DE2610172A1 - Wellenfilter mit elastischer oberflaeche - Google Patents

Wellenfilter mit elastischer oberflaeche

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DE2610172A1
DE2610172A1 DE19762610172 DE2610172A DE2610172A1 DE 2610172 A1 DE2610172 A1 DE 2610172A1 DE 19762610172 DE19762610172 DE 19762610172 DE 2610172 A DE2610172 A DE 2610172A DE 2610172 A1 DE2610172 A1 DE 2610172A1
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elastic
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Hideharu Ieki
Atushi Inoue
Hideki Ishiyama
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

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Description

VON KREISLER SCHONWALD MEYtR EISHOLD FUES VON KREISLER KELLER SELTING
PATENTANWÄLTE
Anmelderin Dr.-Ing. von Kreisler f 1973
Dr.-Ing. K. Schönwald, Köln
Murata Manufacturing Co. Ltd. Dr.-Ing.Th.Meyer, Köln
1 6 , Nishi j in-chO , Kaiden , Dr.-Ing. K. W. Eishold, Bad Soden
Nagaokakyo-shi, Kyoto, Japan ^:\^^'!fC K ·, ....
Dipl.-Chem. Alek von Kreisler, Köln Dipl.-Chem. Carola Keller, Köln Dipl.-Ing. G. Setting, Köln
Sg-Is 5 KÖLN 1 10. März 1976
DEICHMANNHAUS AM HAUPTUAHNHOF
Wellenfilter mit elastischer Oberfläche
Die Erfindung betrifft ein Wellenfilter mit elastischer Oberfläche, mit einem im wesentlichen kubischen Gehäuse, welches eine Bodenwand, eine Deckelwand und zwei Paare einander gegenüberliegender Seitenwände aufweist, die sämtlich miteinander verbunden sind und einen Innenraum einschließen, und mit einem Substrat aus piezoelektrischem Material, das im Inneren des Gehäuses untergebracht ist und im wesentlichen parallel zur Deckelwand Und zur Bodenwand liegt, und das auf seiner zur Deckelwand gewandten einen Seite Umsetzersysteme trägt, von denen jeweils ein Umsetzersystem einer Stirnseite des Substrats zugewandt ist, wobei die Umsetzersysteme im Abstand voneinander liegen, jedoch piezoelektrisch über das Substrat miteinander gekoppelt sind.
Derartige Wellenfilter besitzen ein Substrat aus piezoelektrischem Material, das in ein Gehäuse eingepaßt ist und auf dessen einer Seite Umsetzersysteme angebracht
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sind, von denen jedes zwei ineinandergreifende kammförmige Leiterbahnen aufweist. Wenn an ein derartiges bekanntes Wellenfilter von einer geeigneten Signalquelle aus ein Eingangssignal an eines der Umsetzersysteme gelegt wird, wird ein periodisches elektrisches Feld erzeugt und das Eingangssignal wird in eine akustische Oberflächenwelle umgesetzt, die sich elastisch durch piezoelektrische Kopplung durch das piezoelektrische Substrat hindurch fortpflanzt. Diese akustische Oberflächenwelle wird von dem anderen Umsetzersystem erkannt und wieder in ein elektrisches Ausgangssignal umgesetzt, das einer externen Last zugeführt werden kann.
Es ist bekannt, daß der Fortbewegungsmodus der elastischen Oberflächenwellen durch das piezoelektrische Substrat einer der wichtigsten Faktoren ist, um dem Wellenfilter eine bestimmte Arbeitscharakteristik zu geben. Dies liegt daran, daß die durch das piezoelektrische Substrat wandernde Oberflächenwelle nicht immer nur eine Ausbreitungsrichtung hat, und daß ein Teil der Wellen vom Eingangsumsetzersystein zum Ausgangsumsetzersystem, ein anderer Teil aber vom Eingangsumsetzersystem in Gegenrichtung wandert. Die Oberflächenwelle, die vom Eingangsumsetzersystem in Gegenrichtung zum Ausgangsumsetzersystem wandert, wird wiederum von einer oder mehreren Flächen des piezoelektrischen Substrats reflektiert und die reflektierte Oberflächenwelle interferiert schließlich mit der Oberflächenwelle, die von dem Eingangsumsetzersystem zum Ausgangsumsetzersystem wandert. Solche Interferenzen sind unerwünscht und sollten vermieden werden.
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Zur Eliminierung oder Unterdrückung der reflektierten Oberflächenwelle, die mit der vom Eingangsumsetzersystem zum Ausgangsumsetzersystem wandernden Oberflächenwelle interferiert, ist es bekannt, einen elastischen Kleber auf das piezoelektrische Substrat an einer Stelle aufzutragen, an der er einen wesentlichen Teil der von dem Eingangsumsetzersystem in Gegenrichtung zum Ausgangsumsetzersystem wandernden Welle oder einen wesentlichen Teil der zum Mittelbereich des Substrats wandernden Welle, nachdem diese von einer oder mehreren Flächen des piezoelektrischen Substrats reflektiert worden ist, absorbiert.
Das Aufbringen von elastischem Kleber reicht so lange zur Dämpfung der reflektierten Oberflächenwelle aus, so lange der Kleber seine Elastizität beibehält. Eine Alterung des elastischen Klebers führt jedoch zu einer Reduzierung seiner Elastizität, d.h. zur Aushärtung des aufgetragenen Materials, so daß sich die Arbeitscharakteristik des Filters über seine Lebensdauer verändert.
Ferner sind die herkömmlichen Wellenfilter mit akustischer Oberflächenübertragung so konstruiert, daß das piezoelektrische Substrat direkt von und in dem Gehäuse gehalten wird. Daher ist das Substrat im Falle eines auftretenden Stoßes der Gefahr von Zerstörungen oder unerwünschten Verschiebungen ausgesetzt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Wellenfilter mit Umsetzern aus kammförmigen ineinandergreifenden Elektroden zu schaffen, bei dem das piezoelektrische Substrat innerhalb des Gehäuses durch mindestens zwei elastische Ab-
Stützungen aus Kautschukmaterial fest, jedoch federnd in dem Gehäuse gehalten wird, so daß die Schwingungsund Stoßanfälligkeit der bekannten Filter ausgeschaltet wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß erste und zweite Stützteile aus Kautschukmaterial zum gleichbleibenden Abstützen des Substrats im Inneren der Kammer angeordnet sind, daß die Stützteile derart ausgebildet und angeordnet sind, daß sie einen auf das Filtergehäuse einwirkenden externen Stoß weitgehend absorbieren und dämpfend auf bellen einwirken, die während des Betriebs der Umsetzersysterne in
dem Substrat fortschreiten, und daß jeweils eine Abstützung zwischen dem Eingangsumsetzersystem und der dem Eingangsumsetzersystem benachbarten Stirnwand angeordnet ist, während eine zweite Abstützung zwischen dem Ausgangsumsetzersystem und der dem Ausgangsumsetzersystem benachbarten Stirnwand des Substrats angeordnet ist, wobei die Abstützungen jeweils der Laufrichtung der reflektierten Oberflächenwellen zugewandt sind.
Bei dem erfindungsgemäßen Wellenfilter dienen die Abstützungen nicht nur als Instrumente zum Absorbieren
der reflektierten Oberflächenwellen, sondern auch als Dämpfungsglieder, die verhindern, daß das piezoelektrische Substrat externe Stöße aufnimmt, die beispielsweise auf das Gehäuse während des Transports des Wellenfilters
von einer Stelle zur anderen ausgeübt werden können. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß das Substrat in dem Gehäuse auf einfache Weise montiert werden kann, ohne daß es besonderer Erfahrungen hinsichtlich der Montage von
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Filtern bedürfte.
Die Besonderheit des erfindungsgemäßen Filters liegt darin, daß das Substrat an zwei Stellen elastisch eingespannt ist und normalerweise mit dem Gehäuse nicht unmittelbar in Berührung kommt. Die Abstützungen greifen so an dem Substrat an, daß sie zugleich als wirksame Dämpfungsglxeder für die unerwünschten Reflektionswellen wirken und entweder deren Entstehung überhaupt verhindern oder die bereits reflektierten Wellen stark bedampfen.
Ferner wirken die erste und die zweite Abstützung, da sie elastisch sind, nicht nur zum Abstützen des piezoelektrischen Substrats in seiner Stellung im Gehäuse, sondern auch als Kissen zur Absorbierung externer Stöße, die auf das Filter einwirken können.
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Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die Figuren einige Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Explosionsdarstellung eines Wellenfilters mit elastischer Oberflächenleitung nach der Erfindung,
Fig. 2 zeigt einen Längsschnitt durch das Wellenfilter der Fig. 1 in geringfügig vergrößertem Maßstab,
Fig. 3 zeigt eine Explosionsdarstellung einer weiteren Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 4 zeigt einen Längsschnitt durch das Wellenfilter der Fig. 3,
Fig. 5 und 6 zeigen Schnittdarstellungen ähnlich derjenigen der Fig. 4 bei entferntem Gehäuse zur Verdeutlichung verschiedener Modifizierungen des Wellenfilters,
Fig. 7 zeigt eine Explosionsdarstellung eines Wellenfilters mit elastischer Oberflächenleitung nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 8 zeigt einen Längsschnitt des Wellenfilters nach Fig. 7,
Fig. 9 zeigt in Explosionsdarstellung ein Wellenfilter mit elastischer Oberflächenleitung nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 10 zeigt einen Längsschnitt des Wellenfilters nach
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Fig. 9, und
Fig. 11 zeigt einen Längsschnitt eines Wellenfilters mit elastischer Oberflächenleitung nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
Bevor mit der Beschreibung der einzelnen Ausführungsbeispiele begonnen wird, sei darauf hingewiesen, daß gleiche Teile durchgehend mit denselben Bezugszeichen versehen sind.
In den Fig. 1 und 2 ist ein Filtergehäuse, das aus elektrisch isolierendem Material besteht, generell mit C bezeichnet. Das Filtergehäuse besitzt eine Deckelwand C1 und eine Bodenwand C2 sowie paarweise einander gegenüberliegende Seitenwände C3, C 4 und C5, C6, die insgesamt den Innenraum 10 bilden. In dem dargestellten Fall sind die oberen Ränder der einzelnen Seiten- und Stirnwände C3, C4, C5 und C6 dem Rand der viereckigen Deckelwand C1 einstückig angeformt, so daß ein behälterförmiger Deckel gebildet wird, während die Bodenwand C2 etwa bis zur Hälfte in den behälterförmigen Deckel einschiebbar ist und dort festgehalten wird, um die untere öffnung des behälterförmigen Deckels zu verschließen, wie man am besten aus Fig. 2 ersieht.
Auf der Oberseite eines Substrats S aus piezoelektrischem Material von im wesentlichen rechteckiger plattenförmiger Form sind zwei im Abstand voneinander angeordnete ineinandergreifende kammförmige Eingangs- und Ausgangsumsetzerelektroden E1 und E2 in bekannter Weise angebracht. Jede dieser Umsetzerelektroden E1 und E2 besitzt zwei kamm-
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förmige Elektrodenreihen. Die leitfähigen Elemente der einen Elektrodenreihe greifen zwischen die leitfähigen Elemente der anderen Elektrodenreihe. Die Eingangsumsetzerelektrode E1 ist an eine elektrische Signalquelle anschließbar, während die Ausgangsumsetzerelektrode E2 an eine Lastschaltung angeschlossen werden kann. Zu diesem Zweck ist die Bodenwand C2 mit Anschlußstifen 11, 12, 13 und 14 versehen, die sich unbeweglich durch den jeweiligen Eckbereich hindurch erstrecken. Mit den Anschlußstiften 11 bis 14 werden die Elektrodenreihen der Eingangs-und Ausgangsumsetzerelektroden E1 und E2 über Anschlußdrähte verbunden, von denen zwei in Fig. 2 dargestellt und mit 15 und 16 bezeichnet sind.
Das Substrat S wird innerhalb des Innenraumes 10 im wesentlichen parallel zu der Deckelwand C1 und der Bodenwand C2 mit Abstand von den Seitenwänden C5 und C6 gehalten. Zu diesem Zweck sind zwei im Abstand voneinander angeordnete elastische Stützen 17 und 18 vorgesehen, die aus synthetischem oder natürlichem Kautschuk bestehen, vorzugsweise aus Siliconkautschuk. An diesen blockartigen elastischen Stützen 17 und 18 sind jeweils Schlitze 17a und 18a angebracht. Jeder der Schlitze 17a und 18a entspricht in seiner Größe der Querschnittsfläche des Substrats S entlang dessen Breite.Das Substrat S wird von diesen Stützen 17 und 18 gehalten, wobei seine Stirnbereiche durch die Schlitze 17a bzw. 18a hindurchragen.
Wie oben erläutert, hat die elastische Oberflächenwelle, die von der Eingangsumsetzerelektrode E1 bei Anlegen eines elektrischen Signals von der (nicht dargestellten)
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Signalquelle angetrieben wird, das Bestreben, zum Teil in Richtung zur Ausgangsumsetzerelektrode E2 zu wandern und sich zu einem anderen Teil in Richtung auf die Stirnfläche Sa des Substrats in Gegenrichtung zur Ausgangsumsetzerelektrode E2 zu bewegen. Derjenige Teil der elastischen Oberflächenwelle, der zur Stirnseite Sa des Substrats S wandert, wird, nachdem er auf die Stirnfläche Sa aufgeprallt ist, zurück zur Eingangsumsetzerelektrode E1 reflektiert und bildet dabei Interferenzen mit demjenigen Teil der elastischen Oberflächenwelle, die von der Eingangsumsetzerelektrode E1 direkt zur Ausgangsumsetzerelektrode E2 wandert. Das gleiche Phänomen tritt bei der elastischen Oberflächenwelle auf, die an der Ausgangsumsetzerelektrode E2 vorbei läuft und an der gegenüberliegenden Stirnseite Sb reflektiert wird.
Da eine derartige Oberflächenwelleninterferenz unerwünscht ist und vermieden werden sollte, sind die elastischen Stützen 17 und 18 so auf dem Substrat S zwischen der Stirnfläche Sa und der Eingangsumsetzerelektrode E1 und zwischen der Stirnfläche Sb und der Ausgangsumsetzerelektrode E2 angebracht, daß in diesen Bereichen die Oberflächenwellen, die zu einer der Stirnflächen Sa und Sb des Substrats laufen, bzw. von diesen Stirnflächen reflektiert werden, unterdrückt werden.
Zur Vermeidung möglicher Verschiebungen der Stützen 17 und 18 gegenüber dem Substrat S ist bei 19 und 20 jeweils ein Kunstharzkleber an den Stellen aufgebracht, wo die genannten Anteile der von den Stirnflächen Sa bzw. Sb reflektierten Oberflächenwelle auftreten.
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Auf der Bodenwand C2 ist ein elastisches Kissen 21 befestigt, das den Raum zwischen dem Substrat S und der Bodenwand C2 und zwischen den Stützen 17 und 18 ausfüllt. Dieses Kissen 21 kann vor der Montage des Substrats S mit den Blöcken 17 und 18 an der Bodenwand C2 leicht befestigt werden. Das Kissen 21 besteht ebenfalls aus synthetischem oder künstlichem Kautschuk, vorzugsweise aus demselben Material wie die elastischen Stützen 17 und 18. Das Kissen 21 ist nicht in jedem Falle notwendig, jedoch wird seine Anbringung im Hinblick auf die Tatsache empfohlen, daß das Kissen 21 zusammen mit den elastischen Stützen 17 und 18 eine bessere Dämpfung externer Stöße bewirkt, die auf das Substrat S beispielsweise während des Transports der Filtereinrichtung von einer Stelle zur anderen auftreten könnten. Jedenfalls ist die Dämpfung mit Kissen 21 besser als eine Dämpfung die ausschließlich durch die Stützblöcke 17 und 18 bewirkt wird.
Nachdem das Filter in der in Fig. 2 dargestellten Weise montiert ist, wird eine beträchtliche Schicht aus Kunstharz 22 auf die Außenfläche der Bodenwand C2 aufgetragen, um den Innenraum 10 hermetisch abzudichten. Es sei darauf hingewiesen, daß vor Aufbringung der Kunstharzschicht ein Inertgas in den Innenraum 10 des Gehäuses C eingeleitet werden kann.
Bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform der Fig. 1 und 2 wird' das Substrat S im Inneren des Raumes 10 durch separate und unabhängige Stützen, die mit 17, 18 und 21 bezeichnet sind, in Position gehalten. Bei der nachfolgend zu beschreibenden Ausführungsform der Fig. 3 und 4
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sind diese Stützen dem einzigen verwendeten Stützteil einstückig angeformt.
Nach den Fig. 3 und 4 besteht das Stützteil 30 aus synthetischem oder natürlichem Kautschuk, vorzugsweise aus Siliconkautschuk und besitzt einen Basisteil 30a, von dem zwei senkrechte Wände 30b und 3Od an zwei entgegengesetzten Kanten rechtwinklig abstehen. Von den Teilen 30b und 3Od stehen wiederum Wandteile 30c und 3Oe rechtwinklig ab. Die Wandteile liegen parallel zum Basisteil 30a und bilden Überhangteile. Der Abstand der überhangteile 30c und 3Oe vom Basisteil 30af d.h. die Höhe der aufrechten Bereiche 30b und 3Od ist so gewählt, daß die entsprechende Stirnseite des Substrats S leicht zwischen den Überhangteilen 30c bzw. 3Oe und dem Basisteil 30a eingeklemmt werden kann, wobei die Oberfläche des Substrats fest gegen den Basisteil 30a gedrückt wird, wie man am besten aus Fig. 4 ersieht.
Die soweit beschriebene Einrichtung ist im Inneren der Kammer 10 des Gehäuses C montiert, wobei das Basisteil 30a fest an der Bodenwand C2 angebracht ist.
Das Basisteil 30a kann, wie Fig. 5 zeigt, eine oder mehrere Rippen 31 aufweisen, die von einer derjenigen Flächen abstehen, die in Kontakt mit dem Substrat S stehen. Das Substrat S besitzt entsprechende Rillen oder Nuten 32, die den Rippen 31 in Form und Größe angepaßt sind.
Ferner kann das Substrat S an seinen Kanten nach außen abgerundet sein, wie Fig. 6 zeigt. In diesem Falle müssen
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die aufrechtstehenden Teile 30b und 3Od entsprechende Nuten 33 und 34 aufweisen, deren Form zu derjenigen der abgerundeten Kanten des Substrats S komplementär ist, so daß die abgerundeten Kanten des Substrats S in die Nuten eingesetzt werden können.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 7 und 8 ist eine elastische Halterung vorgesehen, die das Substrat S innerhalb der Kammer 10 des Gehäuses C in Position hält. Die Halterung besteht aus einem Auflagekissen 40, dessen Länge größer ist als die Länge des Substrats S und das aus synthetischem oder natürlichem Kautschuk besteht, vorzugsweise aus Siliconkautschuk, und zwei einander gegenüberliegenden elastischen Stützblöcken 41 und 42, die ebenfalls aus synthetischem oder natürlichem Kautschuk, vorzugsweise aus Siliconkautschuk, bestehen. Wie man am besten aus Fig. 8 ersieht, wird das Substrat S im Inneren der Kammer 10 derart in Position gehalten, daß seine einander abgewandten Randteile elastisch zwischen dem Kissen 40 und den elastischen Stützblöcken und 42 eingespannt sind, während das Substrat S flach gegen das Kissen 40 gedrückt wird.
Das Gehäuse C kann bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. und 8 die gleiche Konstruktion haben wie bei einer der vorhergehenden Ausführungsformen der Fig. 1 und 2 und der Fig. 3 und 4. Zur Erleichterung des Zusammenbaus des Filters besteht das Gehäuse C aus einem Behälter C10, dessen Größe zur Unterbringung des Kissens 40 ausreicht, und einem Deckelteil C11, der in Form und Größe dem Behälter C10 ähnlich ist, wie Fig. 7 zeigt. Während das Kissen 40 in dem Behälter C10 untergebracht ist, werden
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die Stützblöcke 41 und 42 fest in dem Deckelteil C11 unmittelbar oberhalb der einander gegenüberliegenden Stirnseiten des auf dem Kissen 40 aufliegenden Substrats S untergebracht.
Bei der Ausführungsform nach den Fig. 9 und 10 enthält die Stützvorrichtung für das Substrat S zwei einander gegenüberliegende elastische Stützteile 50 und 51 aus synthetischem oder natürlichem Kautschuk, vorzugsweise aus Siliconkautschuk. Jedes der elastischen Stützteile 50 und 51 besitzt eine im wesentlichen V-fcrmige Nut 50a bzw. 50b zur Aufnahme des entsprechenden Stirnbereichs des Substrats S, wie nachfolgend noch näher erläutert wird. Ferner ist jedes elastische Stützteil mit einem Kleber fest an der entsprechenden Stirnwand des Gehäuses C befestigt.
Aus Fig. 9 und 10 ersieht man, daß die Stirnwände konkav nach außen gekrümmt sind, um Raum für die Aufnahme der zugehörigen elastischen Stützteile 50 und 51 zu schaffen, wobei die Nuten 50a und 50b einander zugewandt sind.
Bei der Herstellung des Filters nach Fig. 9 und 10 werden die Stützteile 50 und 51, nachdem sie an den konkav nach außen gekrümmten Stirnwänden C5' bzw. C61 angebracht worden sind, an dem Substrat S befestigt, wobei die in entgegengesetzte Richtungen weisenden Enden dieses Substrats in die zugehörigen Nuten 50a und 51a der jeweiligen Stützteile 50 und 51 eingedrückt werden. Danach werden die Deckelwand C1 und die Bodenwand C2 an den Stirnwänden C51 und C61 befestigt.
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Bei der Ausführungsform nach den Fig. 9 und 10 kann zusätzlich ein Kissen angebracht werden, das funktionell und strukturell die gleichen Eigenschaften hat wie das Kissen 21, das in Verbindung mit dem Ausführungsbexspiel der Fig. 1 und 2 erläutert wurde. Dieses Kissen kann erforderlichenfalls auf der Bodenwand C2 und unmittelbar unter dem Substrat S angebracht werden.
Das Gehäuse C kann aus wärmehärtbarem Kunstharz bestehen. Bei dem Ausführungsbexspiel nach Fig. 11 ist ein derartiges wärmehärtbares Material für das Gehäuse C verwandt worden. Vor dem Aushärten des Kunstharzes bzw. dem Schließen des Gehäuses C werden elastische Stützteile 60 und 61,von denen jedes einen aufrechten Teil 60a oder 61a und ein überhangteil GOb oder 61b aufweist, an den einander gegenüberliegenden Enden des Substrats S in der Weise befestigt, daß die aufrechten Teile die betreffenden Stirnflächen Sa und Sb des Substrats S berühren, während die Überhangteile 60b und 61b über die an die Stirnflächen Sa und Sb des Substrats S angrenzenden Randbereiche überhängen. Bei der Montage wird nach dem Aufbringen einer Deckelplatte 62 aus elektrisch isolierendem Material oberhalb der die Elektroden tragenden Seite des Substrats S auf die überhangteile 60b und 61b, so daß der zwischen ihnen gebildete Bereich überbrückt wird, ein wärmehärtendes Kunstharz um die gesamte Baugruppe herumgelegt und anschließend zum Aushärten gebracht, so daß das Gehäuse C fertig ist.
Aus der vorhergehenden Beschreibung wird klar, daß das Substrat aus piezoelektrischem Material, z.B. einem der Bariumtitanat enthaltenden Keramikmaterialien, voll-
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ständig und wirksam gegen externe Stöße geschützt ist,
die anderenfalls Verschiebungen oder Zerstörungen innerhalb der geschlossenen Kammer des Gehäuses hervorrufen
könnten, und andererseits, daß ungewollterwexse reflektierte Oberflächenwellen ausreichend und wirksam unterdrückt werden.
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Claims (9)

  1. Ansprüche
    ( 1 .JWellenfilter mit elastischer Oberfläche, mit einem im wesentlichen kubischen Gehäuse, welches eine Bodenwand, eine Deckelwand und zwei Paare einander gegenüberliegender Seitenwände aufweist, die sämtlich miteinander verbunden sind und einen Innenraum einschließen, und mit einem Substrat aus piezoelektrischem Material, das im Inneren des Gehäuses untergebracht ist und im wesentlichen parallel zur Deckelwand und zur Bodenwand liegt, und das auf seiner zur Deckelwand gewandten einen Seite Umsetzersysteme trägt, von denen jeweils ein Umsetzersystem einer Stirnseite des Substrats zugewandt ist, wobei die Umsetzersysteme im Abstand voneinander liegen, jedoch piezoelektrisch über das Substrat miteinander gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet , daß erste und zweite Stützteile (17, 18; 30b, 3Od; 41, 42; 50, 51; 60, 61) aus Kautschukmaterial zum gleichbleibenden Abstützen des Substrats (S) im Inneren der Kammer angeordnet sind, daß die Stützteile derart ausgebildet und angeordnet sind, daß sie einen auf das Filtergehäuse einwirkenden externen Stoß weitgehend absorbieren und dämpfend auf Wellen einwirken, die während des Betriebs der Umsetzersysteme (E1, E2) in dem Substrat (S) fortschreiten, und daß jeweils eine Abstützung zwischen dem Eingangsumsetzersystem (E1) und der dem Eingangsumsetzersystem benachbarten Stirnwand angeordnet ist, während eine zweite Abstützung zwischen dem Ausgangsumsetzersystem (E2) und der dem Ausgangsumsetzersysten benachbarten Stirnwand des Substrats angeordnet ist, wobei die Abstützungen jeweils der Laufrichtung der reflektierten Oberflächenwellen zugewandt ist.
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  2. 2. Wellenfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , da8 zwischen den beiden Abstützungen eine dritte Abstützung (21, 30a, 40) angeordnet ist, die zwischen der Unterseite des Substrats (S) und der Bodenwand (C2) angeordnet ist.
  3. 3. Wellenfilter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite elastische Abstützung (17, 18) als blockförmige Teile mit durchgehenden Schlitzen ausgebildet sind, daß das Substrat (S) mit zwei einander entgegengesetzten Stirnseiten durch jeweils einen Schlitz der Abstützungen (17, 18) hindurchgesteckt ist, so daß jede der Abstützungen (17, 18) zwischen einem der Umsetzersysteme (E1, E2) und der jeweiligen Stirnseite des Substrats (S) angeordnet ist, und daß zwischen den elastischen Abstützungen (17, 18) eine dritte plattenförmige Abstützung (21) vorgesehen ist.
  4. 4. Wellenfilter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite Abstützung (17, 18) mit einem in den Winkelbereich zwischen dem Substrat und der jeweiligen Abstützung (17, 18)eingegebenen Kleber (20) fest mit dem Substrat verbunden ist, wobei der Kleber an der der nächstliegenden Stirnseite des Substrats zugewandten Seite aufgetragen ist.
  5. 5. Wellenfilter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und die zweite elastische Abstützung (30b, 3Od) aus invertierten L-förmigen Teilen besteht, die jeweils einen aufrechten Schenkel und einen einstückig damit hergestellten überhängenden
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    Schenkel (30c, 3Oe) aufweisen, daß eine dritte elastische Abstützung in Form einer Platte (30a) vorgesehen ist, an deren einander entgegengesetzten Stirnseiten die aufrechten Schenkel (30b, 3Od) angebracht sind, und daß das Substrat (S) derart abgestützt ist, daß seine einander entgegengesetzten Stirnseiten von den überhängenden Schenkeln (30c, 3Oe) übergriffen werden, während das Substrat (S) mit seiner Unterseite flach an dem drittenStützteil (30a)anliegt.
  6. 6. Wellenfilter nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet , daß an der Unterseite des Substrats (S) mehrere parallele Nuten (32) angebracht sind, und daß das dritte Stützteil Vorsprünge oder Rippen (31) aufweist, die in die Nuten eingreifen.
  7. 7. Wellenfilter nach Anspruch 2 oder den folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte elastische Abstützung aus einem im wesentlichen plattenförmigen Stützteil aus Kautschukmaterial besteht, an dem das Substrat (S) mit seiner Rückseite flach anliegt, und daß die Stirnseiten des Substrats (S) zwischen der ersten bzw. zweiten Abstützung (41, 42) und dem Stützteil (40) sandwichartig eingespannt ist.
  8. 8. Wellenfilter nach einem dor Ansprüche T bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnseiten (C5', C6f) des Gehäuses nach außen gewölbt sind, daß die erste und die zweite Abstützung (50, 51) den von den nach außen gekrümmten Stirnseiten gebildeten konkaven Räumen angepaßt sind, und daß die erste und die zweite Abstützung (50, 51) im wesentlichen V-
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    förmige Nuten (50a, 51a) aufweisen, in die die Stirnseiten des Substrats (S) eingedrückt sind.
  9. 9. Wellenfilter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite elastische Abstützung (60, 61) aus invertierten L-förmigen Teilen bestehen, deren aufrechte Schenkel seitliche Einfassungen für das Substrat (S) bilden und deren überhängende Schenkel (60b, 61b), die die Umsetzer (E1, E2) tragende Fläche des Substrats an ihren Rändern übergreifen, daß die aufrechten Schenkel (60a, 61a) der ersten und der zweiten Abstützung den Raum zwischen dem Substrat (S) und den angrenzenden Gehäusewänden vollständig füllen, daß auf den überhängenden Schenkeln (60b, 61b) eine Deckelplatte (62) im Abstand von der Oberseite des Substrats (S) oberhalb der Umsetzersysteme angeordnet ist, und daß das Gehäuse (C) aus einem wärmehärtenden Kunstharz besteht und sämtliche Bauteile hermetisch umschließt.
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DE2610172A 1975-03-12 1976-03-11 Filter auf der Basis der akustischen Oberflächenwellen Expired DE2610172C3 (de)

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