DE2809378A1 - Horizontalablenkschaltung - Google Patents

Horizontalablenkschaltung

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DE2809378A1 DE19782809378 DE2809378A DE2809378A1 DE 2809378 A1 DE2809378 A1 DE 2809378A1 DE 19782809378 DE19782809378 DE 19782809378 DE 2809378 A DE2809378 A DE 2809378A DE 2809378 A1 DE2809378 A1 DE 2809378A1
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transistor
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stage transistor
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Bernd Ing Grad Schindler
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Blaupunkt Werke GmbH
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Blaupunkt Werke GmbH
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
    • H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Horizontalablenkschaltung nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.
Bei Horizontalablenkschaltungen mit einer einen Endstufentransistor schaltenden Treiberstufe wird der Basis des Endstufentransistors während der Sperrphase üblicherweise eine zur Polarität der den Endstufentransistor durchschaltenden Spannung hohe gegenpolige Spannung zugeführt. Auf diese Weise werden die in der Basiszone des Endstufentransistors gespeicherten Ladungen sehr schnell abgeführt und die von dem Endstufentransistor verursachten Verluste der Horizontalablenkschaltung werden damit wesentlich vermindert.
ι Horizontalablenkschaltungen, in denen der Endstufentransistor direkt ■ von der Treiberstufe angesteuert wird, besitzen den Nachteil, daß die während der Sperrphase an die Basis des Endstufentransistors geführte hohe gegenpolige Spannung die Treiberstufe zerstören kann.
Es stellt sich daher die Aufgabe, eine Horizontalablenkschaltung der eingangs erwähnten Art zu entwickeln, die trotz der hohen gegenpoligen Spannung an der Basis des Endstufentransistors störungsfrei arbeitet.
Diese Aufgabe wird gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch gelöst, daß die Treiberstufe während der Sperrphase des Endstufentransistors durch eine von der Treiberstufe beeinflußte Schutzschaltung von dem Endstufentransistor abgetrennt ist.
Gemäß vorteilhafter Ausbildungen der Erfindung wird die Treiberstufe dabei dadurch von dem Endstufentransistor abgetrennt, daß der Signalweg von der Treiberstufe zum Endstufentransistor während der Sperrphase des Endstufentransistors durch die von der Treiberstufe beeinflußte Schutzschaltung vor dem Endstufentransistor kurzgeschlossen ist. Dazu weist die Schutzschaltung einen Transistor auf, der von
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der Treiberstufe derart beeinflußt ist, daß der Signalweg von der Treiberstufe zum Endstufentransistor wahrend dessen Sperrphase durch den Transistor der Schutzschaltung vor dem Endstufentransistor kurzgeschlossen wird.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung zeichnen sich dadurch aus, daß der Transistor mit seiner Emitter-Basis-Diode im Signalweg von der Treiberstufe zum Endstufentransistor liegt, über den Kollektor mit Massepotential verbunden ist, eine zur Emitter-Basis-Diode antiparallel geschaltete Diode aufweist und über die Basis von der Treiberstufe derart angesteuert ist, daß die den Endstufentransistor durchschaltenden Ausgangsimpulse der Treiberstufe
j über die in dieser Phase leitende Diode geführt sind und der j Transistor während der Sperrphase des Endstufentransistors durch die Ausgangsimpulse der Treiberstufe durchgeschaltet ist. Dabei kann in einer vereinfachten Ausfuhrungsform der Erfindung die Diode durch einen die Emitter-Basis-Diode des Transistors überbrückenden Widerstand ersetzt werden.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung, mit der sich während der Sperrphase des Endstufentransistors die hohe gegenpolige Spannung ohne wesentlichen Mehraufwand an die Basis des Endstufentransistors führen läßt, besteht darin, daß im Signalweg von der Treiberstufe zum Endstufentransistor zwischen der Schutzschaltung und dem Endstufentransistor ein Widerstand liegt und die dem Endstufentransistor in dessen Sperrphase über die Basis zugeführte zu der den Endstufentransistor durchschaltenden Spannung hohe gegenpolige Spannung mit einer zwischen der Basis des Endstufentransistors und Massepotential liegenden Induktivität aus der dem Endstufentransistor durchschaltenden Spannung gewinnbar ist.
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Die Vorteile einer erfindungsgemäßen Horizontalablenkschaltung liegen
insbesondere darin, daß der Endstufentransistor ohne wesentlichen Mehraufwand direkt von einer Treiberstufe in zuverlässiger Weise angesteuert werden kann. Dabei erlaubt es der erfindungsgemäße Aufbau
der Schutzschaltung, diese in eine integrierte Schaltung, insbesondere ' ■ die integriert aufgebaute Treiberstufe, mit einzubeziehen. Dabei kann I
! i
i die Treiberstufe mit Bauelementen geringer Spannungsfestigkeit aufge- j ; baut sein. j
i j
I Die Erfindung wird nachfolgend an einer Figur, in der eine erfindungs- ; ' gemäße Horizontalablenkschaltung in ihrem prinzipiellen Aufbau dar- ;
gestellt ist, näher erläutert. j
ι ·
Die erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung weist einen Seilen- j j oszillator 5 auf, der die Treiberstufe 1 mit zeilenfrequenten Im- j pulsen ansteuert. Die Treiberstufe 1 schaltet über den Signalweg 3 j den Endstufentransistor T durch. Im Kollektorzweig des Endstufentransistors Τ« liegt eine Schaltstufe h, der über den Anschlußpunkt 6 eine gegenüber Massepotential positive Betriebsspannung zugeführt wird. Die Schaltstufe h umfaßt in an sich bekannter und
nicht näher dargestellter Weise die Horizontalablenkspulen und
dazugehörigen Korrekturelemente und gegebenenfalls die Primärspule
eines Zeilenausgangsübertragers.
Die den als npn-Transistor aufgebauten Endstufentransistor T durchschaltenden Ausgangsimpulse der Treiberstufe 1 gelangen über die
für diese Impulse leitende Diode D über den Kondensator C und über
den Widerstand R an die Basis des Endstufentransistors T?. Zugleich
treibt die den Endstufentransistor Tg durchschaltende Spannung
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durch die Induktivität L einen anwachsenden Strom. Die Sperrphase des Endstufentransistors T vird dadurch eingeleitet, daß die Treiberstufe 1 eine den Transistor T1, der eine pnp-Struktur aufweist, durchschaltende und während der Sperrphase des Endstufentransistors Tp wirksame Spannung an die Basis des Transistors T1 abgibt. Der Signalweg 3 zwischen der Schutzschaltung 2 und dem Endstufentransistor T ist damit über die l Strecke des Transistors T1 kurzgeschlossen.
Endstufentransistor T ist damit über die leitende Emitter-Kollektor-
Da mit der Sperrphase die den Endstufentransistor T durchschaltende Spannung nicht mehr auftritt, bricht das mit der Induktivität L aufgebaute Magnetfeld sehr schnell in sich zusammen, wobei an dem mit der Basis des Endstufentransistors T verbundenen Anschluß der Induktivität L eine zu der den Endstufentransistor T durchschaltenden Spannung hohe gegenpolige, in diesem Fall negative, Spannung auftritt, die die in der Basiszone des Endstufentransistors T gespeicherten Ladungsträger ausräumt. Die in dieser Phase an der Induktivität L auftretende hohe Spannung zieht über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T1 den Kondensator C und den Widerstand R einen Strom, der durch den Widerstand R begrenzt wird.
Damit wird die Treiberstufe 1 vor unerwünschten und von der Induktivität L ausgehenden Spannungsspitzen durch den Transistor T. geschützt, indem diese Spannungsspitzen durch den Transistor T kurzgeschlossen werden.
Dabei wirkt die Kombination aus dem Widerstand R und dem Kondensator C als ein zusätzlicher Schutz, indem die durch das Zusammenwirken des Widerstands R und des Kondensators C bedingte Zeitkonstante ein Maß für die Verzögerung ist, mit der die an der Induktivität L auftreten-
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den Spannungsspitzen an den Transistor T gelangen. Somit ist sichergestellt, daß die von der Induktivität L ausgehenden Spannungsspitzen nur dann an den Transistor T1 gelangen, wenn dieser leitend ist.
Darüber hinaus wird mit dem Kondensator C eine Potentialverschiebung erzielt, so daß der Basis des Endstufentransistors T in an sich bekannter und nicht näher dargestellter Weise eine negative Vorspannung zugeführt werden kann, ohne daß diese die Treiberstufe belastet. Diese negative Vorspannung unterstützt die Ableitung der Ladungsträger aus der Basiszone des Endstufentransistors Tp während dessen Sperrphase·
In der Schutzschaltung 2 kann in einer vereinfachten Ausbildung dieser Schaltung die Diode D durch einen Widerstand ersetzt werden, über den die den Endstufentransistor T durchschaltenden Impulse von der Treiberstufe 1 an die Basis des Endstufentransistors T geführt werden.
Ferner ist es im Rahmen der vorliegenden Erfindung möglich, die den Endstufentransistor T„ durchschaltenden Impulse und die den Transistor T1 während der Sperrphase des Endstufentransistors T durchschaltenden Impulse jeweils über in der Figur nicht dargestellte getrennte Ausgänge der Treiberstufe 1 an den Endstufentransistor T und den Transistor T zuführen.
Eine erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung zeichnet sieh durch einen einfachen Aufbau aus und arbeitet bei hohem Wirkungsgrad mit größter Zuverlässigkeit. Darüber hinaus kann eine erfindungsgemäße Horizontalablenkschaltung weitgehend in integrierter Technik aufgebaut werden.
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Claims (1)

  1. Horizontalablenkschaltung für Fernsehgeräte mit einer einen Endstufentransistor direkt schaltenden Treiberstufe, vobei der Basis des Endstufentransistors während der Sperrphase eine zur Polarität der den Endstufentransistor durchschaltenden Spannung hohe gegenpolige Spannung zugeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberstufe (1) während der Sperrphase des Endstufentransistors (Tp) durch eine von der Treiberstufe (1) beeinflußte Schutzschaltung (2) von dem Endstufentransistor (T_) abgetrennt ist.
    Horizontalablenkschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalweg (3) von der Treiberstufe (1) zum Endstufentransistor (Tp) während der Sperrphase des Endstufentransistors (Tp) durch die von der Treiberstufe (1) beeinflußte Schutzschaltung (2) vor dem Endstufentransistor (T ) kurzgeschlossen ist, so daß die Treiberstufe (1) dabei von dem Endstufentransistor (T ) abgetrennt ist.
    Horizontalablenkschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschaltung (2) einen Transistor (T.) aufweist und dieser Transistor (T.) durch die Treiberstufe (1) derart beeinflußt ist, daß der Signalweg (3) von der Treiberstufe (1) zum Endstufentransistor (T ) während der Sperrphase des Endstufentransistors (T?) durch den Transistor (T ) vor dem Endstufentransistor (Tp) kurzgeschlossen ist.
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    ORIGINAL IMSPECTED
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    Horizontalablenkschaltung nach den Ansprüchen 1 "bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (T ) mit seiner Emitter-Basis-Diode im Signalweg (3) von der Treiberstufe (1) zum Endstufen-
    bunden ist, eine zur Emitter-Basis-Diode antiparallel geschaltete Diode (D) aufweist und über die Basis von der Treiberstufe (1) ; derart angesteuert ist, daß die den Endstufentransistor (T ) j durchschaltenden Ausgangsimpulse der Treiberstufe (1) über die
    in dieser Phase leitende Diode (D) geführt sind und der
    j Transistor (T1) während der Sperrphase des Endstufentransistors ! (T ) durch die Ausgangsimpulse der Treiberstufe (1) durchge-Gehaltet ist.
    • 5. Horizontalablenkschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch j gekennzeichnet, daß der Transistor (T ) mit seiner Emitter-Basis-Diode im Signalweg (3) von der Treiberstufe (1) zum Endstufentransistor (Tp) liegt, einen zur EmitterTBasis-Diode parallel geschalteten Widerstand aufweist, über den Kollektor mit Massepotential verbunden ist und über die Basis von der Treiberstufe (1) derart angesteuert ist, daß die den Endstufentransistor (T3) durchschaltenden Ausgangsimpulse der Treiberstufe (1) über den Widerstand geführt sind und der Transistor (T ) während der Sperrphase des Endstufentransistors (T3) durch die Ausgangsimpulse der Treiberstufe (1) durchgeschaltet ist.
    5. Horizontalablenkschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Signalweg (3) von der Treiberstufe (1) zum Endstufentransistor (T3) zwischen der Schutzschaltung (2) und dem Endstufentransistor (T ) ein Widerstand (r) liegt und
    transistor (T ) liegt, über den Kollektor mit Massepotential ver- i
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    BLAUPUNRX- VVKR.K.E GMBH Si HILDE3HEIM, Robart-Botch-StrtBe 200
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    die dem Endstufentransistor (T ) in dessen Sperrphase über die Basis zugeführte und zu der den Endstufentransistor (T ) durchschaltenden Spannung hohe gegenpolige Spannung .mit einer zwischen der Basis des Endstufentransistors (T5) und Massepotential liegenden Induktivität (L) aus der den Endstufentransistor (T ) durchschaltenden Spannung gewinnbar ist.
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DE19782809378 1978-03-04 1978-03-04 Horizontalablenkschaltung Withdrawn DE2809378A1 (de)

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