DE2649356A1 - Signalverstaerker fuer integrierte schaltungen - Google Patents

Signalverstaerker fuer integrierte schaltungen

Info

Publication number
DE2649356A1
DE2649356A1 DE19762649356 DE2649356A DE2649356A1 DE 2649356 A1 DE2649356 A1 DE 2649356A1 DE 19762649356 DE19762649356 DE 19762649356 DE 2649356 A DE2649356 A DE 2649356A DE 2649356 A1 DE2649356 A1 DE 2649356A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
stage
amplifier
circuit
signal
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19762649356
Other languages
English (en)
Other versions
DE2649356C3 (de
DE2649356B2 (de
Inventor
Robert Athanasius Henle
Irving Tze Ho
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2649356A1 publication Critical patent/DE2649356A1/de
Publication of DE2649356B2 publication Critical patent/DE2649356B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2649356C3 publication Critical patent/DE2649356C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying
    • H03K5/023Shaping pulses by amplifying using field effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

km/se
Anmelderin: ■ International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FI 974 051
Signalverstärker für integrierte Schaltungen
Die Erfindung betrifft eine Signalverstärkerschaltung für integrierte Schaltungen, mit einer Signalstufe, die den Ausgang einer monolithischen Speicher- oder Logikschaltung darstellt ( mit mehreren Zwischenverstärkerstufen und mit einer Endverstärkerstufe, die Ausgangssignale an nachgeschaltete Einheiten abgibt.
Integrierte Schaltungen mit großem Integrationsgrad benötigen üblicherweise Verstärkerschaltungen, um die erforderliche Stromleistung für die Abgabe von Ausgangssignalen über Verbindungsleitungen an andere integrierte Schaltungen oder die Sichtbarmachung der von diesen Signalen dargestellten Werte in einer Anzeigeeinheit zu ermöglichen. Diese Notwendigkeit besteht unabhängig davon, ob die integrierte Schaltung logische Verknüpfungsfunktionen ausführt oder die Funktion eines Speichers hat. Die für solche Zwecke verwendeten Verstärkerschaltungen führen stärkere Ströme als andere integrierte Schaltungen, die beispielsweise zur Ausführung logischer Verknüpfungsfunktionen oder zur Speicherung von Daten dienen. Demgemäß sind die Verstärkerschaltungen auch größer als die übrigen logischen Schaltungen. Diese Größenunterschiede verdienen besondere Beachtung beim Aufbau eines monolithischen Chips, auf dem die verschiedenen Schaltungen als eine gemeinsame integrierte Schaltung angeordnet werden
709827/0888
sollen. Wenn die Disparität zwischen den einzelnen Schaltungen im Bezug auf Größenausdehnung und Stromführung zu groß wird, treten erhebliche Verzögerungen auf zwischen der Signaltreiberschaltung (Signalverstärker) und der Endverstärkerschaltung, welche die Ausgangssignale der monolithischen Schaltung an nachgeordnete Einheiten abgibt. Dies ist besonders dann der Fall, wenn an die Endverstärkerschaltung eine hohe kapazitive Last angelegt wird und die Ausgangskapazität des Endverstärkers wenigstens 100 mal größer ist als die des Signalverstärkers, welcher üblicherweise Teil der betreffenden logischen Schaltung oder Speicherschaltung ist und über den die Verstärkerschaltung die zu verstärkenden Signale zugeführt erhält.
Es sind bereits Maßnahmen bekannt zur Optimierung derartiger integrierter Schaltungen mit dem Ziel einer minimalen Signal-1 laufzeit in den verstärkenden Ausgangsstufen. Diese Maßnahmen sehen vorf daß man die Ausgangsstufen der integrierten Schaltung in ihrer Größe abstuft f um auf diese Weise eine Signalanpassung zu erreichen CH,C, Lin und L,W, Linholm, "An Optimized Output Stage for MOS Integrated Circuits", IEEE Journal of Solid-state Circuitsf Band SC-10, Nr. 2, April 1975f Seiten 106 bis 109). Eine derartig ausgebildete Schaltung hat den Nachteil, daß sie einen erhöhten Herstellungsaufwand erfordert und daß für die Endstufen ein erheblicher Platzbedarf auf dem monolithischen Chip erforderlich ist.
Es wurde auch bereits erkannt, daß die Verzögerung zwischen einer Endstufe mit hoher Stromleistung und hoher Kapazität und einer Anfangsstufe mit niedriger Stromleistung und niedriger Kapazität dadurch minimiert werden kann, daß man zwei oder mehr Zwischenverstärkerschaltungen zwischen diese Stufen bringt, von denen jede in ihrer Kapazität und Größe zwischen den entsprechenden Werten der Anfangsstufe und der Endstufe liegt. Derartige Schaltungen wurden bisher nach der Methode des wiederholten Probierens aufgebaut, wobei die Anzahl der eingefügten Zwischenstufen zur
974 051 709827/0888
Minimierung der Verzögerung geringer als 5 war. Diese Bemühungen richteten sich auch auf Schaltungen, bei denen die Kapazität der Endstufe bzw. des Endverstärkers kleiner war als das 10Ofache der Signalverstärkerstufe. Aufgrund der empirischen Natur dieses Herstellungsverfahrens war es bisher nicht möglich, das Verfahren zum Aufbau von integrierten Verstärkerschaltungen mit einer größeren Anzahl von Stufen anzuwenden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärkerschaltung der eingangs genannten Art anzugeben, welche die genannten Nachteil !vermeidet und es erlaubt, auch bei hohen Kapazitätsunterschieden zwischen Anfangs- und Endstufe eine minimierte Signallaufzeit zu erreichen. Die erfindungsgemäßen Merkmale dieser Verstärkerschaltung sind aus dem Patentanspruch 1 ersichtlich» Die übrigen Ansprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung an,
Nachfolgend ist ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung anhand einer Zeichnung beschrieben, die das Schalt bild eines mit Feldeffekttransistoren aufgebauten mehrstufigen Verstärkers darstellt.
En der Figur ist eine Zwischenverstärkerschaltung dargestellt, die 5 Stufen umfaßt, welche kaskadenförmig zwischen einer logischen Singangsschaltung und einer Ausgangsverstärkerschaltung angeordnet sind. Die logische Schaltung weist einen Feldeffekttransistor 10 auf, dessen Toreleketrode mit einem Eingangsanschluß 12 verbünde^ Lst. Die Source-Elektrode dieses Transistors ist geerdet, und seine Drain-Elektrode ist mit dem Eingang der folgenden Stufe verbunden, die den Transistor 20 enthält. Der Transistor 10 wirkt somit als ein Inverter. In ähnlicher Weise sind Transistoren ind 40 vorgesehen, die kaskadenförmig hlntereinandergesehaltet sind und deren Source-Elektroden in herkömmlicher Weise geerdet sind. Der Transistor 40 dient als Leistungsverstärker, um den jenötigten Laststrom am Anschluß 42, der den Ausgang der Schaltung jildet, bereitzustellen.
Fi 974 051 709827/0888
Feldeffekttransistoren 15 und 25 sind mit den Transistoren 10 und 20 in herkömmlicher Weise verbunden und dienen als Lastwiderstände zwischen einem Drain-Spannungsanschluß 32 und den Drain-Elektroden der Transistoren 10 und 20. In ähnlicher Weise sind Feldeffekttransistoren 35 und 45 den Transistoren 30 und 40 zugeordnet.
In der in der Figur dargestellten Schaltung wurde die Anzahl der | Zwischenstufen so gewählt, daß eine optimale Gesamtverzögerung j
i erzielt wird. Die Kapazität einer jeden Stufe bestimmt sich durch j
die nachfolgend beschriebenen mathematischen Parameter. j
:Die dargestellte Schaltung ist mit Feldeffekttransistoren aufgejbaut. Das Prinzip der Erfindung ist jedoch nicht auf die Verwenjdung von Feldeffekttransistoren beschränkt f sondern kann auch bei anderen Transistortypen angewandt werden, beispielsweise 'bei Transistoren vom bipolaren Typ,
jWenn eine übliche, mit Feldeffekttransistoren aufgebaute logische !Schaltung oder Speicherschaltung, beispielsweise ein FET-Inverter mit geerdeter Source-Elektrode, eine Leistungsverstärkerschaltung speistf wird das Verhältnis der Kanalbreite zur Kanallänge (W1/L.1) Ider logischen Schaltung bestimmt durch die Stromerfordernisse !sowie durch die photolithographischen Toleranzen. Das Verhältnis W^/L^ der Leistungsverstärkerschaltung wird bestimmt durch die erforderliche Ausgangsleistung. Es kann angenommen werden, daß alle Kanallängen gleich sind (L, = L- = L) und daß die internen !Widerstände Rp^m des Leistungsverstärkers und der logischen iSchaltung annähernd ihren entsprechenden Lastwiderständen gleichen ,j
i I
wie dies in den Gleichungen 1 und 2 dargestellt ist,
j i
»fbti
gs-yth
FI974051 709827/0888
ine zweite Annahme führt zu dem erwünschten Resultat, daß die Form der Ausgangssignale dieser zwei FET-Schaltungen annähernd gleiche Anstiegs- und Abfallzeiten haben. Hierzu wird angenommen, daß die Schaltungen in einem linearen Bereich betrieben werden,
der keine Stromsättigung aufweist, wobei γ = μη τ~ und ε sowie ι ox ox
jtQX die dielektrischen Konstanten und die Dicke der Torelektrode und μ die Mobilitätskonstante der Elektronen sind. Die Verzöge-
rungszeit zum Laden und Entladen der Torelektrode ist annähernd:
Tt * 3 R1 Cd C3)
worin Cd die Eingangskapazität des Verstärkers ist. C^ wird im wesentlichen von der Torkapazität gebildet, wie dies speziell bei einem selbstabgleichenden FET-Lastyerstärker der Fa.ll ist, Einen tUeil der Kapazität C, bildet auch die Streukapazität,
Cd K Co Wd L C4)
Hierin ist C die Torkapazität pro Einheit, beeinflußt durch die Oxiddicke der Torelektrode, In gleicher Weise ist die Eingangsikapazität der logischen Schaltung;
! C- = C W1 L C5)
Aus den Gleichungen 1 bis 5 ergibt sich
T. = k ^ (6)
!worin k = 3ΐι2/μ eine Proportionalitätskonstante mit den folgenden !angenommenen Parametern ist;
U * 500 cm2/Volt-Sek.
n -4
L β 5 χ 10 cm
Vgs - Vth - 4 Volt
K = 0,375 ns
Fi 974 051 709 8 27/0 88 8
■ ι ζ
Nimmt man die partielle Ableitung von T. in bezug auf C2r dann ergibt sich, die optimale Verzögerung aus
Wenn W^ viel größer als W, ist, beispielsweise 1000 mal größer, kann Tt im wesentlichen 375 ns sein. Diese Verzögerungszeit kann durch Einsetzen einer Zwischenstufe zwischen die logische Schaltung und den Leistungsverstärker reduziert werden.
Wird wiederum angenommen, daß C2 = C W- L und R2 = den Bereich ohne Stromsättigung, dann ist die Gesamtverzögerung der Schaltung
«:3 R1 C2 + 3
C C
C2 =VCd Cl
Die vorausgehende Analyse kann verallgemeinert werdenf um mehrstufige Verstärker mit graduell ansteigender Kanalbreite zu erfassen. Wenn daher die erste Stufe eine logische Schaltung 1st mit einem Torverhältnis von W1/L und der Verstärker WD/L mit einer Eingangskapazität C, der gleiche bleibt wie in der vorausgegangenen Ableitung, kann die gesamte Verstärkeranordnung mehrere Zwischenstufen haben. Ähnlich der Gleichung (7) wird die Gesamtverzögerung der Verstärkerschaltung erhalten durch
O 1 A Λ
xt K Cx + C2 + C3 + ··· ■ cn) do)
worin C2I C3 etc. die Eingangstorkapazitäten der Schaltungen W2Zl1 W3/l etc, darstellen.
PI974051 709827/0888
-Sh-
Wird wiederum die partielle Ableitung mit bezug auf T. gebildet, ergibt sich die optimale Verzögerung durch die folgenden Ausdrücke
2 < P < η (11)
ρ ν p~ · κ1" ■ — _
(12)
In der Gleichung (11) ist C, als C - bezeichnet. Es sei angenommen , daß
CjZC1 = M und C1 = die Einheitskapazität,
Wenn die Zahl der Zwischenverstärkerstufen η ist, kann zur Erreichung der kurzesten Gesamtverzögerung eine optimale Anzahl solcher Stufen gefunden werden durch folgende Gleichsetzung
ft = _£ [η Mn kJ SUSS 0 (13)
oder
η = In M
Die optimale Zahl der Zwischenverstärkerstufen ist daher CIn M). Da η ein ganzzahliger Wert ist, während dies für In M nicht der Fall sein mußf sollte für η der ganzzahlige Wert angenommen werden der In M am nächsten liegt.
Aus der Gleichung (13) ergibt sich somit, daß die optimale Zahl der Stufen für eine minimale Signalausbreitungsverzögerung zwischefi dem Eingang und dem Ausgang der in der Figur dargestellten Verstärkerschaltung gemäß η = In M gewählt werden kann, worin η ein geradzahliger Wert ist, der In M am nächsten liegt. Es wurde gefunden, daß die Gesamtverzögerung von Stufenzahlen kleiner als η nicht wesentlich beeinflußt wird, daß sich jedoch eine wesentliche Reduzierung der Verzögerungszeit ergibt, wenn η gemäß dem vorausgehenden Parameter gewählt wird, wobei η ausreichend größer ist j als dies der Fall ist, wenn eine große Disparität besteht zwischen ι der Kapazität des SignalVerstärkers und der Lastschaltung. Des weih teren ist festzustellen, daß in den Fällen, wo die Kapazität des
FI 974 °51 709 827/0888
Lastverstärkers 1000 mal oder mehr als 1000 mal größer ist als !die Kapazität der logischen Schaltung oder des Signalverstärkers, die in der Gleichung (13) enthaltenen Paramter in einer Auswahl ι
!von Zwischenstufen resultieren, die eine erhebliche Verringerung der Verzögerungszeit ergeben. Im Vergleich hierzu sind Methoden, die auf einem wiederholten Probieren beruhen, deutlich unterlegen ,sind. Dies tritt besonders dann in Erscheinung, wenn die Zahl der Zwischenstufen 5 oder größer ist. In denjenigen Fällen, wenn 10 oder mehr Zwischenstufen benutzt werden, ist eine Optimierung mit Hilfe der hierin beschriebenen Parameter von besonderem Vorteil.
j Wenn die Gesamtzahl der Zwischenstufen einmal bestimmt ist, kann die Gleichung (8) benutzt werden, um die Kapazität einer jeden ;Zwischenstufe zu berechnen.
974 051 709827/0888
Leerseite

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE
    Signalverstärkerschaltung für integrierte Schaltungen mit einer Signalstufe, die den Ausgang einer monolithischen Speicher- oder Logikschaltung darstellt, mit mehreren Zwischenverstärkerstufen und mit einer Endverstärkerstufe, die Ausgangssignale an nachgeschaltete Einheiten abgibt, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangskapazität der Endverstärkerstufe (40) wenigstens 100 mal größer ist als die Ausgangskapazität der Signalstufe (10) und daß zur Minimierung der Signallaufzeit durch die Schaltung die Zahl η der Zwischenverstärkerstufen (20, 30) mindestens 5 ist und im übrigen die Gleichung η = In M erfüllt, worin M das Verhältnis der Kapazität der Endverstärkerstufe zur Kapazität der Signalstufe ist.
    Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität einer jeden Zwischenverstärkerstufe (20,30) gleich der Quadratwurzel vom Produkt der Ausgangskapazität der jeweils vorausgehenden Verstärkerstufe und der Ausgangskapazität der jeweils nachfolgenden Verstärkerstufe ist.
    Schaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenverstärkerstufen (20, 30) und die Endverstärkerstufe (40) zusammen mit der Signalstufe (10) und der Logik- oder Speicherschaltung auf einem gemeinsamen monolithischen Chip angeordnet sind.
    Fi 974 051 709827/0888
    ORIGINAL
DE2649356A 1975-12-31 1976-10-29 Signalverstärker für integrierte Schaltungen Expired DE2649356C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/645,765 US4016431A (en) 1975-12-31 1975-12-31 Optimal driver for LSI

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2649356A1 true DE2649356A1 (de) 1977-07-07
DE2649356B2 DE2649356B2 (de) 1979-06-21
DE2649356C3 DE2649356C3 (de) 1980-02-28

Family

ID=24590400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2649356A Expired DE2649356C3 (de) 1975-12-31 1976-10-29 Signalverstärker für integrierte Schaltungen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4016431A (de)
JP (1) JPS583608B2 (de)
CA (1) CA1081803A (de)
DE (1) DE2649356C3 (de)
FR (1) FR2337464A1 (de)
GB (1) GB1563358A (de)
IT (1) IT1074186B (de)
NL (1) NL7614121A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965464A (en) * 1988-10-14 1990-10-23 Siemens Aktiengesellschaft Power amplifier circuit for integrated digital circuits

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4140921A (en) * 1977-08-31 1979-02-20 International Business Machines Corporation Generalized performance power optimized PLA circuits
DE2826624C2 (de) * 1978-06-19 1982-11-04 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Integrierte IGFET-Konstantstromquelle
EP0055795B1 (de) * 1980-12-20 1985-12-18 Deutsche ITT Industries GmbH Schnelle MOS-Treiberschaltung für Digitalsignale
US4714840A (en) * 1982-12-30 1987-12-22 Thomson Components - Mostek Corporation MOS transistor circuits having matched channel width and length dimensions
US4585953A (en) * 1983-07-20 1986-04-29 International Business Machines Corporation Low power off-chip driver circuit
US5030853A (en) * 1990-03-21 1991-07-09 Thunderbird Technologies, Inc. High speed logic and memory family using ring segment buffer
US5321320A (en) * 1992-08-03 1994-06-14 Unisys Corporation ECL driver with adjustable rise and fall times, and method therefor
US7032146B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-18 International Business Machines Corporation Boundary scan apparatus and interconnect test method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3378783A (en) * 1965-12-13 1968-04-16 Rca Corp Optimized digital amplifier utilizing insulated-gate field-effect transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965464A (en) * 1988-10-14 1990-10-23 Siemens Aktiengesellschaft Power amplifier circuit for integrated digital circuits

Also Published As

Publication number Publication date
CA1081803A (en) 1980-07-15
JPS5285440A (en) 1977-07-15
FR2337464A1 (fr) 1977-07-29
GB1563358A (en) 1980-03-26
JPS583608B2 (ja) 1983-01-22
DE2649356C3 (de) 1980-02-28
IT1074186B (it) 1985-04-17
FR2337464B1 (de) 1979-09-21
DE2649356B2 (de) 1979-06-21
NL7614121A (nl) 1977-07-04
US4016431A (en) 1977-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2642431C2 (de)
DE68910711T2 (de) Zeitlich abweichende Ansteuerung zur Verwendung in integrierten Schaltungen.
EP0483537B1 (de) Stromquellenschaltung
DE69513185T2 (de) Hochsymmetrische bidirektionale Stromquelle
DE2551279C2 (de) Feldeffekttransistor-Verstärker
DE69118842T2 (de) Verstärkerschaltung
DE2541352C2 (de) Oszillator in C-MOS-Technologie
DE2853019A1 (de) Operationsverstaerker
EP0389846A2 (de) Spannungsvervielfacherschaltung
DE3120979A1 (de) Spannungsvergleicher
DE69128911T2 (de) Symmetrischer Kaskodenstromspiegel
DE3332751A1 (de) Frequenzkompensationsschaltung fuer komplementaere metalloxidhalbleiter-linearsignalverstaerker
DE19727796A1 (de) Differenzverstärker
DE2649356A1 (de) Signalverstaerker fuer integrierte schaltungen
DE102009033414B4 (de) Integrierter Schaltkreis mit einpoligem Eingang und differenziellem Ausgang, Verfahren und elektronische Vorrichtung
DE2643677C3 (de) Stromspiegelverstärker mit Feldeffekttransistoren
DE19982963B4 (de) Dynamische Vorspannungsschaltung, die eine frühe Spannungsklemmschaltung und translineare Techniken benutzt
DE2557165A1 (de) Decoderschaltung
DE112005000994T5 (de) Hochpassfilter, welcher isolierte Gate-Feldeffekttransistoren verwendet
DE69127050T2 (de) Abtast- und Halteschaltung
DE2919569C2 (de) Inverter-Pufferschaltung
DE69319454T2 (de) Verbesserung der Impulse auf einer Signalleitung von integrierten Schaltungen
DE3602551C2 (de) Operationsverstärker
DE10031521A1 (de) Integrierter Schaltkreis mit einem Analogverstärker
DE4213357C1 (en) Wideband power amplifier using parallel transistors - has input circuit between successive input line sections and respective transistors for distributing input load

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee