DE2810378C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2810378C2
DE2810378C2 DE19782810378 DE2810378A DE2810378C2 DE 2810378 C2 DE2810378 C2 DE 2810378C2 DE 19782810378 DE19782810378 DE 19782810378 DE 2810378 A DE2810378 A DE 2810378A DE 2810378 C2 DE2810378 C2 DE 2810378C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solution
dopants
doping
polysilicates
hydrolysis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19782810378
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2810378A1 (de
Inventor
Klaus Dr. 6450 Hanau De Seibold
Guenther Dr. 6374 Steinbach De Schlamp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DEMETRON GESELLSCHAFT fur ELEKTRONIK-WERKSTOFFE MBH 6450 HANAU DE
Original Assignee
DEMETRON GESELLSCHAFT fur ELEKTRONIK-WERKSTOFFE MBH 6450 HANAU DE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DEMETRON GESELLSCHAFT fur ELEKTRONIK-WERKSTOFFE MBH 6450 HANAU DE filed Critical DEMETRON GESELLSCHAFT fur ELEKTRONIK-WERKSTOFFE MBH 6450 HANAU DE
Priority to DE19782810378 priority Critical patent/DE2810378A1/de
Publication of DE2810378A1 publication Critical patent/DE2810378A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2810378C2 publication Critical patent/DE2810378C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DE19782810378 1978-03-10 1978-03-10 Verfahren zum dotieren von halbleiterkristallen Granted DE2810378A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782810378 DE2810378A1 (de) 1978-03-10 1978-03-10 Verfahren zum dotieren von halbleiterkristallen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782810378 DE2810378A1 (de) 1978-03-10 1978-03-10 Verfahren zum dotieren von halbleiterkristallen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2810378A1 DE2810378A1 (de) 1979-09-20
DE2810378C2 true DE2810378C2 (fr) 1988-06-16

Family

ID=6034049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782810378 Granted DE2810378A1 (de) 1978-03-10 1978-03-10 Verfahren zum dotieren von halbleiterkristallen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2810378A1 (fr)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3640093A (en) * 1969-03-10 1972-02-08 Owens Illinois Inc Process of converting metalorganic compounds and high purity products obtained therefrom
US3798081A (en) * 1972-02-14 1974-03-19 Ibm Method for diffusing as into silicon from a solid phase

Also Published As

Publication number Publication date
DE2810378A1 (de) 1979-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2949141C2 (de) Verfahren zur Vermeidung des Herauslösens von Verunreinigungen aus Festkörperoberflächen
DE2338079A1 (de) Verfahren zur herstellung einer als fluessige silikatquelle dienenden loesung
DE69304016T2 (de) Reflektion verringernde Schicht und Verfahren für deren Herstellung auf einem Glassubstrat
DE19910816A1 (de) Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
DE4037733C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Indium/Zinn-Oxid-Targets
DE60017232T2 (de) Schichten auf Basis von Nioboxid für optische Dünnfilmbeschichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
DE19531144C2 (de) Wasser-haltige Auflösungen von Acryl-funktionalisierten Organosilanen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE1074232B (de) Verfahren zum Herstellen eines festhaftenden, lichtzerstreuenden Überzugs aus Siliciumdioxyd auf der Wandungsoberfläche der Glashülle einer elektrischen Glühlampe oder Entladungsröhre
EP0022280B1 (fr) Procédé d'attaque chimique de substrats en silicium
DE2855791B2 (de) Pigmentfreie wäßrige Beschichtungsmasse
DE2833926A1 (de) Vorrichtung zur sammlung von licht
DE2720639C2 (de) Glas, verwendbar zur Passivierung von Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2810378C2 (fr)
DE3443624A1 (de) Verfahren zur erhoehung der waermestossfestigkeit von phosphatlaserglas
DE1496545B2 (de) Verwendung von glas als schutzschicht fuer halbleiter
WO1995034091A1 (fr) Produit semi-fini pour composant semi-conducteur electronique ou optoelectronique
DE1496673A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Glas auf vorbestimmte Teile einer Halbleitervorrichtung
DE2148120B2 (de) Verfahren zum Niederschlagen von Glasfilmen
DE1669235A1 (de) Alkalisilikatschutzueberzug
DE2614324A1 (de) Verfahren zur herstellung einer schichtbildenden loesung
DE7123990U (de) Halbleiterbauelement
DE2610814C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer filmbildenden Lösung zum Datieren von Halbleitermaterial
DE3610467A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vertikal magnetisierten schicht auf basis eines seltenen erden-eisen-granats
DE2447204A1 (de) Fluessiges dotierungsmittel und verfahren zu seiner herstellung
DE2262021C2 (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleitersilicium

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee