DE2710835B2 - Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssen auf einem Halbleitersubstrat - Google Patents

Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssen auf einem Halbleitersubstrat

Info

Publication number
DE2710835B2
DE2710835B2 DE2710835A DE2710835A DE2710835B2 DE 2710835 B2 DE2710835 B2 DE 2710835B2 DE 2710835 A DE2710835 A DE 2710835A DE 2710835 A DE2710835 A DE 2710835A DE 2710835 B2 DE2710835 B2 DE 2710835B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
welding
wire
electrodes
welding electrodes
welded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2710835A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2710835A1 (de
DE2710835C3 (de
Inventor
Joseph Vestal N.Y. Funari (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2710835A1 publication Critical patent/DE2710835A1/de
Publication of DE2710835B2 publication Critical patent/DE2710835B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2710835C3 publication Critical patent/DE2710835C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48817—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48824—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48844—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/7828—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating
    • H01L2224/78282—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H01L2224/78314—Shape
    • H01L2224/78317—Shape of other portions
    • H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85095—Temperature settings
    • H01L2224/85099—Ambient temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85238—Applying energy for connecting using electric resistance welding, i.e. ohmic heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01043—Technetium [Tc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Description

aufweist wie der Abschnitt des anzuschweißenden Drahtes, Ferner wird dadurch Raum geschaffen für eine als Drahtführung dienende Bohrung oder Nut sowie für eine scharfe Kante zum Abschneiden des Drahtes nach dem Schweißvorgsng, Die Schweißelektroden selbst sind an einem Tragarm 13 befestigt, der mit einem Lagerbock 14 verbunden ist, der auf einer Welle 15 schwenkbar gelagert ist. Am anderen Ende des Lagerbockes 14 ist ein einstellbares Gegengewicht 16 angeordnet
Zum Absenken und Anheben der Schweißelektrodenanordnung in Berührung und außer Kontakt mit einem zwischen den Enden der Schweißelektrodenspitze und einer Metallisierung 18 eines Schaltkreises angelegten Draht 17 auf einem Substrat, an dem der Draht befestigt werden soll, ist eine motorgetriebene Nockenscheibe 19 vorgesehen, die mit einem an einem Hebelarm 20 angebrachten Nockenläufer zusammenwirkt. Dieser Hebelarm ist um einen an einem Rahmen befestigten Zapfen 20a verschwenkbar und ist ebenfalls bei 20o an einem Ende an einer Stange 21 angelenkt, die am anderen Ende bei 22 gelenkig mit dem Lagerbock 14 verbunden ist. Wenn die Nockenlaufrolle mit dem niedrigen Abschnitt der Nockenscheibe zusammenwirkt, dann wird der Tragarm 13 um die Achse 15 im Uhrzeigersinn verschwenkt und hebt die Schweißelektrodenanordnung an, die damit außer Kontaktberührung mit dem Draht kommt. Wenn der Nockenläufer auf den hohen Abschnitt der Nockenscheibe aufläuft, dann verschwingt der Tragarm 30 wegen seines Gewichtes im Gegenuhrzeigersinn und die Schweißelektrodenanordnung senkt sich bis zur Kontaktberiihrung mit dem Draht nach unten. Das als Gegengewicht vorgesehene Gewicht 16, das einstellbar sein kann, dient dazu, den durch die Elektrodenspitzen auf den Draht ausgeübten Druck zu regeln.
Als Stromquelle für die Schweißelektroden wird eine Lade-/Entli leschaltung mit einem Kondensator benutzt. Wie aus Fig. IA zu ersehen, besteht die Schaltung aus einer Gleichspannungsauelle oder Batterie 23, einem Kondensator 24, einem Ladewiderstand 25 und einem einpoligen Umschalter 26. Diese Schaltung ist über Leitungen 27 und 28 an den Schweißelektroden angeschlossen. Die Leitung 27 ist dabei an einer metallischen Schraube 29 angeschlossen, die am vorderen Endabschnitt 13a des Tragarmes 13 vorgesehen ist. Die Schraube 29 stellt eine elektrisch leitende Verbindung mit der Schweißelektrode 10 und dem vorderen Abschnitt 13,·? des Tragarmes dar, der aus einem nichtleitenden Kuiiststoffmaterial besteht. Die Leitung 28 ist an einer metallischen Schraube 30 angeschlossen, die am Hauptteil des Tragarmes 13 befestigt ist, der sich von der Schweißelektrode 11 nach rückwärts erstreckt. Dieser Teil des Tragarms besteht aus einem leitenden Metall und steht in elektrisch leitendem Kontakt mit der Schweißelektrode M. Liegt der Umschalter 26 am Kontakt 31 an, dann wird der Kondensator 24 aufgeladen. Liegt der Umschalter 26 an dem Kontakt 32 an, so entlädt sich der Kondensator 24 und ein Strom fließt durch die Schweißelektrode 10, Draht 17 und die Schweißelektrode Il in Reihe und bewirkt ein Anschweißen des Drahtes, wenn die Spitzen der Schwcißelckfoden in Schweißposition in Berührung mit dem Draht sind, wie dies Fig. IA zeigt.
Ferner sind Vorrichtt igen zum Festhalten, Zuführen und Abschneide!1 des Drahtes vorgesehen. Gemäß F i g. IA und I B besteht die Vorrichtung aus einem Paar Klemmbacken 33 und 3·., Jie jeweils auf einer Seite des
Tragarms 13 in Nachbarschaft mit den Schweißelektroden 10 und U angebracht sind. Die Klemmbacke 33 ist an einem federbelasteten Lagerstift 35 befestigt, der durch eine Nockenscheibe 35a in waagrechter Richtung hin- und herbewegbar ist. Die Klemmbacke 34 ist an einem feststehenden Lagerzapfen 36 befestigt Die unteren Enden der Klemmbacken sind gegeneinander abgebogen und bilden einen Spalt 37, der der Aufnahme des Drahtes 17 dient Die inneren Oberflächen der oberen Enden der Klemmbacken sind durch eine ü-förmige Feder 39 gegen einen Schwenkbolzen 38 vorgespannt, wobei die Enden der U-förmigen Feder unter Druck an den äußeren Oberflächen der oberen Enden der Klemmbacken anliegen, so daß normalerweise der Spalt 37 so weit offen gehalten wird, daß der Draht daran nicht eingeklemmt wird. Zum Ergreifen und Festhalten des Drahtes für seine Zufuhr wird der Schwenkzapfen 35 an der Klemmbacke 33 angedrückt, wodurch sich der Spalt 37 verkleiner; so daß die Enden der Klemmbacken den Draht ergreifen.
Gemäß Fig. IA wird die Vorrichtung zum Festhalten und Zuführen des Drahtes mittels einer exzentrischen Nockenscheibe, die mit einem bei 42 schwenkbar gelagerten Nockenhebel 41 zusammenwirkt, im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn verschwenkt. Am anderen Ende des Nockenhebels 41 ist eme Schubstange 43 in waagrechter Richtung gleitend verschiebbar angeordnet, die an der Klemmbacke 34 anliegt und durch eine Zugfeder 44 gegen die Schubstange 43 gedrängt ist.
Die Arbeitsweise der Vorrichtung ist folgende: Beim Beginn eines Zyklus sind die Klemmbacken 33 und 34 in ihrer geschlossenen oder Klemmstellung und der Tragarm 13 befindet sich in waagrechter Lage. Von einer Vorratsspule 45 wird dann durch die Maschinenbedienung der Draht 17 durch eine entsprechend ausgebildete Führungsbohrung 46 im Tragarm 13 dadurch zwischen den Klemmbacken 33 und 34 eingeführt, daß diese von Hand gespreizt werden, sodann durch die Drahtführungsnut 47 in der Schweißelektrode 11 und von dort in eine Position unterhalb der Spitzen der Schweißelektroden 10 unu 11. Die Klemmbacken 33 und 34 werden nunmehr freigegeben, so daß sie sich in Klemmstellung begeben und die Nockenscheibe 19 wird betätigt und dreht damit den Tragarm 13 aus der waagrechten Lage um etwa 4° im Gegenuhrzeigersinn nach unten.
Durch die Neigbewegung um 4° kommen die Schweißelektroden in eine Position, die ungefähr 0.05 mm oberhalb des Drahtes und des Substrats liegt. In dieser Position wird das weitere Absenken des Tragarmes 13 und der Schweißelektroden durch eine nockenbetätigte, durch eine Schraube einsteilbare Vorrichtung, (nicht gezeigt) die unabhängig von der Nockenscheibe 19 ist und einen Stift oder Arm 13 senkrecht nach oben oder nach unten bewegt. Der Stif: I3ö liegt dabei un .erhalb des Tragarmes 13 und hält den Tragarm ·η einer Position 0,05 mm oberhalb des Drahtes an. Zu diesem Zeitpunkt wird die Nockcnscheibe auch kurzzeitig durch eine Taxtgeberscheibe angehalten, die einen Gleichstrommotor für den Nockenscheibenantrieb steuert. Die .Suchposition von 0.05 mm über dem Draht kann durch Einstellen einer Einstellschraube an dem Stift 13ö eingestellt werden. Zu diesem Zeitpunkt wird das Substrat in eine Position bewegt, in der der Draht ganz genau auf dem Punkt auf dem Subs'rat aufliegt, an dem er befestigt werden soll.
Anschließend wird die mit einer Einsieliachr vibe
versehene Vorrichtung frei gegeben, so daß sich der Stift 13i> in seine untere Lage bewegt, und die Nockenscheibe 19 wird wiederum betätigt und bringt damit den Tragarm 13 und die Schweißelektroden in Schweißposition. Das Absenken des Tragarmes 13 ist dabei sehr kurz, wodurch ein Aufprall vermieden wird, und der Tragarm mit den Spitzen der Schweißelektroden frei auf dem Draht aufliegt als eine von der Nockenscheibe 19 unabhängige Last. Diese Lasi: kann durch das Gegengewicht 16 voreingestellt werden. Dann wird die Schaltung eingeschaltet, so daß sich der Kondensator 24 entlädt und ein Strom nacheinander durch die Spitzen der Schweißelektroden und den Draht hindurch fließt und damit die Verbindung herstellt, worauf die Klemmbacken geöffnet und die Schweißelektroden wiederum angehoben werden, bis auf eine einstellbare Höhenposition oder aber voll in die waagrechte Lage für eine Freigabe des Substrats und des Drahtes. Diese Zwischenposition ist einstellbar und muß nicht notwendigerweise voll der waagrechteri Lage entsprechen und hängt von der Metallisierung des Substrats und von den Bauelementen ab.
Ist ein Ende des Drahtes befestigt, dann wird das Substrat in die nächste Schweißposition gebracht. Dabei bewegt sich der Draht frei in seiner eingefädelten Bahn, wie er durch das Substrat mitgezogen wird. Die Schweißelektroden werden wiederum bis auf 0,05 mm abgesenkt und das Substrat wird dann genau in die gewünschte Position gebracht. Durch den Lagerzapfen 35 werden die Klemmbacken nunmehr wiederum geschlossen und die Schweißelektroden werden in Kontaktberührung mit dem Draht gebracht, und der Kondensator entlädt sich über den Entladestromkreis zum Anschweißen des anderen Endes des Drahtes. Solange die Schweißelektroden noch in Berührung mit dem Draht sind, werden die Klemmbacken geschlossen und die Nockenscheibe 40 bewegt die Klemmbacken im Gegenuhrzeigersinn oder nach rückwärts, und der Draht wird durch die scharfe Unterkante 48 der Schweißelektrode 11 abgeschnitten. Wird der Draht durch die Bewegung der geschlossenen Klemmbacken im Gegenuhrzeigersinn abgeschnitten, dann wird dadurch der zwischen dem angeschweißten Ende und den Klemmbacken befindliche Abschnitt des Drahtes gestreckt, wodurch es möglich wird, die gewünschte Drahtlänge für den nächsten Schweißzyklus wieder unter die Spitzen der Schweißelektroden zu bringen. Die Schweißelektroden werden nun wieder nach oben zurückgeführt und die geschlossenen Klemmbacken im Uhrzeigersinn verschwenkt, so daß Draht in eine Position unterhalb der Schweißelektroden zur Vorbereitung eines nächsten Schwetßzyklus gebracht wird.
Falls erforderlich, kann die Nockenscheibe 40 so ausgelegt werden, daß sich die Klemmbacken um einen größeren Abstand im Uhrzeigersinn gegen einen Anschlag verschwenken lassen, worauf sie sich dann gegen den Uhrzeigersinn bewegen und damit sicherstellen, daß die erforderliche Drahtlänge für den nächsten Schweißzyklus unter die Schweißelektroden kommt. Wenn femer Drähte mit einem größeren Durchmesser als 0,05 mm angeschweißt werden sollen, kann es erforderlich sein, eine Schneidvorrichtung zu verwenden, die den Draht vorher teilweise abtrennt bevor er abgeschnitten wird.
Obgleich die meisten dieser Teile an sich bekannt und im Handel erhältlich sind, so wurden die Einzelteile doch kurz dargestellt und beschrieben, um auf diese Weise eine Schweißvorrichtung darstellen zu können, bei der die beanspruchten Schweißelektroden verwendet werden können.
Es wurde festgestellt, daß der kleinste Wert des spezifischen Widerstandes, der die gewünschten Ergeb-■, nisse beim Anschweißen des Drahtes liefert, zwischen etwa 100 und 170 Mikro-Ohm cm liegt, dem spezifischen Widerstandsbereich von Titankarbid. Im Vergleich dazu liegt der spezifische Widerstand von Golddraht, der zum Herstellen solcher Verbindungen
in benutzt wird, bei ungefähr 2,35 Mikro-Ohm cm. Außer mit Titankarbid wurden auch außergewöhnlich gute Ergebnisse dadurch erzielt, daß man die Schweißelektroden aus Kohlenstoff und seinen Legierungen mit einem spezifischen Widerstand im Bereich zwischen
r. 4000 bis 5000 Mikro-Ohm cm herstellte. Andere Materialien, von denen angenommen wird, daß sie nicht nur gute Ergebnisse liefern, sondern zusätzlich noch die Lebensdauer der Schweißelektroden vergrößern, sind eine Kombination von Karbid und Graphit mit einem
21» spezifischen Widerstand von 3200 Mikro-Ohm cm. Siliziumkarbid mit einem spezifischen Widerstand von 200 000 Mikro-Ohm cm und höher und eine Zirkonbo· rid-Siliciumkarbid-Verbindung mit einem spezifischen Widerstandsbereich von 170 bis 200 Mikro-Ohm cm
:· und Siliziumkristallen mit einem spezifischen Widerstandsbereich von 4000 bis 5000 Mikro-Ohm cm.
In F i ς. 2 sind die Schaltungswerte für einen Schweißüjiklus dargestellt, bei dem ein Golddraht mit einem Durchmesser von 0,025 mm an einer Goldober-
!(> fläche oder Metallisierung unter Verwendung von aus Titankarbid bestehenden Schweißelektroden angeschweißt wurde. Eine Spannungsquelie von 4.5 V ergab einen Spitzenstrom von 0.5 A für 250 msek. Die in der Trennfläche der Schweißelektroden mit dem Golddraht
r> erzeugte Temperatur betrug ungefähr 800CC. RO stellt dabei einen Lastwiderstand von 5 Ohm für die Gleichspannungsquelle 23 dar. Der Kondensator 24 hatte eine Kapazität von 32 000 Mikro-Farad. R 1 und /?2 sind die Widerstände der von der Spannungsquelle
J" 23 nach den Titankarbid-Schweißelektroden führenden Leitungen und dieser Widerstand betrug jeweils 200 Mikro-Ohm. /7 3 und /7 4 stellt jeweils den spezifischen Widerstand der aus Titan-Karbid bestehenden Schweißelektroden dar und betrug für jede Schweißelektrode
4i 0,3 Ohm. /7 5 und /7 6 stellen den Kontaktwiderstand zwischen den Schweißelektroden und dem Golddraht dar, und diese Widerstände betrugen jeweils 4,5 Ohm. R 7 stellt den Widerstand des Golddrahtes zwischen den beiden Schweißelektroden dar und betrug etwa
so 0,03 Mikro-Ohm. Es wurde festgestellt, daß zur Er'ielung des gewünschten Kontaktwiderstands an der Trennfläche zwischen den Schweißelektroden und dem anzuschweißenden Draht das Verhältnis der Widerstände zwischen dem Material des Drahtes und dem
Material der Schweißelektroden
R3 od. R4
mindestens 1:11 sein sollte.
Zur Darstellung zweier weiterer Beispiele der vielen Materialien, die mit der Vorrichtung verschweißt werden können, wurde ein Kupferdraht mit einem Durchmesser von 0,0385 mm an der Chromoberfläche einer Metallisierung unter Verwendung von Titankarbid-Schweißelektroden bei einer Spannung von 14 V für 200 msek angeschweißt An der Trennfläche zwischen den Schweißelektroden und dem Draht wurde im Minimum eine Temperatur von 7500C erzielt Femer wurde ein mit einer Zinn-Blei-Legierung überzogener Kupferdraht mit einer Stärke von 0,077 mm unter
Verwendung von Titankarbid-Schweißclektroden an einer mil Zinn-Blei überzogenen Metallisierung bei einer Spannung von 10 V für 200 msck angeschweißt. An der Trennflächc zwischen den Schweißelektroden und dem Draht wurde eine Temperatur von mindestens 400 C erzeugt.
In ,'·ϊτ in F i g. 3 gezeigten Tabelle ist die Verwendung einer Thermokompressionsschweißvorrichlung (TC) durch ein Dreieck, die einer Ultraschallschwcißvorrichuing (I ISB) durch einen Kreis und die einer erfindungsgemäßen Schweißvorrichtung (MSW) durch ein Quadrat gekennzeichnet. Alle möglichen Kombinationen zwischen dem Material der Oberfläche und dem Material des Drahtes, das daran befestigt wurde, wurden auch ausgeführt, und es wurde, wie dargestellt, festgestellt, daß sich bei Verwendung einer erfindungsgemäßen Schweißvorrichtung miteinander vielmehr Matcr!a!konibir!2!i::r:er! verschweißen.
Drähte mit einem Durchmesser zwischen 0.0127 mm und 0,127 mm können dabei an einem Anschlußkontakt oder einer Metallisierung von etwa 0.05 χ 0.05 mm und großer mit einer Dicke von 500 A und mehr angeschlossen werden. An entweder durch Verdampfung aufgebrachte Leiter oder mit Hilfe einer Paste aufgebrachte Schaltungen auf einem metallisierten keramischen Substrat können Leitungen angeschweißt werden
Zusätzlich dazu, daß eine größere Anzahl von Malerialkombinalionen zwischen Drahl und Anschlußelektrode wegen der hohen Aufheizgeschwindigkeit und der geringen Oxidationsentwicklung an der Schweißlrcnnfläehe möglich sind, kann eine erfindungsgemäße Schweißvorrichtung auch zum Anschweißen von isolierten Drähten benutzt werden. Unter in der Praxis vorkommenden Abmessungen der Anschlußkonlakte können die Spitzen der Schweißelektroden einige Arten von Isolationsüberzügen durchdringen, wie z. B. Polytetrafluoräthylen. .stranggepreßtes Polyamid. Polyureian und Lack und zwar so weit, daß ein Kontakt mit dem Draht hergestellt und dieser angeschweißt wird. Da der .Schweißzyklus kurz ist. wird nur die an dem aufgeheizten Drahtabschnitt vorhandene Isolation abgebrannt oder beschädigt.
Hierzu 2 Ellatt Zeichnunyen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Sch wellvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssen auf einem Halbleitersubstrat durch Thermodiffusionsbindung, mit einem Paar gegeneinander isolierter Schweißelektroden, die mit dem anzuschweißenden Draht in Kontakt gebracht werden können, sowie mit einer an den Schweißelektroden angeschlossenen Stromquelle, die zum Anschweißen des Drahtes einen kurzen, die Schweißelektroden und den anzuschweißenden Draht durchfließenden einzelnen Stromimpuls zu liefern vermag, dadurch gekennzeichnet, daß das Schweißelektrodenpaar (10, 11) insgesamt aus Titankarbid, Siliziumkarbid oder einer Zirkonborid-Siliziumkarbid-Verbindung besteht
2. Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssen auf einem Halbleitersubstrat durch Thermodiffusionsbindung, mit einem Paar gegeneinander isolierter Schweißelektroden, die mit dem anzuschweißenden Draht in Kontakt gebracht werden können, sowie mit einer an den Schweißelektroden angeschlossenen Stromquelle, die zum Anschweißen des Drahtes einen kurzen, die Schweißelektroden und den anzuschweißenden Draht durchfließenden einzelnen Stromimpuls zu liefern vermag, dadurch gekennzeichnet, daß das Schweißelcktrodenpaar (10, 11) insgesamt aus Kohlenstoffverbindungen mit einem spezifischen Widerstand im Bereich zwisc'.en 4000 und 5000 Mikro-Ohm cm oder aur einer Kombination von Karbid und Graphit mit einem pezifischen Widerstand von 3200 Mikro-Ohm cm besteht.
3. Schweißvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der spezifischen Widerstände des Drahtes und der Schweißelektroden mindestens 1:11 beträgt.
Die Erfindung betrifft eine Schweißvcmchtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssen auf einem Halbleitersubstrat durch Thermodiffusionsbindung, mit einem Paar gegeneinander isolierter Schweißelektroden, die mit dem anzuschweißenden Draht in Kontakt gebracht werden können, sowie mit einer an den Schweißelektroden angeschlossenen Stromquelle, die zum Anschweißen des Drahtes einen kurzen, die Schweißelektroden und den anzuschweißenden Draht durchfließenden einzelnen Stromimpuls zu liefern vermag.
Derartige Schweißvorrichtungen sind bekannt (DE-PS 10 34 274 bzw. »Widerstandschweißen IV und Mikrofügeverfahren«, Deutscher Verlag für Schweißtechnik, 1967, Seiten 75 bis 80). Sie dienen vor allem zum Anschweißen von Anschlußdrähten an Dünnfilmschaltungen und an Halbleiterbauelementen. Mil diesen Vorrichtungen lassen sich z. B. aus Gold, Silber, Platin, Paladium, Nickel, Kupfer oder Kovar bestehende Anschlußdrähte an Metallfilme, deren Deckschicht aus Gold oder Goldlegierungen. Aluminium, Kupfer und Kupferlegierungen, Silber oder Platin besteht, oder — in der Halbleiterfertigung an aufgedampfte Schichten aus Arseniden von Gold. Gallium, Aniimoniden des Indium, Kadmiumverbindiingen mit Schwefel, Tellur und Selen oder — in der Dünnfilmtechnik — an Filme aus Nickel.
Nickel-Chrom, Tantal oder Titan anschweißen. Dabei müssen die Schweißparameter so gewählt werden, daß sich das Substrat, auf dem die Filme oder Schichten angebracht sind, örtlich nicht unzulgssig erwärmt
Es ist bereits bekannt, beim elektrischen Widerstands-Punktschweißen die Wärmeverluste durch Leitung und Strahlung durch Begrenzung des F|ießprozi.sses auf kleinste Fläche auf ein Minimum herabzusetzen, indem man Elektroden verwendet, die durch Anbringung einer elektrischen Widerstandsschicht an ihrer Arbeitsfläche einen hohen elektrischen Widerstand besitzen (DE-Patentanmeldung G 4011 VIII d/2Ih bekanntgemacht am 26.April 1956). Dazu sind dort u.a. Schichten aus Molybdän, Wolfram oder anderen Metallen dieser Gruppe sowie ihre Oxyde und Karbide und auch solche aus Stoffen mit negativem Temperaturkoeffizienten vorgesehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schweißvorrichtung der eingangs genannten Art die Voraussetzungen für eine möglichst geringe örtliche Erwärmung des Substrats zu schaffen.
Diese Aufgabe wird gemäß dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 dadurch gelöst, daß erfindungsgemäß das Schweißelektrodenpaar insgesamt aus Titankrxbid, Siliziumkarbid oder einer Zirkonborid-Siliziumkarbid-Verbindung besteht.
Diese Aufgabe wird gemäß dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 2 auch dadurch gelöst, daß erfindungsgemäß das Schweißelektrodenpaar insgesamt aus Kohlenstoffverbindungen mit einem spezifischen Widerstand im Bereich zwischen 4000 und 5000 Mikro-Ohm cm oder aus einer Kombination von Karbid und Graphit mit einem spezifischen Widerstand von 3200 Mikro-Ohm cm besteht.
Dadurch wird jeweils erreicht, daß die Schweißelektroden durch den Schweißstrom mit aufgeheizt werden und deshalb nicht dazu neigen, die nn der Schweißstelle erzeugte Wärme abzuleiten. Außerdem wird der Aiischlußdraht hauptsächlich mittels des Kontaktwideritandes an den Arbeitsflächen der Elektroden und nicht mittels des spezifischen Widerstandes seines Materials erhitzt. Damit ergibt sich eine in Form und Größe den Spitzen der Schweißelektroden entsprechenden Verbindung.
Die Erfindung wird nunmehr anhand ci.ies Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt
Fig. IA schematisch eine erfindungsgemäße Vorrichtung,
Fig. IB eine Ansicht der Spitzen der Schweißelektroden in der Vorrichtung gemäß F i g. IA,
Fig. IC eine vergrößerte Ansicht des Endabschnitts der Spitzen der Schweißelektroden,
F i g. 2 ein Ersatzschaltbild der in F i g. I dargestellten Vorrichtung und
Fig. 3 eine Tabelle von verschiedenen Materialien für den Draht und das Substrat, die mit einer erfindungsgemäßen Schweißvorrichtung, einer Therrnokompressionsschweißvorrichtung bzw. einer Ultraschallschwcißvorrichtung verschweißt werden können.
Die Schweißvorrichtung besteht aus einem Paar nebeneinander liegender, elektrisch leitender Schweißelektroden 10 und 11. die gegeneinander durch eine dünne Schichi aus Isoliermaterial 12, wie z. B. Glimmer. Glas oder dgl. isoliert sind. Wie man deutlich aus Fig. IC erkennt, ist das untere Ende der Spitze der Schweißelektrode 11 soweit zurückgenommen, daß die unterste Oberfläche der Spitze etwa die Bleiche Fläche
DE2710835A 1976-03-16 1977-03-12 Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssenauf einem Halbleitersubstrat Expired DE2710835C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US66781176A 1976-03-16 1976-03-16
US05/751,919 US4171477A (en) 1976-03-16 1976-12-17 Micro-surface welding

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2710835A1 DE2710835A1 (de) 1977-09-29
DE2710835B2 true DE2710835B2 (de) 1980-09-04
DE2710835C3 DE2710835C3 (de) 1981-05-27

Family

ID=27099774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2710835A Expired DE2710835C3 (de) 1976-03-16 1977-03-12 Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssenauf einem Halbleitersubstrat

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4171477A (de)
JP (1) JPS5824941B2 (de)
DE (1) DE2710835C3 (de)
FR (1) FR2345053A1 (de)
GB (1) GB1530537A (de)
IN (1) IN147651B (de)
IT (1) IT1115709B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4323149A1 (de) * 1993-07-10 1995-01-12 Audi Ag Elektrode zum Widerstandsschweißen

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340803A (en) * 1979-11-20 1982-07-20 Rca Corporation Method for interconnecting solar cells
US4603803A (en) * 1982-08-24 1986-08-05 Asm Assembly Automation, Ltd. Wire bonding apparatus
GB2125720B (en) * 1982-08-24 1986-11-05 Asm Assembly Automation Ltd Wire bonding apparatus
US4597522A (en) * 1983-12-26 1986-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Wire bonding method and device
JPS60243549A (ja) * 1984-05-05 1985-12-03 ゲゼルシヤフト、フユール、ゲレーテバウ、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング ガスの触媒燃焼用のセンサの製造方法
US4697058A (en) * 1986-04-28 1987-09-29 International Business Machines Corporation Microweld apparatus with an improved electrode tip design and tip support
US4772498A (en) * 1986-11-20 1988-09-20 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon carbide capillaries
US4861533A (en) * 1986-11-20 1989-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Method of preparing silicon carbide capillaries
US4950866A (en) * 1987-12-08 1990-08-21 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of bonding insulated and coated wire
DE4007292C1 (de) * 1990-03-08 1991-06-27 Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
US5253415A (en) * 1990-03-20 1993-10-19 Die Tech, Inc. Method of making an integrated circuit substrate lead assembly
US5115111A (en) * 1990-08-06 1992-05-19 Hughes Aircraft Company Dual tip rotating welding electrode
US7198969B1 (en) 1990-09-24 2007-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5097100A (en) * 1991-01-25 1992-03-17 Sundstrand Data Control, Inc. Noble metal plated wire and terminal assembly, and method of making the same
JPH0813423B2 (ja) * 1991-12-27 1996-02-14 株式会社セイワ製作所 アルミニウム箔の溶接方法
US5360958A (en) * 1993-05-17 1994-11-01 Delco Electronics Corporation Welding apparatus having coaxial welding electrodes
EP0922524B1 (de) * 1997-04-22 2002-01-09 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Drahtführung für eine Bondmaschine
US5950070A (en) * 1997-05-15 1999-09-07 Kulicke & Soffa Investments Method of forming a chip scale package, and a tool used in forming the chip scale package
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
US6354479B1 (en) * 1999-02-25 2002-03-12 Sjm Technologies Dissipative ceramic bonding tip
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US6651864B2 (en) * 1999-02-25 2003-11-25 Steven Frederick Reiber Dissipative ceramic bonding tool tip
US6396080B2 (en) * 1999-05-18 2002-05-28 Cree, Inc Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination
WO2003051568A1 (en) * 1999-08-18 2003-06-26 Hyperion Innovations, Inc. Cordless soldering iron
US20040149713A1 (en) * 1999-08-18 2004-08-05 Hyperion Innovations, Inc. Cordless soldering iron
DE10006764C1 (de) * 2000-02-15 2002-04-18 Heraeus Electro Nite Int Elektrische Verbindung
JP3548509B2 (ja) * 2000-06-07 2004-07-28 諏訪熱工業株式会社 パルス通電接合方法及び接合装置並びに接合体
US6684102B1 (en) 2000-11-03 2004-01-27 Cardiac Pacemakers, Inc. Implantable heart monitors having capacitors with endcap headers
US6699265B1 (en) 2000-11-03 2004-03-02 Cardiac Pacemakers, Inc. Flat capacitor for an implantable medical device
US6687118B1 (en) 2000-11-03 2004-02-03 Cardiac Pacemakers, Inc. Flat capacitor having staked foils and edge-connected connection members
US7107099B1 (en) 2000-11-03 2006-09-12 Cardiac Pacemakers, Inc. Capacitor having a feedthrough assembly with a coupling member
US6522525B1 (en) 2000-11-03 2003-02-18 Cardiac Pacemakers, Inc. Implantable heart monitors having flat capacitors with curved profiles
US7456077B2 (en) 2000-11-03 2008-11-25 Cardiac Pacemakers, Inc. Method for interconnecting anodes and cathodes in a flat capacitor
US7355841B1 (en) * 2000-11-03 2008-04-08 Cardiac Pacemakers, Inc. Configurations and methods for making capacitor connections
US6833987B1 (en) 2000-11-03 2004-12-21 Cardiac Pacemakers, Inc. Flat capacitor having an active case
US6509588B1 (en) * 2000-11-03 2003-01-21 Cardiac Pacemakers, Inc. Method for interconnecting anodes and cathodes in a flat capacitor
DE10114355A1 (de) * 2001-03-22 2002-10-17 Intec Holding Gmbh Verfahren zur Herstellung einer kontaktlosen multifunktionalen Chipkarte sowie entsprechend hergestellte Chipkarte
CN1139453C (zh) * 2001-06-12 2004-02-25 杨仕桐 点电焊焊头
US6520399B1 (en) * 2001-09-14 2003-02-18 Raytheon Company Thermosonic bonding apparatus, tool, and method
JP2005511322A (ja) * 2001-12-14 2005-04-28 ハイペリオン イノベーションズ インコーポレイテッド コードレスはんだごて
US20060178019A1 (en) * 2002-08-18 2006-08-10 Aviza Technology, Inc. Low temperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
US6857552B2 (en) * 2003-04-17 2005-02-22 Intercard Limited Method and apparatus for making smart card solder contacts
US7120008B2 (en) * 2004-07-16 2006-10-10 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for capacitor interconnection using a metal spray
US7180727B2 (en) 2004-07-16 2007-02-20 Cardiac Pacemakers, Inc. Capacitor with single sided partial etch and stake
US7327552B2 (en) * 2005-05-09 2008-02-05 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for electrically connecting capacitor electrodes using a spray
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
CN100360270C (zh) * 2005-12-23 2008-01-09 杨仕桐 连体电极的电阻焊焊头及其制备方法
TWI343611B (en) * 2007-06-08 2011-06-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate
JP5804644B2 (ja) * 2012-02-21 2015-11-04 超音波工業株式会社 超音波ワイヤボンディング装置および超音波ワイヤボンディング方法
US8952292B2 (en) * 2012-04-17 2015-02-10 Caterpillar Inc. Adjustable welding head for multiple electrode cladding
DE102013104207A1 (de) * 2013-04-25 2014-11-13 Epcos Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen und mechanischen Verbindung
HK1193540A2 (en) * 2013-07-26 2014-09-19 Cardmatix Co Ltd A method of manufacturing a smart card
JP7187127B2 (ja) * 2019-04-09 2022-12-12 株式会社カイジョー 絶縁被覆線の接合方法、接続構造、絶縁被覆線の剥離方法及びボンディング装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2160659A (en) * 1937-10-05 1939-05-30 Mallory & Co Inc P R High resistance electrode
US3263057A (en) * 1963-05-09 1966-07-26 North American Aviation Inc Thermocompression bonder
US3320401A (en) * 1963-05-24 1967-05-16 North American Aviation Inc Diffusion bonder
US3263059A (en) * 1963-11-19 1966-07-26 Ibm Fine insulated wire welder
US3342972A (en) * 1964-01-22 1967-09-19 Aerojet General Co Welding electrode assembly
US3297855A (en) * 1964-06-26 1967-01-10 Ibm Method of bonding
US3435184A (en) * 1965-07-12 1969-03-25 Gen Time Corp Parallel gap welding
JPS4837221A (de) * 1971-09-10 1973-06-01

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4323149A1 (de) * 1993-07-10 1995-01-12 Audi Ag Elektrode zum Widerstandsschweißen

Also Published As

Publication number Publication date
DE2710835A1 (de) 1977-09-29
IN147651B (de) 1980-05-17
FR2345053A1 (fr) 1977-10-14
IT1115709B (it) 1986-02-03
JPS52112277A (en) 1977-09-20
DE2710835C3 (de) 1981-05-27
JPS5824941B2 (ja) 1983-05-24
FR2345053B1 (de) 1980-12-19
GB1530537A (en) 1978-11-01
US4171477A (en) 1979-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2710835C3 (de) Schweißvorrichtung zum Anschweißen eines dünnen Drahtes an Kontaktanschlüssenauf einem Halbleitersubstrat
EP0266843B1 (de) Vorrichtung zum Aufbringen tropfenförmiger Lotmengen Weichlot auf zu benetzende Flächen
DE2832050C2 (de)
DE3628495C2 (de) Elektrisches Heizelement
WO2011120714A2 (de) Solarzellen und herstellverfahren dafür
DE1515208B2 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen heizscheibe
DE2905905A1 (de) Wabenfoermiges heizelement
DE1180863B (de) Verfahren zur Elektroerosion mit automatischer Steuerung bzw. Regelung der Erosionsarbeit
DE102012108747A1 (de) Punktschweißvorrichtung
DE936464C (de) Verfahren zur Verschweissung eines Zuleitungsdrahts mit dem Sockel einer elektrischen Lampe
DE2346291C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen zwei oder mehreren Leiterdrähten
DE3313456A1 (de) Impuls-loetverfahren
DE4207419A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum befestigen eines elektrischen steckers
DE2832574C2 (de)
DE1540954B1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Loechern sehr kleinen Querschnittes durch elektrische Entladungen
DE2112098B2 (de) Vorrichtung zum stumpfen Anschweißen von Drahtstücken an Bauteile
DE264405C (de)
DE4403503C2 (de) Buckelschweißverfahren und -vorrichtung
EP3009221B1 (de) Widerstandsschweissvorrichtung
DE3724293C2 (de)
DE206906C (de)
DE2642040A1 (de) Kontaktschweissmaschine
DE657128C (de) Schweissduese fuer das elektrische Lichtbogenschweissen mit umhuellten Elektroden
DE946381C (de) Punkt- und Buckelschweissverfahren und Schweissmaschine zur Ausuebung des Verfahrens
DE2548212C3 (de) Verfahren und Einrichtung zum Widerstandsheizen von elektrisch leitenden Werkstücken

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee