die Ausgangsdiffusionszone -14 und der Ausleseleiter 16 bilden zusammen die Auslesemittel. Die. Eingangsdiffusionszone I3 und der Einleseleiter 15 bilden zusammen mit den ersten Steuerelektroden einen Teil der Einlesemittel der Ladungsübertragungsanordnung. Die Dicke und die Dotierungskonzentration der Halbleiterschicht 3I betragen z.B. 5/um bzw. 10 Atome/cm . Diese Dicke und Dotierungskonzentration sind derart gering, dass in der genannten Halbleiterschicht 31 quer zu
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dieser Schicht ein elektrisches Feld mit einer derartigen Stärke erzeugt werden kann, dass über die ganze Dicke der Schicht eine Erschöpfungszone gebildet wird, ohne dass Lawinenvervielfachung auftritt. Die in Fig. 1 gezeigte Ladungstibertragungsanordnung ist von dem z.B. in der niederländischen Patentanmeldung 7 11^· beschriebenen Typ. In dieser Halbleiteranordnung erfolgt der Transport elektrischer Ladung im wesentlichen über das Innere der Halbleiterschicht. Beim Betrieb kann Information in Form eines Pakets von Majoritätsladungsträgern in einem einer oder mehreren der Steuerelektroden gegenüber liegenden Gebiet der Halbleiterschicht gespeichert und von anderen Ladungspaketen mittels elektrischer Felder in Erschöpfungszonen getrennt werden, die dieses Gebiet einschliessen und sich quer über die Halbleitex"-schicht erstrecken. Während des Ladungstransports werden die Ladungsträger des genannten Ladungspakets von dem obengenannten Gebiet der Halbleiterschicht zu einem folgenden Gebiet der Halbleiterschicht dadurch transportiert, dass zwischen den richtigen Elektroden ein Spannungsunterschied angelegt wird, wobei die Ladungsträger wenigstens im wesentlichen über das Innere der Halbleiterschicht aus dem ersten Gebiet zu dem folgenden Gebiet fliessen, bis da3 zuerst genannte Gebiet der Halbleiterschicht erschöpft
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ist. Die Dotierungskonzentration und die Dicke der Halbleiterschicht sollen dabei naturgemäss derart gering sein, dass die Halbleiterschicht über ihre ganze Dicke erschöpft werden kann, ohne das Lawinenvervielfachung auftritt. Eine derartige niedrig dotierte Schicht kann z.B., wie auch in der vorerwähnten niederländischen Patentanmeldung angegeben ist, durch eine homogen dotierte hochohmige epitaktische 'Schicht gebildet werden, die auf einem Träger oder Substrat vom entgegengesetzten Leitungstyp abgelagert ist.
In Fig. 3 ist schematisch angegeben, wie die Bildung eines Ladungspakets, das Transportieren desselben und das Zurückhalten und Summieren desselben stattfindet. Im Zeitintervall "f-i isx; die Spannung an den Steuerelelctroden 1, h, 5, 8 und 81 gleich +10 V und die Spannung an den Elektroden 2, 3, 6 und 7 gleich 0 V (siehe Fig. 2). Dadurch werden unter den Elektroden 1, {k + 5) und (8 + 81) sogenannte Potentialmulden gebildet, wie in Fig. 3a dargestellt ist. In der Potentialmulde unter den Steuerelektroden 4 und 5 ist ein Ladungspaket S(i) vorhanden. Unter der Eingangsdiffusionszone 15 ist eine kontinuierliche Potentialmulde vorhanden, die viele Male tiefer als die anderen Potentialmulden in der Ladungsübertragungsanordnung ist. Dies ist in
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Fig. 3 symbolisch mit einer mäanderförmigen Linie auf der Unterseite der Potentialmulde unter der Eingangsdiffusionszone 15 angedeutet. An dem Eingang wird mit Hilfe der Eingangsdiffusionszone I5 und der ersten Steuerelektroden ein zweites Ladungspaket S(2) gebildet. Im Zeitintervall fp ist die Spannung an den Steuerelektroden 1, 2, 5> 6 und 8' gleich + 10 V und die Spannung an den Steuerelektrodem 3» ^j 7 und 8 gleich 0 V. Dadurch wei'den unter den Steuerelektx'oden (1 +2), (5+6) und 81 Potentialmulden erhalten, wie in Fig. Jb dargestellt ist. Das Ladungspaket s(i) ist dadurch um eine Stelle in der Transportrichtung weitergeschoben. In Fig. Jc ist angegeben, wie das Ladungspaket S(i) bis zu der Sperrelektrode 8 weitergeschoben wird, die im betreffenden Zeitintervall f_ eine Spannung gleich -E V aufweist, In den darauffolgenden Zeitintervalleii "T"^» Tr» Tg bleibt die Elektrode 8 gesperrt. In den genannten Zeitin- ■ tervallen findet kein Ladungstransport votci dem Gebiet unter der Steuerelektrode 7 zu dem Gebiet unter'cLqi1 Steuerelektrode 8f statt. Aus den Fig. 3d und 3e geht deutlich hervor, wie die beiden Ladungspakete S(i) und S(2) mit Hilfe der Sperrelektrode 8 zueinander addiert werden. Im Zeitintervall ~L η ist die Summe der Ladungspakete S(i) + S(2) an die Steuerelektrode 8 gelangt und hat die Sperrspannung der Steuerelek-
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trode 8' beseitigt. In den Fig. 3h und 3± wird angege-. ben, wie mit Hilfe der Steuerelektroden 7i 8 und 81 die Summe der Ladungspakete S(i) und S(2) nach rechts transportiert wird. Im Zeitintervall "^11 wird die Steuerelektrode 8 wieder an die Sperrspannung -E angelegt und die Steuerelektrode 8 wirkt in den Zeitintervallen 'TT11, t , £-iq unci 'T"-1, wieder als Sperrelektrode. In den genannten Zeitintervallen werden die Ladungspakete S(3) und S(4) auf die oben für die Ladungspakete S(i) und S(2) beschriebene Weise (siehe Fig. 3e und 3f) zueinander addiert.
Aus der obenstehenden Beschreibung der Wirkung der Ladungsübertragungsanordnung nach der Erfindung geht hervor, dass, wenn mit Hilfe des Schalters 20 wechselweise die Sperrspannung und ein Taktimpuls mit der Phase 0. an die Steuerelektrode 8 angelegt wird, stets zwei Ladungspakete zueinander addiert werden. Es wird klar sein, dass, wenn, jeweils zwei Taktimpulse zurückgehalten werden, stets die Summe von drei Ladungspaketen erhalten wird. Im allgemeinen gilt die folgenden Beziehung:
F(t.) = V S(t - k.T) (1)
k = 0
wobei T die Taktperiode der ursprünglichen Taktinipulse 0. ist, die den Ste.uerelektroden angeboten werden,
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während M die Anzahl mit Hilfe der Sperrspannung zurückgehaltener Impulse darstellt. Mit anderen Worten: die Taktfrequenz der Taktimpulse 0„ ist gleich (M+1).T. In Fig. 2 ist M = 1. Die Ladungsübertragungs-• anordnung nach Fig. 1 wirkt bei dieser Schaltungsweise wie ein Vorwärtsfilter, wobei die in bezug aufeinander verzögerten Ladungspakete völlig zueinander addiert werden. Wenn es erwünscht ist, dass nur Bruchteile von Ladungspelceten zueinander addiert werden, kann dies mit Hilfe einer Trenndiffusionszone erzielt werden, wie in Fig, 4 dargestellt ist.
In der Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. 4 ist unter den Steuerelektroden 31 ^j 5t 6 und 7 eine Trenndiffusionszone 12 vorhanden, die sich bis zu der Steuerelektrode 8' fortsetzt. Die ursprüngliche Steuerelektrode 8 ist nun in zwei Hälften 81 und 88 aufgeteilt, die teilweise die Trenndiffusionszone 12 überlappen. Der Teil 81 ist mit dem Wechselsehalter 20 und der Teil 88 ist mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 40 verbunden, dem die Taktphase 0K zugeführt wird. Mittels der Trenndiffusionszone 12 wird der Transportkanal unter den Steuerelektroden 3, 4, 5, 6, 7, 81 und 88 in zwei Hälften a und (i-a) unterteilt. In der Hälfte (i-a) findet der Ladungstransport normal statt, weil die Steuerelektrode 88 fest mit einem Taktleiter verbunden ist. In
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der Hälfte a befindet sich die Sperrelektrode 8l. Der Transport von Ladung durch diesen Kanalteil findet auf die bereits an Hand der Fig. 1 beschriebene Weise statt. Die Wechselschalter 20 und 23 werden synchron betätigt. Der Punkt 25 wird mit Hilfe der GIeichspannungsquelle 51 genügend positiv gehalten, damit keine Ladung an dem Eingang injiziert wird, wenn der Eingang mit diesem Punkt verbunden ist. Der einzige Unterschied besteht darin, dass nun nur ein Bruchteil a des unter der Steuerelektrode 2 vorhandenen Ladungspakets während eines Taktimpulses zurückgebalten wird, während der übrige Teil (i-a) normal transportiert wird. Das Ausgangssignal Y(t) entspricht nun der nachstehenden Beziehung:
Y(t) = (i-a).S(t) + a.S(t - f) .(2).
Das Ganze wirkt also wieder wie ein Vorwärtsfilter. Wenn die Sperrelektrode an der negativen Spannung gehalten und die Trenndiffusionszone 12 soviel kürzer wie in Fig. 4 angegeben, aber nicht kürzer als eine Verzögerungsstufe gemacht wird, derart, dass das zu rückgehaltene Ladungspaket beim Zurückfliessen jenseits der Trenndiffusionszone gelangen kann, und ausserdem an dem Eingang kontinuierlich abgetastet wird, wirkt die Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. h wie ein rekursives Filter. Das zurückgehaltene Ladungspaket
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fliesst in diesem Falle bis jenseits der Trenndiffusionszone 12 zurück und wird dann aufs neue geteilt, usw. Das Ausgangssignal Y(t) entspricht der Beziehung:
Y(t) = (1-a) . S(t) + a.Y(t -^) ..(3).
¥enn z.B. a = \ gewählt und ein Eingangsabtastsignal mit dem ¥ert 1 dem Eingang angeboten wird, werden am Ausgang nacheinander die Ladungen -ρ, η-, -χ usw. erscheinen, die als Referenzladungen verwendet werden können.
Die Trenndiffusionszone 12 kann noch kurzer gemacht oder sogar völlig weggelassen werden, wenn die Sperrspannung E derart positiv gewählt wird, dass das unter der Steuerelektrode 81 liegende Ladungspaket von der Steuerelektrode 8' nicht weiter transportiert werden kann. Die Anordnung wirkt in diesem Falle wie ein Filter nach der Beziehung (2).
Die in den Fig. 1 und k dargestellten Ausführungsbeispiele der Ladungsübertragungsanordnung < nach der Erfindung" weisen in bezug auf den obenstehenden Stand der Technik die folgenden Aires ent liehen Vorteile auf.
Durch die Anwendung der erfindungsgemässen Massnahmen ist erreicht, dass nach Wahl jeder Steuerelektrode, die mit einem ¥echselschalter verbunden ist,
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zwei Funktionen zuerkannt werden können, wobei diese Funktionen auch nach Wahl erfüllt werden können. Die Bearbeitung, der jedes Ladungspaket in der beschriebenen Anordnung unterworfen wird, kann also nach Wahl dadurch eingestellt werden, dass zu passend gewählten Zeitpunkten der Wechselschalter in die gewünschte Lage versetzt wird. Es ist auch möglich, die übertragungsfunktionen der Ladungsübertragungsanordnung vorher dadurch festzulegen, dass dazu der Wechselschalter vorher in die gewünschte Lage versetzt wird.
Ein weiterer Vorteil ist noch der, dass die Transportgeschwindigkeit der Ladungsübertragungsariord nung von der betreffenden Steuerelektrode nahezu nicht beeinflusst wird, weil diese Elektrode dieselben Abmessungen in der Transportrichtung wie die übrigen Steuerelektroden aufweisen kann.
Infolge der Tatsache, dass die Abmessungen der Steuerelektroden gleich gewählt werden können, wird erreicht, dass die Herstellung der Ladungsübertragungsanordnung nicht ausserordentlich erschwert wird. Weiter ist durch die Massnahmen gemäss der Erfindung noch erzielt, dass bestimmte Signalbearbeitungen mit der Ladungsübertragungsanordnung auf einfachere, schnellere, genauere oder billigere Weise als bisher durchgeführt werden können.
In Fig. 5 ist ein Anwendungsbeispiel der
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Ladungsübertragungsanordnung nach der Erfindung dar-.gestellt. Mit Hilfe der dargestellten Anordnung können analoge Signale mit digitalen Signalen multipliziert werden." Die Anordnung enthält die Steuerelektroden 100 - 110, 208, 209 und 210. Die Eingangsdiffusionszone 13 ist über eine Leiterbahn T5 und die Signalquelle 50 mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Steuerelektroden 101, 105 und 109 sind mit dem Taktleiter A verbunden, der mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 40 verbunden ist, dem das Taktsignal mit der Phase φ angeboten wird. Die Steuerelektroden 102, 106 und 110 sind mit dem Taktleiter B verbunden, der mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 4θ verbunden ist, dem das Taktsignal mit der Phase 0„ angeboten wird. Die Steuerelektroden 103 und 107 sind mit dem Talctleiter 10 verbunden, der mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 4o verbunden ist, dem das Taktsignal mit der Phase φ angeboten wird. Die Steuerelektrode 104 ist mit dem Taktleiter D verbunden, der mit demjenigen Ausgang der Schaltspannungsquelle 4θ verbunden ist, dem das Taktsignal mit der Phase 0r angeboten wird. Der Taktleiter D ist weiter mit den Kontakten 22, 25, 28 und 31 der Wechselschalter 20, 23, 26 bzw. 30 verbunden. Die anderen Kontakte 21, 24, 27 und 29 der genannten ¥echselschalter sind mit der negativen
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Klemme der Gleichspannungsquelle E verbunden. Die positive Klemme der genannten Gleichspannungsquelle ist mit einem an Erdpotential liegenden Punkt verbunden. Die Steuerelektroden 108, 208 und 210 sind mit den Hauptkontakten der Wechseischalter 20, 23, 2.6 bzw. 30 verbunden. Ferner sind in dem Halbleiterkörper die Trenndif fusionszonen 51 j 52, 53 erzeugt, um eine Kanalteilung zu erzielen.
Die Wirkungsweise der Anordnung nach Fig. 5 ist folgende. Dem Eingang (13> 15) wird abwechselnd ein dem zu verarbeitenden Eingangssignal S proportionales Ladungspaket und kein Ladungspaket auf die oben an Hand der Anordnung nach Fig. h beschriebene Weise angeboten. Von dem Eingang her werden die genannten Ladungspakete an den Trenndiffusionszonen 5I bis 53 in Teile aufgespaltet, die sich wie 1 : — : -r : -jt verhalten und die weiter in der Anordnung gegebenenfalls von den Steuerelektroden 108, 208, 209 bzw. 210 auf die oben an Hand der Fig. 1 und k beschriebene Weise zurückgehalten werden können. Die Genauigkeit der Teilung hängt im wesentlichen von der Genauigkeit der Positionierung der Trenndif fusionszonen 51 bis 53 und der Gleichheit der Schwellwertspannungen unter den Ste^ierelektroden ab.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die
Ladung, die den oberhalb der Trenndiffusionszone 51 liegenden Kanalteil durchläuft, gleich -^ . S = S_ ist.
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Die Ladung, die den zwischen den Trenndiffusionszonen ■51 und 52 liegenden Kanalteil durchläuft ist gleich ■j·.S = S . Die Ladung, die den zwischen den Trenndiffusionszonen ^2. und 53 liegenden Kanalteil durchläuft, ist gleich ττ· S = S_. Die Ladung, die den unter der
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Trenndiffusionszone 53 liegenden Kanalteil durchläuft, ist gleich 7?. S = S_. Jedes Ladungspaket passiert auf seinem Wege zu dem Ausgang ~\h der Anordnung eine Steuerelektrode, die für dieses Ladungspaket gegebenenfalls wie eine Sperrelektrode während einer Taktperiode wirkt, je nach der Lage des zugehörigen Wechselschalters 20, 23, 26 oder 29« Nach der Trenndiffusion gibt es wieder einen gemeinsamen Kanal, in dem sich diejenigen Ladungspakete eines Eingangsladungspakets, die nicht zurückgehalten gewesen sind, wieder treffen und ein neues Ladungspaket Sj, bilden. Alle Teilpakete, die wohl wäh-, rend eines Taktimpulses verzögert worden sind, werden eine Periode später zu einem Ladungspaket S zusammengefügt und werden, gleich wie S., aber eine Periode später, zu dem Ausgang geführt. Am Ausgang erscheint dann zunächst Sl!
Sj1 = kQ.S0+kl.S1+k2.S2.+k . S (4)
und eine Taktperiode später erscheint dann S_:
S5 = (i-k0).S0+(^k1).S1 + (i-k2)s2+(i-k3).S3... (5)
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In den beiden Beziehungen (4) und (5) ist k (n = O, 1, 2, 3) = +1t wenn das zugehörige Ladungspaket S nicht zurückgehalten gewesen ist, und k(n) = 0, wenn das zugehörige Ladungspaket S(n) während einer Taktperiode zurückgehalten gewesen ist. Die Ladungspakete S. und S1; gelangen nacheinander an denselben Ausgang 16 und können mit Hilfe bekannter Techniken extern an verschiedene Signalleitungen angelegt werden. Die Ladungspakete S. und S_ können aber auch in der Ladungsübertragungsanordnung selber dadurch voneinander getrennt werden, dass z.B. zwei Teilkanäle verwendet werden, die abwechselnd geöffnet und geschlossen werden, was z.B. dadurch erzielt werden kann, dass am Eingang jedes Teilkanals eine Sperrelekti"ode vorgesehen wird und diese Elektroden wechselweise gesperrt werden» Aus~ serdem ist eine grössere oder eine geringere Anzahl von Teilungen möglich als im Ausführungsbeispiel nach Fig. j> angegeben ist. überdies können die unterschiedlichen Teilungen nacheinander durchgeführt werden, so dass sich die Teilungen gegenseitig nicht befinflussen können. Dadurch wird eine grössere Genauigkeit erhalten. In gewissen Fällen ist es wünschenswert, den Kanal zu verbreitern, bevor die eigentliche Teilung stattfindet. Dies kann dadurch erzielt werden, dass dafür gesorgt wird, dass die Trenndiffusion schräg zu der Mitte des Hauptkanals verläuft. Die Steuerelektroden, die gege-
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benenfalls als Sperrelektrode wirken können, brauchen nicht wie in Fig. 5 angegeben ist, in demselben Abstand von dem Eingang zu liegen. Venn sie z.B. jeweils eine Stufe weiter angeordnet sind, ist es möglich, die Wechselschalter 20, 23» 26 und 30 in Reihe anzusteuern. Kanalteilungen können auch auf andere ¥eise als in Fig. 5 angegeben erzielt werden, z.B. dadurch, dass Oxidänderungen oder Trenngates verwendet werden. Weiter können auch Ladungspakete mehrere Male nacheinander zurückgehalten werden und sind andere Steuerungen am Eingang möglich.
Die in den Ausführungsbeispiele dargestellten Ladungsübertraguiigsanordnungen sind von dem in der niederländischen Patentanmeldung 7 1 1 4- 779 beschriebenen Typ. Es ist einletichtend, dass die erfindungsgemässen Massnahmen auch bei anderen Ladungsübertragungsanordnungen angewandt werden können; siehe z.B. die niederländische Patentanmeldung 6 805 705 und z.B. "Electronics" vom 21. Juni 1971» S. 50 - 59.
Die Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. 6 enthält einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschicht 31 vom η-Typ, z.B. aus Silizium. Auf der genannten Halbleiterschicht 3I sind wenigstens auf einer Seite eine Anzahl von Steuerelektroden angebracht, die nicht alle numeriert sind. Die Steuerelektrode I06 ist mit dem Ausgang der Sehalt spaimungsquelle kl verbunden,
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an den das Taktsignal mit der Phase abgegeben wird, während die Steuerelektrode I06' mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4i verbunden ist, an den das Taktsignal mit der Phase φ^ abgegeben wird (siehe Fig. 7)· Die Steuerelektrode 107 und die mit ihr verbundenen nichtnumerierten Steuerelektroden sind mit dem Ausgang der SchaltSpannungsquelle kO verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase φ« abgegeben wird. Die Steuerelektrode 108 und die mit ihr verbundenn nichtnumerierten Steuerelektroden sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle kO verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase 0_ abgegeben wird. Die Steuerelektrode IO9 und die mit ihr verbundenen nichtnumerierten Steuerelektroden sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 40 verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase φη abgegeben wird. Die Steuerelektrode 110 und die mit ihr verbundenen nichtnumerierten Steuerelektroden sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4θ verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase 0^. abgegeben wird. Der zuletzt genannte Ausgang ist ausserdera mit dem Kontakt Zh des Umschalters 2.3 und dem Kontakt 21 des Umschalters 20 verbunden. Die Kontakte 22 und 25 der Umschalter 20 bzw. 23 sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4o verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase 0^ abgegeben wird. Der Hauptkontakt des Umschalters 20 ist mit der Steuerelektrode IO3 verbun-
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den, während der Kontakt 21 mit der Steuerelektrode 102 verbunden ist. Der Hauptkontakt des Umschalters 23 ist mit der Steuerelektrode IO5 verbunden, während der Kontakt 24 mit der Steuerelektrode 1 04 verbunden •ist.
Die Steuerelektrode 100 ist mit dem Eingang eines Detektors 200 verbunden. Der Ausgang dieses Detektors 200 ist mit dem Eingang der Abtast- und Halteschaltung 201 und mit dem Eingang der Abtast- und Halteschaltung 202 verbunden. Die Ausgänge der Abtast- und Halteschaltungen 201 und 202 sind mit je einem Eingang eines !Comparators 203 verbunden, dessen Ausgang mit dem Eingang einer flankengesteuerten bistabilen Kippschaltung 2θ4 verbunden ist. Der Ausgang der bistabilen Kippschaltung 2θ4 betätigt einerseits den Umschalter 20 und ist andererseits mit' dem Eingang eines Verzögerungskreises 210 verbunden. Der Ausgang des Verzögerungskreises 210 ist über den Verzögerungskreis 212 mit dem Punkt 213 verbunden.
Die Steuerelektrode 101 ist mit dem Eingang eines Detektors 205 verbunden. Der Ausgang des Detektors 205 ist mit dem Eingang der Abtast- und Halteschaltung 206 und dem Eingang der Abtast- und Halteschaltung 207 verbunden. Die Ausgänge der Abtast- und Halteschaltungen 206 und 207 sind mit je einem Eingang eines Koraparators 208 verbunden, dessen Ausgang mit
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dem Eingang eines flankengesteuerten bistabilen Kippschaltung 209 verbunden ist. Der Ausgang der bistabilen Kippschaltung 209 betätigt einerseits den Umschalter 23 und ist andererseits mit dem Eingang eines Verzögerungskreises 211 verbunden, dessen Ausgang mit dem Punkt 214 verbunden ist. Die Steuereingänge 216 und 221 der Detektorschaltungen 200 und 205 sind mit dem Ausgang der SchaltSpannungsquelle 40 verbunden, an den das Taktsignal φ, abgegeben wird. Die Steuereingänge 215 und 220 der Detektorschaltungen 200 Tand 205 sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4o verbunden, an den das Taktsignal φΛ abgegeben vird. Der Steuereingang 217 der Abtast- und Halteschaltung 201 und der Steuereingang 222 der Abtast- und Halteschaltung 207 sind mit dem Ausgang der SehaltspatBiungsquelle 41 verbunden, an den das Taktsignal mit der Phase φ abgegeben wird. Der Steuereingang 218 der Abtast- und Halteschaltung 202 und der · Steuereingang 223 der Abtast- und Halteschaltung 206 sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4i verbunden, an den das. Taktsignal mit der Phase φ " abgegeben wird. Der Steuereingang 219 der bistabilen Kippschaltung 2θ4 und der Steuereingang 224 der bistabilen Kippschaltung 209 sind mit dem Ausgang der Schaltspannungsquelle 4i verbunden, an den das Taktsignal Φrx abgegeben wird. In der Halbleiterschicht 31 sind weiter die Trenndiffusionen 32, 33,
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und 35 auf die dargestellte Weise angebracht. Ferner sind in der genannten Halbleiterschicht 3I die beiden Eingangs diffus ionen I3 und 13' angebx-acht, die mit den Eingängen R bzw. A der Ladungsübertragungsanordnung verbunden sind. .
Für die Detektoren 200 und 205 können die aus der Literatur bekannten Schaltungen verwendet werden. So kann z.B. ein Detektor vom sogenannten "floating gate"-Typ Anwendung finden, wie in "Digest of Technical Papers" der "International Solid State Circuits Conference", Februar I976, S. I94 und 195 beschrieben ist. Derselbe Detektortyp ist auch im Buch "Charge Transfer Devices", Supplement 8,"Advances in Electronics and Electron Physics", herausgegeben von der Academic Press, New York, S. 53» Fig. 3.1^c , S. 228, Fig. 6.15, usw. beschrieben. ¥eiter kann, ein Detektor vom Typ mit einer Abtastdiffusion verwendet werden, wie z.B. in "Digest of Technical Papers" der "International Solid State Circuits Conference", Februar 197^, S, I56 und 157 beschrieben ist. Veiter kann ein Detektor vom Stromdetektionstyp verwendet werden, wie z.B. in "Transactions on Electron Devices", Band ED 23f Nr. 2, S. 265 und folgende beschrieben ist.
Für die Abtast- und Haiteschaltungen 201, 202, 206 und 207 können z.B. Schaltungen verwendet
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werden, wie sie in "I.E.E.E. Journal of Solid State Circuits", Band Sc 12, Nr. 3, Juni 1977, S. 233, Figuren k und 5 beschrieben sind. Als Komparator kann z.B. eine Schaltung vom Typ LM 311 der Firma Signetics verwendet werden, wie sie in dem Data. Handbook "Signetics Integrated .Circuits" von 1976 im Kapitel "Analog", S. 192 und 193 beschrieben ist.
Als bistabile Kippschaltung kann z.B. eine Schaltung vom Typ Philips HEF 4013 B verwendet werden, wie sie in dem Data Handbook "Digital Integrated Circuits - LOCMOS", Sc 6, 10 - 77, Teil 6, Oktober 1977 beschrieben ist.
• Die Wirkung der Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. 6 wird nun mit Hilfe des Zeitdiagramms nach Fig. 7 näher erläutert. Der Eingangsdiffusion I31 wird ein analoges Signal A zugeführt, während der Eingangsdiffusion 13 ein Bezugssignal zugeführt wird. Es wird nun angenommen, das zu einem bestimmten Zeitpunkt mit Hilfe dieser Diffusionen Ladungspakete A(n) bzw. R(n) der Ladungsübertragungsanordnung unter der Steuerung der Signale Pq, bzw. 0" zugeführt werden. Das Ladungspaket R(n) ist nach Injektion am Eingang der Anordnung von dem Kanaltrenner 33 in zwei Teilpakete geteilt. Das über dem Kanaltrenner 33 liegende Teilpaket verfolgt seinen Weg dU3?ch die Ladungsübertragungsanordnung und wird
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später wieder durch den Kanaltrenner 3^- geteilt, usw. Das unter dem Kanaltrenner 33 liegende Teilpaket gelangt in den untersten Kanal und befindet sich zum Zeitpunkt t unter der Steuerelektrode 100 und wird dann vom Detektor 200 detektiert. Das an den Ausgang des Detektors abgegebene Signal wird von der Abtast- und Halteschaltung 201 abgetastet und vom Zeitpunkt t' an festgehalten. Die Steuerelektrode 100 wir-d zum Zeitpunkt t" auf den Befehl des Steuereingangs 216 der Detektorschaltung 200 mit Hilfe dieser Detektorschaltung auf einen Spannungspegel gebracht, der gleich der Spannung am Eingang 215 dieser Detektorschaltung 200 ist. Zum Zeitpunkt t.. befindet sich das Ladungspaket A(n), das zuvor mit Hilfe der Eingangsdiffusion 13' in die Ladungsübertragungsanordmmg injiziert ist, unter der Steuerelektrode 100 und wird mit Hilfe des Detektors 200 detektiert. Das am Ausgang des Detektors 200 auftretende Signal wird von der Abtast- und Halteschaltung 202 zu t 'abgetastet und von Zeitpunkt t' an festgehalten. Die Steuerelektrode 1#00 wird zum Zeitpunkt t" auf den Befehl des Steuereingangs 216 der Detektorschaltung 200 auf einen Spannungspegel gebracht, der gleich der Spannung am Eingang 215 dieser Detektorschaltung 200 ist. Die an den Ausgängen der· beiden Abtast- und Halteschaltungen 201 und 202 auftretenden Signalwerte werden nun im
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Komparator 203 miteinander verglichen. Wenn das Ladungspaket A(n) grosser als das Ladungspaket — R(n) ist, erscheint am Ausgang des !Comparators eine logische 1, und wenn das Ladungspaket A(n) kleiner als das Ladungspaket ·τ· R(n) ist, erscheint am Ausgang des Komparators 203 eine logische 0. Dieser Ausgang liefert den Wert des ersten Bits.
Zum Zeitpunkt t» wird der Wert des am Ausgang des !Comparators 203 auftretenden logischen Signals mit der positiven Flanke des Steuersignals von der Kippschaltung 204 übernommen. Die Kippschaltung 2θ4 gibt diesen Wert des logischen Signals an einen Verzögerungsabschnitt 210 weiter, der zusammen mit dem folgenden Verzögerungsabschnitt 212 dafür sorgt, dass das an den Ausgang der Kippschaltung 204 abgegebene logische Signal am Punkt 213 erscheint, wenn das von der Kippschaltung 209 abgegebene logische Signal, das auch zu dem Ladungspaket A(n) gehört, am Punkt 21k erscheint. Ausserdem wird das logische Ausgangssignal der Kippschaltung 204 zur Steuerung des Umschalters 20 benutzt. Wenn das Ausgangssignal der Kippschaltung 2θ4 eine logische 1 ist; wird der Hauptkontakt des Umschalters 20 mit dem Kontakt 21 verbunden. Wenn das Ausgangssignal der Kippschaltung 2θ4 eine logische 0 ist, wird der Hauptkontakt des Umschalters 20 mit dem Kontakt 22 verbunden. Für die
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Diagramme nach. Fig. 7 ist davon ausgegangen, dass das Ladungspaket A(ii) kleiner als das Ladungspaket — R(n) ist. Zum Zeitpunkt t wird ein Ladungspaket -τ R(n) von der Steuerelektrode 103 zurückgehalten, weil der Hauptkontakt des Umschalters 20 mit dem Kontakt 22 verbunden ist. Erst zum Zeitpunkt t. kann dieses Ladungspaket unter die Steuerelektrode 103 hindurch transportiert werden, wonach es von der Ladungs*- übertragungsanordnung weiter transportiert wird. Unter der neben der Steuerelektrode 103 liegenden Steuerelektrode treffen die Ladungspakete i(n) und η- R(n) zusammen und wex^den zueinander addiert. Das Bezugsladungapaket — R(n) gelangt zum Zeitpunkt t^ unter .die Steuerelektrode 101 und wird mit Hilfe des Detektors 205 detektiert. Das am Ausgang des Detektors auftretende Signal wird von der Abtast- und Halteschaltung 207 auf den Befehl des Eingangs 222 abgetastet und vom Zeitpunkt tj- an festgehalten. Die Steuerelektrode 101 wird zum Zeitpunkt t£ auf den Befehl des Steuei"eingangs 221 der Detektorschaltung 205 auf einen Spannungspegel gebracht, der gleich der1 Spannung am Eingang 220 des Detektors 205 ist.
Zum Zeitpunkt t„ gelangt das Ladungspaket mit einer Grosse gleich η- R(h) + A(n) unter die Steuerelektrode 101 und wird dann von dem Detektor 205 detektiert. Das am Ausgang des Detektors 205 auf-
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tretende Signal wird von der Abtast- und Halteschaltung 206 auf den Befehl des Eingangs 223 abgetastet und vom Zeitpunkt t' an festgehalten. Die Steuerelektrode 101 wird zum Zeitpunkt t" auf den Befehl des Steuereingangs 221 der Detektorschaltung 205 auf einen Spannungspegel gebracht, der gleich der Spannung am Eingang 220 des Detektors 205 ist. In dem Komparator 208 werden die an den beiden Eingängen auftretenden Signalwerte miteinander verglichen. Wenn das Ladungspaket 7- R(n) ■(· A(n) grosser als das Bezugsladungspaket — R(n) ist, erscheint am Ausgang des Komparators eine logische 1, und wenn das Ladungspaket 77 R(n) + A(n) kleiner als das Bezugsladungspaket ist, erscheint am Ausgang des Komparators 208 eine logische 0. Zum Zeitpunkt tR wird der Wert des am Ausgang des Komparators 208 auftretenden logischen Signals mit der positiven Flanke des Steuersignals von der Kippschaltung 209 übernommen. Die Kippschaltung 209 gibt diesen Wert dieses logischen Signals, das das zweite Bit angibt, an den Verzögerungsabschnitt 211 weiter, Ausserdem wird das logische Ausgangssignal der Kippschaltung 209 zur Steuerung des Umschalters 23 benutzt. Wenn das Ausgangssignal der Kippschaltung 209 eine logische 1 ist, wird der Hauptkontakt des Umschalters 23 mit dem Kontakt 2k verbunden, Wenn das Ausgangssignal der Kippschaltung
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209 eine logische 0 ist, wird der Hauptkontakt des Umschalters 23 mit dem Kontakt 25 verbunden.
Für die Diagramme nach Fig. 7 ist davon ausgegangen, dass das Ladungspaket A(n) + -r R(n) grosser als das Bezugsladungspaket -r R(n) ist. Zum Zeitpunkt t gelangt das Ladungspaket rr R(n) unter die Steuerelektrode 105, wonach es zum Zeitpunkt tin zugleich mit dem Bezugsladungspaket — R(n) unter die benachbarte Steuerelektrode gelangt. Diese beiden Pakete werden zueinander addiert, und dann wird das Paket rr R(n) erhalten.
Auf die oben bereits für die ersten zwei Abschnitte beschriebene ¥eise kann die Ladungsübertragungsanordnung weiter ausgedehnt werden. Die folgende Gleichung wird dann:
A(n) + £ R(n) X | R(n) ... (i)
In der obenstellenden Beschreibung folgt einem Ladungspaket A(n) des Eingangssignals A das zugehörige Bezugsladungspaket R(n). Es werden aber stetig Ladungspakete am Eingang der Ladungsübertragungsanordnung auf den Befehl der Schaltsignale 0q/ und φ injiziert (siehe Fig. 7)· So wird der Detektor 200, nachdem er die Pakete — R(n) und A(n) detektiert hat, die Pakete — R(n+1) und A(n+1) nacheinander detektieren, usw. In den Diagrammen nach
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Fig. 2 ist angenommen, dass
i R(n-1) <Ά(η-ΐ) <^ R(n-1) + ^- R(n-1).
<Ά(η+ΐ)< \ R(n) + -J
Im AusfÜhrungsbeispiel der Ladungsübertragungsanordnung nach Fig. 6 ist eine mögliche Integrationsweise dargestellt. Schematisch ist dies in Fig. 8a nochmals angegeben. Die darin verwendeten Bezugsziffern entsprechen denen des Ausführungsbeispiels nach Fig. 6. Andere Integrationsweisen sind aber auch möglich. In den Figuren 8b, 8c und 8d sind drei mögliche Integrationsformen dargestellt. Im Beispiel nach Fig. 8b ist der Abstand zwischen den Trenndiffusionen, die als Teiler wirken, grosser geworden. Dies hat einerseits den Vorteil, dass in der Längsrichtung der Ladungsübertragungsanordnung mehrere Anordnungsmöglichkeiten für die Sperrelektrode vorliegen, während andererseits der Vorteil erhalten wird, dass der ungünstige Einflusssder" Rückwirkung der Sperrelektrode auf die Teilung weniger gross ist. Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 8c ergibt den Vorteil, dass die. Potentialmulden für die Teiler alle bis zu etwa dem gleichen Pegel gefüllt werden. Dadurch werden Fehler in den Potehtialmuiden infolge von z.B. Schwellen-
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unterschieden relativ auf ein Mindestmass beschränkt. Ausserdem wird nun nie seitlicher Ladungstransport auftreten, wodurch die Transportgeschwindigkeit der· Ladungsübertragungsanordnung optimal sein kann. Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 8d werden die Ladungspakete voneinander getrennt gehalten, wodurch sie am Ausgang der Ladungsübertragungsanordnung wieder verwendet werden können. Somit kann zwischen gequanteltem Signal und/oder analogem Signal gewählt werden.
In dem in Fig. 6 gezeigten Ausführungsbeispiel werden die Bezugsladung und die Signalladung von derselben Abtastelektrode detektiert. Es 1st aber auch möglich, beide Ladungspakete mit Hilfe verschiedener Abtastglieder zu detektieren, wodurch die Abtast- und Haiteschaltungen gegebenenfalls entfallen können. Es sei weiter bemerkt, dass Kanalteiluiigen auch auf andere als die angegebene ¥eise erzielt werden können, z.B. durch Anwendung von Ionenimplantation oder durch Anwendung von Oxidänderungen. ¥eiter können für die Steuerelektroden sowohl Polysilizium- als auch Aluminiumelektroden Anwendung finden.
Die in den Ausführungsbeispielen dargestellten Ladungsübertragungsanordnungen sind von dem in dex" niederländischen Patentanmeldung 7·11^·77Ο beschriebenen Typ. Es leuchtet ein, dass die Massnahmen nach der Erfindung auch bei anderen Ladungsübertra-
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gungsanordnungen, wiezz.B. den in der niederländischen Patentanmeldung 6.805.705 und z.B. den in "Electronics", 21. Juni 1971, S. 50 - 59 beschriebenen Anordnungen, angewandt werden können.
Die Ladungsübertragungsanordnung kann auch als vervielfachender Analog/Digitalumsetzer venfendet werden. Ferner kann, wenn eine genaue Teilung erforderlich ist, die Steuerelektrode über dem Anfang des Kanaltrenners anders bemessen, z.B. verbreitert ausgeführt werden. Ausserdem kann mit der Ladungsübertragungs anordnung auch auf andere Weise das analoge
Signal kodiert werden, z.B. in dem Grey-Code. Dazu
können den Komparatoren Umkehrschaltungen nachgeordnet werden, wobei der Steuereingang einer solchen Umkehrschaltung mit dem Ausgang der vorhergehenden
Kippschaltung verbunden wird, die die Umkehrschaltung gegebenenfalls einschaltet.
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-W-
e r s e ί t e

Claims (9)

  1. PHN 8911C 27.9.78
    PATENTANSPRÜCHE:
    1 .} Ladungsübertragungsanordnung mit einem HaIbleiterkörper mit einer Halbleiterschicht von einem ersten Leitungstyp, wobei Mittel, mit deren Hilfe örtlich. Information in Form von Ladung in die Halbleiter schicht eingeführt wird, sowie Auslesemittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe Information anderswo in der Schicht ausgelesen, wird, wobei wenigstens auf einer Seite der Schicht Steuerelektroden vorhanden sind, durch die mittels Mehrphasentaktsignale kapazitiv elektrische Felder in der Halbleiterschicht erzeugt werden, mit deren Hilfe die von den Einlesemitteln erzeugten Ladungspakete in einer zu der Schicht parallelen Richtung zu den Auslesemitteln, transportiert werden können, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Steuerelektroden oder ein Teil derselben mit Schaltmitteln zum Zuführen einer Spannung verbunden ist, die während einer bestimmten Zeit gleich einer-Phase der. Taktspannung ist, die zusammen mit den Taktspannungen an den benachbarten Steuerelektroden für den Transport von Ladungspaketen in dem darunterliegenden Kanal sorgt und während einer bestimmten Zeit gleich einer Sperrspannung ist, die den Transport von Ladungspaketen in dem unter der genannten Steuerelektrode liegenden Kanal verhindert.
    909816/0908 . ]
    ORIGINAL INSPECTED
    FHN" 891 1C 27.9.78
  2. 2. Ladungsübertragungsanordnung nach Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, dass die genannten Schaltmittel durch einen Wechselschalter gebildet werden, dessen Hauptkontakt mit der betreffenden Steuerelektrode verbunden und dessen einer Kontakt mit einem Anschlusspunkt zum Anlegen einer - Sperrspannung und dessen anderer Kontakt mit demjenigen Taktleiter verbunden ist, mit dem die betreffende Steuerelektrode beim Fehlen des Fechselschalters normalerweise verbunden wäre (Fig. 1).
  3. 3. Ladungsübertragungsanordnung nach Anspi"uch
    1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die betreffende Steuerelektrode in zwei oder mehrere Teile in einer zu der Transportrichtung der Ladungsübertragungsanordnung senkrechten Richtung aufgeteilt ist.
  4. 4. Ladungsübertragungsanordnung nach Anspx"uch 3» dadurch gekennzeichnet, dass Mittel vorhanden sind, durch die der Transportkanal in eine Anzahl von Kanalteilen aufgeteilt wird, die gleich der Anzahl von Teilen ist, in die die betreffende Steuerelektrode aufgespaltet ist, wobei jeder der Teile der Steuerelektrode als eine Steuerelektrode für den darunterliegenden Kanalteil wirkt.
  5. 5· Ladungsübertragungsanordnung nach Anspruch hf dadurch gekennzeichnet, dass die genannten Mittel durch Trenndiffusionszonen gebildet werden, wobei je—
    909816/0908
    PHN 8911C 27.9-78
    de der Trenndiffüsionszonen zwischen zwei nebenelnan-. der liegenden Teilen der aufgespalteten Steuerelektrode angebracht ist, wobei jeder dieser Teile die betreffende Trenndiffusionszone teilweise überlappt, und wobei sich diese Trenndiffusionszone im wesentlichen in der Transportrichtung des Kanals erstreckt.
  6. 6. Ladungsübertragungsanordnung nach Ansprüche 1, 2, 3» k, 5 dadurch gekennzeichnet, dass vor der Sperrelektrode, gegebenenfalls über oder in demselben Kanal, mindestens ein Abtastglied angeordnet ist, das mit einem Detektor verbunden ist, der gegebenenfalls direkt mit einem Komparator verbunden ist, der die Grosse des am Ausgang des Detektors auftretenden Signals mit einem Bezugssignal vergleicht, wobei das Ausgangssignal des Komparators gegebenenfalls über Verzögerungselemente dem Steuereingang der genannten Schaltmittel zugeführt wird.
  7. 7· Ladungsübertragungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass am Eingang der Ladungsübertragungsanordnung zwei durch eine Treniidiffusion voneinander getrennte Eingangsdiffusionen angebracht sind und die einen Eingangsdiffusion ein Bezugssignal und die anderen Eingangsdiffusion das zu verarbeitende Signal erhält, wodurch in der Ladungstibertragungsanordnung Bezugsladungspakete' und Signalladungspakete erzeugt werden, dass in dem Kanal,
    9098 16/0908
    PHN 891 IC 27.9.78
    in dem die Bezugsladungspakete transportiert werden, eine zweite Trenndiffusxon für Teilung der Bezugsladungspakete angebracht ist,, die sich mindestens bis zu der Sperx*elektrode fortsetzt, und dass das Abtastglied nacheinander das Bezugssignal und das Signal abtastet.
  8. 8. Ladungsübertragungsanordnung nach Anspruch
    7, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Teile der Ladungspakete mit Hilfe einer Trenndiffusion, die ein zweites Abtastglied passiert und sich bis zu einen zweiten Sperrelektrode fortsetzt, aufs neue geteilt wird.
  9. 9. Ladungsübertragungdanordnung nach Anspruch
    8, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereingänge der Schaltmittel, die zu der ersten und der zweiten Sperrelektrode gehören, über je einen Verzögerungskreis mit einem Ausgang der Ladungsübertragungsanordnung verbunden sind.
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SE (1) SE438931B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0025167A2 (de) * 1979-09-11 1981-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Eingangsstufe für eine monolithisch integrierte Ladungsverschiebeanordnung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55164937U (de) * 1979-05-17 1980-11-27
DE3019437C2 (de) * 1980-05-21 1985-08-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aus mehreren CTD-Elementen bestehende CTD-Leitung
JPS62230053A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp 電荷転送装置
JPS6316670A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd 電荷結合素子を用いた遅延素子
NL8701030A (nl) * 1987-05-01 1988-12-01 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
US5653153A (en) * 1996-02-09 1997-08-05 Greenwald; Christopher L. On-vehicle brake lathe and alignment device therefor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3919468A (en) * 1972-11-27 1975-11-11 Rca Corp Charge transfer circuits
US3876952A (en) * 1973-05-02 1975-04-08 Rca Corp Signal processing circuits for charge-transfer, image-sensing arrays
US3913077A (en) * 1974-04-17 1975-10-14 Hughes Aircraft Co Serial-parallel-serial ccd memory with interlaced storage
CA1023050A (en) * 1974-05-16 1977-12-20 Western Electric Company, Incorporated Charge transfer delay line filters
US3931463A (en) * 1974-07-23 1976-01-06 Rca Corporation Scene brightness compensation system with charge transfer imager
US4031315A (en) * 1974-09-27 1977-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Solid body image sensor having charge coupled semiconductor charge shift elements and method of operation
FR2349236A1 (fr) * 1976-04-23 1977-11-18 Thomson Csf Etage d'entree pour filtre passe-bas a transfert de charges et filtre passe-bas comportant un tel etage d'entree

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0025167A2 (de) * 1979-09-11 1981-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Eingangsstufe für eine monolithisch integrierte Ladungsverschiebeanordnung
EP0025167A3 (en) * 1979-09-11 1984-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Input stage for a monolithic integrated charge transfer device

Also Published As

Publication number Publication date
DE2844248C3 (de) 1981-02-05
NL7801242A (nl) 1979-08-07
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NL186788C (nl) 1991-02-18
ES474113A1 (es) 1979-05-01
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NL186666B (nl) 1990-08-16
NL186666C (nl) 1992-03-16
GB2005948A (en) 1979-04-25
DE2844248B2 (de) 1980-05-14
NL7711228A (nl) 1979-04-18
FR2406288A1 (fr) 1979-05-11
US4266146A (en) 1981-05-05

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