DE2806567A1 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementsInfo
- Publication number
- DE2806567A1 DE2806567A1 DE19782806567 DE2806567A DE2806567A1 DE 2806567 A1 DE2806567 A1 DE 2806567A1 DE 19782806567 DE19782806567 DE 19782806567 DE 2806567 A DE2806567 A DE 2806567A DE 2806567 A1 DE2806567 A1 DE 2806567A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- passivation
- passivation layer
- intermediate layer
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDYQBMRHSJCKBL-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[Si]([O-])([O-])([O-])[O-].[B+3] Chemical compound [Zn+2].[Si]([O-])([O-])([O-])[O-].[B+3] YDYQBMRHSJCKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Dn.-Ing. Reiman König · Dipl.-'ng. Klaus Bergen
Cecilienallee 76 4 Düsseldorf 3O Telefon 452OOB Patentanwälte
14. Februar 1978 31 995 B
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines
Halbleiterbauelements, bei dem zum Passivieren von Oberflächenbereichen
eines Halbleiterkörpers in einem Fotolack-Binder suspendierte Passivierteilchen verwendet
werden.
Passivierteilchen bzw. als Feststoffteilchen vorliegende Passiviermittel, die in Fotolack-Bindern suspendiert sind,
werden im allgemeinen dazu benutzt, eine Schicht auf einer Oberfläche eines Halbleiterbauelementes zu bilden, die
einen an dieser Oberfläche austretenden PN-Übergang passiviert. Dabei wird nach dem Begrenzen der entstandenen
Passivierschicht der Binder abgebrannt und die Passivierteilchen in die Oberfläche eingeschmolzen. Das Abbrennen
und Einschmelzen erfolgt in der Regel sofort nach dem Begrenzen der Passivierschicht. Folglich erfordert jede
weitere Behandlung der freigelegten Flächen in der Regel das Aufbringen einer Maske, z.B. durch Aufwachsen
einer Maskierschicht aus Siliziumdioxid. Vor der nachfolgenden
Behandlung muß die Maskierschicht außerdem begrenzt werden. Die Maskierschicht ist erforderlich, um
ein Beschädigen des eingebrannten oder eingeschmolzenen Passiviermittels bei der nachfolgenden Behandlung zu
vermeiden. Wegen des Erfordernisses dieser zusätzlichen
$09835/0631
Maske wurden "bisher aus Feststoffteilchen bestehende Passiviermittel
bzw. Passivierteilchen grundsätzlich nur unmittelbar auf die Oberfläche aufgebracht, die zu passivieren
ist. Durch die zusätzliche Maske werden nicht die Kosten des fertigen Bauelementes erhöht, sondern auch
weitere Fehlerquellen geschaffen, weil immer die Möglichkeit einer Fehlausrichtung der Maske besteht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß bei
einem Weiterbehandeln des Bauelementes im Anschluß an das Passivieren in der Regel eine gesonderte Maske zum
Schutz der fertiggestellten Passivierschicht nicht erforderlich ist. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe besteht
darin, daß eine aus den in einem Fotolack-Binder suspendierten Passivierteilchen bestehende Passivierschicht
auf einer auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Werkstoff-Zwischen- oder Unterschicht (nachfolgend
einfach Zwischenschicht genannt) gebildet wird, daß beim Begrenzen der Passivierschicht Teile der Zwischenschicht
freigelegt und diese Teile dann von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt werden und daß danach die
Passivierteilchen durch Erhitzen der Passivierschicht in die Zwischenschicht eingeschmolzen werden.
Die Erfindung umfaßt das Verwenden einer Aufschlämmung aus Passivierteilchen und einem Fotolack-Binder sowohl
als Passivierschicht von Oberflächenteilen eines Halbleiterkörpers als auch als Maske beim Bearbeiten einer
zwischen der aus der Aufschlämmung gebildeten Passivierschicht und der Oberfläche des Halbleiterkörpers vorgesehenen
Werkstoffschicht. Durch die Erfindung ist demgemäß ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
geschaffen worden, mit dem sowohl eine auf einen Halbleiterkörper aufgebrachte Zwischenschicht
809835/0631
begrenzt als auch eine Oberfläche bzw. Oberflächenteile des Halbleiterkörpers passiviert werden können.
Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 bis 4 nicht maßstabgetreue Querschnitte des Halbleiterbauelements
während verschiedener Stadien des Verfahrens.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann zwar auf jedes beliebige Halbleiterbauelement angewendet werden, bei der nachfolgenden
Erläuterung wird jedoch zur besseren Erläuterung als Beispiel auf einen speziellen Aufbau bezug genommen.
Das Bauelement 10 gemäß Fig. 1 besteht aus einem Halbleiterkörper 12 mit einer Oberfläche 14. Der Halbleiterkörper
kann mehrere Zonen enthalten, z.B. eine N-leitende erste Zone 16, eine P-leitende zweite Zone 18 und eine N-leitende
dritte Zone 22. Zwischen den Zonen 16 und 18 ist dabei ein erster PN-Übergang 20 und an der Grenze zwischen den
Zonen 16 und 22 ein zweiter PN-Übergang 24 vorgesehen. Im Ausführungsbeispiel hat der Halbleiterkörper 12 von
der Oberfläche 14 aus abwärts führende gekrümmte Seitenflächen 26, die jedoch im Zusammenhang der Erfindung
nicht von Bedeutung sind. Die PN-Übergänge 20 und 24 enden an den Seitenflächen 26 bzw|| an der Oberfläche 14.
Alternativ könnten auch beide PN-Übergänge 20 und 24 beispielsweise an der Oberfläche 14 austreten.
Auf der Oberfläche 14 des Halbleiterkörpers 12 liegt mindestens eine Zwischenschicht 28. Die Zusammensetzung
809835/0631
der Schicht 28 ist für das erfindungsgemäße Verfahren zwar nicht von wesentlicher Bedeutung, im vorliegenden
Ausführungsbeispiel besteht die Schicht 28 jedoch vorzugsweise aus hochohmigem polykristallinem Silizium.
Mifhochohmig" wird hier und im folgenden ein spezifischer
Widerstand von mindestens etwa 1000 Ohm-cm verstanden.
Nach Fig. 1 ist auf die Zwischenschicht 28 eine Passivierschicht 30 aufgebracht worden, die Passivierteilchen bzw.
in Feststoffteilchenform vorliegende Passiviermittel, die
in einem Fotolack-Binder suspendiert sind, enthält. Zum Verdeutlichen und zum Herausstellen der Teilchenform des
in der Aufschlämmung enthaltenen Passiviermittels ist die Passivierschicht 30 in den Fig. 1 bis 3 der Zeichnung
punktiert dargestellt. Die Passivierteilchen können z.B. aus Blei-Aluminium-Silikat, Blei-Bor-Silikat, Zink-Bor-Silikat
oder ähnlichem in Puderform bestehen. Ferner kann der Fotolack-Binder entweder positiv oder negativ
sein. Die Passivierschicht 30 kann auf bekannte Weise aufgebracht werden, z„B. durch Rakeln oder Aufspritzen.
Aus verschiedenen Gründen wird das Aufspritzen bevorzugt. Beispielsweise kann die Dicke der alles überdeckenden
Passivierschicht 30 durch Einstellen der Viskosität der Aufschlämmung und der Zahl der aufgebrachten Schichten
relativ leicht gesteuert werden. Außerdem führt das Aufspritzen einer solchen Passivierschicht 30 zu einer
glatteren und gleichmäßigeren Verteilung der Aufschlämmung,
Als nächstes wird die Passivierschicht 30 durch eine (nicht gezeichnete) Fotomaske, z.B. mit Hilfe von ultraviolettem
Licht, belichtet und begrenzt. Das Begrenzen kann nach bekannten Verfahren erfolgen, z.B. durch Auf-
809835/0631
.7-
bringen eines Xylol enthaltenden Sprühmittels. Der Zustand des Bauelementes 10 nach dem Begrenzen ist in Fig. 2 gezeichnet.
Wie sich daraus ergibt, sind Teile 32 der Zwischenschicht 28 bei dem vorbeschriebenen Begrenzen
der Passivierschicht 30 freigelegt worden.
Beim nächsten Verfahrensschritt werden die freigelegten Teile 32 der Zwischenschicht 28 abgetragen. Wenn die Zwischenschicht
28 das einzige Material zwischen der Passivierschicht
30 und der Oberfläche 14 ist, werden dadurch, wie in Fig. gezeigt ist, Teile 34 der Oberfläche 14 des Halbleiterbauelementes
10 freigelegt. Zum Abtragen der freigelegten Teile 32 der Zwischenschicht 28 können bekannte Verfahren
benutzt werden. Wenn die Zwischenschicht 28 aus hochohmigem polykristallinem Silizium besteht, werden die Teile 32 vorzugsweise
durch Plasmaätzen entfernt. Stattdessen kann auch ein Ätzmittel, z.B. ein solches, das im wesentlichen gleiche
Teile an Salpeter-, Essig- und Flußsäure enthält, verwendet werden, das die Zwischenschicht 28 mit erheblich
höherer Geschwindigkeit angreift als den Binder der Aufschlämmung. Im Ausführungsbeispiel, bei dem die Zwischenschicht
28 aus hochohmigem polykristallinem Silizium besteht, greift das vorgenannte Ätzmittel die Zwischenschicht
28 mit einer zwischen etwa 25- und etwa 100-mal so großen Geschwindigkeit an wie den Fotolack der Aufschlämmung.
Nach dem Abtragen der freigelegten Teile 32 der Zwischenschicht 28 wird die Passivierschicht 30 auf eine Temperatur
erhitzt, bei der der Binder verdampft; die Passivierschicht 30 wird dabei solange auf Temperatur gehalten,
bis im wesentlichen der gesamte Binder verdampft ist. Im Ausführungsbeispiel sind als Abdampf- bzw.
80983B/0631
Abbrenn-Temperatur etwa 40O0C Ms etwa 6000C für eine Zeitdauer
von etwa 5 Ms etwa 20 Minuten erforderlich, um im wesentlichen das gesamte Bindemittel abzubrennen bzw.
abzudampfen. Vorzugsweise wird das Abbrennen bei einer Temperatur von etwa 5000C für etwa 20 Minuten in Luft
vorgenommen. Im Anschluß an das Abbrennen wird die Passivierschicht
30 auf eine zweite, höhere Temperatur weiter aufgeheizt, die in der Größenordnung zwischen etwa 700
und etwa 10000C liegt, und für eine Zeitdauer von etwa 90 Minuten auf dieser zweiten Temperatur gehalten, um
die Passivierteilchen zu verschmelzen. Vorzugsweise wird
auch dieses zweite Aufheizen in Luft vorgenommen. Nach dem zweiten Aufheizen sind die in der Passivierschicht
enthaltenen Passivierteilchen miteinander und mit der darunter liegenden Zwischenschicht 28 verschmolzen.
In Fig. 4 ist dieser Zustand durch Weglassen der Punktierung gegenüber Fig. 1 bis 3 angedeutet worden.
Grundsätzlich ist das erfindungsgemäße Verfahren hiermit beendet. Im Ausführungsbeispiel, bei dem die Werkstoffschicht
aus hochohmigem polykristallinem Silizium besteht, das - wie bekannt -als ein chemisches Passiviermittel
wirkt, können die durch Wegätzen der Zwischenschicht 28 freigelegten Teile 34 der Oberfläche 14 anschließend
auf bekannte Weise metallisiert werden. Das Halbleiterbauelement 10 kann dann - ebenfalls nach bekannten
Verfahren - vervollständigt und gekapselt werden. Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird
die Zahl der Verfahrensschritte zum Begrenzen einer Zwischenschicht 28, die unterhalb einer Passivierteilchen
enthaltenden Passivierschicht 30 auf einem Halbleiterbauelement 10 aufliegt, reduziert. Das bedeutet,
durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich, eine an die Oberfläche 14 eines Halbleiterbauelementes
809835/0631
10 angrenzende Zwischenschicht 28 zu begrenzen. Dieses Begrenzen erfolgt dabei nach dem Bilden der Passivierschicht
30 aus Passivierteilchen aber vor dem Verschmelzen der Passivierteilchen selbst. Durch das erfindungsgemäße
Verfahren, das relativ einfach in herkömmliche Herstellungsprozesse zu integrieren ist, werden die
Kosten des fertigen Bauelementes vermindert und gleichzeitig - wegen des Wegfaliens einer Maskierung - die Mög
lichkeit des Anfalls von Ausschuß infolge einer Fehlausrichtung einer Maske herabgesetzt.
809835/0631
L -% e rs e it
Claims (6)
1.)Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes,
bei dem zum Passivieren von Oberflächenbereichen eines Halbleiterkörpers in einem Fotolack-Binder suspendierte
Passivierteilchen verwendet werden, dadurch gekennzeichnet , daß eine aus den in
einem Fotolack-Binder suspendierten Passivierteilchen bestehende Passivierschicht (30) auf einer auf der Oberfläche
(14) des Halbleiterkörpers (12) liegenden Zwischenschicht (28) gebildet wird, daß beim Begrenzen
der Passivierschicht (30) Teile (32) der Zwischenschicht (23) freigelegt und diese Teile (32) dann von der Oberfläche
(14) des Halbleiterkörpers (12) entfernt werden und daß danach die Passivierteilchen durch Erhitzen
der Passivierschicht miteinander und mit der Zwischenschicht (28) verschmolzen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Binder nach dem
Entfernen der freigelegten Teile (32) der Zwischenschicht (28) aber vor dem zum Verschmelzen der Passivierteilchen
vorgesehenen Erhitzen der Passivierschicht (30) verdampft wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Passivierschicht
(30) zum Verdampfen des Binders auf etwa 5000C erhitzt wird und daß diese Temperatur für etwa
20 Minuten aufrechterhalten wird.
ORSGiNAL !NSPECTED
809835/0631
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenschicht (28) als hochohmige polykristalline Siliziumschicht vor dem Bilden der Passivierschicht
(30) auf die Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (12) aufgebracht wird,
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierschicht (30) durch Bestrahlen mit
ultraviolettem Licht durch eine Fotomaske begrenzt wird und daß anschließend Teile (32) der Zwischenschicht (28)
durch Aufsprühen eines Ätzmittels auf die Passivierschicht (30) freigelegt werden.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeic hnet, daß die freigelegten Teile (32) der Zwischenschicht
(28) mit einem diese etwa 100-mal schneller als die Passivierschicht (30) angreifenden Ätzmittel behandelt
werden.
9 fu
5(39835/0631
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US77168277A | 1977-02-24 | 1977-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2806567A1 true DE2806567A1 (de) | 1978-08-31 |
Family
ID=25092629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782806567 Withdrawn DE2806567A1 (de) | 1977-02-24 | 1978-02-16 | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53105983A (de) |
| DE (1) | DE2806567A1 (de) |
| GB (1) | GB1552758A (de) |
| IT (1) | IT7819031A0 (de) |
| PL (1) | PL117438B1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0091072A1 (de) * | 1982-04-01 | 1983-10-12 | Alcatel | Verfahren zur Einkapselung von Halbleiterbauelementen sowie derartig eingekapselte Bauelemente |
-
1978
- 1978-01-04 IT IT7819031A patent/IT7819031A0/it unknown
- 1978-02-16 DE DE19782806567 patent/DE2806567A1/de not_active Withdrawn
- 1978-02-16 GB GB6177/78A patent/GB1552758A/en not_active Expired
- 1978-02-20 JP JP1901978A patent/JPS53105983A/ja active Pending
- 1978-02-22 PL PL1978204819A patent/PL117438B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0091072A1 (de) * | 1982-04-01 | 1983-10-12 | Alcatel | Verfahren zur Einkapselung von Halbleiterbauelementen sowie derartig eingekapselte Bauelemente |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL204819A1 (pl) | 1978-11-06 |
| IT7819031A0 (it) | 1978-01-04 |
| PL117438B1 (en) | 1981-08-31 |
| GB1552758A (en) | 1979-09-19 |
| JPS53105983A (en) | 1978-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1080697B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern einer Halbleiteranordnung | |
| DE2726667A1 (de) | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben | |
| DE2153103A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE3490007T1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
| DE2832740A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
| DE3215101C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Öffnung mit abgeschrägten Kanten in einer Passivierschicht | |
| DE112018005956T5 (de) | Integrierte heizung und herstellungsverfahren | |
| DE2523307A1 (de) | Halbleiter-bauelemente mit verbesserter lebensdauer | |
| DE2450907A1 (de) | Verfahren zum herstellen von tiefen dioden | |
| DE2227344C3 (de) | ||
| DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1803024C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistorbauelementen | |
| DE2227344B2 (de) | Verfahren zum aetzen von oeffnungen in eine schicht aus organischem material | |
| CH631291A5 (de) | Verfahren zur stabilisierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterkoerpern. | |
| EP0028786B1 (de) | Ionenimplantationsverfahren | |
| DE2806567A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements | |
| DE2027589A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Transistoren | |
| DE1942239C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Lateraltransistors | |
| DE3022489A1 (de) | Loetbarer varistor | |
| DE2537327A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einem pn- uebergang gleichfoermiger stromdichteverteilung und verfahren zum herstellen eines solchen halbleiterbauelements | |
| DE1186950C2 (de) | Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper | |
| DE6802214U (de) | Elektrisches bauelement. | |
| DE1789194B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors | |
| DE1444520A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2150859A1 (de) | Verfahren zum Anbringen von kleinen OEffnungen in Isolierschichten bei der Herstellung von Halbleiterbausteinen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8130 | Withdrawal |