DE2653461A1 - Verfahren zum entwickeln eines durch waermeeinfluss entwickelbaren zweikomponenten-diazotypiematerials auf einem nichtmetallischen traeger - Google Patents

Verfahren zum entwickeln eines durch waermeeinfluss entwickelbaren zweikomponenten-diazotypiematerials auf einem nichtmetallischen traeger

Info

Publication number
DE2653461A1
DE2653461A1 DE19762653461 DE2653461A DE2653461A1 DE 2653461 A1 DE2653461 A1 DE 2653461A1 DE 19762653461 DE19762653461 DE 19762653461 DE 2653461 A DE2653461 A DE 2653461A DE 2653461 A1 DE2653461 A1 DE 2653461A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transmitter
elements
microwave energy
transmitter elements
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762653461
Other languages
English (en)
Other versions
DE2653461C3 (de
DE2653461B2 (de
Inventor
Helmut Lembens
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Priority to DE2653461A priority Critical patent/DE2653461C3/de
Priority to GB48746/77A priority patent/GB1595484A/en
Priority to NL7712913A priority patent/NL7712913A/xx
Priority to US05/854,242 priority patent/US4184060A/en
Priority to FR7735319A priority patent/FR2372459A1/fr
Priority to JP14143977A priority patent/JPS5366230A/ja
Publication of DE2653461A1 publication Critical patent/DE2653461A1/de
Publication of DE2653461B2 publication Critical patent/DE2653461B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2653461C3 publication Critical patent/DE2653461C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/78Arrangements for continuous movement of material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C5/00Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
    • G03C5/18Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)

Description

HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
KALLE Niederlassung der Hoechst AG K 2504+H
Wi es baden-Biebrich 22. November 1976
WLK-DI.Sb-rw
Verfahren zum Entwickeln eines durch Wärmeeinfluß entwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials auf einem nichtmetaTlischen Träger
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entwickeln eines durch Wärmeeinfluß entwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials auf einem nichtmetaTlischen Träger, das insbesondere einen Gehalt an unter Wärmeeinfluß zersetzlichen und dabei ein alkalisches Milieu schaffenden Verbindungen aufweist, wobei der Wärmeeinfluß durch von einem Energieüb'ertrager direkt auf das Zweikomponenten-Diazotypiematerial und/oder seinen Träger abgestrahlte elektromagnetische Strahlung erzeugt wird.
Die vorliegende Erfindung hat zum Ziel, ein geeignetes Wärmeentwi cklungsverfahren für Zwei komponenten-Diazotypiematerialien zu schaffen. Im Blick auf die bekannten Nachteile der Entwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerialien in einer Wasserdampf-Ammoniakatmosphäre, die insbesondere in der dabei auftretenden ammoniakhaltigen Abluft und in dem ammoniakhaltigen Abwasser gesehen werden können, wurde versucht, die Entwicklung nur durch Wärmeeinfluß vorzunehmen (J. Kosar, Light-sensitive Systems, 1965, Seite 260 f.) Hierzu ist es denkbar, die Kuppelung
809822/0113
^653461
2" -
einer nicht durch Lichteinfluß zersetzten Diazoniumsalzkomponente mit einem Kuppler direkt durch Erwärmen der in einer Schicht verteilten Komponenten herbeizuführen. Die damit verbundenen Probleme, ein stabiles, aber lichtempfindliches System zu schaffen, in dem sich die Diazoverbindungen nicht vor der Kupplung zersetzen und in dem die Kuppelung ausreichend schnell verläuft, wobei eine annehmbare Lagerfähigkeit des Materials erzielt wird, sind jedoch groß. Die genannten Schwierigkeiten werden verringert, indem der Schicht des Zweikomponenten-Diazotypiematerials Verbindungen zugesetzt werden, welche unter Wärmeeinfluß ein alkalisches Milieu, beispielsweise durch Abspaltung von Ammoniakgas, schaffen, das den Kuppelungsprozeß auslöst. Befriedigende Ergebnisse eines solchen Entwicklungsverfahrens hängen nicht zuletzt von der Art der Wärmezufuhr zu dem Zweikomponenten-Diazotypiematerial ab. Im folgenden wird noch auf die hiermit verbundenen Probleme eingegangen; zunächst werden aber zur näheren Charakterisierung der zu entwickelnden Zweikomponenten-Diazotypiematerialien folgende bekannte Komponenten angegeben (aus DT-PS 12 60 978):
Als lichtempfindliche Diazokomponenten kommen 4-Dimethylamino-benzol-diazoniumchlorid, 4-Morpholino-benzoldiazoniumchlorid oder 4-Pyrrolidino-3-brom-benzoldiazoniumchlorid in Frage, als Azokomponenten 2,3-Dihydroxynaphtha!in-6-sulfosäure, 2-Hydroxy-benzotriazol-(1,2), 1,3,5-Resorzylsäurediäthylamid und I-(N-Äthylamino)-3-hydroxy-4-methyl-benzol. Als ein alkalisches Milieu erzeugende Verbindungen werden solche verstanden, die bei normaler Umgebungstemperatur nicht neutral oder alkalisch reagieren und erst bei Erwärmen ein neutral oder alkalisch reagierendes Produkt wie Ammoniakgas abspalten, oder Verbindungen, die zwar bei normaler Temperatur alkalisch reagieren, jedoch durch Erwärmung auf einen höheren Aggregatzustand gebracht werden. Hierzu kommen unter
609822/01 13
• 26S3481
anderem in Frage die Monoamide oder Oligoamide organischer, aliphatischer, ein- oder mehrbasischer Carbonsäuren, beispielsweise der Essigsäure, Mono-, Di- und Trichloressigsäure, die Diamide der Kohlensäure, Oxalsäure, Fumarsäure oder Bernsteinsäure; insbesondere die Amide der Säuren, die noch eine oder mehrere Hydroxylgruppen in der aliphatischen Kette tragen, wie das Amid der Apfelsäure, der Weinsäure, Zitronensäure, Hydroxyessigsäure, Hydroxybuttersäure, Milchsäure. Als Träger des Zweikomponenten-Diazotypiematerials kommt beispielsweise Papier (Lichtpausrohpapier) oder auch Transparentpapier in Betracht. In Zusammenhang mit der vorliegenden noch zu erörternden Erfindung eignen sich jedoch solche Träger nicht, die elektrisch oder magnetisch sehr gut leitend sind, insbesondere Metallträger (Aluminium).
Bei der Erwärmung des Zweikomponenten-Diazotypiematerials, das einen Gehalt an unter Wärmeeinfluß zersetz!ichen und dabei ein alkalisches Milieu schaffenden Verbindungen aufweist, besteht das Problem, das Material so zu entwickeln, daß ohne Zersetzung der Diazokomponente die Kuppelung möglichst rasch und vollständig in der gesamten Schicht stattfindet, ohne Teile der Schicht, insbesondere ihre äußere Oberfläche, zu überhitzen, da dies die Zersetzung der Diazokomponente fördern würde. Dabei soll aber der das alkalische Milieu hervorrufende Stoff möglichst so zersetzt werden, daß das alkalische Milieu rasch gleichmäßig an möglichst allen Stellen, in denen die Diazokomponente und der Kuppler in der Schicht gelagert sind, gelangt.
Zu diesem Zweck gehören bereits mehrere Entwicklungsverfahren zum Stand der Technik, die darauf abzielen, das Zweikomponenten-Diazotypiematerial und/oder seinen Träger zu erwärmen. Um Wärmediazoverbindungen möglichst gleichmäßig, jedoch ohne Erreichen der Zersetzungstemperaturen der Diazoverbindungen mittels einer heißen Fläche in einem
809822/01 13
abgeschlossenen Raum zu entwickeln, ist es bereits bekannt, die mit der Zweikomponenten-Diazoschicht versehene Oberfläche des Materials von der heißen Fläche abgewandt und die andere Oberfläche des Materials von der heißen Fläche im Abstand zu halten (DT-PS 12 60 978). Die heiße Fläche wird dabei insbesondere durch ein Band mit sehr hohem dielektrischem Verlustfaktor erzeugt, das zwischen zwei Kondensatorplatten, welche mit einem Hochfrequenzgenerator in Verbindung stehen, durchläuft. In diesem Zusammenhang werden Frequenzen von etwa 10-20 MHz angewendet. - Dabei wird die Wärme nicht unmittelbar in dem Zweikomponenten-Diazotypiematerial erzeugt, sondern in einer heißen Fläche, dem Band, das seine Wärme an die nicht mit der Zweikomponentenschicht versehene Oberfläche des Materials abgibt. Dadurch soll die Zweikomponentenschicht relativ wenig erwärmt werden, um Zersetzungen der Diazoschicht zu vermeiden, während auf der anderen Seite sich in der gasabspaltenden Verbindung eine Abspaltungsreaktion vollziehen kann. Das dabei entwickelte Ammoniakgas bewegt sich nach allen Richtungen und diffundiert dabei auch zu der heißen Oberfläche des Bandes. Dort wird es erwärmt und kann relativ leicht durch das Kopiermaterial hindurchtreten und die zu entwickelnde Diazoschicht erreichen. - Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß der Vorrichtung zu seiner Ausübung verhältnismäßig viel Energie zugeführt werden muß, da nur mittelbar die von der heißen Oberfläche abgegebene Wärme ausgenutzt wird. Bis die thermischen Verhältnisse in der Vorrichtung stationär sind, muß eine Anheizzeit in Kauf genommen werden. Das zur Entwicklung verwendete Ammoniakgas kann in die Umgebung austreten, da die Wirkung dieser Vorrichtung darauf beruht, daß das Gas außerhalb des Zweikomponenten-Diazotypiematerials und seines Trägers der heißen Fläche ausgesetzt wird. Schließlich sind die Mittel, um das Zweikomponenten-Diazotypiematerial in geeignetem Abstand zu der heißen Fläche zu transportieren, noch verhältnismäßig aufwendig.
809822/0113
Zum Stand der Technik gehört es ferner, in einer schmalen Reaktionszone den zur Entwicklung benutzten verdampfbaren Stoff, der in freier oder gebundener Form im Reproduktionsmaterial bzw, im Zweikomponenten-Diazotypiematerial vorliegt, mit Hilfe von Infrarotstrahlern zu erzeugen. Dabei sorgt man dafür, daß entweder das Reproduktionsmaterial selbst oder ein mitgeführtes zweites Blatt die Infrarotstrahlen adsorbiert und in fühlbare Wärme umwandelt. - Bei diesem bekannten Verfahren wird jedoch die Oberfläche des Reproduktionsmaterials bei weitem am stärksten erwärmt, so kann es jedoch an der Oberfläche der Zweikomponentenschicht bereits zur Zersetzung der Wärmediazoverbindung kommen, bevor der zur Entwicklung erforderliche verdampfbare Stoff in genügender Menge erzeugt ist. In besonders unvorteilhaften Fällen kann sogar der Träger durch die Wärmestrahlung beschädigt werden. Soweit die Erwärmung mittelbar durch ein mitgeführtes zweites Blatt~erfolgt, das mit Infrarotstrahlen beaufschlagt wird, muß mit nennenswerten Wärmeübergangszeiten gerechnet werden, wodurch die Entwicklung weiter verzögert wird. Hier ist außerdem die Ausnützung der Wärmestrahlung relativ schlecht.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Entwicklungsverfahren der eingangs genannten Gattung zu schaffen, das es ermöglicht, Zweikomponenten-Diazotypiematerial, das insbesondere einen Gehalt an unter Wärmeeinfluß zersetzlichen und dabei ein alkalisches Milieu schaffenden Verbindungen aufweist, ohne Abwarten einer Anlaufzeit rasch und gut deckend auszuentwickeln. Dieses Verfahren soll mit verhältnismäßig geringer Energiezufuhr auskommen. Beschädigungen des Zweikomponenten-Diazotypiematerials durch Zersetzen der Wärmediazoverbindung und Beschädigungen des Trägers sollen gleichwohl möglichst ausgeschlossen sein. Eine Belästigung der Umwelt durch freigesetzten, zur Entwicklung benötigten verdampfbaren
8.09822/0 1 1 3
Stoff, soll möglichst nicht eintreten. Diese Aufgabe wird durch ein entsprechend dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs \ definiertes Verfahren gelöst.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt die Freisetzung des ein alkalisches Milieu erzeugenden Stoffes unmittelbar durch dielektrische Erwärmung der Zweikomponenten-Dijzotypieschicht und des Trägers. Erwärmt werden das Zweikomponenten-Diazotypiematerial auf einem insbesondere aus Papier bestehenden Träger durch die Wechselwirkung polarer Moleküle oder polarer Molekülgrirppen mit dem elektrischen Wechselfeld der elektromagnetischen Schwingung. Die Frequenz ist höher als to Hz gewählt, sie beträgt vorzugsweise 2450 MHz. Sie erlaubt eine gute Erwärmung im Innern des Zweikomponenten-Diazotypiematerials bei elektrischen Wechselfeldstärken, die weit unterhalb der Durchbruchsfeldstärke liegen. Materialbeschädigungen durch Überschläge oder übermäßige Oberflächenerhitzung werden sicher vermieden. Durch die Erwärmung im Innern des Zweikomponenten-Diazotypiematerials entsteht das alkalische Milieu direkt oder in unmittelbarer Nähe der Komponenten, die kuppeln sollen. Zur Einstellung dieses Milieus brauchen praktisch keine Wärmeübergänge abgewartet zu werden, so daß über relativ kurze Entwicklungsstrecken und bei relativ hoher Durchlaufgeschwindigkeit das Zweikomponenten-Diazotypiematerial gut ausentwickelt wird. Bei dem vorgeschlagenen Entwicklungsverfahren kann das abgespaltene Ammoniakgas in einer unter vergleichbaren Voraussetzungen hinsichtlich der dem Zweikomponenten-Diazotypiematerial zugeführten Wärmeenergie noch nicht erreichten Konzentration die zu kuppelnden Komponenten beeinflussen. Vorteilhaft ist ferner, daß eine Wärmeentwicklung außerhalb des Diazotypiematerials und seines Trägers ohne weitere Maßnahmen vermieden wird. Da die Entwicklungsstrecke kurz sein kann, genügt eine einfache Papierführung. Insgesamt ist der konstruktive Aufwand für die kompakte Entwicklungsstrecke gering. Wegen der fehlenden Wärmeträgheit des
809822/0113
Verfahrens eignet es sich zum Sofortstart. Anheizzeiten brauchen nicht abgewartet zu werden. Es arbeitet umweltfreundlich, da weder unerwünscht Wärme nach außen abgestrahlt wird, noch große AmmoniakgasTiiengen freigesetzt werden müssen. Nicht zuletzt benötigt eine zur Durchführung dieses Verfahrens geeignete Vorrichtung wenig Wartung.
In besonders zweckmäßiger Weise ist das Verfahren zum Entwickeln eines Zweikomponenten-Diazotapiematerials, wobei das Diazotypiematerial durch wenigstens ein elektromagnetisches Strahlungsfeld transportiert wird, so ausgestaltet, daß lückenlos nebeneinanderliegende, in Transportrichtung verlaufende Bahnen des Diazotypiematerials mit ihnen jeweils zugeordneten diskreten Strahlungsfeldern beaufschlagt werden. Mit dieser Weiterbildung des Verfahrens kann eine gleichmäßige Entwicklung des Diazotypiematerials über die große Arbeitsbreite erreicht werden. Dies ist besonders in der Lichtpaustechnik vorteilhaft. Die Verwendung üblicher Mikrowellen abstrahlender Energieübertrager, nämlich Antennen, läßt hingegen eine insofern gleichmäßige Entwicklung nicht ohne weiteres erwarten, da die Amplitudenbelegung einer Segmentantenne stark schwankt oder bei einem Parabelhorn über die Apertur annähernd sinusförmig verläuft. Dadurch, daß die zu entwickelnde, zu dem Energieübertrager bewegte Diazotypiematerial bahn in mehreren zueinander und zu der Transportrichtung parallel liegenden Bahnen entwickelt wird, kann jedoch eine große Gleichmäßigkeit unter der Voraussetzung erreicht werden, daß sich die einzelnen Energiefelder lückenlos aneinanderfügen .
Hierzu ist es in der Praxis besonders zweckmäßig, einen Mikrowellenenergieübertrager zu verwenden, der entsprechend Patentanspruch 3 ausgebildet ist. Hierbei werden auch durch die Stege bzw. Wände der einzelnen Übertragerelemente letztlich keine störenden, nicht oder nur geringfügig erwärmte Stellen des Diazotypiematerials verursacht,
809822/0113
vielmehr setzen sich die erwärmten Streifen zu einer lückenlos durchentwickelten Gesamtfläche zusammen.
Zusätzliche vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den weiteren Patentansprüchen beschrieben.
Im folgenden werden das erfindungsgemäße Verfahren und eine
Entwicklungsvorrichtung zu seiner Ausübung anhand der
Zeichnung erläutert, in der ein Ausführungsbeispiel der
Vorrichtung schematisch dargestellt ist.
Es zeigen:
Fig.1 eine schematische Darstellung eines Reproduktions gerätes mit Entwicklungsvorrichtung für Zweikomponenten-Diazotypiematerial in einer Seitenansicht,
Fig. 2 einen von vorne gesehenen Teilschnitt durch einen Teil der Entwicklungsvorrichtung, die im wesentlichen derjenigen nach Fig. 1 entspricht.
Fig. 3
und 3a je eine Draufsicht auf die in zwei Reihen zueinander versetzten Übertragerelemente der Ausführungsform der Entwicklungsvorrichtung nach Fig. 2 und einer ähnlichen Ausführungsform,
Fig. 4 in-Draufsicht einen T-übergang von einer Wellenleitu zu Speiseleitungen der Entwicklungsvorrichtung und
Fig. 5 eine Seitenansicht im Schnitt einer etwas anderen Ausführungsform der Entwicklungsvorrichtung, mit Rollen zum Führen und Weiterbefördern des Diazotypiematerials durch den Mikrowellenenergieübertrager hindurch.
809822/01 13
— A"""' —
■In den Figuren sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugs-" zahlen versehen.
Im folgenden wird zunächst ein Reproduktionsgerät mit einer Entwicklungsvorrichtung für Zwei komponenten-Diazotypiematerial besprochen und anschl ießend das mit ihr ausgeübte Verfahren, soweit es die Entwicklung des belichteten DiazotypiemateriaTs betrifft.
In Fig. 1 ist mit 71 eine Eingabe eines Originals bezeichnet. Das Original wird zusammen mit einem Zweikoponenten-DiazotypiemateriaTblatt durch eine an einem Kopierzylinder 72 anliegende Bandführung 73 durch eine Belichtungszone geführt. Arr einer Trennstelle 74 wird das Original von dem belichteten Diazotypiekopiermaterial getrennt, das in Richtung des Pfeils A zu FührungsroTlen 32, 33 am Eingang eines Mikrowe'llenübertragers mit oberen Kammern 17 und unteren Kammern 18 transportiert wird. Am Ausgang des Mikrowellenübertragers tritt das entwickelte Diazotypiematerial aus und gelangt auf eine Ablage 79. Im Bereich des Eingangs und Ausgangs des Mikrowellenübertragers ist je ein Saugstutzen 75, 76 mit seinem offenen Ende angeordnet. Beide Saugstutzen enden in einem Saugkasten 77, der mit einem Lüfter 78 zur Abführung der Abluft in Verbindung steht. Der Mikrowellenübertrager steht in noch im einzelnen zu beschreibender Weise über ein Kupplungselement 13', eine Wellenleitung 11, ein weiteres Kupplungselement 13 mit einem Mikrowenengenerator in Verbindung, der von einer Stromversorgung 14' gespeist wird.
Der Mikrowenenenergieübertrager 10, wie im einzelnen in den Fig. 2 und 3 dargestellt, besteht aus einer vorderen Reihe 10* und einer hinteren Reihe 10" von Übertragerelementen 1OaOf, die gegeneinander versetzt sind. Bei der bevorzugten Ausführungsform sind die Übertragerelemente an sich bekannte Rechteckhohneiter, die zweiteilige Kammerresonatoren mit oberen und unteren Kammern 17 bzw. 18
809822/0113
Ab
bilden. Die zweiteiligen Kammerresonatoren sind auf zwei Montageplatten 1,1' befestigt, die so miteinander verbunden sind, daß zwischen der Breitseite jeder oberen Kammer 17 und der Breitseite jeder unteren Kammer 18 ein durchgehender Spalt auf der Vorderseite und ein Spalt auf der Hinterseite entsteht. Die Übertragerelemente 1Oa-IOf können nach dem Baukastenprinzip mit den äußeren Längswänden 19 aneinander angrenzend zu dem Mikrowellenenergieübertrager
10 derart zusammengesetzt werden, daß die Spalte der vorderen Breitseiten der Übertragerelemente einen über die Bahnbreite eines Trägers 15 des Diazotypiematerials sich erstreckenden Eintrittsspalt 16 und die Spalte der hinteren Breitseiten der Übertragerelemente einen Austrittsspalt 16' als Trägerdurchführung bilden. Die Übertragerelemente 10a bis 1Of sind in den beiden Reihen 10'JO" beispielsweise so quer zur Laufrichtung Pfeil A des Trägers 15 versetzt, daß sich Innenflächen 19' hintereinanderfolgender Übertragerelemente überlappen.
Die obere Montageplatte 1, an der die oberen Kammern 17 befestigt sind, kann nach Lösen von Rändelschrauben 60 abgehoben werden, so daß alle Obertragerelemente innen zugänglich werden.
Von dem Mikrowellengenerator 14 mit einer Stromversorgung 14' führt eine Wellenleitung 11 zu dem Mikrowellenenergieübertrager 10. Ein Abschlußteil 11' der gemeinsamen Wellenleitung 11 mündet in einen T-Übergang 45, an den zwei zueinander parallele Speiseleitungen 12,12' anschließen, von denen Kopplungsschleifen 12a-f abzweigen, die in die entsprechenden Übertragerelemente 10a- f hineinragen und diese an die Speiseleitungen 12,12' induktiv ankoppeln. Der Mikrowellengenerator 14 arbeitet bevorzugt mit einer Frequenz von 2450 MHz bei einer elektrischen Wechselfeldstärke, die unterhalb der Durchbruchsfeldstärke liegt, so daß Materialbeschädigungen durch Oberschläge mit großer Sicherheit vermieden werden.
809822/0113
Die Speiseleitungen 12,12' sind koaxial ausgebildet und haben innere Hohlleiter 4,4'. Die induktiven Kopplungsschleifen 12a bis c des vorderen Zweiges der öbertragerelemente sind jeweils von einem Rohr 7', die des hinteren Zweiges von je einem Rohr 7" umg-eben.
In* der Wand des inneren Hohlleiters 4,4' ist in der Mittellinie jedes Rohres 7',7" ein Kontaktbolzen 6 vertikal eingeschraubt, der mit seinem oberen Ende im Boden der unteren Kammer 18 des zugehörigen Übertragerelementes mündet. Der Kontaktbolzen 6 weist ein Sackloch auf, in das das Ende des längeren Schenkels der Kopplungsschleife eingesteckt ist. Der Bogen der Kopplungsschleife ragt in das Innere der unteren Kammer 18 hinein, und das Ende des kürzeren Schenkels der Kopplungsschleife wird von einem Loch im zylindrischen Mantel des Rohres 7',7" aufgenommen. Das Rohr 7',7" sitzt auf einem Rohrstutzen 5 des inneren Hohlleiters 4,4' auf. Die induktiv mit ihrer koaxialen Speiseleitung gekoppelten Übertragerelemente oder Resonatoren jedes Zweiges sind paralIeIgeschaltet. Die induktiven Kopplungsschleifen der Resonatoren der vorderen Reihe TO' nehmen in Draufsicht eine Stellung ein, die etwa der 1-Uhr-Stellung entspricht, während die Kopplungsschleifen der hinteren Reihe 10" ungefähr die 4-Uhr-Stellung in Draufsicht zeigen (Fig. 3). Die Kopplungsschleifen jedes Zweiges können auch eine andere Stellung als die erwähnte einnehmen; wesentlich ist dabei, daß sie zueinander parallel innerhalb eines Zweiges verlaufen.
Ein fcnieförmiges Stück der WeTlenleitung 11 ist an einem Ende mit Hilfe eines Kopplungselementes 13 an den Mikrowenengenerator 14 angeschlossen, während ein weiteres Kopplungselement 13' das andere Ende des knieförmigen Stückes mit dem Abschlußteil 11' der WeTlenleitung 11 verbindet. Von dem-Abschlußteil 1Γ der Wellenleitung 11 zweigt, wie Fig. 2 zeigt, der T-übergang 45 im rechten Winkel ab. Es ist für den Fachmann selbstverständlich, daß
809822/0113
die Wellenleitung 11, der T-übergang 45 und die Kopplungsschleifen 12a-f zueinander auch eine andere Lage als die dargestellte einnehmen können.
An der Eingangsseite sind in den- beiden Speiselertungen 12,12' (Fig. 4) Längsschlitze 9,9' angeordnet, in denen Kurzschlußschieber 8,8' aus Kunststoff, wie beispielsweise Polytetrafluorethylen verschiebbar sind. Die Kurzschlußschieber besitzen Plättchen- oder Klötzchenform und sind als TransTormationsglleder den Kammerresonatoren vorgeschaltet. Mit ihnen kann die zugeführte Leistung z.B. für Trägerformate wie das JB4-Format (257 mm χ 364 mm) im Verhältnis 3/3 und das DIN A4-Format (210 mm χ 297 mm) im Verhältnis 3/2 auf die Kammerresonatoren aufgeteilt werden. Dies bedeutet, daß bei einem JB4-Format die drei Kammerresonatoren sowohl der vorderen als auch der hinteren Reihe voll beaufschlagt sind, während bei einem DIN A4-Format die drei Resonatoren der vorderen Reihe 10' und die zwei Resonatoren der hinteren Reihe 10", die in Durchlaufrichtung näher zu dem rechten Rand des Trägers 15 liegen, in Betrieb sind, während der am weitesten vom rechten Rand entfernte dritte Resonator dieser Reihe 10" ausgeschaltet bleibt.
Die beiden Zweige des T-übergangs 45 weisen an ihren Enden Kopplungsstifte 3' auf, die die Verbindung mit den Speiseleitungen 12,12' herstellen. Ein weiterer Kopplungsstift 3 schließt reflexionsfrei den T-übergang 45 an den Rechteckhohlleiter der Wellenleitung 11 an.
Die beweglichen Kurzschlußschieber 8,8' können auch durch ortsfeste Kurzschlußschieber ersetzt werden.
Die Fixiervorrichtung hat im Vollbetrieb eine bestimmte Leistungsaufnahme, die sich nach der Anzahl der Obertragerelemente bzw. der Breite des zu entwickelnden Diazotypiematerials auf dem Träger 15 richtet. Hierbei ergibt sich das Problem, wie die nicht benötigte Energie bei eventuellem völligem Leerlauf der Entwicklungsvorrichtung oder
809822/0 113
bei teilweisem Leerlauf für den Fall, daß Diazotypiematerial auf einem Träger schmaleren Formats fixiert werden soll, vernichtet werden kann, ohne daß dabei der Mikrowellengenerator 14 in Mitleidenschaft gezogen wir.d. Bei der Ausführungsform nach Fig. 3 wird dieses Problem dadurch gelöst, daß ein Zirkulator zur Abfuhr der in Wärme umgesetzten überschüssigen Energie.verwendet wird. Gegenüber anderen Methoden zur Abfuhr der überschüssigen Energie weist erjlen Vorteil auf, daß mit seiner Hilfe eine sehr genaue Energieanpassung möglich ist. Bei der Ausführungsform nach Fig. 3a sind zur Umsetzung der überschüssigen Energie Abschlußlasten 42 an den Enden beider Speiseleitungen 12,12' angeordnet.
Bei den Ausführungsformen nach den Fig. 2, 3, 3a sind in den beiden hintereinanderllegenden Reihen 10',10" jeweils drei Übertragerelemente oder Resonatoren 10a, b und c bzw. 10d, e und f angeordnet, jedoch ist die Erfindung keineswegs auf eine derartige Sechskammeranordnung beschränkt. Vielmehr wird es zur Entwicklung von Diazotypiematerial in der Lichtpaustechnik in den meisten Fällen sinnvoll sein, mehr als drei Übertragerelemente in jeder Reihe vorzusehen.
Bei der gezeigten Ausführungsform sind die Längswände 19 der Übertragerelemente 10a-f jeweils in Laufrichtung des Trägers 15 ausgerichtet.
Um eine optimale Anordnung der gesamten Entwicklungsvorrichtung in bezug auf die Gleichmäßigkeit der Entwicklung zu erreichen, sind, wie schon erwähnt, die vordere und die hintere Reihe der Übertragerelemente 10a-f gegeneinander versetzt, wobei die Übertragerelemente in den Reihen 10',10" zueinander auf Lücke stehen. Die Längswände 19 der Übertragerelemente 10a-f sind zweckmäßigerweise in Richtung auf den Träger 15 verjüngt, wobei die Längswände beispielsweise auf den unteren 10 mm eine Verjüngung 44 auf eine
509822/0113
Wandstärke von 1 mm und kleiner aufweisen können. Diese Maßnahme bewirkt zusammen mit den nachstehend beschriebenen Maßnahmen eine ausreichende Entwicklung des unter den Längswänden 19 der Übertragerelemente 10a-f vorbeigeführten Diazotypiematerial auf dem Träger 15. Die weiteren Maßnahmen bestehen darin, die Übertragerelemente 10a-c der vorderen Reihe 10' gegenüber den übertragungselementen 1Od-f der hinteren Reihe 10" derart quer zur Laufrichtung des Trägers 15 um die Wandstärke der Längswand 19 eines Übertragerelements zu versetzen, daß die Innenflächen 19' der Längswände 19 der Übertragerelemente der vorderen Reihe mit den Innenflächen der Längswände 19 der auf Lücke stehenden Übertragerelemente der hinteren Reihe fluchten, wie dies in Fig. 3a gestrichelt dargestellt ist. Es ist unter Umständen sogar zweckmäßig, daß die Querversetzung der beiden Reihen 10' und 10" größer als die Wandstärke einer Längswand 19 gewählt wird, so daß die Innenflächen 19' hintereinanderfolgender Übertragerelemente nicht miteinander fluchten sondern voneinander einen Abstand in Querrichtung aufweisen, bzw. sich überlappen, wie aus Fig. 3 ersichtlich ist.
Eine wesentliche Voraussetzung für die gleichmäßige Entwicklung ist., daß die Kammerresonanzfrequenz genau abgestimmt ist. Hierzu ist in der Deckfläche 23 jedes Übertragerelementes zum Einstellen der gleichen Kammerresonanzfrequenz in allen Übertragerelementen eine Abstimmschraube 49 angeordnet, die mit einer Mutter 51 auf der Deckfläche 23 in Eingriff steht und mittels einer Kontermutter 50 fixiert wird. Diese Abstimmschraube 49 ragt im allgemeinen einige Millimeter in das Innere der oberen Kammer 17 jedes Übertragerelementes hinein.
Zum Abschluß der Speiseleitungen 12,12' sind in Fig. 3 leitende Kurzschlußebenen 2,2' vorgesehen, die von dem ersten Resonator jedes Zweiges etwa \o/4 entfernt sind, mit der Wellenlänge Voder Resonanzschwingung.
809822/01 13
2853461
Es ist auch möglich, die Übertragerelemente 10a-f ohne Abstimmschrauben oder verschiebbare Kurzschlußschieber auszubilden, indem die oberen Kammern 17 und die unteren Kammern 18 der Übertragerelemente aus je einem maßgenau gefertigten Gußstück hergestellt werden. Aufgrund der genau gleichen Abmessungen der Kammern der einzelnen Übertragerelemente besitzen diese gleiche Resonanz, so.daß eine Abstimmung der Energiedichte in den einzelnen Übertragerelementen entfallen kann. Der Aufbau dieser Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 5 dargestellt, bei der die zu einer Trägerbahn 37 durch den Mikrowellenenergieübertrager 10 hin offenen oberen und unteren Kammern 17,18 der Übertragerelemente mit je einer Folie 27 aus Kunststoff abgeschlossen sind. Diese Folien 27 verhindern das Eindringen von Schmutzteilchen in das Innere der Kammern und tragen somit zu einer konstanten Energiedichte in den Übertragerelementen bei. Die Folien 27 können beispielsweise aus Polytetrafluoräthylen oder aus Copolymeren aus Tetrafluoräthylen und Hexafluorpropylen bestehen. Nahe vor dem Eintrittsspalt 16 ist ein Paar von Führungsrollen 32,33 für den Transport des aus der Richtung A kommenden Trägers 15 angeordnet.
Die Folien sind vorteilhaft an einem Ende an der Außenseite des äußeren Übertragerelements mit Hilfe von Klemmelementen 47 befestigt, während die anderen Enden der Folien 27 mit Hilfe von Torsionsfedern 46 unter Zugspannung gesetzt werden, damit sie stets eine glatte Oberfläche ohne jegliche Faltenbildung aufweisen. Die Torsionsfedern 46 sind nahe dem Austrittsspalt 16' vorgesehen.
Mit dieser Entwicklungsvorrichtung wird das an dem Kopierzylinder belichtete Diazotypiematerial, das über das Walzenpaar 32, 33 in den Mikrowellenübertrager 10 einläuft, in einem elektromagnetischen Wech.selfeld entwickelt.
809822/0113
ir
Für Papierbogen als Träger 15 des Diazotypiematerials eignet sich insbesondere der kammerförmige Hohlraumresonator mit einer H.~,-Grundschwingung. In der Kammermitte besitzt das elektrische Feld die -größtmögliche Fel-dstärke, deren Feldlinien parallel zur Schmalseite ausgerichtet sind. Die nicht zu weiten Spalten in der Symmetrieebene der Resonatoren zwischen den oberen und den unteren Kammern, durch die die Wechselströme nicht unterbrochen werden, koppeln keine Energie in den Außenraum. Durch diese Spalte wird das Diazotypiematerial mit seinem Träger zur Entwicklung geführt. Dabei erfolgt die Entwicklung in nebeneinanderliegenden Bahnen 15a-f in Fig. 3, deren Breite annähernd dem lichten Abstand der in Transportrichtung orientierten Kammerwände der übertragungselemente entspricht. Die Darstellung der Bahnen in der Zeichnung dient lediglich zur Veranschaulichung der Erfindung, da sie in Wirklichkeit auf dem vollständig entwickelten Blatt Diazotypiematerial nicht erkennbar sein sollen. Da die Feldlinien in den Spalten auf der Innenseite der metallischen Kammerwand enden, d.h. von der Diazotypiematerial ebene weggebeugt werden, ist die Entwicklungsbreite einer Bahn im allgemeinen um etwa 1-2 mm schmaler als die lichte Weite der Resonatoren. Durch die Überlappung der Randzonen schließen aber die von den einzelnen Kammern entwickelten Bahnen bzw. Streifen des Diazotypiematerials lückenlos aneinander, so daß breite Bogen gleichmäßig durchentwickelt werden. Die dabei entstehenden, relativ geringfügigen Gasmengen (Ammoniak) werden am Eingang und Ausgang des Mikrowellenübertragers mit den Saugstutzen 5,5' abgesaugt.
Die in den Figuren 2-5 gezeigten Vorrichtungen sind für die Entwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerial einer Breite von 210 mm und 257 mm ausgelegt. Das JB4-Format wird z.B. symmetrisch durch die Fixiervorrichtung geführt, das DIN A4-Format dagegen asymmetrisch, wobei die rechten Trägerränder entlang der gleichen Linie hindurchgeführt werden.
809822/0113
Im ersten Fall werden alle sechs, im zweiten Fall nur fünf Kammern belastet. Dadurch ergeben sich zwei unterschiedliche Betriebseinstellungen, d.h. unterschiedliche Tauchtiefe der Abstimmschrauben 49 und Einstellung vorgeschalteter Transformationsglieder, wie Kurzschlußschieber, die die Leistungsverteilung regeln.
Die Schwingung wird durch den Widerstand des Trägers des Diazotypiematerials- 15 gedämpft, aber auch aufgrund der Parallelschaltung durch die Impedanz der übrigen Kammern beeinflußt.
Die Resonanzabstimmung wird durch die Tauchtiefe der Abstimmschrauben 49 und durch die Höhenverstellung der oberen Kammern 17 erreicht. Die Kopplungsschleifen 12a, 12b.... bestimmen ebenfalls durch Form, Größe und Stellung der Ebene das Resonanzverhalten. Für sie wurde eine für alle Resonatoren gleiche feste Einstellung gewählt, d.h. die Kopplung festgelegt, über die Trennflächen der Abstimmschrauben 49 können UHF-Ströme fließen. Da auf der Kammerinnenwand senkrecht zur Trennebene keine Querströme fließen, kann aus den schmalen Spalten keine UHF-Energie austreten. Durch leichte Feldverzerrungen geben die Spalte von ca. 4 mm allenfalls eine geringfügige Streustrahlung von etwa 1-2 mW/cm2 ab, die ungefährlich ist.
Die induktiv mit ihren zugehörigen Koaxial-Speiseleitungen 12,12' gekoppelten H^0--Resonatoren jeder Reihe werden von dem hindurchlaufenden Diazotypiematerial auf seinem Träger 15 gleichmäßig belastet. Allerdings werden beide Reihen beim Durchlauf des Trägers nicht gleichmäßig belastet, sondern zuerst die vordere Reihe 10', dann die vordere und hintere Reihe 10', 10" und zuletzt die hintere Reihe 10".
Jeder Resonator verhält sich nach der Resonanzfrequenz wie ein Parallel resonanzkreis aus diskreten Bauelementen, der durch den Wirkwiderstand des Diazotypiematerials mit
8.098 2 2/0 1 13
- 26b3461
seinem Träger je nach dessen elektrischen und magnetischen Eigenschaften 15 stark bedämpft ist. Aus diesem Grund eignet sich das Verfahren nicht zur Entwicklung von Diazotypiematerial auf einem nichtmetallischen Träger,-wie er z.B. für Druckplatten angewendet wird.
Die vom Mikrowellengenerator 14 kommende Energie wird im einzelnen bei der Ausführungsform nach Fig. 3 nach Durchgang durch, einen Zirkulator und Einspeisung in den T-Übergang auf beide Speiseleitungen 12,12' aufgeteilt, und zwar entsprechend der Einstellung der vorgeschalteten Transformationsglieder für 210 mm bzw. 257 mm Trägerbreite. Sie wird entsprechend von den H^q.-Kammerresonatoren auf den Träger 15 und das belichtete Diazotypiematerial übertragen.
Unter noch nicht optimierten Versuchsbedingungen wurde Wärme-Diazopapier (A4 der Firma KALLE, Niederlassung der Hoechst AG) entwickelt, das bereits 8 Jahre abgelagert war. Das Wärmediazopapier enthielt als thermolabile Entwicklersubstanz ein Ν,Ν-disubstituiertes Biuret der Formel
R1
H9N-CO-NH-CO-N'" '
R
wobei R. und R2 Alkyl-, Cycloalkyl-, Aralkyl- oder Arylgruppen bedeuten oder gemeinsam mit dem Stickstoffatom, an das sie gebunden sind, einen heterocyclischen Rest bilden. Das Wärme-Diazopapier hatte eine Arbeitsbreite von 210 mm und ein Papiergewicht von 80 g/m2. Es wurde durch Mikrowellenstrahlung einer Frequenz von 2450 MHz bei 600 W Ausgangsleistung (Anschlußwert 1 KW) in fünf nebeneinanderliegenden Bahnen einwandfrei ausentwickelt. Dabei betrug die Durchlaufgeschwindigkeit des Wärme-Diazopapiers an dem Mikrowellenenergieübertrager 15 m/min.
809822/0113

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1. Verfahren zum Entwickeln eines durch Wärmeeinfluß entwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials auf einem nichtmetallischen Träger, das insbesondere einen Gehalt an unter Wärmeeinfluß zersetz!ichen und dabei ein alkalisches Milieu schaffenden Verbindungen aufweist, wobei der Wärmeeinfluß durch von einem Energieübertrager abgestrahlte elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Diazotypiekopiermaterial einer Mikroweilen-
    9 strahlung einer Frequenz höher als 10 Hz ohne Zwischenschaltung eines wärmeerzeugenden Körpers zwischen dem Energieübertrager und dem Diazotypiematerial ausgesetzt wird.
    2. Verfahren zum Entwickeln eines Zweikomponenten-Diazotypiematerials, wobei das Diazotypiematerial durch wenigstens ein elektromagnetisches Strahlungsfeld transportiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß nebeneinanderliegende, in Transportrichtung verlaufende Bahnen des Diazotypiematerial mit ihnen jeweils zugeordneten, diskreten Strahlungsfeldern beaufschlagt werden.
    3. Verfahren zum Entwickeln von Zweikomponenten-DiazotypiemateriaT nach den Ansprüchen 1 und 2, gekennzeichnet durch die Verwendung eines sich über die Bahnbreite des Zweikomponenten-Diazotypiematerials erstreckenden, gleichmäßig abstrahlenden Mikrowellenenergieübertragers, der aus einer Anzahl diskreter Übertragerelemente (10a, 10b, ... 1Of) besteht, die in mindestens zwei in Laufrichtung des Trägers (15) hintereinander liegenden Reihen (101, 10") angeordnet sind, einer gemeinsamen Wellenleitung (11) für die Energiezufuhr zu den Übertragerelementen (10a, 10b, ... 10f) von einem Mikrowellengenerator (14) zu dem Mikrowellenenergieübertrager (10) und eines von der
    ■'809822/01 13
    ORIGINAL IKSPECFED
    Wellenleitung (11) abzweigenden Tübergangs (45), der in Speiseleitungen (12, 12') Übergeht, die über Kopplungsschleifen (12a, 12b, ... 12f) an die entsprechenden Übertragerelemente (1Oa5 10b, ... 1Of) angekoppelt sind.
    4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers (10) mit einem sich über die Bahnbreite des Trägers (15) erstreckenden geraden Eintrittsspalt (16) in den Übertragerelementen (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') und einen ebensolchen Austrittsspalt (161) in den Übertragerelementen (10d, 10e, 10f) der hinteren Reihe (10").
    5. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und 4, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieubertragers, in dem die Ebene durch den Ein- und den Austrittsspalt (16, 16') die kammerförmigen Übertragerelemente (10a, 10b, ... 10f) in obere Kammern (17) und in untere Kammern (18) unterteilt.
    6. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem die vordere und die hintere Reihe (10', 10") der Übertragerelemente (10a, ... 10f) gegeneinander versetzt sind und daß die Übertragerelemente (10a, ... 10f) parallel zueinander angeordnet sind.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenübertragers, in dem die Übertragerelemente (10a, ... 10f) in den Reihen (101, 10") zueinander auf Lücke stehen.
    8. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenübertragers, in dem die
    809822/01 13
    /,65346
    übertragerelemente (10a, ... 1Of) in an sich bekannter Weise als Rechteckhohl leiter ausgebildet sind, deren Längsseiten (19) in Laufrichtung des Trägers (15) angeordnet sind.
    9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem die übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') gegenüber den Übertragerelementen (10d, 1Oe, 1Of) der hinteren Reihe (10") derart quer zur Laufrichtung des Trägers (15) um die Wandstärke der Längsseite (19) eines Übertragerelements versetzt sind, daß die Innenflächen (191) der Längsseiten (19) der übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') mit den Innenflächen (19') der Längsseiten (19) der auf Lücke stehenden übertragerelemente (10b, 10d, 1Of) der hinteren Reihe (10") fluchten.
    10. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem die übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') gegenüber den Übertragerelementen (10d, 10e, 10f) der hinteren Reihe (10") so quer zur Laufrichtung des Trägers (15) versetzt sind, daß die Innenflächen (191) hintereinander folgender übertragerelemente sich in Querrichtung überlappen.
    11. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bi s 9, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem in der Deckfläche (23) jedes öbertragerelements zum Einstellen der gleichen Energiedichte in allen Übertragerelementen ein Abstimmteil in Form einer Abstimmschraube vorgesehen ist.
    809 8 2Z/0113
    \Z. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem die zu der Trägerbahn (37) hin offenen oberen und unteren Kammern (17, 18} der übertragerelemente (10a, ... 1Of) mit je einer Folie (27) aus Kunststoff zum Verhindern des Eindringens Von Schmutzteilchen in das Innere der Kammern angeschlossen sind.
    13. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Mikrowellenenergieübertragers, in dem die Folien (27) aus PoTytetrafluoräthylen oder aus Copolymeren, aus Tetrafluoräthylen und Hexafluorpropylen bestehen,
    14. Entwicklungsvorrichtung zum Entwickeln von Zweikomponenten-Diazotypiematerial auf einem nichtmetallischen Träger, mit einem elektromagnetische Strahlung abstrahlenden Energieübertrager, gekennzeichnet durch einen sich über die Bahnbreite des Zweikomponenten-Diazotypienraterials erstreckenden, gleichmäßig abstrahlenden MikrowelTenenergieübertrager, der aus einer Anzahl diskreter Übertragerelemente (10a, 10b, ... 1Of) besteht, die in mindestens zwei in Laufrichtung des Trägers (15) hintereinanderliegenden Reihen (101, 10") angeordnet sind, durch eine gemeinsame Wellenleitung (11) für die Energiezufuhr zu den öbertragerelementen (10a, 10b, ... 10f) von einem Mikrowellengenerator (14) zu dem Mikrowellenenergieübertrager (10) und einen von der Wellenleitung (11) abzweigenden T-übergang (45), der in Speiseleitungen (12, 12') übergeht, die über Kopplungsschleifen (12a, 12b, ... 12f) an die entsprechenden Übertragerelemente (10a, 10b, ... 10f) angekoppelt sind.
    15. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager (10) mit einem sich über die Bahnbreite des Trägers (15) erstreckenden geraden Eintrittsspalt (16) in den
    809822/0113
    übertragerelementen (1Oa5 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') und einen ebensolchen Austrittsspalt (16') in den übertragerelementen (10d, 10e, 1Of) der hinteren Reihe (10") sowie zumindest einen Absaugstutzen (51) an dem Austrittsspalt (161).
    16. Entwicklungsvorrichtung nach den Ansprüchen 14 und 15, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die Ebene durch den Ein- und den Austrittsspalt (16, 16') die kammerförmigen Übertragerelemente (10a, 10b, ... 10f) in obere Kammern (17) und in untere Kammern (18) unterteilt.
    17. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 16, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die vordere und die hintere Reihe (10', 10") der Übertragerelemente (10a, ... 10f) gegeneinander versetzt sind und die Übertragerelemente (10a, ... 10f) parallel zueinander angeordnet sind.
    18. Entwicklungsvorrichtung anch Anspruch 17, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die Übertragerelemente (10a, ... 10f) in den Reihen (10', 10") zueinander auf Lücke stehen.
    19. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem Übertragerelemente (10a, ... 10f) in an sich bekannter Weise als Rechteckhohl leiter ausgebildet sind, deren Längsseiten (19) in Laufrichtung des Trägers (15) angeordnet sind.
    20. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 19, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die Übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') gegenüber den übertragerelementen (10d, 10e, 10f) der hinteren Reihe (10") derart
    8098 22/0113
    quer zur Laufrichtung des Trägers (15) um die Wandstärke der Längsseite (19) eines Übertragerelements versetzt sind, daß die Innenflächen (191) der Längsseiten (19) der Übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe_ (101) mit den Innenflächen (19') der Längsseiten (19) der auf Lücke stehenden Übertragerelemente (10b, 10d, 1Of) der hinteren Reihe (10") fluchten.
    21. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 19, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die Übertragerelemente (10a, 10b, 10c) der vorderen Reihe (10') gegenüber den Übertragerelementen (10d, 10e, 1Of) der hinteren Reihe (10") so quer zur Laufrichtung des Trägers (15) versetzt sind, daß die Innenflächen (191) hintereinander folgender Übertragerelemente sich in Querrichtung überlappen.
    22. Entwicklungsvorrichtung nach den Ansprüchen 14 bis 21, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in den in der Deckfläche (23) jedes Übertragerelements zum Einstellen der gleichen Energiedichte in allen Übertragerelementen ein Abstimmteil in Form einer Abstimmschraube (49) vorgesehen ist.
    23. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die zu der Trägerbahn (37) hin offenen oberen und unteren Kammern (17, 18) der Übertragerelemente (10a, ... 10f) mit je einer Folie (27) aus Kunststoff zum Verhindern des Eindringens von Schmutzteilchen in das Innere der Kammern abgeschlossen sind.
    24. Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 23, gekennzeichnet durch einen Mikrowellenenergieübertrager, in dem die Folien (27) aus Polytetraf1uoräthylen oder aus Copolymeren aus Tetrafluoräthylen und Hexafluorpropylen bestehen.
    809822/0113
    \f
DE2653461A 1976-11-25 1976-11-25 Verfahren und Vorrichtung zum Entwickeln eines wärmeentwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials Expired DE2653461C3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2653461A DE2653461C3 (de) 1976-11-25 1976-11-25 Verfahren und Vorrichtung zum Entwickeln eines wärmeentwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials
GB48746/77A GB1595484A (en) 1976-11-25 1977-11-23 Diazotype developing process and apparatus
NL7712913A NL7712913A (nl) 1976-11-25 1977-11-23 Werkwijze voor het ontwikkelen van een door de inwerking van warmte ontwikkelbaar tweecompo- nentendiazotypiemateriaal op een niet-metalen drager.
US05/854,242 US4184060A (en) 1976-11-25 1977-11-23 Process for developing a two-component diazotype material on a non-metallic carrier, which material can be developed by the influence of heat
FR7735319A FR2372459A1 (fr) 1976-11-25 1977-11-24 Procede de developpement, sur un support non metallique, d'un materiel de diazotypie, a deux composants, se pretant au developpement sous l'effet de la chaleur
JP14143977A JPS5366230A (en) 1976-11-25 1977-11-25 Method of and device for developing binary system diazo type material on nonnmetal base

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2653461A DE2653461C3 (de) 1976-11-25 1976-11-25 Verfahren und Vorrichtung zum Entwickeln eines wärmeentwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2653461A1 true DE2653461A1 (de) 1978-06-01
DE2653461B2 DE2653461B2 (de) 1979-08-23
DE2653461C3 DE2653461C3 (de) 1980-05-14

Family

ID=5993899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2653461A Expired DE2653461C3 (de) 1976-11-25 1976-11-25 Verfahren und Vorrichtung zum Entwickeln eines wärmeentwickelbaren Zweikomponenten-Diazotypiematerials

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4184060A (de)
JP (1) JPS5366230A (de)
DE (1) DE2653461C3 (de)
FR (1) FR2372459A1 (de)
GB (1) GB1595484A (de)
NL (1) NL7712913A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2500707A1 (fr) * 1981-02-20 1982-08-27 Electricite De France Dispositif de traitement de materiaux par hyper-frequences a elements modulaires
FR2520160A1 (fr) * 1982-01-20 1983-07-22 Sairem Sarl Dispositif de traitement ho
SE451656B (sv) * 1986-02-11 1987-10-19 Alfastar Ab Anordning for uppvermning medelst mikrovagsenergi
FR2639768B1 (fr) * 1988-11-25 1991-11-08 Inst Textile De France Dispositif de propagation des micro-ondes pour materiau plan en defilement, notamment textile
US5211808A (en) * 1990-11-13 1993-05-18 Savant Instruments Microwave heating in a vacuum centrifugal concentrator

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL67082C (de) * 1946-06-01
GB1054697A (de) * 1963-09-25
US3462285A (en) * 1964-11-02 1969-08-19 Phillips Petroleum Co Electromagnetic fusion of thermoplastic printing
US3785821A (en) * 1966-08-01 1974-01-15 N Notley Method of developing vesicular photographic materials
GB1192007A (en) * 1966-09-13 1970-05-13 Microwave Instr Ltd Improvements relating to the Heat Treatment of Sheet and Web Materials
US3872603A (en) * 1968-01-30 1975-03-25 Varian Associates Apparatus for drying materials employing spaced microwave heating and transverse-flow moisture flushing stations
US3584389A (en) * 1969-02-03 1971-06-15 Hirst Microwave Heating Ltd Print drying
US3711674A (en) * 1971-06-03 1973-01-16 Mac Millan Bloedel Ltd T-ring microwave drying apparatus
US4015340A (en) * 1975-08-20 1977-04-05 Tec Systems, Inc. Ultraviolet drying apparatus
DE2558589A1 (de) * 1975-12-24 1977-07-07 Karl Dr Fritz Mikrowellenindustrieofen

Also Published As

Publication number Publication date
FR2372459B1 (de) 1981-09-18
GB1595484A (en) 1981-08-12
DE2653461C3 (de) 1980-05-14
JPS5366230A (en) 1978-06-13
NL7712913A (nl) 1978-05-29
DE2653461B2 (de) 1979-08-23
US4184060A (en) 1980-01-15
FR2372459A1 (fr) 1978-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3131213C2 (de) Mikrowellenheizvorrichtung
DE2507408C2 (de) Mikrowellenheizvorrichtung
DE69835083T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur elektromagnetischen bestrahlung von flaechigen materialen oder dergleichen
DE2144956C3 (de) Verfahren zum elektromagnetischen Erhitzen getrennter Körper eines Produktes auf eine vorbestimmte Temperatur wesentlich oberhalb des Gefrierpunktes von Wasser
DE2232065C3 (de) Mikrowellen-Erhitzungseinrichtung
DE2728296A1 (de) Induktionsheizeinrichtung
DE2504860A1 (de) Mikrowellenofen
DE2645765C2 (de) Vorrichtung zum Aufschmelzen und Fixieren eines Tonerbildes auf einem Bildträger
EP0814311A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen
DE60100765T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Konservieren von Nahrungsmitteln in einem gepulsten elektrischen Feld
DE2454380A1 (de) Vorrichtung zur fixierung elektrofotografischer bilder
DE2653461A1 (de) Verfahren zum entwickeln eines durch waermeeinfluss entwickelbaren zweikomponenten-diazotypiematerials auf einem nichtmetallischen traeger
DE1808954A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Blattmaterial
WO2017008986A1 (de) Anordnung zur behandlung von materialien mit mikrowellen
EP0071123B1 (de) Vorrichtung zur Erwärmung und/oder Trocknung durchlaufender flächenhafter Materialien mit Mikrowellen
DE7815419U1 (de) Vorrichtung zur herstellung fester teilchen
DE2047119A1 (de) Vorrichtung zur Einwirkung von Warme auf eine Bahn od dgl oder davon getrage nes Gut
DE4143104A1 (de) Mikrowellen-hohlraumresonator -bestrahlungsgeraet zum erwaermen von gegenstaenden unbestimmter laenge
DE2417577C2 (de) Hochfrequenz-Erhitzungsvorrichtung zur Erhitzung eines dielektrischen Materials von langgestreckter Form und geringen Querschnitts
DE3312503A1 (de) Mikrowellen-erwaermungsgeraet
DE3418101A1 (de) Verfahren zur behandlung von wasserhaltigen substanzen und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2927442C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen eines dicken Aufdrucks auf der einen Seite einer Bahn
DE1958767A1 (de) Verfahren zum Trocknen eines Feuchtigkeit enthaltenden Bandes und Vorrichtung zum Durchfuehren des Verfahrens
EP3685424A1 (de) Vorrichtung zur behandlung eines produkts mit mikrowellen
EP0485363B1 (de) Vorrichtung zum Erwärmen eines Strangs aus elektrisch leitfähigem Material

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee