DE2607045A1 - Elektronische baugruppe - Google Patents
Elektronische baugruppeInfo
- Publication number
- DE2607045A1 DE2607045A1 DE19762607045 DE2607045A DE2607045A1 DE 2607045 A1 DE2607045 A1 DE 2607045A1 DE 19762607045 DE19762607045 DE 19762607045 DE 2607045 A DE2607045 A DE 2607045A DE 2607045 A1 DE2607045 A1 DE 2607045A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- amplifier
- voltage
- input
- supply voltage
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000036316 preload Effects 0.000 claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 abstract 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/354—Astable circuits
- H03K3/3545—Stabilisation of output, e.g. using crystal
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C3/00—Electromechanical clocks or watches independent of other time-pieces and in which the movement is maintained by electric means
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/04—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses
- G04F5/06—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses using piezoelectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/307—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in push-pull amplifiers
- H03F1/308—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in push-pull amplifiers using MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Surgical Instruments (AREA)
- Control Of Stepping Motors (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
Description
y b tJ V I)
ALTE
SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS
SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS
MÜNCHEN SO, MARIAHILFPLATZ 2&3 POSTADRESSE: D-8 MÜNCHEN 95, POSTFACH Dö O1 6O
Hitachi j Ltd.
DA«12031 20' Februar 1976
Elektronische Baugruppe
Die Erfindung betrifft eine einen Verstärker enthaltende elektronische Baugruppe mit mindestens einem Feldeffekttransistor
mit isolierter Steuerelektrode als Verstärkerelement, mit Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, einem Versorgungssparmungsanschluss,
einem Masseanschluss und einem Vorspannungswiderstand zwischen dem Eingangsanschluss und
dem Ausgangsanschluss.
Ein gebräuchlicher Komplementäreszillator für elektronisch
gesteuerte Uhren enthält einen aus komplementären Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode (MISFET)
aufgebauten Verstärker, bei dem ein Vorspannungswiderstand
zwischen dem Eingang und dem Ausgang eines komplementären Wechselrichters mit einem n-Kanal-MISFET und einem p-Kanal-MISFET
liegt. Ein positiver Rückkopplungskreis mit einem Quarzschwinger und zwei Kondensatoren liegt zwischen dem
Eingang und dem Ausgang des Verstärkers. Einer dieser beiden Kondensatoren liegt auf der Eingangsseite des Verstärkers,
während der andere auf der Ausgangsseite des Verstärkers angeordnet ist. Die am Ausgang des Oszillators auftretende
Frequenz wird über einen Wellenformer auf einen Frequenzteiler gegeben. In Verbindung mit einer Steuerschaltung erzeugt
609837/0964
ORIGINAL INSPECTED
y 6 0 7 (j 4h
der Frequenzteiler ein Taktsignal, das einem Treiber aufgeprägt wird, der seinerseits einen Impulsmotor treibt.
Die Versorgungsspannung für den Verstärker, den Wellenformer und den Treiber wird geb3räuchlicherweise einer Batterie
entnommen.
Bei der zuvor beschriebenen gebräuchlichen Schaltung fliesst ein relativ grosser Antriebsstrom über den Impulsmotor, so
dass die Batterie bald erschöpft ist und einen starken Spannungsilbfall zeigt, und zwar insbesondere bei tiefen
Temperaturen, bei denen der Innenwiderstand besonders gross ist. Durch einen solchen Spannungsabfall wird jedoch der
Vorspannungspunkt des Verstärkers in unerwünschter Weise verschoben, da der am Eingang des Verstärkers liegende
Kondensator einen spürbaren Speichereffekt ausübt. Dies hat eine Drift der Ausgangsfrequenz zur Folge.
Das Problem der Verschiebung dos Vorspannungspunktes durch
eine Veränderung der Speisespannung tritt auch bei MISFET-Verstärkern auf, da an der Eingangsseite des Verstärkers
zwangsläufig parasitäre Kapazitäten auftreten, beispielsweise Steuerbreichskapazitäten oder elektrostatische Kapazitäten
zwischen den Leiterbahnen.
Ein Ziel der Erfindung ist daher die Unterdrückung einer Drift des Vorspannungspunktes in MISFET-Verstärkern aufgrund
einer Veränderung der Speisespannung.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Stabilisierung eines Oszillatorausgangssignals gegen Veränderungen der Speisespannung
von Oszillatoren mit MISFET-Verstärkern.
Aufgabe der Erfindung ist also die Schaffung einer elektronischen Baugruppe oder eines elektronischen Bauelementes,
das einen MISFET-Verstärker enthält und ein weitgehend
609837/OnfiA
ORiGiN INSPECTS)
speisespannungsunabhängiges Äusgangssignal liefern kann.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird eine Baugruppe der eingangs
genannten Art vorgeschlagen, die gekennzeichnet ist durch ein erstes und ein zweites kapazitives Element, das in
Reihe zwischen dem Versorgungsspannungsanschluss und dem Masseanschluss liegt und durch eine Teilspannung der Versorgungsspannung,
die durch die beiden kapazitiven Elemente bestimmt ist und gleich einer Vorspannung eingestellt ist,
dia ihrerseits durch den Vorspannungswiderstand bestimmt ist,
wobei diese Teilspannung auf den Eingongsanschluss geschaltet ist.
Die Erfindung schafft also eine elektronische Baugruppe, beispielsweise einen MISFET-Oszillator oder eine MISPET-Verstärkerschaltung,
in der mindestens ein MISPET als Verstärkungselement geschaltet ist. Zwischen Eingang und
Ausgang der Baugruppe liegt ein Vorspannungswiderstand. Eine Teilspannung einer Versorgungsspannung wird durch
eingangsseitige Kapazitäten zur Verfügung gestellt. Diese Teilspannung ist dabei so gewählt bzw. eingestellt, dass
sie gleich einer Vorspannung ist, die ihrerseits durch den Vorspannungswiderstand erstellt wird. Speisespannungsschwankungen
können dadurch nicht mehr auf die Baugruppe durchgreifen.
Die Erfindung beruht also auf dem Prinzip der kapazitiven Erzeugung einer Teilspannung der am Eingang auftretenden
Versorgungsspannung, wobei diese Teilspannung gleich einer über einen Vorspannungswiderstand auftretenden Vorspannung
gesetzt wird.
Die Erfindung ist im folgenden anhand von Aüsführungsbeispielen
in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
ORIGINAL INSPECTED
Ü0Ö8 3 7/09RA
Fig. 1 eine MISFET-Komplementärschaltung für
Uhren nach dem Stand der Technik?
Fig. 2 in graphischer Darstellung das
Übergangsverhalten der Baugruppe zur Erläuterung einer Methode zur Bestimmung
der Vorspannung;
Fig. 3 einen MISFET-Kornplementär-Oszillator
mit der Verkörperung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 4 eine MISFET-Komplementärschaltung unter
Verblendung des in Fig. 3 gezeigten Oszillators für eine Uhr, insbesondere
eine Armbanduhr;
Fig. 5 einen komplementären MISFET-Verstärker
mit einer Verkörperung der Erfindung;
Fig. 6 einen weiteren MISFET-Verstärker, in
dem die Erfindung realisiert ist, und
Fig. 7 eine Übergangskennlinie zur Erläuterung
eines Verfahrens zur Bestimmung der Vorspannung in der in Fig. 6 gezeigten
Schaltung.
In der Fig, 1 ist ein gebräuchliches elektronisches Uhrwerk
auf der Basis einer komplementären MISFET-Schaltung gezeigt. Der Oszillator 1 bildet den Hauptbestandteil des Uhrwerks
und enthält einen komplementären MISFET-Verstärker, bei dem ein Vorspannungswiderstand RF zwischen dem Eingang und dem
Ausgang eines komplementären Wechselrichters liegt, der einen n-Kanal-MISFET QN1 und einen p-Kanal-MISFET QP1
enthält. Zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Verstärkers
0 9837/09 B A .,«.-
ORIGINAL INSPE
liegt eine positive Rückkopplung, die einen Quarzschwinger QO
und Kondensatoren CD und CG enthält. Am Ausgang des Verstärkers liegt ein Widerstand RD, der der Begrenz\mg des
Ausgangsstroms dient. Dadurch wird der Leistungsabfall vermindert und v/erden Ausgangsstromnchv.'ankungen absorbiert.
Solche Ausgangsstromschwankungen können verschiedene Ursachen haben, · beispielsweise auf eine Speisespannungsdrift zurückzuführen
sein.
Die am Ausgang des Oszillators 1 auftretende Frequenz wird auf einen ersten Eingang eines Spannungsteilers 3 gegeben,
und zwar über einen komplementären Wechselrichter 2, der
als Wellenformer wirkt. Der Wechselrichter enthält einen n-Kanal-MISFET QN2 und einen p-Kanal-MISFET QP2. Das
am Ausgang des Wechselrichters 2 auftretende geformte Wellensignal
wird gleichzeitig über einen Inverter auf einen zweiten Eingang des Frequenzteilers 3 gegeben« Dem Frequenzteiler
ist eine Steuerschaltung 4 nachgeschaltet. Die Steuer sch eil tun g
weist zwei Ausgänge auf, die alternierend je Sekunde einen Impuls führen. Dieses Impulssignal treibt einen Impulsmotor M,
dem Treiber vorgeschaltet sind. Der Treiber 5 enthält einen komplementären Wechselrichter aus einem n-Kanal-MISFET QN3
und einem p-Kanal-MISFET QP3. Der Treiber 5' enthält
ebenfalls einen komplementären Viechseirichter, der ebenfalls aus einem n-Kanal-MISFET QN4 und einem p-Kanal-MISFET
QP4 besteht.
Bei der zuvor beschriebenen MISFET-Baugruppe fliesst ein
relativ grosser Strom über den Impulsmotor M, wenn dieser angetrieben wird. Das führt zu einer raschen Erschöpfung
der Batterie E oder zu einem starken Spannungsabfall in der Batterie E bei tiefen Temperaturen aufgrund des hohen
Innenwiderstandes r.
Der Speisespannungsabfall verursacht in der in Fig. 1 gezeigten
6 0 9 8 3 7 / 0 0 ß Α
2607HAb
Baugruppe folgende Probleme: In dem Verstärker des Oszillators liegt ein Vorspannungspunkt A des Verstärkers auf der
übergangskermlinie 1 des Verstärkers, wobei dieser Punkt
als der Punkt auf der Übergangskennlinie definiert ist, in dem die' Eingangssparmurig gleich der Ausgangsspannung ist
(Fig. 2). Dies ist darauf zurückzuführen, dass der Eingang und der Ausgang des Verstärkers gleichspannungsartig auf demselben
Potential liegen. Wenn in diesem Zustand der Wert der Speisespannung abrupt von -VDD auf -VDD abfällt, verschiebt
sich die Übergangskennlinie des Verstärkers nach Massgabe des Speisespannungsabfalls und entspricht beispielsweise
der in Fig. 2 gezeigten Kennlinie I1. Dagegen wird
aber die über den Vorspannungswiderstand RF auftretende und aufrechterhatene Vorspannung auf dem vorherigen Pegel im
Punkt A gehalten, und zwar aufgrund der Speicherwirkung des Kondensators CG, der auf der Eingangsseite des Verstärkers
liegt. Die Vorspannung liegt daher mit ihrem Absolutwert zu ho-ch gegenüber dem neuen logischen Schwellenpegel
des Verstärkers, so dass der n-Kanal-MISFET QN1 bis dicht an seinen Löschzustand heran abfällt. Der Pegel des
Ausgangssignals nähert sich dadurch dem Massepgel, was schliesslich dazu führt, dass die Ausgangsfrequenz vom
Normal abweicht und unbrauchbar ist. Die Vorspannung läuft dann selbstverständlich auf den Sollpunkt A1 auf der neuen
Übergangskennlinie 1'. herab, wobei diese Verzögerungszeitspanne der Vorspannungseinstellung durch den Wert des
Vo irspannun gswider s tan des RF bestimmt ist.
Durch die bei Spannungsdrift in der zuvor beschriebenen Weise bei angetriebenem Impulsmotor auftretende temporäre
Vorspannungsdrift wird eine Nacheilung des Uhrwerks ausgelöst.
Das gleiche Problem der Verschiebung der Vorspannung bei Speisespannungsdrift tritt auch in MISFET-Verstärkern ganz
609837/OOßA original inspected
2607ΠΑ5
allgemein auf, insbesondere wenn diese in integrierter Halbleiterbauweise hergestellt sind. Für diese Drift des
Vorspannungspunktes sind vor allem parasitäre Kapazitäten verantwortlich, beispielsweise Steuerbereichskapazitäten
oder Kapazitäten zwischen den Leiterbahnen. Solche Kapazitäten sind insbesondere eingangsseitig an solchen Verstärkern
nicht vermeidbar.
Diese Nachteile werden durch die Erfindung behoben, die
anhand der in den Figuren 3 bis 7 gezeigten Ausführungsbeispiele
näher erläutert ist.
•In der Fig. 3 ist ein komplementärer MISFET-Oszillator
gezeigt. Der Schwingkreis besteht aus einem komplementären MISFET-Verstärker, in dem ein Vorspannungswiderstand RF
zwischen dem Eingangsanschluss und äe.ra /vusgangsanschluss
eines Wechselrichters liegt, der seinerseits aus einem η-Kanal-MISFET QN und einem p-Kanal-MISFET QP besteht.
Eine Mitkopplung besteht aus einem Quarzschwinger QO und
den Kondensatoren CD und CG. Die Mitkopplung liegt zwischen dem Eingangsanschluss des Verstärkers und einem Endpunkt
des Widerstandes RD, dessen anderes Ende auf den Ausgangsanschluss
AUS geschaltet ist. Der Quarzschwinger dient dabei als Induktivität zur Bildung eines Schwingungskreises.
Statt des QuarzSchwingers kann eine Spule verwendet werden.
Zwischen dem Speisespannungsanschluss -VDD und dem Eingangsanschluss liegt ein Kondensator CG", der die gleiche oder
zumindest praktisch die gleiche Kapazität wie der Kondensator CG1 hat. Die Einstellung der Bedingung CG" = CG1 dient
dem Zweck, die aus der Speisespannung abgeleitete Teilspannung, die durch die Kapazitäten CG" und CG1 bestimmt ist, gleich
einer Eingangsvorspannung zu setzen, die ihrerseits durch den Vorspannungswiderstand RF bestimmt und in dem hier
beschriebenen Ausführungsbeispiel auf -VDD/2 gesetzt ist. Zur Einstellung einwandfreier Schwingungsbedingungen
wird jeder der Kondensatoren CG" und CG1 so gewählt, dass
6098'J 7/OQRA
seine Kapazität gleich der halben Kapazität auf der Eingangsseite des Oszillators 1 in Fig. 1 ist, also halb so gross
wie die des Kondensators CG.
Bei dem vorstehend beschriebenen Oszillator, der unter
Verv/endung der Prinzipien der Erfindung aufgebaut ist,
liegen die Kapazitäten auf der Eingangsseite des Verstärkers in Reihe zwischen dem Versorgungaspannungnanschluss
und dem Masseanschluss, so dass durch Versorgungsspannungsschwankungen
keine kapazitiven Streueffekte als deren Folgeerscheinung auftreten können. Die Vorspannung unterliegt
also nicht dem Einfluss der eingangsseitigen Kondensatoren, so dass eine Frequenzdrift des Äusgangssignals vom Normal
un terdrückt ist.
In der Fig. 4 ist ein elektronisches Uhrwerk mit einer
komplementären MISFET-Schaltung gezeigt, in der der Oszillator nach Fig. 3 verwendet ist. In den Figuren 1, 3
und 4 sind gleiche Bauteile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Im Zusammenhang mit der Fig. 1 wurde oben erläutert,
dass ein herkömmliches komplementäres MISFET-Uhrwert während des Antriebs des Impulsmotors empfindlich gegenüber Versorgungsspannungsschwankungen
ist« Die Signalfrequenz des in Fig. 4 gezeigten Oszillators 1 ist jedoch unabhängig von
Versorgungsspannungsschwankungen, so dass zum Antrieb des
Impulsmotors M ein stabiles Frequenzsignal zur Verfügung steht. Das Nachgehen einer mit dem in Fig.4 gezeigten
elektronischen Uhrwerk angetriebenen Uhr ist daher ausgeschaltet.
In der Fig. 5 ist ein komplementärer MISFET-Verstärker
gezeigt, der ebenfalls den Merkmalen der Erfindung entsprechend aufgebaut ist. Die Kondensatoren CG1 und CG2 des
Verstärkers haben praktisch die gleichen Kapazitäten. Sie liegen versorgungsspannungsseitig und masseseitig. Der
6 0 9 8 3 7 / 0 Q G
masseseitige Kondensator CG2 kann durch eine parasitäre Kapazität ersetzt Bein. In dam in Fig. 5 gezeigten Verstärker
folgt die Vorspannung der durch Versoirgungsspannuncjs--Schwankungen
verursachten Verschiebung der Übergangskennlinie des Verstärkers aus den vorstehend beschriebenen Gründen.
Der Verstärkerausgang ist daher wechsclstromart.i g stabilisiert.
Ein weiterer MISFET--Verstärker, in dein die Merkmale der
Erfindung verkörpert sind, ist in Fig. G gezeigt. Kernstuck
des Verstärkers ist ein Wechselrichter aus einem p-Kanal-MISFET
und einem Testwiderstand RL. Zv/isehen dem Eingangs-anschluss
EIN und dom Ausgc.ngsanschluss AUS des Wechselrichters
liegt ein Kiderstand EF. Die Übergangskennlinie des in Fig. 6 dargestellten MIGFET-Verstärkers ist in Fig. 7
gezeigt. Die in der Fig. 7 gezeigte Übergangskennlinie 1 unterscheidet sich von den Übergangskennlinien gebräuchlicher
MISFET-Verstärker. Die Vorspannung VG, die durch den Vorsparmungswiderstand
RF bestiiumfc ist, ist ungleich -VDD/2.
Die Vorspannung VG liegt auf der Übergangskennlinie 1 und ist als der Punkt auf dieser Kurve definiert, in dem die
Eingangsspannung gleich der Ausgangsspannung ist. Daher
ist die Versorgungsspannungsteilspannung, die durch das
Verhältnis der Kapazitäten CG1 und CG2 bestimmt ist, so
eingestellt, dass sie gleich der Vorspannung VG ist.
In der vorstehend beschriebenen Weise ist die Earfindung im
weitesten Sinne vorzugsweise für komplementäre MISFET-Oszillatoren und für Verstärkerschaltungen mit mindestens
einem Verstärker-MISFET geeignet, bei denen zwischen der Eingangsseite und der Ausgangsseite ein Vorspannungswiderstand
liegt.
Ü09837/0ÖßA
Claims (4)
1. Einen Verstärker enthaltende elektronische Baugruppe
mit mindestens einem Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode als Verstärkerelement, mit Eingangs- und
Ausgangsancchlüssen, einem Versorgungssparmungsanschluss r
einem Masseanschluss und einem Vorspannungswiderstand zwischen dem Eingangsanschluss und dem Ausgangsanschluss,
gekennzeich.net durch ein erstes und ein zweites kapazitives Element, das in Reihe zwischen dem
Versorgungsspanrmngsanschluss und dem Masseanschluss liegt,
und durch eine Teilspannung der Versorgungsspannung, die durch die beiden kapazitiven Elemente bestimmt ist und
gleich einer Vorspannung eingestellt ist, die ihrerseits durch den Vorspannungswiderstand bestimmt ist, wobei
diese Teilspannung auf den Eingangsanschluss geschaltet ist.
2. Elektronische Baugruppe mit einem Schwingungskreis, gekennzeichnet durch einen Verstärker mit
• mindestens einem Feldeffekttransistor mit isolierter
Steuerelektrode als Verstärkungsglied, mit Eingangs- und Ausgangsanschlüssen und zwischen diesen beiden Anschlüssen
einem Vorspannungswiderstand, durch eine positive Rückkopplung zur Kopplung eines Ausgangssignals des Verstärkers
auf seinen Eingang, wobei im positiven Rückkopplungs·
6 0 9 8 3 7 / Q 0 R A
glied ein induktives Glied sowie eine erste und eine zweite Kapazität liegen, von denen eine am Eingang,
die andere auf der Ausgangeseite des Verstärkers liegen,
und durch eine dritte Kapazität ,die im ZvincoOT.enwirken
mit der ersten, verstärkereingangsseitig liegenden Kapazität eine Versorgungsspannung teilt, wobei die
dadurch zur Verfügung gestellte Versorgungstcilspanmmg
durch das Kapazitätsverhältnis zwischen der ersten und der dritten Kapazität bestimmt ist, das so gewählt ist,
dass die Teilspannung gleich der über den Vorspannungswiderstand
auftretenden Vorspannung ist.
3. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , dass die Kapazität des
dritten kapazitiven Gliedes so festgelegt ist, dass die Summe der Kapazitäten des ersten und des dritten
kapazitiven Gliedes gleich einer vorgegebenen Kapazität eines verstärkereingangsseitig vorgesehenen kapazitiven
Gliedes ist, um so eine Sollfrequenz der Ausgangsschwingung des Oszillators zu erhalten.
4. Baugruppe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass die Kapazität des dritten kapazitiven Gliedes so eingestellt ist, dass im Zusammenwirken mit dem ersten
kapazitiven Glied im Schwingungskreis eine vorgegebene Schwxngungsfrequenz erhalten wird.
609837/OORA
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50024014A JPS5199454A (de) | 1975-02-28 | 1975-02-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2607045A1 true DE2607045A1 (de) | 1976-09-09 |
DE2607045B2 DE2607045B2 (de) | 1978-11-30 |
DE2607045C3 DE2607045C3 (de) | 1981-10-08 |
Family
ID=12126682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2607045A Expired DE2607045C3 (de) | 1975-02-28 | 1976-02-20 | Elektronische Schaltung mit einem Verstärker |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4032864A (de) |
JP (1) | JPS5199454A (de) |
CH (1) | CH610486GA3 (de) |
DE (1) | DE2607045C3 (de) |
GB (1) | GB1528640A (de) |
HK (1) | HK35581A (de) |
MY (1) | MY8200033A (de) |
NL (1) | NL7601891A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2920793A1 (de) * | 1978-05-22 | 1979-11-29 | Rca Corp | Gegentakt-b-transistorverstaerker |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5326175A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electronic watch |
JPS53136977A (en) * | 1977-05-04 | 1978-11-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Driving circuit |
JPS5652906A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-12 | Toshiba Corp | Oscillating circuit |
JPS56150382A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Electronic watch |
US5165054A (en) * | 1990-12-18 | 1992-11-17 | Synaptics, Incorporated | Circuits for linear conversion between currents and voltages |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3651340A (en) * | 1970-06-22 | 1972-03-21 | Hamilton Watch Co | Current limiting complementary symmetry mos inverters |
US3676801A (en) * | 1970-10-28 | 1972-07-11 | Motorola Inc | Stabilized complementary micro-power square wave oscillator |
US3725822A (en) * | 1971-05-20 | 1973-04-03 | Rca Corp | Phase shift oscillators using insulated-gate field-effect transistors |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48102553A (de) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
JPS4941055A (de) * | 1972-08-28 | 1974-04-17 | ||
JPS4982257A (de) * | 1972-12-12 | 1974-08-08 |
-
1975
- 1975-02-28 JP JP50024014A patent/JPS5199454A/ja active Pending
-
1976
- 1976-02-13 US US05/658,067 patent/US4032864A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-02-17 GB GB6233/76A patent/GB1528640A/en not_active Expired
- 1976-02-20 DE DE2607045A patent/DE2607045C3/de not_active Expired
- 1976-02-24 NL NL7601891A patent/NL7601891A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-02-25 CH CH230176A patent/CH610486GA3/xx unknown
-
1981
- 1981-07-23 HK HK355/81A patent/HK35581A/xx unknown
-
1982
- 1982-12-30 MY MY33/82A patent/MY8200033A/xx unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3651340A (en) * | 1970-06-22 | 1972-03-21 | Hamilton Watch Co | Current limiting complementary symmetry mos inverters |
US3676801A (en) * | 1970-10-28 | 1972-07-11 | Motorola Inc | Stabilized complementary micro-power square wave oscillator |
US3725822A (en) * | 1971-05-20 | 1973-04-03 | Rca Corp | Phase shift oscillators using insulated-gate field-effect transistors |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Funk-Technik, 1973, S. 577 * |
RCA COS/MOS Integrated Circuits Manual, 1972, S. 192-205 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2920793A1 (de) * | 1978-05-22 | 1979-11-29 | Rca Corp | Gegentakt-b-transistorverstaerker |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2607045B2 (de) | 1978-11-30 |
DE2607045C3 (de) | 1981-10-08 |
CH610486GA3 (de) | 1979-04-30 |
NL7601891A (nl) | 1976-08-31 |
MY8200033A (en) | 1982-12-31 |
HK35581A (en) | 1981-07-31 |
GB1528640A (en) | 1978-10-18 |
JPS5199454A (de) | 1976-09-02 |
US4032864A (en) | 1977-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3931596C2 (de) | ||
DE69122541T2 (de) | Statischer Schalter für mittlere Spannung | |
DE2752473A1 (de) | Gegentakt-treiberschaltung | |
DE2855303C2 (de) | ||
DE3332751C2 (de) | ||
DE3128732A1 (de) | "spannungsdifferenzdetektorschaltung" | |
DE2359646A1 (de) | Integrierte treiberschaltung mit feldeffekttransistoren | |
DE3880239T2 (de) | Verstärkerschaltung die eine Lastschaltung enthält. | |
DE3249749C2 (de) | ||
DE2343386A1 (de) | Quarzkristalloszillatorschaltung | |
DE2362098C2 (de) | Integrierte logische Schaltung | |
DE4236072A1 (de) | Treiberschaltung zur erzeugung digitaler ausgangssignale | |
EP0130587B1 (de) | Eingangssignalpegelwandler für eine MOS-Digitalschaltung | |
DE2802595C2 (de) | Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Spannungspegelumsetzung | |
EP0253914A1 (de) | Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Gegentakttreiberstufe mit Kompensierung von Betriebsparameterschwankungen und Fertigungsstreuungen | |
DE2745302C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Kontrolle der Versorgungsspannung für vorzugsweise integrierte Schaltkreise | |
DE2548457A1 (de) | Konstantspannungsschaltung | |
DE2607045A1 (de) | Elektronische baugruppe | |
DE2825443C2 (de) | Logische Schaltung mit Feldeffekt- Transistoren | |
DE3136300A1 (de) | "antriebsschaltung fuer einen oszillator mit niedrigem stromverbrauch" | |
DE10345739A1 (de) | Nachführ- und Halteschaltung | |
DE69820220T2 (de) | Vorspannungsschaltung hoher impedanz für wechselstromsignalverstärker | |
DE3882942T2 (de) | Abfühlverstärker. | |
DE3844387C2 (de) | Schaltung zur Erzeugung einer über weite Bereiche der Versorgungsspannung konstanten Bezugsspannung, insb. für einen dynamischen Direktzugriffsspeicher | |
EP0116669B1 (de) | Integrierte Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Verzögerungsschaltung für Digitalsignale |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |