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Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen,
bei dem an der Oberfläche eines scheibenförmigen Halbleiterkristalls mehrere einander
gleiche Halbleiterstrukturen gleichzeitig erzeugt werden, bei dem außerdem das durch
die einzelnen Fertigungsprozesse dieser Halbleiterstrukturen erzielte Ergebnis durch
an mindestens einem Teil der erhaltenen Halbleiterstrukturen vorgenommene Messungen
kontrolliert wird und bei dem schließlich der scheibenrormige Halbleiterkristall
zwischen den einzelnen erhaltenen Strukturen in Je eine Halbleiterstruktur enthaltende
Halbleiterplättchen aufgetrennt wird.
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Ein solches Verfahren wird sowohl bei der Herstellung von Einzelelementen
als auch von integrierten Schaltungen allgemein angewendet. Die zur Uberwachung
der Fertigung vorzunehmenden PrUtungen wird man im allgemeinen nicht an Jeder einzelnen
der zu erzeugenden und eine Halbleitervorrichtung der betreffenden Fertigungsserie
darstellenden Halbleiterstruktur, sondern nur an einzelnen an verschiedenen Stellen
der Halbleiterscheibe befindlichen Testexemplaren vornehmen. Diese Testexemplare
stimmen bei der bisher üblichen Praxis in ihren Einzelheiten, das heißt vor allem
in ihrem geometrischen Aufbau mit den nicht geprüften Exemplaren überein.
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Hierfür gibt es vor allem zwei Gründe: 1. Es bereitet selbst bei kompliziertesten
Strukturen keinen zusätzlichen technischen Mehraufwand, wenn die Teststrukturen
mit den übrigen Elementen, die an der Oberfläche des scheibenförmigen Halbleiterkristalls
erzeugt werden, übereinstimmen. Andererseits bedeutet eine Abweichung der Teststruktur
von der der Fertigungsserie entsprechenden Struktur einen nicht unerheblichen Mehraufwand
sowohl an Zeit als auch an technischen Mitteln. Bedingt ist dies vor allem durch
die Maskenherstellung, da man die für die Herstellung einer bestimmten Struktur
erforderlichen Masken Jeweils nur einmal herzustellen braucht, um die betreffende
Maske dann durch Kopie und Repeatertechnik in der gewurischten Anzahl und Anordnung
an der Oberfläche der zu behandelnden Halbleiterscheibe erzeugen zu können.
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2. Wenn die Teststruktur in allen Punkten der zu fertigenden Serie
entspricht, so hat man ein geprüftes Exemplar dieser Serie.
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Auf diese Vorteile wird Jedoch bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
bewußt verzichtet, indem bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die für die Kontrollmessungen
vorgesehenen und gleichzeitig mit den herzustellenden Halbleiterstrukturen in dem
scheibenförmigen Halbleiterkristall entstehenden Teststrukturen eine von der Geometrie
der zu fertigenden Halbleiterstrukturen abweichende Geometrie erhalten.
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Handelt es sich um die Herstellung von Einzelhalbleiterbauelementen,
zum Beispiel von Transistoren, Dioden, Thyristoren usw., so kann man aus der Vielzahl
der auf einer einzigen Halbleiterkristallscheibe erzeugten einander gleichen Elemente
an Jedem beliebigen Exemplar die elektrischen Eigenschaften messen, wobei die Auswahl
gegebenenfalls nach statistischen Erwägungen im Interesse einer möglichst großen
Sicherheit erfolgen kann. Manche Eigenschaften machen sich Jedoch erst dann geltend,
wenn das Element mit weiteren Elementen zusammenge-
schaltet ist.
In einem solchen Falle kann es von Interesse sein, die Teststrukturen komplexer
als die eigentlichen herzustellenden Halbleiterstrukturen auszugestalten, indem
man neben dem Halbleiterelement mindestens noch ein weiteres in mindestens einer
der Teststrukturen herstellt und entsprechend den Gepflogenheiten der IC-Technik
mit dem der betreffenden Fertigungsserie entsprechenden Halbleiterelement zusammenschaltet
und an der Kombination der in der Teststruktur vereinigten Halbleiterelemente mindestens
eine Kontrolimessung vornimmt, deren Ergebnis dann mit zur Beurteilung der übrigen
in der Halbleiterkristallscheibe erzeugten Halbleiterelemente mit herangezogen wird.
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Vielfach ist es Jedoch gerade umgekehrt, daß wenigstens in schaltungsmäßiger
Beziehung die Teststrukturen einfacher als die der zu fertigenden Halbleiterserie
entsprechenden Strukturen konstruiert sind. Das ist vor allem dann der Fall, wenn
es sich um die Herstellung von komplizierteren integrierten Halbleiterschaltungen
handelt. Sicherlich wird man in diesem Fall auch Kontrollmessungen an mindestens
einer der zu fertigenden Serie voll entsprechenden Teststruktur vornehmen, die dann
im einzelnen eine im vollen Maße dieser Serie entsprechende Halbleitervorrichtung
darstellt und nach erfolgten Kontrollmessungen dementsprechend weiter verwendet
werden kann. Daneben ist es Jedoch für die Beurteilung mitunter auch von Bedeutung,
Eigenschaften von Einzelelementen oder Teilkomplexen der herzustellenden komplizierteren
Halbleitervorrichtung beurteilen zu können, so daß dementsprechend die Geometrie
der Teststrukturen einfacher als die der übrigen in der Halbleiterscheibe entstehenden
Strukturen ausgelegt wird.
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Der Begriff "Halbleiterstruktur" wird im vorliegenden im Sinne der
geometrischen Ausgestaltung der Fenster in den Maskierungs- und Schutzschichten,
der geometrischen Ausgestaltung der pn-Ubergänge, der Elektroden, der die Elektroden
verbindenden Leitbahnen gebraucht. Der Begriff "gleichzeitige Herstellung" besagt,
daß die zu prüfenden Einzelheiten in den Test strukturen durch denselben Prozeß
wie ihre Analoga in den der herzustellenden Serie entsprechenden Produktstrukturen
entstehen.
pn-Ubergänge, E1ektrod#n, Maskierungs und Schutzschichten haben in den Teststrukturen
im allgemeinen dieselben Tiefen und Stärken wie in den Produktstrukturen. Geändert
wird lediglich die Geometrie in lateraler Beziehung. Da man in der Halbleitertechnik
neben den dem Jeweils zu erreichenden Ziel entsprechenden Technologien vor allem
die Einwirkungsbereiche der angewendeten Technologie begrenzende Masken anwendet,
die ihrerseits mit größter Genauigkeit und Reproduzibilität mittels Photolack-Ätztechnik
oder Photolack-Bedampfungstechnik herstellbar sind, so hat man auch die Möglichkeit,
nicht nur die zu fertigenden Produktstrukturen, sondern auch die - Vereiniachungen
und/oder Abwandlungen der Produktstrukturen darstellenden - Teststrukturen mit ebenfalls
größter Genauigkeit und Reproduzierbarkeit herstellen zu können.
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Dabei gibt es unter anderem folgende Möglichkeiten: a) Es werden bei
der Fertigung einer gegebenen Serie von Halbleitervorrichtungen auf einer gemeinsamen
Halbleiterscheibe gleichzeitig Teststrukturen mit unterschiedlichen Geometrien verwendet.
Betrifft beispielsweise die herzustellende Halbleiterstruktur die Kombination einer
Diode mit einem bipolaren Transistor und einem Feldeffekttransistor, so kann zum
Beispiel eine Teststruktur lediglich die Kombination des bipolaren Transistors mit
dem Feldeffekttransistor, zwei weitere Teststrukturen Jeweils die Kombination Je
eines dieser Transistoren mit der Diode und drei weitere Teststrukturen Je eines
der beteiligten Halbleiterbauelemente darstellen.
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b) Bei Verwendung mehrerer Teststrukturen wird man diese an verschiedenen
Stellen der zu behandelnden Halbleiterscheibe, zum Beispiel in der Nähe der Ränder
und etwa im Zentrum der Halbleiterscheibe anordnen, um zum Beispiel die Einflüsse
von Temperaturunterschieden auf der Halbleiterscheibe bei den einzelnen Technologien
auf über die ganze Halbleiter scheibe verteilt erzeugten Produkt strukturen und
die aus diesen nach Auftrennung der Halbleiterscheibe erhaltenen Halbleitervorrichtungen
beurteilen zu können.
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Vielfach benötigt man trotz der größeren Komplexität der zu fertigenden
Halbleitervorrichtungen für Testzwecke mehr äußere Anschlüsse als für die eigentlichen
herzustellenden Vorrichtungen. Dies führt zur Unterteilung der einzelnen Teststrukturen
in Teilfelder, in denen Jeweils eine zwar ein Analogon in den zu fertigenden Strukturen,
aber kein Analogon in den anderen Teilfeldern der betreffenden Teststrukturen besitzende
Teilstruktur erzeugt wird, die dann von den entsprechenden elektrischen Anschlüssen
umgeben ist. Diese sind dann zwar an den Rand des betreffenden Teilfelds, nicht
aber überall an den Rand der betreffenden Gesamtteststruktur herausgeführt.
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Andererseits kann es zweckmäßig sein, die Jeweils nur einen Teil der
zu fertigenden Strukturen umfassenden Teststrukturen auf der zu bearbeitenden Halbleiterscheibe
derart unterschiedlich auszulegen, daß zwar Jede Teststruktur einen Teil einer herzustellenden
integrierten Halbleiterscheibe beinhaltet, daß aber die insgesamt auf der Halbleiterscheibe
vorgesehenen Teststrukturen verschiedenen Kategorien zuzuordnen sind, die Jeweils
verschiedenen Schaltgruppen der herzustellenden Schaltungen entsprechen.
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Zum messenden Kontrollieren von in einer einzigen Halbleiterscheibe
simultan erzeugten Halbleitervorrichtungen, insbesondere integrierten Schaltungen,
sind sogenannte Meßkarten im Gebrauch, die vom entsprechenden Handel geliefert werden.
Diese bestehen aus einem mit einer zentralen Öffnung versehenen kartenförmigen Isolierkörper,
an dessen Oberfläche beziehungsweise in dessen Inneren gegeneinander elektrisch
isolierte Leitungen geführt sind, welche von je einer in die Öffnung hineinragenden
Spitze ausgehen und zu Je einer beispielsweise am Rande der Meßkarte angeordneten
zweiten Anschlußstelle führen, die den Anschluß an ein entsprechendes Meßgerät erlauben.
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Die Meßkarte dient zur Vermittlung der elektrischen Verbindung zwischen
den Anschlußstellen der auf der Halbleiterkristallscheibe erzeugten Struktur und
den für die Prüfung eingesetz-
ten Meßgeräten, indem die bereits
mit den Meßgeräten verbundene Meßkarte mit Je einer der in die zentrale Öffnung
hineinragenden Spitzen gleichzeitig auf Je eine Anschluß stelle der zu prüfenden
Struktur, zum Beispiel mittels eines Testautomaten, aufgesetzt wird.
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Da häufig, insbesondere bei komplizierteren integrierten Schaltungen,
die Anzahl der äußeren Anschlüsse merklich 'xlAeiner als die Anzahl der insgesamt
in der zu erzeugenden Struktur wirksamen elektriswhen Verbindungen ist, würde man
unter Umständen für die Prüfung der zu fertigenden Struktur oftmals eine bedeutend
einfachere, das heißt mit verhältnismäßig wenig Meßspitzen ausgestattete Meßkarte,
als zum Beispiel für die Prüfung bei einer nur einen Teilkomplex der zu fertigenden
Struktur darstellenden Teststruktur benötigen. Hier empfiehlt es sich, wie bereits
angedeutet wurde, die Teststruktur abermals zu unterteilen. Dabei entstehen Teilfelder
mit Jeweils einer Unterstruktur, wobei die Unterstrukturen nicht völlig übereinstimmend
miteinander ausgestaltet sind. Sie werden zweckmäßig so ausgelegt, daß die äußeren
Anschlüsse in allen Fällen miteinander übereinstimmen, so daß zur messenden Prüfung
aller Teilfelder und gegebenenfalls auch einer zu fertigenden Struktur mit derselben
Meßkarte gearbeitet werden kann.
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Obwohl die Ausgestaltung der Teststrukturen, sei es in Beziehung der
Ausgestaltung der pn-übergänge, sei es in Beziehung auf die Ausgestaltung von Elektroden
und Leitbahnen, von Fall zu Fall sehr verschieden sein kann und in erster Linie
von der Ausgestaltung der zu fertigenden Halbleiterstrukturen abhängt, soll doch
an Hand der Fig. 1, 2 sowie 3 und 4 das Verfahren gemäß der Erfindung etwas konkreter
erläutert werden. Dabei ist in Fig. 1 beziehungsweise 3 die das herzustellende Produkt
darstellende Halbleiterstruktur und im Falle der Fig. 2 beziehungsweise 4 Je ein
Beispiel einer möglichen Teststruktur entsprechend den bisherigen Ausführungen dargestellt.
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Ist beispielsweise die serienweise herzustellende und in großer Anzahl
in der dem erfindungsgemäßen Verfahren entsprechenden Weise auf einer einzigen Halbleiterscheibe
zu erzeugenden und gewöhnlich rasterartig anzuordnenden Fe;rti gungs struktur ein
in integrierter Halbleitertechnik herzustellender - insbesondere bipolarer - Speicher
nebst zugehörigem X-Dekoder und Y-Dekoder, so nimmt die eigentliche Struktur die
schraffierte Fläche A ein. In dieser hat man sich in bekannter Weise anzuordnende
Speicherzellen (zum Beispiel bistabile Flip-Flop-Zellen in matrixförmiger Anordnung)
vorzustellen, die über einzelne auf einer abdeckenden Si02-Schicht aufgebrachte
und gegeneinander isolierte Leitbahnen zunächst an die ebenfalls in IC-Technik erzeugten
beiden Dekoder angeschaltet sind. Zur äußeren elektrischen Beaufschlagung sind im
Beispielsfalle zehn Anschlußelektroden E1 ... E10 vorgesehen, die am Rand der eigentlichen
Halbleiterstruktur und damit der Fläche A angeordnet sind. Sie sind über gegenüber
dem Halbleiterkörper der betreffenden Struktur sowie gegeneinander elektrisch isolierte
Leitbahnen, die auf an der Halbleiteroberfläche erzeugten Isolierschichten, insbesondere
Si02-Schichten, aufgebracht sind, mit - den Halbleiterkörper an den Jeweils erforderlichen
Stellen kontaktierenden - Elektroden verbunden. Zu bemerken ist, daß praktisch das
gesamte zur Verfügung stehende Areal des scheibenförmigen Halbleiterkristalls von
diesen Produktstrukturen gemäß Fig. 1 eingenommen sind. Von einer zeichnerischen
Darstellung von Strukturdetails, wie zum Beispiel pn-Übergängen, inneren Elektroden
sowie der Leitbahnen wurde abgesehen.
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Ein Beispiel für eine zugehörige Teststruktur ist in Fig. 2 gezeichnet.
Statt eines einzigen Strukturfeldes A sind hier mehrere Struktur-Teilfelder vorgesehen,
die im Beispielsfall mit B, C, D, E, F und G bezeichnet sind. Die Elektroden am
Rande der Gesamtstruktur stimmen mit Fig. 1 überein. Jedoch sind noch weitere Elektroden
E11 ... E15 vorgesehen, die sich zwischen den einzelnen Teilfeldern befinden und
zur Kontaktierung der benachbarten Teilteststrukturen dienen.
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Die in den einzelnen Teilfeldern B ... G erzeugten Halbleiterstrukturen
sind im Beispielsfalle Schaltungsteilen der zu fertigenden Halbleiterstrukturen
analog. So kann zum Beispiel die durch die Elektroden E1 E29 E3 beaufschlagte Teilstruktur
B dem Speicher beziehungsweise einer von diesem abweichenden Kombination der in
dem herzustellenden eigentlichen Produkt gemäß Fig. 1 verwendeten Speicherzellen
gewidmet sein und stellt demgemäß ein Feld von Speicherzellen dar, das in einer
von der Produkt struktur gemäß Fig. 1 verschiedenen Weise mit äußeren Anschlüssen,
also im Beispielsfalle mit den Elektroden E1, E2, E3, kontaktiert ist. (Die Kontaktierung
des Speichers bei der zu fertigenden Struktur gemäß Fig. 1 kann in ganz anderer
Weise, teils durch innere Anschlüsse, teils durch äußere Anschlüsse A1 ... A10 als
im Teilfeld B durchgeführt sein.) Das Teilfeld C der Teststruktur mit den beiden
Anschlüssen E4 und E5 kann zum Beispiel der einzelnen Flip-Flop-Zelle des Speichers,
das Teilfeld D den einzelnen Transistoren des Speichers beziehungsweise der Dekoder
gewidmet sein, wobei im Falle des Teilfelds D die Kontaktierung über die zusätzlichen
Elektroden E11, E12 und E13 erfolgt. Teilfeld E, das durch die Anschlüsse E6, E7,
E8 kontaktiert wird, dient der Erprobung der Dekoder des Speichers, Teilfeld F der
Erprobung von Teilen der Stromversorgung und Teilfeld G und Teilfeld H dient beispielsweise
der Kontrolle der Eigenschaften der verwendeten Dioden.
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Solche Teststrukturen sind systematisch unter den normalen, also das
herzustellende Produkt erzeugenden Strukturen auf der Halbleiterscheibe verteilt.
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Die für die Messung der Eigenschaften sowie Kontrolle vorgesehenen
Meßkarten werden dann zweckmäßig der in Fig. 2 dargestellten Struktur angepaßt.
Dies bedeutet, daß die Testspitzen
der Meßkarte und deren äußere
Anschlüsse auf die Geometrie der Elektroden E1 ... E15 ausgerichtet ist. Werden
dann die Spitzen der Meßkarte mit den Elektroden E1 ... E15 einer der auf der Halbleiterscheibe
vorgesehenen Teststruktur, zum Beispiel mittels eines Meßautomaten, in Kontakt gebracht
beziehungsweise gehalten, so hat man die Möglichkeit, die Eigenschaften Jeder der
in den Teilfeldern B ... H verteilten Unterstrukturen des herzustellenden Halbleiterprodukts
messend zu kontrollieren. Da die Oberfläche der dem zu erzeugenden Produkt entsprechenden
Struktur gemäß Fig. 1 an den den zusätzlichen Elektroden E11 ... E15 entsprechenden
Stellen mit einer Isolierschicht abgedeckt ist, kann die für die Teststruktur gemäß
Fig. 1 verwendete Meßkarte ersichtlich auch zur Kontrolle des eigentlichen Produkts
gemäß Fig. 1 eingesetzt werden, wodurch dann die infolge der Integration bedingten
Eigenschaften gemessen werden können.
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Im Falle der Fig. 3 und 4 wird gezeigt, wie man durch Unterteilung
einer Teststruktur in Teilfelder die Anzahl der Anschlußstellen erheblich vergrößern
kann. Stellt beispielsweise Fig. 3 die 28 Anschlußstellen einer herzustellenden
Struktur oder auch einer komplexeren Teststruktur dar, so kann man durch Aufteilung
des von der Struktur' gemäß Fig. 3 eingenommenen Felds auf der Halbleiteroberfläche
in Teilfelder, zum Beispiel in vier Teilfelder gemäß Fig. 4, die Zahl der äußeren
Anschlüsse, da diese auch zwischen den Teilfeldern der Teststruktur angeordnet werden
können, erheblich, zum Beispiel auf insgesamt 48 vergrößern, ohne hierfür die Elektroden
kleiner gestalten zu müssen.
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Zusammenfassend soll zum Abschluß dieser Darstellungen nochmals die
von der Erfindung gelöste Aufgabe und verschiedene Möglichkeiten der gemäß der Erfindung
vorgeschlagenen Teststrukturen dargestellt werden. Dabei ist noch der Vollständigkeit
halber zu bemerken, daß man für die gemäß der Erfindung vorzusehenden Teststrukturen
im Prinzip auch eigene Halblei-
terscheiben vorsehen kann, die
zwar in ihren Eigenschaften völlig mit den mit den herzustellenden Produkt strukturen
zu beaufschlagenden Halbleiterscheiben sowohl in geometrischer als auch in physikalisch
chemischer Beziehung übereinstimmen, die aber ausschließlich mit - gegebenenfalls
verschiedenen -der zu fertigenden Serie von Halbleitervorrichtungen zugeordneten
Teststrukturen versehen werden, während durch die der zur Herstellung dieser Teststrukturen
dienenden Prozesse zu gleicher Zeit auf den übrigen Halbleiterscheiben Jedoch statt
der Teststruktur infolge abweichender Maskierungsprozesse der zu der fertigungsmäßig
herzustellenden Struktur entsteht.
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Beim Einfahren einer neuen Technologie oder beim Erproben einer neuen
Halbleiter-Schaltkreisfamilie ist eine große Anzahl von Messungen und Untersuchungen
erforderlich, wozu man sehr viele äußere Anschlüsse für die zu messenden Strukturen
benötigt. Da die Messungen möglichst automatisch ablaufen sollen, sind die äußeren
Anschlüsse der Halbleiterstrukturen über eine Meßkarte an das Maßsystem anzuschließen.
Die für die zu messende Struktur zur Verfügung gestellte Fläche auf der Halbleiterscheibe
soll Jedoch durch die für die Meßkarten erforderliche Anordnung der Anschlußstellen
der zu messenden Halbleiterstruktur nicht unnötig vergrößert werden.
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Für komplexe zu messende Strukturen haben übliche Meßsysteme nicht
genügend Kanäle. Häufig sind auch einsatzbereite Auswertprogramme (o. a. aus Gründen
der Speicherkapazität) nicht für genügend Parameter ausgelegt.
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Meßkarten für komplexe Strukturen benötigen viele Prüfspitzen und
werden damit teuer, störanfällig und schwer Justierbar.
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Wenn man hingegen gemäß der Erfindung mindestens einen Teil der bei
einem gemeinsamen Fertigungsprozeß in derselben Herstellungsanordnung entstehenden
Halbleiterstrukturen mit einer
von der der zu fertigenden Halbleiterstruktur
verschiedenen Geometrie auslegt und die damit verbundenen Möglichkeiten -angepaßt
auf den einzelnen - konkreten Fall - ausnutzt, so lassen sich ersichtlich alle diese
Schwierigkeiten beheben.
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Zum Beispiel wird man die zu fertigende Struktur in Schaltuntergruppen
aufteilen, die ein für die Beurteilung der zu fertigenden komplexeren Struktur ausreichendes
Meßergebnis bringen können, denen dann Jeweils eine Teststruktur beziehungsweise
eine Testunterstruktur entspricht, die simultan mit der zu fertigenden Halbleiterstruktur
entsteht, und die Jeweils lediglich eine der zur Verfügung stehenden Meßapparatur,
zum Beispiel Meßkarte, entsprechende Anzahl von Anschlußstellen aufweist.
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Andererseits kann in einer Teststruktur ausschließlich nur ein für
eine zu fertigende Struktur besonders wesentliches aber auch besonders kritisch
herzustellendes Halbleiterelement -losgelöst vom Zusammenhang der wesentlich komplizierteren
Umgebung in der zu fertigenden Struktur - hergestellt und für sich allein beurteilt
werden, um Rückschlüsse über sein elektrisches Verhalten in der komplexeren Produkt
struktur zu ermöglichen.
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Wesentlich ist außerdem, daß man bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
die für die Teststruktur vorgesehene, in ihrer Größe und Gestalt der für Je eine
der zu fertigenden Strukturen zur Verfügung gestellte Halbleiterfläche in Teilbereiche
unterteilen kann, um welche dann die Anschlußstellen längs ihrer Peripherie in der
aus Fig. 2 ersichtlichen Weise angereiht werden.
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Dadurch erhält man genügend Anschlußstellen am Rand der Teilbereiche,
die für eine auf die Größe der Teilbereiche ausgelegte Meßkarte erreichbar sind.
(Zu bemerken ist an dieser Stelle, daß eine Anordnung von Anschlußstellen in mehreren
Reihen um die zu messende Struktur statt einer zwei oder mehrere Meßkarten erfordern.)
Da bei angenähert quadratischen Feldern der Platzbedarf mit dem Quadrat der Seitenlänge
wächst,
während die Umfangslänge als Maß für die Zahl der möglichen äußeren Anschlußstellen
nur linear zur Seitenlänge zunimmt, wird das Umfangs-Flächenverhältnis bei einer
Vergrößerung des für eine zu fertigende Halbleiterstruktur benötigten Felds auf
der Halbleiteroberfläche um so ungünstiger, Je grö-Ber dieses Feld ist.
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Sind die Teilbereiche bei einer in Teilbereiche unterteilten Teststruktur
nicht gegeneinander verdreht auf der Halbleiterscheibe erzeugt worden, so können
alle mit nur einer Justierung der Halbleiterscheibe in dem Meßautomaten gemessen
werden. Es kann dann Je eine Art von Testunterstruktur pro Durchlauf der Scheibe
durch die Meßautomatik gemessen werden. Man kann aber auch alle Arten der in der
Teststruktur vereinten Testunterstrukturen in einem einzigen Durchlauf der Halbleiterscheibe
durch den Meßautomaten messen. Dabei muß das Meßprogramm Jeweils auf die richtige
Unterstruktur umgeschaltet werden, was man über eine Software-Maske im Meßprogramm,
über einen mitlaufenden Zähler oder über die Messung einer Unterscheidungsstruktur
erreichen kann.
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10 Patentansprüche 4 Figuren
l e e r s e i t e