DE2738641A1 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

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DE2738641A1
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high voltage
circuit
semiconductor circuit
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semiconductor
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Katunobu Awane
Tetuo Biwa
Hironori Hattori
Hiroshi Tamaki
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Sharp Corp
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Description

TER MEER · MÖLLER · STEINMEISTER 402-iiLli
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung und insbesondere eine Metalloxid-Halbleiterschaltung mit Diffusions-Selbstausrichtung für hohe Spannung (high voltage diffusion-self-alignment metal oxide semiconductor device), nachfolgend auch abgekürzt DSAMOS-Schaltung für hohe Spannung bezeichnet ·
Normalerweise erfordert eine flache Anzeigetafel bzw. ein Anzeigefeld, beispieleweise eine Plasma-Anzeigetafel, eine Elektrolumineszenz-Matrixanzeigetafel, ein elektrostatischer Drucker usw. eine Treiberschaltung für hohe Spannung. Die flache Anzeigetafel und der elektrostatische Drucker besitzen sehr viele Elektroden, und für jede Elektrode ist eine Treiberstufe für hohe Spannung erforderlich. Das heisst, es sind sehr viele Treiberstufen für hohe Spannungen vorhanden, denen Steuersignale zugeleitet werden, und die die flache Anzeigetafel oder den elektrostatischen Drucker betrieben.
Bei herkömmlichen Systemen sind die Treiberstufen für hohe Spannungen getrennt von den Steuerschaltungen ausgebildet bzw. angeordnet, die die Steuersignale für die Treiberstufen für hohe Spannung erzeugen. Daher sind viele Leitungen und Drähte erforderlich, die die Steuerschaltungen mit den Treiberstufen für hohe Spannung und die Treiberstufen für hohe Spannung mit den Elektroden verbinden, die in der flachen Anzeigetafel oder dem elektrostatischen Drucker vorhanden sind. Diese Leitungen und Drahtungen beanspruchen viel Platz, so dass die Steuerschaltung bzw. die Treiberschaltung nicht kompakt und mit kleinen Abmessungen hergestellt werden können.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiterschaltung zu schaffen, die wesentlich kompakter und mit kleineren Abmessungen hergestellt werden kann und die Nachteile der herkömmlichen für die genannten Zwecke hergestellten, integrierten Halbleiterschaltungen nicht aufweist.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die in Anspruch 1 angegebene Halbleiterschaltung gelöst.
Vorteilharte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den UnteranSprüchen angegeben.
Gemäss der vorliegenden Erfindung wird also eine integrierte Halbleiterschaltung geschaffen, bei der eine Treiberschaltung für hohe Spannung und eine Schaltungsanordnung für niedere auf einen einzigen Halbleiterkörper oder -substrat ^inc.
Die Treiberschaltung für hohe Spannung und die Schaltungsanordnung für niedere Spannung, die auf einen einzigen Halbleiterkörper ausgebildet sind, werden durch Diffusions-Selbstausrichtungs-Verfahren hergestellt.
Darüberhinaus ist es «it der vorliegenden Erfindung möglich, eine auf einen einzigen Halbleiterkörper integrierte Steuerschaltung zua Betreiben einer flachen Anzeigetafel, beispiels-» weise einer Elektrolunineszenz-Matrixanzeigetafel zu schaffen.
Mit der erfindungsgenässen Halbleiterschaltung kann die Anzahl der erforderlichen Eingänge der Treiberschaltung für eine ΠλοΙι«» Aii7«M|>;«»tei>l , bei Rpielevei pe für eir.e Ll ektxvlumir.es- ».·η· ftftt vi Mii.·.'*-IfItH fU'ri eflir kl «»ir. fifV.ft «t f.: *evcc. .
Genäss einen sehr vorteilhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung werden DSAMOS-Schaltungen für hohe Spannung und die Steuerschaltung für niedere Spannung unter Verwendung der Diffusions-Selbstausricht-Verfanren auf einen einzigen Halbleiterkörper integriert. Die DSAMOS-Schaltungen für hohe Spannung weisen eine Drainfeid-Schicht eine Gatefeld-Schicht und eine Widerstandsschicht auf kleinsten Raun, eine sogenannte "Pinched"-Widerstandsschicht,auf, die zusammen für hohe Spannungen geeignet sind.
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Ein typischer Aufbau einer DASMDS-Schaltung für hohe Spannung ist in der vom selben Anmelder gleichzeitig eingereichten US-Patentanmeldung Ser. No. 691 ö?4 beschrieben, die am 1. Juni 1976 eingereicht wurde und den Titel "HIGH VOLTAGE, LOW OU-RESISTANCE DIPFUSION-SELy-ALIGNMENT METAL OXIDE SEMICONMJCTOH DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF" trägt. Bei der gemäss dieser Patentanmeldung vorgeschlagenen DASMOS-Schaltung für hohe Spannung werden eine P+-Kanalzone und eine N+-Source-Zone unter Verwendung eines Doppeldiffusionsverfahren in kreisförmige] Anordnung auf einem P~-leitenden Siliciumkörper bzw. -substrat ausgebildet. In der Mitte der Oberfläche des P"*-Siliciumkörpers wird eine N+-leitende Drain-Kontaktzone gebildet. Eine N~- leitende aktive dünne (pinched) Widerstandsschicht wird auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers gebildet und erstreckt sich zwischen der N+-leitenden Drain-Kontaktzone und der P+- leitenden Kanalzone. Eine Feldscbicht oder Feldplatte, auch Overlay-Metallisierung bezeichnet, wird auf einer Isolierschicht in der Nähe der Drain-Metallisierung angebracht und erstreckt sich nach aussen zur Gate-Metallisierung hin, so dass diese Feldplatte praktisch alle Verarmungszonen in der Nähe des Drain-Kontaktes überdeckt. Eine weitere Feldplatte mit kleinerer Abmessung ist auf einer Isolierschicht in der Nähe der Gate-Metallisierung vorgesehen und erstreckt sich nach innen zur Drain-Metallisierung hin, um dadurch einen Lawinendurchbruch an der Kanalzone zu verhindern.
Die integrierte Halbleiterschaltung weist wesentlich mehr Ausgänge als Eingänge auf. An den Ausgängen treten Signale mit hoher Spannung auf, die von den DASMOS-Schaitungen für hohe Spannung erzeugt werden und eine flache Anzeigetafel, beispielsweise eine Elektrolumineszenz-Matrixanzeigetafel oder eine Plasma-Anzeigetafel betreiben. Die Steuerschaltungen für niedere Spannung, bzw. die mit niederen Spannungen arbeitenden Steuerschaltungen befinden sich in der Mitte des Halbleiterkörpers, und die DASMOS-Treiberstufen für hohe Spannung befinden sich auf der Randzone des Halbleiterkörpers.
Die erfindungsgemässe, integrierte Halbleiterschaltung ist für das Betreiben entsprechender Einrichtungen mit hoher Span-
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nung und mit hoher Geschwindigkeit geeignet. Eine Taktfrequenz von 10 MHz, eine Leitfähigkeit (trarisconductance) vor, 15m Xj* , eine Sperr-Durchbruch-spannung von 600 V und eine Durchlass-Durchbruch-spannung von 300 V sind beispielsweise typische Kennwerte der erfindungsgemässen Halbleiterschaltung.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Blockschaltbild einer flachen Anzeigetafel, sowie
eine typische Treiberstufe und eine Steuerschaltung für eine flache Anzeigetafel,
Fig. 2 den Signalverlauf von Steuersignalen, die bei dem in Fig. 1 dargestellten System verwendet werden,
Fig. 3 eine schematische Schaltungsanordnung von einem Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemässen, integrierten Halbleiterschaltung,
Fig. (4) bis 4(d) Querschnitts-Darstellungen, die das Verfahren zur Herstellung einer Ausführungsform der erfindungsgemässen, integrierten Halbleiterschaltung wiedergeben,
Fig. 5 eine Anordnung bzw. ein Layout einer Ausführungsform
der erfindungsgemässen, integrierten Halbleiterschaltung in Aufsicht,
Fig. 6 eine vergrösserte Darstellung in Aufsicht, die ein Teil der in Fig. 5 dargestellten, integrierten Halbleiterschaltung schematisch wiedergibt, und
Fig. 7 eine Aufsicht auf eine Anordnung bzw. ein Layout der
Eingangs- und Ausgangs-Anschlüsse der in Fig. 5 dargestellten integrierten Halbleiterschaltung.
Zunächst soll anhand der Fig. 1 und 2 ein typisches Treibersystem für eine flache Anzeigetafel beschrieben werden.
Fig. 1 zeigt beispielsweise ein Tast-Treibersystem zum Bt treiben bzw. Ansteuern einer flachen Anzeigetafel, beispielsweise einer Elektrolumineszenz-Matrix-Anzeigetafel. Die flache An-
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zeigetafel 10 weist mehrere Elektroden in der X-Rientung (nachfolgend mit X-Elektroden bezeichnet) und mehrere Elektroden in der Y-Richtung (nachfolgend als Y-Elektroden bezeichnet) auf. Die Kreuzungspunkte der X-Elektroden und der Y-Elektroden dienen als Bildpunkte, mit denen eine Zeichenanzeige in Form einer Punktmatrix vorgenommen wird. Die flache Anzeigetafel 10 weist eine grosse Anzahl am Elektroden auf, denen die eine hohe Spannung aufweisenden Treibersignale angelegt werden. Normalerweise weist die flache Anzeigetafel 10 einige zehn bis einige hundert Elektroden sowohl in der X- als auch in der Y-Richtung auf. Die jeweiligen Elektroden müssen unabhängig voneinander sein und erfordern daher entsprechende Treiberstufen 7 und 9-
Das heisst, die Zahl der eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen 7 und 9 muss gleich der Anzahl der Elektroden sein. Darüberhinaus muss die Anzahl der Torschaltungen 6, der Speicher 5» der Serien-Parallel-Umsetzer 4 und der Taststufen 8 gleich der Anzahl der eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen 7 und 9 sein. Wenn die Serien-Parallel- Umsetzer 4, die Speicher 5» die Torschaltungen 6 und die eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen 7 voneinander unabhängig ausgebildet sind, ist eine grosse Anzahl an Leitungen und Verdrahtungen 11, 12 und 13 erforderlich, um jeweils die Serien-Parallel-Umsetzer 4 mit den Speichern 5* die Speicher 5 ait den Torschaltungen 6 und die Torschaltungen 6 mit den Treiberstufen 7 zu verbinden. Darüberhinaus ist weiterhin eine grosse Anzahl von Leitungen 15 erforderlich, um die Taststufen 8 mit den eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen 9 zu verbinden, wenn die Taststufen 8 unabhängig von den Treiberstufen 9 ausgebildet sind.
Die Arbeitsweise der Treibersystems gemäss Fig. 1 soll nachfolgend anhand von Fig. 2 beschrieben werden.
Ein Zeichensignalsgenerator 1 erzeugt Zeichensignale, die den Serien-Parallel-Umsetzer 4 zugeleitet werden. Diese geben die
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ihnen zugeleiteten Zeichensignale in Abhängigkeit von Taktsignalen weiter, die von einem Zeittaktgenerator 2 bereitgestellt werden. Wenn den Serien-Parallel-Umsetzern 4 Zeichendaten, die vom Zeichensignalgenerator 1 erzeugt werden, eingegeben werden, werden die in den Serien-Parallel-Umsetzern 4 gespeicherten Inhalte den Speichern 5 während eines Zeitraumes
23 übertragen, während dem ein vom Zeittaktgenerator 2 erzeugtes Steuersignal A einen hohen Pegel aufweist.
Wenn das Steuersignal A einen niederen Pegel aufweist, werden den Serien-Parallel-Umsetzern 4- wieder Zeichendaten vom Zeichensignalgenerator 1 zugeleitet. Die im Speicher 5 gespeicherten Daten werden den eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen 7 über die Torschaltungen 6 während eines Zeitraumes
24 übertragen, während dem ein vom Zeittaktgenerator 2 erzeugtes Steuersignal B einen hohen Signalwert aufweist.
Eine Datenschaltung 3 liefert den Taststufen 8 ein Steuersignal, Die Taststufen 8 stellen den Treiberstufen 9 Tastsignale bereit. Während des Zeitraumes 24 stellen die Treiberstufen 9 d^jpf flachen Anzeigetafel 10 hohe Spannungen aufweisende Treibersignale bereit, und die Treiberstufen 7 stellen der flachen Anzeigetafel 10 ebenfalls hohe Spannungen aufweisende Treibersignale bereit, um die Matrix anzusteuern.
Die vorliegende Erfindung schafft nun eine integrierte Halbleiterschaltung mit Serien-Parallel-Umsetzern 4, Speichern 5i Torschaltungen 6 und hohe Spannungen bereitstellenden Treiberstufen 7, wobei externe Leitungen bzw. Verdrahtungen 11, 12 und 13 zum Verbinden der Serien-Parallel-Umsetzer 4, der Speicher 5> der Torschaltungen 6 und der Treiberstufen 7 miteinander nicht mehr nötig sind. Eine weitere integrierte Halbleiterschaltung umfasst die Taststufen 8 und die hohe Spannungen bereitstellenden Treiberstufen 9i so dass die externen Leitungen bzw. Verdrahtungen 15 nicht mehr erforderlich sind.
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Fig. 3 zeigt das Beispiel der integrierten IlalbleiterschaL- , tung mit Schieberegister SR,- bis STn, die als Serien-Parallel-Umsetzer 4 verwendet werden, Einraststufen L^ bis Ln, die als Speicher 5 dienen, Torschaltungen G^ bis Gn und eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberelementen D^ bis D , die als Treiberstufen 7 dienen. Die Treiberelemente D^ bis h sind hohe Spannungen bereitstellende Metalloxid-Halbleiterschaltungen, die nach dem Selbstausrichtungs-Diffusionsverfahren hergestellt sind und in der gleichzeitig eingereichten US-Anmeldung Ser. No. 691 874 beschrieben sind, die den Titel "HIGH VOLTAGE, LOW ON-RESISTANCE DIFFUSION-SELF-ALIGNMEMT METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF" trägt. Diese integrierte Halbleiterschaltung weist nur vier Signaleingänge auf.
Um die Fertigung der integrierten Halbleiterschaltung zu erleichtern, ist es vorteilhaft, sowohl die Treiberelemente D^ bis Dß als auch die Steuerschaltungen mit den Schieberegistern SR-1 bis SR , den Einrast stufen L^ bis L und den Tor schaltungen Gy. lfds G unter Verwendung der Selbstausrichtungs-ltiffusionsverfahren herzustellen.
Die Fig. 4(a) bis 4(d) zeigen die Fertigungsschritte, mit denen eine Ausführungsform der erfindungsgemässen, integrierten Halb« leiterschaltung unter Verwendung der. Diffusions-Selbstausrichtungs-Verfahren hergestellt wird.
Eine Isolierschicht 31» beispielsweise eine SiO2~Schicht wird auf einem Gleitenden Silicium-Halbleitersubstrat 30 ausgebildet. Der spezifische Widerstand des P-leitenden Silicium-Halbleitersubstrats 30 beträgt etwa siebzig (70) Xl4 -cm. Die Isolierschicht 31 ist 600 bis 1500 Ä dick. Auf der Isolierschicht 31 wird eine Photolack-Maske 32 in der gewünschten ausbildung aufgeb rächt und danach werden N-leitende Ionen durch die Isolierschicht 31 hindurch zur Bildung einer N-leiteriden, ioneriimplantierten Schicht 41 an den Stellen gebildet, an denen die Treiberelemente ausgebildet werden (vgl. Fig. 4(a)).
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Die mit N-leitenden Ionen implantierte Schicht 41 wird durch Implantieren von N-leitenden Dotierungsionen, beispielsweise
■51 + -54 +
Phosphationen ^ P oder ^ P gebildet. Die Ionenimplantation wird beispielsweise mit einer Implantationsenergie von hundert
(100) keV bis zweihundert (200) keV durchgeführt. Die Ionen-
11 P 1? P
konzentration beträgt 5 x 10 Ionen/cm bis 5 x 10 Ionen/cm Durch Wärmebehandlung wird die mit N-leitenden Ionen implantierte Schicht 41 weit in die Tiefe ausgebildet.
Danach wird eine dicke Isolierschicht 33 auf dem Halbleitersubstrat 30 mit einer Dicke von 6000 8 bis 1,5 .um durch Oxidation gebildet. In der dicken Isolierschicht 33 werden Fenster oder Durchgänge 3^» 35» 36 und 37 mit den herkömmlichen photolithographischen Verfahren ausgebildet, um die Oberfläche des Halbleitersubstrats freizulegen. An diesen Fenstern oder Durchgängen werden dünne SiOo-Isolierschichten 38 und 39 ausgebildet und es wird eine Photolackmaske in der gewünschten Ausbildung aufgebracht, so dass P-leitende Dotierionen, bei-
11 +
spielsweise Borionen B durch die Fenster oder Durchgänge 35 und 37 hindurch in das Halbleitersubstrat implantiert werden und P-leitende Zonen 42 entstehen.
Nach Abschluss der Borionen-Implantation wird die Photolackschicht entfernt und die mit P-leitenden Ionen implantierte Zone 42 wird bis zu der von der dicken Isolierschicht 33 bedeckten Fläche durch Wärmebehandlung verlängert, wie dies in Fig. 4(b) dargestellt ist. Dieser verlängerte Bereich dient als Kanalzone. In Abhängigkeit der gewünschten Tiefe der mit P-leitenden Ionen implantierten Zone 42 und der Ionenkonzentration dieser Zone 42 wurde die Implantationsenergie der P-leitenden Ionen zwischen den W( rten45 keV bis 70 keV und die Implantationsdichte zwischen den Werten 5 x 10 .
2 14 2
Ionen/cm und 2 χ 10 Ionen/cm gewählt. Die Wärmebehandlung wurde in Stickstoff-Atmosphäre durchgeführt.
Dann wurden die dünnen Isolierschichten 38 und 39 in der üblichen Weise entfernt und N-leitende Frematome wurden durch die
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Durchgänge 3^, 35» 36 und 37 in das Halbleitersubstrat eindiffundiert, so dass sich die N-leitenden Diffusionsschichten 43-1, 43-2, 43-3 und 43-4 ergaben, wie dies in Fig. 4(c) dargestellt ist. Die N-leitenden Diffusionsschichten 43-1 und 43-3 wurden unter Verwendung der Durchgänge 35 und 37 ausge- ' bildet, die auch zur Bildung der mit P-leitenden Ionen implantierten Zonen 42 verwendet wurden.
Danach wird eine mit N-leitende Ionen implantierte Zone 44 ausgebildet, um das Halbleiterelemente in die sogenannte Depressions-Arbeitsweise zu bringen. Die Elektroden 51» 52, 53, 54, 55 und 56 sind in der herkömmlichen Weise ausgebildet worden wie dies Fig. 4(d) zeigt. Die Elektrode 51 ist die Source-Elektrode der Metalloxid-Halbleiterschaltung mit Üiffusionsselbstausrichtung (abgekürzt DSAMOS-Schaltung) für eine hohe Spannung, die Elektrode 52 ist die Gate-Elektrode der DSAMOS-Schaltung für hohe Spannung und die Elektrode 53 ist die Drain-Elektorde der DSAMOS-Schaltung für hohe Spannung. Die Elektrode 5^ ist die Gate-Elektrode des Steuerelements, die Elektrode 55 ist die gemeinsame bzw. die an Masse liegende Elektrode des Steuerelements, und die Elektrode 56 ist die Drain-Elektrode des Steuerelements.
Fig. 5 zeigt eine typische Ausführungsform bzw. ein typisches Layout der integrierten Halbleiterschaltung. Die eine hohe Spannung bereitstellenden Treiberstufen bestinden sich am Rand 62 des Halbleiterkörpers 61, wogegen die Steuerschaltungen für niedere Spannung in der Mitte 63 des Halbleiterkörpers angeordnet sind. Die Eingänge befinden sich an einem Ende des Halbleiterkörpers 61. Durch diese Anordnung wird die Arbeitsweise der Steuerschaltung nicht von der DSAMOS-Schaltung für hohe Spannungen beeinflusst.
Fig. 6 zeigt eine typische Anordnung der Steuerschaltungen und der hohe Spannungen bereitstellenden Treiberstufen im integrierten Halbleiterkörper. Die Schaltungselemente sind hier mit denselben Bezugszeichen versehen wie die Schaltungselemente in den Fig. 3 und 5.
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Die DSAMOS-Schaltung für hohe Spannung weist die Source-Elektrode s, die Gate-Elektrode g und die Drain-Elektrode d auf. Drähte w sind zum Herausführen der Treibersignale über die Leiterelektroden 67 vorgesehen, wobei letztere auf einem Keramiksubstrat 66 ausgebildet sind, welches die integrierte Halbleiterschaltung 65 trägt.
Fig. 7 zeigt ein Beispiel für die Anordnung der Anschlüsse bei der integrierten Halbleiterschaltung.
An den Anschlüssen 1 bis 24 werden folgende Treibersignale
abgegriffen oder folgende Steuersignale angelegt:
1 Taktsignal (Latch Strobe Signal)
2 Gate-Taktsignal (Gate Strobe Signal)
3 Masse
4 Dateneingang - 1
5 Ausgang 1 für hohe Spannung
6 Ausgang 2 für hohe Spannung
7 Ausgang 3 für hohe Spannung
8 Ausgang 4 für hohe Spannung
9 Ausgang 5 für hohe Spannung
10 Ausgang 6 für hohe Spannung
11 Ausgang 7 für hohe Spannung
12 Datenausgang - 1
13 Dateneingang - 2 .
14 Ausgang 11 (8) für hohe Spannung
15 Ausgang 2' (9) für hohe Spannung
16 Ausgang 3' (10) für hohe Spannung
17 Ausgang 4' (11) für hohe Spannung
18 Ausgang 5' (12) für hohe Spannung
19 Ausgang 61 (13) für hohe Spannung
20 Ausgang 71 (14) für hohe Spannung
21 Datenausgang - 2
22 VDD
23 Taktsignal 02
24 Taktsignal 0^
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Dem Fachmann ist es ohne weiteres möglich, zahlreiche Abwandlungen und Ausgestaltungen vorzunehmen, ohne dass dadurch der Erfindungsgedanke der vorliegenden Erfindung verlassen wird.
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Claims (1)

  1. TER MEER - MÜLLER - STEINMEIS IER
    D-8OOO München 22 D-48OO Bielefeld
    Triftstruße 4 Siekerwull 7
    Case 402-GER 26. August 1977
    Mü/Dr.G.
    Sharp Kabushiki Kaisha 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka, Japan
    Integrierte Halbleiterschaltung
    PATENTANSPRÜCHE
    Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Halbleiterkörper, gekennzeichnet durch eine auf dem Halbleiterkörper (61) ausgebildete Feldeffekt-Halbleiterschaltung (62) für hohe Spannung, die ein Signal mit hoher Spannung erzeugt, und eine ebenfalls auf dem Halbleiterkörper (61) ausgebildete Steuerschaltung (63) für niedere Spannung, die ein Steuersignal zum Steuern der Feldeffekt-Halbleiterschaltung (62) für hohe Spannung erzeugt.
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    ORIGINAL INSPECTED
    TER MEER ■ MÖLLER · STEINMEISTER 402-GLK
    2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldeffekt-Halbleiterschaltung
    (62) für hohe Spannung eine Metalloxid-Halbleiterschaltung mit Diffusions-Selbstausrichtung für hohe Spannung ist.
    3· Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metalloxid-Halbleiterschaltung mit Diffusions-Selbstausrichtung für hohe Spannung und die Steuerschaltung (63) für niedere Spannung unter Verwendung des Diffusions-Selbstausrichtungs-Verfahren gebildet werden.
    4. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3i dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Feldeffekt-Halbleiterschaltungen (62) für hohe Spannung auf dem Halbleiterkörper (61) ausgebildet sind, und die integrierte Halbleiterschaltung im Vergleich zu der Anzahl der Eingänge (64) eine grosse Anzahl an Ausgängen aufweist.
    5- Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldeffekt-Halbleiterschaltung (62) für hohe Spannung am Rand des Halbleiterkörpers (61) ausgebildet und die Steuerschaltung
    (63) für niedere Spannung in der Mitte des Halbleiterkörpers (61) angeordnet ist (Fig. 5)·
    6. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, dass die von der Feldeffekt-Halbleiterschaltung (62) bereitgestellten Signale hoher Spannung zum Betreiben einer Elektroluminiszenz-Matrixanzeigetafel verwendet werden.
    809810/0810
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