DE4430198A1

DE4430198A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Untersuchen der Leistungsfähigkeit eines Phasenschieberretikels

Info

Publication number: DE4430198A1
Application number: DE4430198A
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Matsuoka
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-08-27
Filing date: 1994-08-25
Publication date: 1995-03-02
Also published as: JPH0763676A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Untersuchen der Leistungsfähigkeit eines Pha senschieberretikels, das bei der Herstellung von Halblei tern verwendet wird, ohne das Anbringen eines Meßgeräts an dem Phasenschieberretikel gemäß den Ansprüchen 1 bzw. 6.

Fig. 8 zeigt einen Querschnitt durch ein Phasenschieberre tikel. In Fig. 8 umfaßt ein Phasenschieberretikel 100 ein transparentes Substrat 3 aus Quarzglas oder einem ähnlichen Material. Ein lichtundurchlässiger Film 5 mit einem vorbe stimmten Muster, der Cr oder ein ähnliches Material ent hält, ist auf einer oberen Oberfläche des Substrats 3 ange ordnet. Ein Schieber 4, der einen organischen Harzfilm, wie z. B. PMMA (Polymethylmethacrylat) oder einen Film aus an organischem Material, wie z. B. SiO₂, umfaßt, wird auf dem Substrat 3 durch eine Öffnung der lichtundurchlässigen Maske 5 aufgebracht.

Die Fig. 9(a)-9(j) stellen Diagramme zur Erläuterung der Funktion des in Fig. 8 gezeigten Phasenschieberretikels 100 dar. Im einzelnen zeigt Fig. 9(a) einen Querschnitt durch ein gewöhnliches Retikel bzw. durch eine gewöhnliche Maske und die Fig. 9(b)-9(e) zeigen Intensitätsprofile von auf einen Wafer (nicht dargestellt) durch das Retikel von Fig. 9(a) einfallendem Licht. Fig. 9(f) zeigt das Phasenschieberretikel 100 aus Fig. 8 und die Fig. 9(g)-9(j) zeigen Intensitätsprofile von auf einen Wafer (nicht dargestellt) durch das Retikel 100 einfallendem Licht. In diesen Figuren bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 8 entsprechende Teile.

Das in Fig. 9(a) gezeigte Retikel umfaßt ein transparentes Substrat 3 mit einander gegenüberliegenden Vorder- und Rückseiten bzw. Ober- und Unterseiten und einer lichtun durchlässigen Maske mit einem vorbestimmten Muster, das auf der Vorderseite des Substrats 3 aufgebracht ist. Die Rück seite des transparenten Substrats 3 wird mit Licht beleuch tet. Die Fig. 9(b)-9(d) zeigen die Intensität des durch die Beleuchtung auf dem Wafer erzeugten elektrischen Feldes E und die Fig. 9(e) zeigt die Lichtintensität I auf dem Wafer.

Im einzelnen ist die Intensität des elektrischen Feldes aufgrund von durch die Öffnung auf der linken Seite des Re tikels hindurchfallenden Lichts in Fig. 9(b) und die In tensität des elektrischen Feldes aufgrund von durch die Öffnung auf der rechten Seite des Retikels hindurchfallen den Lichts in Fig. 9(c) gezeigt. Fig. 9(d) zeigt die Ge samtintensität ΣE der in den Fig. 9(b) und 9(c) gezeig ten elektrischen Felder. Die Lichtintensität I ist propor tional zum Quadrat des elektrischen Feldes, und Fig. 9(e) zeigt die Lichtintensität I. In dem herkömmlichen in Fig. 9(a) gezeigten Retikel ist die Lichtintensität in einem Punkt gegenüber dem schmalen Bereich 5a der lichtundurch lässigen Maske 5 zwischen den Öffnungen der Maske nicht ausreichend abgesenkt, was zu einem Beleuchtungsmuster mit schwachem Kontrast führt, was wiederum die Auflösung be grenzt.

Auf der anderen Seite zeigen die Fig. 9(g)-9(i) die In tensität des auf dem Wafer erzeugten elektrischen Feldes E, wenn die Rückseite des in Fig. 9(f) gezeigten Phasenschie berretikels 100 mit Licht beleuchtet wird und die Fig. 9(j) zeigt die Lichtintensität I auf dem Wafer.

Im einzelnen ist die Intensität des elektrischen Feldes aufgrund von durch die Öffnung auf der linken Seite des Re tikels hindurchtretenden Lichts in Fig. 9(g) und die In tensität des elektrischen Feldes aufgrund von durch die Öffnung auf der rechten Seite des Retikels hindurchtreten den Lichts in Fig. 9(h) gezeigt. Die Fig. 9(i) zeigt die Gesamtintensität ΣE der in den Fig. 9(g) und 9(h) ge zeigten elektrischen Felder. Die Lichtintensität I ist pro portional zum Quadrat des elektrischen Feldes, und Fig. 9(j) zeigt die Lichtintensität I. Da die Phase des durch den Schieber 4 hindurchtretenden Lichts invertiert wird, wird in dem Phasenschieberretikel mit dem Schieber 4 in Fig. 9(f) durch den schmalen Bereich 5a der lichtundurchläs sigen Maske 5 gebeugtes Licht ausgelöscht, was zu einem Be leuchtungsmuster mit verbessertem Kontrast führt. Als Folge davon wird die Auflösungsgrenze verbessert. Wenn beispiels weise ein lichtundurchlässiges Maskenmuster mit einer kleinsten Breite von 2,5 µm auf einem Retikel mit einem Verkleinerungsverhältnis von 1/5 aufgebracht wird, kann ein 0,5 µm breites Muster erzeugt werden. Wenn ein Excimerla serstrahl als Licht verwendet wird, mit dem der Wafer be strahlt wird, kann ein 0,2 µm breites Muster erzeugt wer den.

Die Fig. 10(a) und 10(b) zeigen Diagramme zur Erläute rung eines Phasenschieberretikels, das Beleuchtungsmuster mittels der Kanten eines Schiebers erzeugt. Fig. 10(a) zeigt einen Querschnitt durch einen Teil des Phasenschie berretikels und Fig. 10(b) illustriert die Verteilung der Lichtintensität auf einer Fläche, die senkrecht auf einer optischen Achse einer Linse steht, wenn das Phasenschieber retikel teilweise mit kohärentem Licht beleuchtet wird und das gebeugte Licht durch die Linse fokusiert wird. In Fig. 10(a) umfaßt ein Phasenschieberretikel 200 ein transparen tes Substrat 3 aus Quarzglas oder einem ähnlichen Material, und ein Schieber 4a weist eine Kante auf, die einen Winkel R mit der Oberfläche des Substrats 3 einschließt. In die sem Phasenschieberretikel 200 erzeugt der Schieber 4a auf dem Wafer einen Bereich mit reduzierter Lichtintensität, wodurch sich ein gewünschtes Muster ergibt.

Fig. 11 ist ein Graph, der den Zusammenhang zwischen dem Kantenwinkel R des Schiebers 4a und dem Kontrast C der Lichtintensität zeigt, wenn ein Beleuchtungsmuster mittels dem Phasenschieberretikel 200 und einem reduzierenden Pro jektionsbelichtungsgerät (Lichtquellenwellenlänge: 365 nm) als Lichtquelle für die Beleuchtung benutzt wird. In Fig. 11 bezeichnet NA die numerische Apertur des Reduktionsbe lichtungsgeräts und σ den Kohärenzwert. Der Kontrast C der Lichtintensität ergibt sich durch folgende Formel (1):

C = (I_max - I_min)/(I_max + I_min) (1),

wobei I_max die maximale Lichtintensität und I_min die mini male Lichtintensität ist.

Wie aus Fig. 11 zu ersehen ist, hängt der Kontrast C der Lichtintensität des Beleuchtungsmusters von dem Kantenwin kel R des Schiebers 4a ab. Das heißt, der Kontrast C ist nicht stabil, wenn die Kante des Schiebers 4a kleiner als ungefähr 60° ist. Folglich beeinflußt in diesem Phasen schieberretikel der Kantenwinkel des Schiebers 4a die Lei stungs- bzw. Funktionsfähigkeit des Retikels.

In dem in Fig. 8 gezeigten Phasenschieberretikel 100 wird der größte Effekt erreicht, wenn der Schieber 4 so herge stellt wird, daß die Phase des durch die Öffnung der Maske 5 mit dem Schieber 4 hindurchtretenden Lichts sich um π (180°) gegenüber der Phase des durch die Öffnung ohne Schieber hindurchtretenden Lichts ändert, in anderen Wor ten, wenn der Schieber 4 so erzeugt wird, daß die optische Weglänge des Schiebers 4 sich von der optischen Weglänge in Luft um λ/2 unterscheidet. Daher muß in dem Phasenschieber retikel 100 der Schieber 4 so hergestellt werden, daß er die folgende Formel (2) erfüllt:

d = λ/2(n - 1) (2),

wobei d die Dicke des Schiebers, λ die Wellenlänge des ein fallenden Lichts und n der Brechungsindex des Schiebers ist.

Bei der herkömmlichen Methode zum Untersuchen bzw. Überprü fen eines Phasenschieberretikels, das nach vorbestimmten Verfahrensschritten hergestellt worden ist, wird die Dicke des Schiebers auf dem transparenten Substrat direkt mittels eines mit dem Schieber verbundenen Meßgeräts gemessen und der Brechungsindex des Materials des Schiebers oder ein ex perimenteller Brechungsindex wird anstelle des Brechungsin dex des Schiebers verwendet. Die sich ergebende Dicke und der Brechungsindex des Schiebers werden in die vorgenannte Formel (2) eingesetzt.

Da jedoch bei diesem Verfahren das Meßgerät mit dem Schie ber verbunden wird, wenn die Dicke des Schiebers gemessen wird, wird der Schieber beschädigt. Ein Retikel mit einem solchen beschädigten Schieber kann in der Praxis nicht ver wendet werden. Bei dem herkömmlichen Inspektions- bzw. Überprüfungsverfahren wird daher aus einer Mehrzahl von Phasenschieberretikeln, die in gleichem Los gefertigt wor den sind, eines nach einem Zufallsauswahlverfahren als Mu ster bzw. als Probe ausgewählt und dieses Musterretikel wird untersucht. Die Untersuchung bzw. Überprüfung dieses Musterretikels ersetzt die Inspektion der übrigen zum Ver kauf bestimmten Retikel. Daher werden nach dieser Methode die zum Verkauf bestimmten Phasenschieberretikel nicht überprüft.

Fig. 12 zeigt ein schematisches Diagramm zur Erläuterung eines bekannten Verfahrens zum Untersuchen der Leistungsfä higkeit eines Phasenschieberretikels unter Verwendung eines Laserstrahls. Da bei diesem Verfahren keine Meßgeräte mit dem Retikel verbunden werden, werden die vorgenannten Pro bleme vermieden. In Fig. 12 bezeichnen die gleichen Be zugszeichen wie in Fig. 8 die gleichen oder entsprechenden Teile. Bezugszeichen 1 bezeichnet eine Laserstrahlquelle, Bezugszeichen 2a und 2b bezeichnen Strahlteiler, Bezugszei chen 7 bezeichnet ein die optische Weglänge korrigierendes Filter mit einer Glasplatte, Bezugszeichen 8a und 8b be zeichnen reflektierende Spiegel, und Bezugszeichen 9 be zeichnet ein Laserinterferometer.

Nachfolgend wird die Funktionsweise beschrieben.

Ein von der Laserstrahlquelle (Lasereinheit) 1 emittierter Laserstrahl wird durch den Strahlteiler 2a in zwei Strahlen aufgespalten. Einer der Laserstrahlen durchläuft die Öff nung des Maskenmusters 5 ohne Schieber, während der andere Laserstrahl den Schieber 4 durchläuft. Diese zwei Laser strahlen werden mittels dem Strahlteiler 2b kombiniert und dem Laserinterferometer 9 zugeführt. Das Laserinterferome ter 9 mißt den Phasenunterschied der zwei Strahlen.

Um eine genaue Überprüfung unter Verwendung der Vorrichtung von Fig. 12 durchzuführen, müssen die zwei Laserstrahlen die gleiche optische Weglänge von dem Strahlteiler 2a zu dem Strahlteiler 2b vor der Inspektion aufweisen, d. h. vor dem Einsetzen des Phasenschieberretikels 100. Daher sind die Strahlteiler 2a und 2b und die reflektierenden Spiegel 8a und 8b so angeordnet, daß der Abstand zwischen dem Strahlteiler 2a und dem reflektierenden Spiegel 8a gleich dem Abstand zwischen dem Strahlteiler 2b und dem reflektie renden Spiegel 8b und der Abstand zwischen dem Strahlteiler 2a und dem reflektierendem Spiegel 8b gleich dem Abstand des Strahlteilers 2b von dem reflektierenden Spiegel 8a ist. Nachdem jedoch der Laserstrahl von der Lichtquelle 1 durch den Strahlteiler 2a in zwei Strahlen aufgespalten worden ist, durchläuft einer der Strahlen die Strahlteiler 2a und 2b, während der andere Strahl die Strahlteiler 2a und 2b nicht durchläuft. Daher weisen die optischen Weglän gen der zwei Laserstrahlen wegen der Strahlteiler 2a und 2b einen geringen Unterschied auf. Um diesen kleinen Unter schied zu korrigieren, wird ein die optische Weglänge kor rigierendes Filter 7 in den optischen Weg des Laserstrahls, der die Strahlteiler nicht durchläuft, eingesetzt.

Wie vorstehend beschrieben worden ist, wird die in Fig. 12 gezeigte Überprüfungsvorrichtung so aufgebaut, daß die op tischen Weglängen der zwei Strahlen gleich sind. Wenn je doch einer der Strahlteiler 2a und 2b und die reflektieren den Spiegel 8a und 8b von ihrer Einstellposition wegbewegt werden, wenn die Vorrichtung selbst bewegt wird oder wenn die Vorrichtung vor der Untersuchung des Retikels gestoßen oder geschüttelt wird, ändern sich die optischen Weglängen der zwei Strahlen, was zu einer verminderten Genauigkeit der Überprüfung führt.

Die veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. Hei. 3-181805 offenbart eine verbesserte Überprüfungsvorrichtung, bei der eine keilförmige Glasplatte als ein die optische Weglänge korrigierendes Filter verwendet wird. Die keilför mige Glasplatte wird durch einen Impulsmotor in die ge wünschten Richtungen bewegt. Die Dicke der den optischen Weg schneidenden Glasplatte wird nach Bedarf geändert, in dem die Glasplatte bewegt wird, um die optische Weglänge im Bereich der Glasplatte genau einzustellen.

Fig. 13 ist ein schematisches Diagramm, das die vorge nannte Vorrichtung illustriert. In der Figur bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 12 die gleichen oder entsprechenden Teile. Bezugszeichen 7a bezeichnet eine keilförmige Glasplatte, Bezugszeichen 20 bezeichnet einen Impulsmotor, der die Glasplatte 7 in horizontaler Richtung bewegt, und Bezugszeichen 30 bezeichnet ein Steuergerät zum Steuern des Impulsmotors 20 entsprechend der durch das La serinterferometer 9 detektierten Phasendifferenz. Auch wenn es in der Figur nicht dargestellt ist, sind die keilförmige Glasplatte 7a und der Impulsmotor 20 mittels eines An triebsmechanismus miteinander verbunden, der die Rotation des Impulsmotors 20 in die horizontale Bewegung der keil förmigen Glasplatte 7a umsetzt.

Bei dieser Vorrichtung wird vor dem Überprüfungsprozeß die optische Weglänge durch Bewegung der keilförmigen Glas platte 7a genau eingestellt, so daß die durch das Laserin terferometer 9 gemessene Phasendifferenz 0° beträgt. Diese Inspektionsvorrichtung stellt daher gegenüber der Vorrich tung in Fig. 12 eine Verbesserung dar.

Bei der vorgenannten Vorrichtung gemäß Fig. 13 wird jedoch ein Antriebsmechanismus zum Umsetzen der Rotation des Im pulsmotors 20 in eine horizontale Bewegung der keilförmigen Glasplatte 7a benötigt. Beispielsweise wird die Spitze der Drehachse des Impulsmotors 20 mit einem Gewinde versehen, so daß eine Schraube entsteht, und an der keilförmigen Glasplatte 7a wird eine Schraubenmutter befestigt. Der Im pulsmotor 20 ist dann mit der keilförmigen Glasplatte 7a verschraubt. Die keilförmige Glasplatte 7a ist auf einer Trägerplatte befestigt, so daß die Glasplatte 7a die Dre hung des Impulsmotors 20 nicht mitmachen kann. Um die opti sche Weglänge mit großer Genauigkeit steuern zu können, sollte des weiteren der Winkel der geneigten Oberfläche der keilförmigen Glasplatte 7a reduziert werden und die Bewe gung der keilförmigen Glasplatte 7a zu der Drehung des Im pulsmotors 20 sollte beispielsweise durch Verleinerung der Ganghöhe der Schraube reduziert werden. In diesem Fall sind die Herstellung der keilförmigen Glasplatte 7a und die Her stellung des Antriebsmechanismus kompliziert. Da der An triebsmechanismus mit der Zeit Spiel annimmt bzw. auslei ert, verringert sich die Genauigkeit der Steuerung der op tischen Weglänge nach und nach. Falls die keilförmige Glas platte 7a durch einen Schlag auf die Vorrichtung aus ihrer vorbestimmten Position verschoben wird, ändert sich eben falls der optische Weg durch die Glasplatte 7a. Da die Glasplatte 7a keilförmig ist, ändert sich die optische Weg länge erheblich, was zu einer weiteren Reduktion der Über prüfungsgenauigkeit führt.

Andererseits hängt der Kontrast der Lichtintensität bei ei nem Phasenschieberretikel 200, das eine Phasenschieberkante gemäß Fig. 10(a) verwendet, von dem Kantenwinkel des Schiebers ab. Folglich kann die Leistungsfähigkeit des Pha senschieberretikels 200 anhand des Kantenwinkels des Schie bers überprüft werden. Unter den gegebenen Umständen exi stiert jedoch kein Verfahren zum Messen des Kantenwinkels des Schiebers, ohne daß es nötig wäre, ein Meßgerät mit dem Schieber zu verbinden. Nach den bekannten Überprüfungsver fahren wird ein Phasenschieberretikel, das zufällig als Mu ster aus einer Mehrzahl von mit dem gleichen Verfahren her gestellten Mehrzahl von Phasenschieberretikeln ausgewählt worden ist, zerbrochen und der Bereich mit dem Musterreti kel wird mit einem Elektronenmikroskop überprüft. Auf diese Weise ersetzt die Überprüfung des Musterretikels die Über prüfung einer Mehrzahl von zum Verkauf bestimmter Retikel. Daher wird nach dieser Methode die Leistungsfähigkeit der zum Verkauf bestimmten Phasenschieberretikel nicht genau überprüft.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vor richtung zum Überprüfen der Leistungs- bzw. Funktionsfähig keit eines Phasenschieberretikels bereitzustellen, die höchst zuverlässig ist. Weiter ist es Aufgabe der vorlie genden Erfindung, ein entsprechendes Verfahren zum Überprü fen der Leistungs- bzw. Funktionsfähigkeit eines Phasen schieberretikels bereitzustellen.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des Anspruchs 1 bzw. 6.

Demnach wird eine Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungs fähigkeit eines Phasenschieberretikels bereitgestellt, die ein die optische Weglänge korrigierendes Filter mit einer flachen Glasplatte aufweist, das in den optischen Weg ge setzt ist. Das die optische Weglänge korrigierende Filter dehnt sich aus oder kontrahiert sich, je nachdem wie groß die optische Weglänge durch das die optische Weglänge kor rigierende Filter selbst verändert werden soll. Daher kann die optische Weglänge ohne Bewegen des Filters mittels me chanischer Einrichtungen auf einen gewünschten Wert einge stellt werden, wodurch Variationen der optischen Weglänge mit hoher Genauigkeit korrigiert werden. Da zusätzlich das die optische Weglänge korrigierende Filter selbst eine fla che Glasplatte aufweist, kann selbst dann, wenn das die op tische Weglänge korrigierende Filter während der Inspektion bzw. Überprüfung ein wenig bewegt wird und sich der opti sche Weg im Filter ändert, diese Variation bzw. Änderung vernachlässigt werden, wodurch sich eine hochgenaue Über prüfung ergibt. Da des weiteren das die optische Weglänge korrigierende Filter keine speziellen Bearbeitungsschritte erfordert, wird die Herstellung der Vorrichtung verein facht.

Mit der vorliegenden Erfindung können daher Abweichungen des optischen Weges von einem voreingestellten Wert ohne mechanische Einrichtungen hochgenau korrigiert werden.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasenschieberretikels bereitgestellt, bei dem ein als Ver gleichsmuster ausgewähltes Phasenschieberretikel mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, der sich in eine vorbestimmte Richtung bewegt, und die Intensität des durch das Musterre tikel transmittierten Laserstrahls wird gemessen. Das Mu sterretikel wird zerbrochen und der Kantenwinkel des Schie bers des Retikels wird mit einem Mikroskop vermessen. Da nach wird ein zum Verkauf bestimmtes Phasenschieberretikel mit dem gleichen, vorstehend beschriebenen Laserstrahl be leuchtet, der in eine vorbestimmte Richtung bewegt wird, und die Intensität des durch das Retikel transmittierten Laserstrahls wird gemessen. Diese Intensität wird mit der Intensität des Musterretikels verglichen und der Kantenwin kel des zum Verkauf bestimmten Retikels wird entsprechend dem Ergebnis des Vergleichs und dem gemessenen Kantenwinkel des Schiebers des Musterretikels ermittelt. Bei dem erfin dungsgemäßen Verfahren wird der Kantenwinkel des Schiebers ermittelt, ohne daß der Schieber mit einem Meßgerät in Kon takt kommt und die Leistungsfähigkeit des zum Verkauf be stimmten Phasenschieberretikels kann überprüft werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Kante eines Schiebers zum Erzeugen eines Auflösungsmusters verwendet, mittels dem ein zum Verkauf bestimmtes Phasenschieberreti kels mit hoher Genauigkeit überprüft wird.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorliegen den Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschrei bung anhand der Zeichnung. Es wird darauf hingewiesen, daß die detaillierte Beschreibung einzelner spezieller Ausfüh rungsformen lediglich beispielhaften Charakter hat und vielfältige Modifikationen im Rahmen des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung möglich sind.

Es zeigt:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß einer zweiten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung;

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß einer dritten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 einen Graphen mit dem Lichtintensitätsprofil, das sich mit einer Vorrichtung gemäß Fig. 3 ergibt;

Fig. 5(a) und 5(b) Diagramme zur Erläuterung des Prinzips des Verfahrens zum Überprüfen von Phasenschieberre tikeln gemäß der dritten Ausführungsform der vor liegenden Erfindung;

Fig. 6 ein Diagramm zur Erläuterung des Prinzips des Ver fahrens zur Überprüfung von Phasenschieberretikeln gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 einen Graphen mit dem Lichtintensitätsprofil, das sich mit der Vorrichtung von Fig. 3 ergibt;

Fig. 8 einen Querschnitt durch ein Phasenschieberretikel;

Fig. 9(a)-9(j) Diagramme zur Erläuterung der Funktion eines Phasenschieberretikels;

Fig. 10(a) einen Querschnitt durch ein Phasenschieberreti kel; und

Fig. 10(b) einen Graphen mit dem Intensitätsprofil von durch das Phasenschieberretikel hindurchtretendem Licht; und

Fig. 11 einen Graphen, der die Abhängigkeit der Lichtinten sität eines Belichtungsmusters von dem Kantenwinkel des Schiebers bei der Verwendung eines Phasenschie berretikels nach Fig. 10(a) zeigt;

Fig. 12 ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß dem Stand der Technik; und

Fig. 13 ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß dem Stand der Technik.

Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Vorrich tung zum Überprüfen der Leistungsfähigkeit eines Phasen schieberretikels gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In Fig. 1 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 12 gleiche oder ent sprechende Teile. Die Überprüfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung entspricht in ihrem Grundkonzept der Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik wie er in Fig. 12 gezeigt ist mit der Ausnahme, daß eine Heizeinrichtung 10 zum Aufheizen des die optische Weglänge korrigierenden Fil ters 7 und ein Steuergerät 11 zur Steuerung der Heizlei stung der Heizeinrichtung 10 vorgesehen ist. Auch enthält bei der ersten Ausführungsform der Erfindung das die opti sche Weglänge korrigierende Filter 7 eine flache Glas platte. Zusätzlich ist eine Heizwedel als eine Wärmequelle der Heizvorrichtung 10 dargestellt.

Nachfolgend wird das Überprüfungsverfahren beschrieben.

Anfänglich wird das die optische Weglänge korrigierende Filter 7 mit der Heizeinrichtung 10 auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt, die größer als die Temperatur ist bei der dann die Überprüfung ausgeführt wird, und aus der Lase reinheit 1 wird ein Laserstrahl emittiert. In dieser Phase sind die Strahlteiler 2a und 2b und die reflektierenden Spiegel 8a und 8b in geeigneter Weise positioniert, so daß die optische Weglänge des Laserstrahls, der durch den Strahlteiler 2a aufgeteilt und durch den Spiegel 8b reflek tiert wird und den Strahlteiler 2b erreicht, gleich der op tischen Weglänge des Laserstrahls ist, der durch den Strahlteiler 2a aufgeteilt und von dem Spiegel 8a reflek tiert wird und den Strahlteiler 2b erreicht. In anderen Worten ausgedrückt, sind die Strahlteiler und die reflek tierenden Spiegel so angeordnet, daß die durch das Laserin terferometer 9 gemessene Phasendifferenz 0° beträgt.

Es sei nun angenommen, daß die in der Vorrichtung enthalte nen optischen Bauteile aufgrund von Stößen sich nicht mehr genau in ihren voreingestellten Positionen befinden und daß die von dem Laserinterferometer 9 gemessene Phasendifferenz von 0° abweicht. Das Ergebnis dieser Messung wird dem Steu ergerät 11 eingegeben, und das Steuergerät 11 erhöht oder vermindert die Heizleistung der Heizvorrichtung 10 entspre chend dem Ergebnis der Messung, so daß das die optische Weglänge korrigierende Filter 7 kontrahiert oder ausgedehnt wird. Auf diese Weise wird die optische Weglänge des die optische Weglänge korrigierenden Filters 7 geändert, so daß die durch das Laserinterferometer 9 gemessene Phasendiffe renz wieder 0° wird. Dann wird das zu überprüfende Phasen schieberretikel 100 in der in Fig. 1 gezeigten Weise posi tioniert und die Phasendifferenzen des Laserstrahls, der den Schieber durchlaufen hat und des Laserstrahls, der den Schieber nicht durchläuft, werden gemessen, wodurch die Leistungsfähigkeit bzw. das Funktionieren des Phasenschie berretikels 100 überprüft wird.

Bei dem vorstehend beschriebenen Überprüfungsverfahren wird das Phasenschieberretikel auf einen X-Y-Verschiebetisch (nicht gezeigt) angeordnet, so daß das Retikel in der X- oder Y-Richtung verschiebbar ist, wodurch Überprüfungen verschiedener Positionen des Schiebers kontinuierlich aus geführt werden können. Der X-Y-Verschiebetisch ist transpa rent und wird durch das Steuergerät 11 gesteuert.

Wie vorstehend beschrieben worden ist, umfaßt bei der Vor richtung zur Überprüfung eines Phasenschieberretikels gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das die Weglänge korrigierende Filter 7 eine flache Glasplatte, die mittels Wärme aufgeweitet oder kontrahiert wird, so daß die optische Weglänge des die optische Weglänge korrigie renden Filters selbst in gewünschter Weise ohne eine mecha nische Einrichtung eingestellt werden kann. Daher nimmt die Genauigkeit, mit der die optische Weglänge eingestellt wer den kann, nicht mit der Zeit ab. Selbst wenn die optische Weglänge der Vorrichtung von einer idealen Weglänge ab weicht, kann die optische Weglänge dennoch mit hoher Genau igkeit korrigiert werden. Da zusätzlich das die optische Weglänge korrigierende Filter 7 aus einer flachen Glas platte aufgebaut ist, verändert sich die optische Weglänge des Filters selbst dann nicht, wenn das Filter 7 aus ir gendwelchen Gründen aus der voreingestellten Position ver schoben wird und der Weg des Laserstrahls durch das Filter sich verändert, wodurch die Überprüfung mit hoher Genauig keit ausgeführt werden kann. Weiter ist es bei der Herstel lung der Vorrichtung nicht nötig, das die optische Weglänge korrigierende Filter 7 zu bearbeiten, noch ist es nötig, mechanische Einrichtungen vorzusehen, wodurch die Herstel lung der Vorrichtung vereinfacht wird.

Während bei der vorstehend beschriebenen ersten Ausfüh rungsform die optische Weglänge des die optische Weglänge korrigierenden Filters 7 automatisch durch das Steuergerät 11 entsprechend der durch das Laserinterferometer 9 gemes senen Phasendifferenz geändert wird, kann die Heizleistung der Heizvorrichtung 10 auch manuell entsprechend der durch das Laserinterferometer 9 gemessenen Phasendifferenz ge steuert bzw. geregelt werden.

Während bei der vorstehend beschriebenen ersten Ausfüh rungsform die Heizvorrichtung 10 einen Heizwedel als Wärme quelle nutzt, kann das die optische Weglänge korrigierende Filter 7 auch mit heißer Luft erhitzt werden.

Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrich tung zum Überprüfen eines Phasenschieberretikels gemäß ei ner zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In Fig. 2 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 die gleichen oder entsprechenden Teile. Bezugszeichen 10a bezeichnet eine Kühlvorrichtung zum Kühlen des die optische Weglänge korrigierenden Filters 7 mittels Peltier-Effekt. Bezugszeichen 11a bezeichnet ein Steuergerät zum Steuern der Kühlleistung der Kühlvorrichtung 10a.

Nachfolgend wird das Überprüfungsverfahren beschrieben.

Anfänglich wird mittels der Kühlvorrichtung 10a das die op tische Weglänge korrigierende Filter 7 auf eine vorbe stimmte Temperatur gekühlt, die unter der Temperatur liegt, bei der die Überprüfung ausgeführt wird. Wie bei der vor hergehend beschriebenen ersten Ausführungsform sind in die ser Phase die Positionen der Strahlteiler 2a und 2b und der reflektierenden Spiegel 8a und 8b so eingestellt, daß die durch das Laserinterferometer gemessene Phasendifferenz 0° beträgt.

Es wird nun angenommen, daß die in der Vorrichtung enthal tenen optischen Bauteile aufgrund von Erschütterungen, de nen die Vorrichtung ausgesetzt ist, aus ihren vorbestimmten Positionen wegbewegt werden und die durch das Laserinter ferometer 9 gemessene Phasendifferenz von 0° abweicht. Das Ergebnis dieser Messung wird dem Steuergerät 11a eingege ben, und das Steuergerät 11a erhöht oder vermindert die Kühlleistung der Kühlvorrichtung 10a entsprechend dem Er gebnis der Messung, so daß das die optische Weglänge korri gierende Filter 7 kontrahiert oder expandiert bzw. aufge weitet wird. Auf diese Weise wird die optische Weglänge des die optische Weglänge korrigierenden Filters 7 geändert, so daß die durch das Laserinterferometer 9 gemessene Phasen differenz wieder 0° beträgt. Wie bei der vorhergehend be schriebenen ersten Ausführungsform wird in dem Zustand ei ner Phasendifferenz von 0° die Differenz der Phasen zwi schen dem Laserstrahl, der durch den Schieber 4 hindurch tritt, und dem Laserstrahl, der nicht durch den Schieber 4 hindurchtritt, gemessen, wodurch die Leistungsfähigkeit des Phasenschieberretikels 100 überprüft wird.

Auch wird bei der Überprüfungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung das eine flache Glasplatte enthaltende die optische Weglänge korrigierende Filter 7 je nach Bedarf durch die Kühlvorrichtung 10a und das Steuerge rät 11a, das die Kühlleistung der Kühlvorrichtung 10a steu ert, ohne mechanische Einrichtungen aufgeweitet oder kon trahiert, wodurch die optische Weglänge des die optische Weglänge korrigierenden Filters 7 selbst auf eine ge wünschte Länge eingestellt werden kann. Daher werden mit dieser Vorrichtung die gleichen Effekte und Wirkungen wie bei der vorherstehend beschriebenen ersten Ausführungsform erzielt.

Fig. 3 zeigt ein schematisches Diagramm einer Vorrichtung, die bei einem Verfahren zur Überprüfung eines Phasenschie berretikels gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfin dung eingesetzt wird. In Fig. 3 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 1 und 10 die gleichen oder entsprechenden Teile. Bezugszeichen 12 bezeichnet einen X- Y-Verschiebetisch, Bezugszeichen 13 bezeichnet eine Fotodi ode zum Detektieren der Intensität des Laserstrahls, Be zugszeichen 14 bezeichnet ein Steuergerät, das den X-Y-Ver schiebetisch 12 in eine vorbestimmte Richtung mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit verschiebt. Das Steuergerät 14 stellt Variationen der Intensität des durch die Fotodi ode 13 detektierten Laserstrahls in der in Fig. 4 gezeig ten Weise dar.

Nachfolgend wird das Verfahren zum Überprüfen eines Phasen schieberretikels unter Verwendung der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung beschrieben.

Zunächst wird der Betrieb der in Fig. 3 gezeigten Vorrich tung beschrieben.

Der X-Y-Verschiebetisch 12 ist für den aus der Lasereinheit 1 emittierten Laserstrahl transparent. Das Steuergerät 14 bewegt den X-Y-Verschiebetisch 12 in der X- oder in der Y- Richtung. Ein Phasenschieberretikel 200 wird auf der Ober seite des X-Y-Verschiebetisches 12 angeordnet. Ein Laser strahl mit einem vorbestimmten Durchmesser wird durch die Lasereinheit 1 in einer Richtung senkrecht zu der Rückseite des X-Y-Verschiebetisches 12 emittiert. Die Rück- bzw. Un terseite des X-Y-Verschiebetisches 12 wird durch den Laser strahl beleuchtet, während der X-Y-Verschiebetisch 12 in einer vorbestimmten Richtung mit einer vorbestimmten Ge schwindigkeit bewegt wird. Die Intensität des durch das Phasenschieberretikel 200 transmittierten Lichts wird durch die Fotodiode 13 detektiert, die gegenüber der Lasereinheit 1 auf der anderen Seite des X-Y-Verschiebetisches 12 ange ordnet ist. Das Ergebnis der Detektion wird auf einem Moni tor des Steuergeräts 14 als ein Lichtintensitätsprofil an gezeigt, wie es in Fig. 4 dargestellt ist. In Fig. 4 zeigt die Abszisse die Zeit, die der Bewegungsgeschwindig keit des X-Y-Verschiebetisches 12 entspricht, und die Ordi nate zeigt die durch die Fotodiode 13 detektierte Lichtin tensität.

Nachfolgend wird beschrieben, warum das Ergebnis der Detek tion das in Fig. 4 gezeigte Intensitätsprofil zeigt.

Die Fig. 5(a) und 5(b) sind schematische Diagramme, die einen Teil des in Fig. 3 gezeigten Phasenschieberretikels 200 und die Fotodiode 13 zeigen, in dem der von der Laser einheit 1 emittierte Laserstrahl auf das sich in der vorbe stimmten Richtung bewegende Phasenschieberretikel 200 auf trifft und in dem die Intensität des durch das Phasenschie berretikel 200 hindurchtretenden Laserstrahls durch die Fo todiode 13 detektiert wird.

In diesen Figuren bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 3 die gleichen oder entsprechende Teile. Der von der Lasereinheit 1 emittierte Laserstrahl wird durch eine Mehrzahl von schwarzen Pfeilen dargestellt, die zusammen dem Durchmesser des Laserstrahls entsprechen. Die Bewe gungsrichtung des Phasenschieberretikels 200 wird durch den weißen Pfeil dargestellt. Fig. 5(b) zeigt das Phasenschie berretikel 200, wie es sich in Richtung des Pfeiles eine bestimmte Distanz bewegt hat. Wie aus Fig. 5(b) zu ersehen ist, wird ein Teil des Laserstrahls, der auf die geneigte Fläche 6 der Kante des Schiebers 4a auffällt, seitlich in das Innere des Schiebers 4a reflektiert und erreicht die Fotodiode 13 nicht. Daher detektiert die Fotodiode 13 die maximale Lichtintensität, während der Laserstrahl durch das Retikel 200 hindurchtritt und nicht auf die geneigte Fläche 6 der Kante des Schiebers 4a auftrifft. Wenn das Phasen schieberretikel 200 sich bewegt und ein Teil des Laser strahls auf die geneigte Fläche 6 - wie in Fig. 5a gezeigt - auftrifft, beginnt sich die Menge des die Fotodiode 13 erreichenden Laserstrahls zu vermindern, d. h. die durch die Fotodiode 13 detektierte Lichtintensität beginnt abzu nehmen. Mit der Bewegung des Phasenschieberretikels 200 trifft, wie in Fig. 5(b) gezeigt, mehr Laserstrahl auf die geneigte Fläche 6 und die Menge des die Fotodiode 13 errei chenden Laserstrahls wird weiter vermindert, d. h. die durch die Fotodiode 13 detektierte Lichtintensität vermin dert sich weiter.

Nach der in Fig. 5(b) gezeigten Phase nimmt der Anteil des Laserstrahls, der auf die geneigte Fläche 6 des Schiebers 4a auftrifft, allmählich ab und die Menge des die Fotodiode 13 erreichenden Lasestrahls nimmt allmählich ab, d. h. die von der Fotodiode 13 detektierte Lichtintensität nimmt all mählich zu. Schließlich detektiert die Fotodiode 13 die ma ximale Lichtintensität, wenn kein Laserstrahl auf die ge neigte Fläche 6 des Schiebers 4a trifft. Da der Schieber 4a zwei einander gegenüberliegende Kanten aufweist, wird das in Fig. 4 gezeigte Lichtintensitätsprofil erzeugt.

Nachfolgend wird die Ursache dafür beschrieben, warum der Kantenwinkel des Schiebers aus dem Lichtintensitätsprofil vorhergesagt werden kann.

Fig. 6 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung ei nes Überprüfungsverfahrens, bei dem ein Phasenschieberreti kel 200a verwendet wird, das einen Schieber 4b umfaßt, der genau so dick wie der in den Fig. 5(a) bis 5(b) gezeigte ist und einen Kantenwinkel aufweist, der kleiner als der des Schiebers 4a ist. In Fig. 6 bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 5(a) und 5(b) die gleichen oder entsprechende Teile.

Fig. 7 ist ein Graph, der ein Lichtintensitätsprofil dar stellt, das sich nach dem gleichen Verfahren, wie es vor stehend beschrieben worden ist, unter Verwendung des in Fig. 6 gezeigten Phasenschieberretikels 200a ergibt. In Fi gur 7 stellt eine durchgehende Linie "a" das sich mit dem Phasenschieberretikel 200a ergebende Lichtintensitätspro fil, und die punktierte Linie "b" stellt das sich mit dem in Fig. 5(a) gezeigten Phasenschieberretikel 200 ergebende Lichtintensitätsprofil dar.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, variieren die Lichtintensitäts profile entsprechend dem Unterschied der Kantenwinkel zwi schen den beiden Schiebern, wenn die Dicke der Schieber 4a und 4b gleich ist. Da der Kantenwinkel des Schiebers 4a des Retikels 200 größer als der Kantenwinkel des Schiebers 4b des Retikels 200a ist, ist die Länge der geneigten Oberflä che 6 der Kante des Schiebers 4a kürzer als die Länge der geneigten Oberfläche 6a der Kante des Schiebers 4b. Daher ist die Zeitdauer, während der der Laserstrahl abgefangen, d. h. durch die Kante des Schiebers reflektiert wird, in dem Retikel 200 kürzer als in dem Retikel 200a und die Menge des abgefangenen Laserstrahls in dem Retikel 200 kleiner als in dem Retikel 200a. Folglich ergeben sich die in Fig. 7 gezeigten Lichtintensitätsprofile.

Wenn eine Mehrzahl von Schiebern eine unterschiedliche Dicke aufweisen, variieren die Längen der geneigten Flächen dieser Schieber, obwohl die Kantenwinkel identisch sind. Jedoch werden die Dickenvariationen der Schieber aufgrund des Herstellungsprozesses kaum die Längenvariationen der geneigten Kantenfläche bei gleichem Kantenwinkel erzeugen.

Bei dem erfindungsgemäßen Überprüfungsverfahren werden aus einer Mehrzahl von in dem gleichen Prozeß, beispielsweise in dem gleichen Los, hergestellten Phasenschieberretikel einige Phasenschieberretikel als Muster ausgewählt und die Lichtintensitätsprofile dieser Musterretikel werden gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren gemessen. Danach werden die Musterretikel zerbrochen und die Kantenwinkel der Schieber werden mit einem Elektronenmikroskop gemessen. Dann werden die Lichtintensitätsprofile der anderen Phasen schieberretikel, d. h. der zum Verkauf vorgesehenen Reti kel, entsprechend dem vorstehend beschriebenen Verfahren gemessen und die sich ergebenden Intensitätsprofile werden mit den Intensitätsprofilen der gleichen Retikel vergli chen, wodurch die Kantenwinkel der Schieber der zum Verkauf bestimmten Retikel bestimmt werden.

Wie vorstehend beschrieben worden ist, kann mit dem Verfah ren zum Überprüfen von Phasenschieberretikeln gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Lei stungsfähigkeit der zum Verkauf bestimmten Phasenschieber retikel mit hoher Genauigkeit überprüft werden, da die Kan tenwinkel der Schieber der Phasenschieberretikel ohne Be schädigung der Schieber detektiert bzw. bestimmt werden kann. Als Ergebnis hiervon werden nur ausgezeichnete, hoch qualitative Produkte verkauft.

Während in der vorbeschriebenen dritten Ausführungsform das Phasenschieberretikel in horizontaler Richtung bewegt wird, können auch die einander gegenüber liegende Lasereinheit 1 und die Fotodiode 13 in horizontaler Richtung bewegt wer den. Auch hierbei ergeben sich die gleichen Wirkungen, wie sie vorstehend beschrieben sind.

Claims

1. Vorrichtung zum Überprüfen der Leistungs- bzw. Funkti onsfähigkeit eines Phasenschieberretikels, das ein transpa rentes Substrat (3) und einen auf dem transparenten Substrat (3) angeordneten Schieber (4) aufweist, wobei die Vorrichtung umfaßt:
eine Lichtquelle (1) zum Emittieren von monochromati schem Licht mit einer vorbestimmten Wellenlänge;
eine erste optische Einrichtung (2a) zum Aufspalten des monochromatischen Lichts in zwei Strahlen und zum Ablenken der zwei Strahlen in unterschiedliche Richtungen;
eine zweite optische Einrichtung (8a, 8b) zum Reflek tieren der jeweiligen Strahlen, so daß die zwei Strahlen aufeinander treffen, nachdem sie optische Wege von gleicher Länge durchlaufen haben;
eine dritte optische Einrichtung (2b), die im Kreu zungspunkt der zwei Strahlen angeordnet ist und die zwei Strahlen wiedervereinigt;
ein die optische Weglänge korrigierendes Filter (7), das zwischen der ersten optischen Einrichtung (2a) und der zweiten optischen Einrichtung (8a oder 8b) angeordnet ist, und einen Unterschied in der optischen Weglänge der zwei Strahlen korrigiert;
eine Einrichtung (9) zum Detektieren eines Phasenunter schiedes der zwei Strahlen, die durch die dritte optische Einrichtung (2b) wiedervereinigt werden; und
eine die optische Weglänge anpassende Einrichtung (10, 11; 10a, 11a) zum Aufweiten oder Kontrahieren des die opti sche Weglänge korrigierenden Filters (7) entsprechend dem Ergebnis der Detektion der Phasenunterschied-Detektionsein richtung (9), so daß die zwei Strahlen die gleiche optische Weglänge durchlaufen.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das die optische Weglänge korrigierende Filter (7) zwi schen der zweiten optischen Einrichtung (8a oder 8b) und der dritten optischen Einrichtung (2b) angeordnet ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die die optische Weglänge anpassende Einrich tung (10, 11) eine Heizvorrichtung (10) zum Aufheizen des die optische Weglänge korrigierenden Filters (7) und ein Steuergerät (11) zum Regeln der Heizleistung der Heizvor richtung (10) entsprechend dem Ergebnis der Detektion der Phasenunterschied-Detektionseinrichtung (9) umfaßt (Fig. 1).

4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die die optische Weglänge anpassende Einrich tung (10a, 11a) eine Kühlvorrichtung (10a) zum Abkühlen des die optische Weglänge korrigierenden Filters (7) und ein Steuergerät (11a) zum Regeln der Kühlleistung der Kühlvor richtung (10a) entsprechend dem Ergebnis der Detektion der Phasenunterschied-Detektionseinrichtung (9) umfaßt (Fig. 2).

5. Vorrichtung nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das die optische Weglänge korrigierende Filter (7) eine flache Glasplatte umfaßt.

6. Verfahren zum Überprüfen der Leistungs- bzw. Funktions fähigkeit eines Phasenschieberretikels, bei dem ein Belich tungsmuster mittels Verwendung von Kanten eines Schiebers (4a) erzeugt wird und das Verfahren folgende Verfahren schritte aufweist:
Bereitstellen eines Phasenschieberretikels als Ver gleichsmuster und eines zum Verkauf bestimmten Phasenschie berretikels;
Beleuchten des Musterphasenschieberretikels mit einem Laserstrahl, der in eine vorbestimmte Richtung bewegt wird und Messen der Intensität des durch das Vergleichsphasen schieberretikel hindurchtretenden Laserstrahls;
Vermessen des Kantenwinkels des Schiebers des Muster phasenschieberetikels mit einem Mikroskop nach dem Brechen des Musterphasenschieberretikels;
Beleuchten des zum Verkauf bestimmten Phasenschieberre tikels mit dem gleichen Laserstrahl, wie er vorstehend er wähnt worden ist, der in eine vorbestimmte Richtung bewegt wird, und Messen der Intensität des durch das Phasenschie berretikel hindurchtretenden Laserstrahls; und
Vergleichen der Intensität des Laserstrahls, der durch das zum Verkauf bestimmte Phasenschieberretikel transmit tiert worden ist, mit der Intensität des Laserstrahls, der durch das Musterphasenschieberretikel transmittiert worden ist, und Detektieren bzw. Bestimmen des Kantenwinkels des zum Verkauf bestimmten Phasenschieberretikels aufgrund des Vergleichsergebnisses und des gemessenen Kantenwinkels des Schiebers des Musterphasenschieberretikels (Fig. 3, 5(a), 5(b)).