DE2809883C2 - - Google Patents
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Leiterrahmen für Halbleiterbauelemente ent
sprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Halbleiterbauelemente mit einem keramischen Gehäuse bestehen aus folgenden Hauptteilen:
Ein keramisches Substrat, ein Leiterrahmen und ein Halbleiterkörper (Chip). Das keramische Substrat weist eine Vertiefung auf, die mit Metall überzogen ist und zur Aufnahme des Halbleiterkörpers dient. Bei den "Dip"-Gehäusen ist das Substrat rechteckig und bei den "Quad"-Gehäusen ist das Substrat quadratisch. Der Leiterrahmen wird auf der Oberseite des Substrats befestigt und weist eine Mehrzahl von Metall leitern auf, die sich ausgehend vom Rand des Hohlraums über die äußeren Ränder des Substrats hinaus erstrecken. Bei den "Dip"-Gehäusen erstrecken sich die Leiter zu den zwei Längsseiten des rechteckigen Substrats und sind dort nach unten abgebogen, um zwei parallele Leiterreihen zu bilden, die in gedruckte Leiterplatten einsetzbar sind. Bei den "Quad"-Gehäusen erstrecken sich die Leiter über die äußeren Ränder des Substrats auf allen vier Seiten. Zuletzt, nachdem der Chip in der Vertiefung befestigt und mit den Leitern ver bunden ist, wird ein keramischer Deckel aufgesetzt, um den Chip hermetisch zu verschließen.
Ein keramisches Substrat, ein Leiterrahmen und ein Halbleiterkörper (Chip). Das keramische Substrat weist eine Vertiefung auf, die mit Metall überzogen ist und zur Aufnahme des Halbleiterkörpers dient. Bei den "Dip"-Gehäusen ist das Substrat rechteckig und bei den "Quad"-Gehäusen ist das Substrat quadratisch. Der Leiterrahmen wird auf der Oberseite des Substrats befestigt und weist eine Mehrzahl von Metall leitern auf, die sich ausgehend vom Rand des Hohlraums über die äußeren Ränder des Substrats hinaus erstrecken. Bei den "Dip"-Gehäusen erstrecken sich die Leiter zu den zwei Längsseiten des rechteckigen Substrats und sind dort nach unten abgebogen, um zwei parallele Leiterreihen zu bilden, die in gedruckte Leiterplatten einsetzbar sind. Bei den "Quad"-Gehäusen erstrecken sich die Leiter über die äußeren Ränder des Substrats auf allen vier Seiten. Zuletzt, nachdem der Chip in der Vertiefung befestigt und mit den Leitern ver bunden ist, wird ein keramischer Deckel aufgesetzt, um den Chip hermetisch zu verschließen.
Während der Herstellung sind die äußeren Enden der Leiter
alle einstückig mit einem umlaufenden Rahmen verbunden,
der sie an Ort und Stelle hält.
Nachdem der Leiter
rahmen am Substrat befestigt ist, werden im Laufe des
weiteren Verfahrens der Rahmen und die Verbindungsstege
abgeschnitten.
Leiterrahmen werden aus sogenannten Glaseinschmelz
legierungen hergestellt, das sind Legierungen, die
speziell im Hinblick darauf entwickelt wurden, daß sie
einen thermischen Expansionskoeffizienten haben, der
in etwa so groß ist wie der des Glases, in das sie
schließlich eingebettet werden.
Während noch vor einigen Jahren ein "Dip" mit vierzehn
Anschlüssen üblich war, sind heute Gehäuse mit vierzig
und sogar vierundsechzig Anschlüssen allgemein üblich.
Der Chip selbst und der Hohlraum in dem Substrat haben
ihre Größe beibehalten (etwa 1,5 cm2), jedoch mußten die
Leiter immer feiner werden und enger aneinander ange
ordnet werden. Bei einem Gehäuse mit vierzig Leitern
beispielsweise sind die Leiter an dem Kopfende 0,03 mm
breit und liegen in einem Abstand von 0,03 mm. Weil keine
Verbindungsstege an den Abschnitten der Leiter ange
ordnet werden können, die in das Glas eingebettet werden
sollen, können sich die sehr feinen Leiter, insbesondere
während des Einlagerungsvorganges bewegen und ein einziger
Kurzschluß zwischen zwei Leitern reicht
aus, um das gesamte Bauelement unbrauchbar zu machen. Eine genaue
Leiterpositionierung ist in
der Tat sogar von größter Wichtigkeit, wenn eine
automatische Anlage zum Einsetzen und Anschließen des
Chips verwendet wird.
Aus der DE-OS 26 30 695 ist ein gattungsgemäßer Leiter
rahmen bekannt, in dessen zentraler Öffnung ein zur
Anbringung eines Halbleiterchips bestimmtes Stützbauteil
angeordnet ist, welches über ein gekröpftes Verbindungs
glied mit dem Rahmen in Verbindung steht. Zwischen den
einzelnen, von dem umlaufenden Rahmen ausgehenden Leitern
befinden sich Verbindungsstege, die mit Abstand von den
inneren, der zentralen Öffnung zugekehrten Enden der
Leiter angeordnet sind. Mit zunehmender Leiterdichte und Feinheit der Leiter wird
somit bei diesem bekannten Leiterrahmen bei unveränderten
äußeren Abmessungen die mechanische Stabilität der
inneren Leiterenden beeinträchtigt.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, einen
Leiterrahmen für Halbleitergehäuse dahingehend
zu verbessern, daß trotz einer großen Anzahl feiner, eng anein
anderliegender Leiter diese eine stabile Lage zueinander
einnehmen. Diese Aufgabe wird
durch die Merkmale des Kennzeichnungsteils
des Anspruchs 1 gelöst.
Es wird somit ein Leiterrahmen geschaffen, der
abbrechbare, zumindest die längsten Leiter an ihren
inneren Enden abstützende Streifen aufweist. Es kann ein
gestanzter Leiterrahmen demzufolge
schmalere Leiter aufweisen, als es bei den bisher be
kannten Leiterrahmen möglich war. Schließlich kann der
erfindungsgemäße, eine große Anzahl eng aneinander
liegender Leiter aufweisende Leiterrahmen in großen
Stückzahlen und mit geringen Kosten bei gleichzeitig
großer Ausbeute hergestellt werden.
Ein Leiterrahmen mit den Merkmalen der Erfindung ist besonders geeignet für ein Keramik
gehäuse mit vierzig, in zwei Reihen angeordneten Leitern
(Cer-Dip) und wird im folgenden auch anhand eines solchen
beschrieben.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen
näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine vergrößerte Teildraufsicht auf einen kleinen
Abschnitt des Leiterrahmens;
Fig. 2 und 3 Querschnittsansichten entlang der Linie 2-2
der Fig. 1, wobei das Kerben und das Abbiegen der
Streifen veranschaulicht ist;
Fig. 4 in stark vergrößertem Maßstab eine Draufsicht
auf ein Viertel eines Leiterrahmens
mit vierzig Anschlüssen für "Dip"-Gehäuse;
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform
der Erfindung, wobei alle Leiter durch Streifen unter
stützt sind;
Fig. 6 und 7 Ansichten des Leiterrahmens der Fig. 4 ent
lang den Linien 6-6 und 7-7.
Das Stanzen komplexer Leiterrahmen wird stufenweise mit
mehreren Karbidarbeitswerkzeugen durchgeführt. Das heißt,
das Rohmaterial wird durch eine Stanzpresse mit in
mehreren Stationen aufeinanderfolgenden Sätzen aus Stempel
und Gegenstempel geführt, wo nacheinander die Stanzvorgänge
ausgeführt werden. Das Material wird nach jedem Stanzvor
gang um eine Station weitergeführt. Hierfür ist es typisch,
daß an der ersten Station Markierungslöcher gestanzt
werden und die verschiedenen Leiter an den folgenden
Stationen ausgebildet werden. Fig. 1 zeigt die Kopfenden
von zwanzig Leitern eines 40 Leiterrahmens. Die gezeigte
Form ergibt sich nach zehn Stanzvorgängen. Fig. 4 zeigt
ein Viertel einer Gesamtanordnung, die einen Rahmen 11
aufweist, der mit den äußeren Enden aller Leiter ein
stückig verbunden ist.
Wie aus den Fig. 1 und 4 deutlich hervorgeht, sind die
Leiter 10, 12 sehr kurz und über die Seite des keramischen
Substrates 14 in einer geringen Entfernung vom Kopfende
abgebogen. Selbst die Leiter 16, 18 die länger als die
Leiter 10, 12 sind, sind nicht so lang, daß für sie die
Bewegung oder der Kurzschluß ein Problem darstellen würde.
Die Leiter 20 sind die längsten, und ihre nicht abge
stützte Länge ist derart groß, daß sie den Stanzvorgang
und noch viel weniger die Einlagerung in das Glas ohne
innere Abstützung überstehen würden.
Im zehnten Arbeitsvorgang wird das alle Leiterkopfenden
haltende Metall abgeschnitten, abgesehen von den die
Leiter 20 haltenden Streifen 22.
An der nächsten Station werden die Seiten der Leitungen
nach unten abgebogen, so daß sie zwei parallele Reihen 23
bilden, siehe Fig. 7 (das ist übrigens ein Grund, warum
"Dip"-Gehäuse gegenüber anderen Typen von der Industrie
bevorzugt werden. Sie können nach der Leiterabbiegung in
einer automatischen Anlage weiter bearbeitet werden).
Die nächste Station ist, be
sonders wichtig, und es wird in diesem Zusammenhang auf
Fig. 2 verwiesen. Die Leiter 20 sind hier auf einem Gegen
stempel 24 abgestützt, und ein Stempel 26 kerbt die
Streifen 22, wobei die Kerbtiefe etwa halb so groß wie
die Materialdicke ist. Mit 28 ist die in Fig. 1 gestri
chelt eingezeichnete Bruchlinie bezeichnet.
Bei der nächsten und letzten Station im Stanzverfahren
wurden die Leiterkopf
enden geprägt, um die Flachheit sicherzustellen.
Dabei wird bei der Bewegung von der Kerb- zur
Prägestation der abgebogene Streifen
auf federgelagerte Stützen gehoben. Ein Präge- bzw. Preß
stempel 30 drückt dann nach unten (siehe Fig. 3), wodurch
die Kopfenden der Leiter 20 (sowie die Kopfenden der Leiter
10, 12, 16, 18) gegen den Gegenstempel innerhalb eines
Bereichs 31 (Fig. 4) gedrückt werden. Wenn der Präge- bzw.
Preßstempel 30 den Rahmen nach unten drückt (und die feder
gelagerten Stützen nachgeben), stoßen die Streifen 22 an
die geneigte Seite eines Blocks 32, wodurch die Streifen
22 um einen geeigneten Winkel, vorzugsweise 30 bis 45°,
abgebogen werden. Wenn der Stempel 30 zurückgefahren wird,
heben die Federstützen den Rahmen über den Block 32, und
der fertiggestellte Leiterrahmen wird zum Schneiden und
zum Stapeln gebracht.
Im weiteren Verfahren wird ein
keramisches Substrat mit einem zentralen Hohlraum 34 und
einer in Siebdruck aufgebrachten Glasbeschichtung
auf einer Halteeinrichtung positioniert, so daß die
Leiterkopfenden den Rand des Hohlraums erreichen und sich
die Streifen 22 darüber erstrecken. Das Glas besteht aus
einer niedrig schmelzenden Zusammensetzung, und die Wärme
wird schnell zugeführt, um das Glas zu schmelzen, während
ein Druckkolben (ähnlich dem Stempel 30, jedoch alle
horizontalen Leiter bedeckend) die Leiter in das Glas
drückt und die Anordnung schnell abkühlt. Nachdem sich
das Glas verfestigt hat, werden die Streifen, die ihre
Funktion während des Einlagerungsprozesses erfüllt haben,
abgebrochen, so daß die Kopfenden der Leiter 20 freiliegend
und in genauer räumlicher Ausrichtung zueinander zurück
bleiben.
Die Erfindung wurde anhand gestanzter Leiterrahmen be
schrieben, jedoch ist sie auch für geätzte Leiterrahmen
anwendbar.
Eine andere Abänderung ist in Fig. 5 ver
anschaulicht. Bei den "Quad"-Gehäusen oder sehr großen
Gehäusen kann es wünschenswert sein, alle Leiter 36 abzu
stützen. In diesem Fall bleiben nach dem Stanzen (oder
Ätzen) vier Streifen 38 übrig, die in genau der gleichen
Weise wie oben in Verbindung mit den Streifen 22 be
schrieben, gekerbt und abgebogen werden können.
Claims (5)
1. Leiterrahmen für Halbleiterbauelemente mit einer Mehr
zahl von Leitern, die einstückig mit einem um
laufenden Rahmen (11) verbunden sind und sich zu
einer zentralen Öffnung (34) erstrecken, um die
die inneren Enden der Leiter aufeinanderlaufen,
wobei zumindest die längsten
der Leiter einstückig mit einem oder mehreren
Streifen (22, 38) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen jeweils in den inneren Leiterenden
angeordnet und daß die inneren,
den Streifen (22, 38) benachbarten Enden der Leiter
entlang einer Bruchlinie (28) eingekerbt sind.
2. Leiterrahmen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Streifen (22, 38) entlang der Bruchlinie (28)
nach oben um einen geeigneten Winkel abgebogen sind.
3. Leiterrahmen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwei entlang seiner Längsseiten
angeordnete Leiterreihen (20) vorgesehen
sind.
4. Leiterrahmen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Öffnung (34) im wesentlichen
quadratisch ist, daß vier Streifen (38) vorgesehen
sind, von denen jeder einstückig mit den Leitern (36)
auf der einen Seite der Öffnung verbunden ist, und daß
jeder Streifen (38) um einen geeigneten Winkel nach
oben abgebogen ist.
5. Leiterrahmen nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bruchlinie (28) sich
quer über die inneren Enden der Leiter erstreckt und
die Kerbtiefe etwa die Hälfte der Dicke der Leiter beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US84432277A | 1977-10-14 | 1977-10-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2809883A1 DE2809883A1 (de) | 1979-04-19 |
DE2809883C2 true DE2809883C2 (de) | 1988-04-07 |
Family
ID=25292385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782809883 Granted DE2809883A1 (de) | 1977-10-14 | 1978-03-08 | Anschlussleiterrahmen fuer gehaeuse von halbleiterbauelementen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2809883A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19804877A1 (de) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Sunware Gmbh & Co Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von plattenförmigen Solarzellen |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3231557A1 (de) * | 1982-08-25 | 1984-03-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisches bauelement mit mindestens einer anschlussfahne |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5026292Y1 (de) * | 1968-01-29 | 1975-08-06 | ||
GB1550834A (en) * | 1975-07-24 | 1979-08-22 | Telcon Metals Ltd | Semiconductor devices |
-
1978
- 1978-03-08 DE DE19782809883 patent/DE2809883A1/de active Granted
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---|---|---|---|---|
DE19804877A1 (de) * | 1998-02-09 | 1999-08-12 | Sunware Gmbh & Co Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von plattenförmigen Solarzellen |
Also Published As
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DE2809883A1 (de) | 1979-04-19 |
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Legal Events
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
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