DE2650817A1 - Verfahren zur herstellung einer phasenmaske mit amplitudenstruktur - Google Patents

Description

• titel: Verfahren zur Herstellung einer Phasenmarke mit Amplitudenstruktur Anwendungsgebiet der Erfindung : Die erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenmarke mit Amplitudenstruktur für einen optischen Speicher und für Masken zur optischen Zeichenerkennung, bei dem photolithographische und Aufdampftechniken vermieden werden.
• Charakteristik der bekannten technischen Lösungen: Es ist bekannt, daß Amplituden- und Phasenstrukturen aui mehreren getrennten Trägern aufgebracht und anschließend mechanisch und optisch zueinander positioniert werden.
• Diese Methoden haben den Nachteil, daß nur wenige, in allgemeinen zwei Masken ohne höheren optischen Aufwand innerhalb geringer Toleranzen zueinander positioniert werden können.
• Um Fehler zu vermeiden, die bei Beleuchtung unter größerem Winkel und durch Beugungserscheinungen entstehen, müssen Objekte mit sehr kleinen Strukturen in sehr geringem Abstand zueinander positioniert werden. Die Positionierung der beiden jasken in so geringem Abstand kann auf Grund der begrenzten Ebenheit der Träger und Schichten und durch anhaftenden Staub zu Beschädigungen der Schichten führen. Wendet man im optischen Aufbau getrenn te Phasen- und Amplitudenmasken an, so entsteht bei der Justierung beider Elemente zueinander im optischen Aw£-bau ein erheblicher Justieraufwand. Dabei wird außerdem das einbringen einer dritten informationstragenden Schicht (z.B. bei der analogen Infermationsverarbeitung) erschwert, da die Dicke der informationstragenden Schicht größer als der Tiefenschärfebereich des angrenzenden optischen Systems ist und weil eine optische Abbildung in diese gewünschte szene mit hohem technischen und ökonori)ischen Aufwand verbunden ist.
• Ziel der Erfindung: Das Ziel der Trfindung ist es, die durch die getrennten Phasen- und Amplitudenmasken auftretenden Schwierigkeiten bei der Justierung und bei der optischen Abbildung zu beseitigen.
• Darlegupg des Wesens der Erfindung : Der erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenmarke mit Amplitudenstruktur für einen optischen Speicher oder für Masken zur optischen Zeichenerkennung zu schaffen, welches die Fehler durch Beugung oder schrägen Lichteinfall verhindert-, den erheblichen Justieraufwand aus dem optischen Aufbau verlegt und Beschädigungen der Strukturen vermeidet.
• Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß zuerst nach bekannten photolithographischen Verfahren eine Amplitudenstruktur auf den Träger gebracht und danach das Negativ der Phasenstruktur genau positioniert in eine über der Amplitudenstruktur aufgebrachten Photolackschicht eingeprägt wird. Danach wird das Negativ der Phasenstruktur mit einer optischen Verzögerungsschicht definierter Dicke beschichtet. Das Positiv der Phasenstruktur wird dadurch erhalten, daß der Lack der Negativstruktur herausgelöst wird und somit das Positiv der Phasenstruktur als optische Verzögerungsschicht auf der als Chromschablone ausgebildeten Amplitudenstruktur zurückbleibt.
• Die optische Verzögerungsschicht kann über die gesamte Fläche die gleiche Dicke aufweisen. Damit kann an allen Stellen der LIaske die gleiche optische Verzögerung an den Stellen auftreten, die eine Phasenstruktur tragen.
• Als optische Verzögerungsschicht wird Ceroxid verwendet.
• Die Erfindung bewirkt, daß sich Phasen- und Amplitudenstruktur auf einem Trager befinden und daß zwischen beiden Strukturen ein Abstand in der Größenordnung der Molekülabstände besteht. Die Justierung und Positionierung beider Strukturen zueinander wird schon außerhalb des optischen Aufbaus möglich.
• Ausführungsbeispiel : Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel erläutert werden. An Hand der Fig. 1 bis Fig. 5 werden die einzelnen Schritte des Verfahrens in den jeweiligen Verfahrensphasen mit Hilfe von stark vergrößerten Schnitten durch eine Maske dargestellt. Fig. 1 zeigt einen Träger, welcher mit einer als Chromschablone ausgeführten Amplitudenstruktur 2 unter Anwendung eines bekannten photolithographischen Verfahrens beschichtet ist.
• Die Chromschablone 2 ist, wie in Fig. 2 dargestellt, im folgenden Schritt mit einer Photolackschicht 3 beschichtet worden. Fig. 3 stellt ein in die Photolackschicht 3 eingeprägt es Negativ der Phasenstruktur 4 dar. In Fig. 4 wird die Maske dargestellt, die mit einer optischen Verzögerungsschicht 5 beschichtet ist. Ein Positiv 6 der Phasenstruktur wurde, wie in Fig. 5 dargestellt, dadurch erhalten, daß der Lack der Negativ struktur 4 herausgelöst wurde, daß die über der Lackstruktur befindlichen zeile der optischen Verzögerungs schicht 5 herausbrachen und somit das Positiv 6 der Phasenstruktur auf der Amplitudenstruktur 2 zurückbleibt.

Claims (4)

1. Erfindungsanspruch: 1. Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske Mit Amplitudenstruktur für einen optischen Speicher oder für Masken zur optischen Zeichenerkennung, bei dem photolithegraphische und Aufdampftechniken verwendet werden, dadurch gekennzeichnet, daß zuerst nach bekannten photolithographi schon Verfahren eine Amplitudenstruktur auf den Träger gebracht und danach das Negativ einer Phasenstruktur genau positioniert in eine über der Amplitudenstruktur aufgebrachten Photolackschicht eingeprägt wird, dann das Megativ mit einer optischen Verzögerungsschicht definierter Dicke beschichtet und das Positiv der Phasenstruktur durch Herauslösun des Lackes der Negativstruktur erhalten wird.
2. 2. Verfahren nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Amplitudenstruktur eine Chromschablone ist.
3. 3. Verfahren nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Verzögerungsschicht über die gesamte Fläche die gleiche Dicke aufweist.
4. 4. Verfahren nach Punkt 1 und 3, dadurch gekennzeich net, daß als optische Verzögerungsschicht Geroxid verwendet wird