DE2603806C2 - Verfahren zur Herstellung von Supraleitern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SupraleiternInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Supraleitern in Form von Drähten oder Bändern
gemäß dem Oberbegriff der Ansprüche 1 bzw. 2.
In der Technik werden häufig dünne Drähte, Bänder
usw. aus einer Metallegierung benötigt, z. B. um eine höhere Festigkeit als bei reinen Elementen zu erreichen
oder zur Herstellung eines Federmetalles. Ein anderes Anwendungsbeispiel ist die Supraleitertechnologie,
wobei z. B. in einer Bronzemctrix, tli die Form eines
sehr dünnen langen Drahtes oder Bandes aufweist. Filamente einzubetten sind, welche dann in einem
späteren Arbeitsschritt durch eine Reaktionsglühung in die gewünschte supraleitende Verbindung umgesetzt
werden.
Einige Verfahren zur Herstellung von metallischen Teilen der eingangs genannten Art sind bereits bekannt.
In »Proc. Fourth Int Conf. Magn. Techn, Brookhaven«,
1972. S. 490, ist ein solches Verfahren beschrieben. Es wird ein Schmelzingot aus der benötigten Legierung
gegossen, homogenisiert, zu einer Stange verpreßt und anschließend zu einem dünnen Draht gezogen. In den
Schmelzingot sind vor oder nach dem Eingießen der Legierung noch andere Metalle eingesetzt, z. B.
Nb-Stäbe für Supraleiter. Ein wesentlicher Nachteil dieses Verfahrens sind die aufwendigen Ziehoperationen des Drahtes, da nach jeweils ca. 30—80%
Kaltverformung eine Weichglühung von mehreren Stunden bei ca. 4500C des rasch versprödenden
Legierungsmaterials notwendig ist So können bei der Fertigung von Supraleiterdrähten bis über 30 Zwischenglühoperationen notwendig sein, wenn die zu
ziehenden Drähte zur Erzielung sehr vieler äußerst dünner Nb-Filamente mehrfach neu gebündelt, neu
verpreßt und gezogen werden müssen.
Ein anderes bekanntes Verfahren (»Proc. Fourth Int.
Conf. Magn. Techn., Brookhaven«, 1972, S. 491) verwendet einen Kupferdraht mit annähernd dem
endgültigen Durchmesser mit Einlagefilamenten aus Nb
auf dem zuerst eine Zinnschicht aufgebracht wird, worauf dann das Zinn durch ein oder mehrere
Glühschritte in das Kupfer zur Eindiffusion und damit zur gleichmäßigen Verteilung gebracht wird. Der
Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, da3 die zahlreichen Zwischenglühungen vermieden werden, denn das
Ziehen von reinem Kupferdraht, auch mit Einlagefilamenten,
ist ohne Glühungen möglich. Der Draht wird über den Schmelzpunkt des Zinns erhitzt, wobei sich
zuerst zinnreiche intermetallische Phasen des Kupfers mit dem Zinn bilden, die teilweise ebenfalls in flüssiger
Form auf dem Draht vorliegen. Hierdurch entstehen jedoch verschiedene Nachteile. Die erste Eindiffusion
muß in einem Durchlaufverfahren erfolgen, bei dem der Draht frei geglüht wird, damit aneinanderliegende
Drähte nicht zusammen verschmelzen. Dies ist sehr zeitraubend, da Zinn in Kupfer nur sehr langsam
eindiffundiert. Da die intermetallischen Verbindungen oft spröde sind und während der aus arbeitstechnischen
Gründen unumgänglichen Abkühlungen und Neuaufwärmungen Spannungen zwischen den Verbindungen
und dem restlichen Drahtkern auftreten, kon.rnt es häufig zu Ablösungen der äußeren Schichten und zu
inneren Hohlräumen. Dadurch wird die Homogenität des Drahtes gestört, es treten stärkere Schwankungen
im Zinngehalt des fertigen Drahtes auf, da sich das Zinn aus den abgelösten Oberflächenbereichen nicht im
Draht verteilen kann. Das flüssige Zinn und die flüssigen Phasen bilden häufig Tropfen auf der Oberfläche oder
verlaufen. Dadurch entstehen ebenfalls ungleichmäßige Schichtdicken und Legierungszusammensetzungen. Die
Eindiffusion wird häufig in mehreren Schritten ausgeführt, um die intermetallischen Verbindungen dünn zu
halten. Dies verteuert und verlangsamt das Verfahren wesentlich. Weitere Trennungen der intermetallischen
Verbindungen auf der Oberfläche vom Drahtkern können bei den unumgänglichen Biegungen der Drähte
beim Umspulen oder Umlenken auftreten.
Gegenstand der DE-AS 22 05 308 ist ein Verfahren zur Herstellung fadenförmiger Supraleiter aus einer
supraleitenden intermetallischen Verbindung aus wenigstens zwei Elementen, bei dem man ein Verbund-Vorprodukt
aus einem Matrixmaterial mit wenigstens einem darin eingebetteten aus einem der Elemente
bestehenden Faden herstellt und daß man das oder die übrigen Elemente durch Erhitzen durch das Matrixmaterial
diffundieren läßt und mit dem Element der eingebetteten Fäden unter Bildung der supraleitenden
Verbindung umsetzt, wobei man das Verbund-Vorprodukt erst verformt, das oder die übrigen Elemente auf
die Außenseite des Verbund-Vorproduktes aufbringt und dieses dann zur Diffusion dieser Elemente erhitzt
Bei der DE-AS 22 05 308 wird direkt von Beginn des Glühprozesses an ein Matrix- bzw. Trägermaterial
angestrebt, das aus Cu mit einer Sn-Beschichtung auf der Oberfläche besteht. Dabei wird das Sn bei relativ
hohen Glühtemperaturen im Bereich von 600—1000CC
eindiffundiert. In diesem Temperaturbereich ist die äußere Sn-Schicht flüssig.
Die DE-AS 20 56 779 beschreibt ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Leiters mit
Supralcitereigenschaften, wobei von vornherein die Matrix aus einer Legierung (z. B. Cu-Sn) besteht und der
Diffusionsvorgang vom Sn der Matrix aus zum Nb hin erfolgt, und die infolge des relativ hohen Schmelzpunktes
eine Verschmelzung der Oberflächen der Leiter verhindern soll.
Bei der DE-OS 20 52 323 wird nicht ein Trägermaterial
aus reinem Cu verwendet, sondern bereits eine Legierung, und die instabilen intermetallischen Phasen
beziehen sich auf die Reaktion der Supraleiterverbindung (z.B. Nb3Sn),
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein einfaches und wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung
von metallischen Teilen der eingangs genannten Art zu schaffen, das eine gute Qualität der hergestellten
ι ο metallischen Teile sichert
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in den Ansprüchen 1 und 2 angegebenen Merkmale gelöst
Vorteilhafte Weiterbildungen dieser Verfahren sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Der Vorteil der Erfindung besteht insbesondere darin,
daß die gesamte Glühung, d. h. auch die Reaktionsglühung, sich im festen Aggregatzustand der beteiligten
Komponenten vollzieht und daß zu keiner Zeit der Glühoperation Schmelzpartikel auftreten. Die Glühung
kann ohne Unterbrechung erfolgen, so daß keine thermischen Verspannungen und dar/., verursachte
abgelöste Oberflächcnbereiche auftreter.. So kann sich
das einzudiffundierende Metall im Ausgangsteil regelmäßig verteilen. Das Verfahren ist sehr einfach und
ermöglicht ein wirtschaftliches Eindiffundieren.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der metallische Ausgangsteil und das einzudiffundierende Metall wenigstens
im wesentlichen durch diejenigen Metalle gebildet sind, deren Legierung ein Zustandsschaubild aufweist,
3<) bei dem die Grenze zwischen der festen und der
flüssigen Phase wenigstens im wesentlichen in bezug awf das Metall des Ausgangsteiles aufsteigend ist Dies
ermöglicht eine Verkürzung der Glühzeit mittels stufenweiser oder kontinuierlicher Steigerung der
J5 Glühtemperatur. Für die Herstellung von supraleitenden
Spulen ist es zweckmäßig, wenn der metallische Ausgangsteil mit dem aufgebrachten einzudiffundierenden
Metall vor dem Erwärmen auf einen Spulenkörper aufgewickelt wird. Die aufgewickelten metallischen
•to Teile bleiben während des ganzen Diffusionsprozesses
auf dem Spulenkörper. Der Vorteil liegt insbesondere darin, ^aB der metallische Teil beim Vorliegen der
spröden Phasen nicht gebogen wird. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Oberfläche des mit dem cinzudif-
•»5 fundierenden Metall versehenen Ausgangsteiles vor
dem Aufwickeln desselben auf den Spulenkörper wenigstens teilweise mit einer vorzugsweise aus Pulver
bestehenden, das Verkleben verhindernden, chemisch mit dem einzudiffundierenden Metall und dem metailisehen
Ausgangsteil nicht reagierenden und sich in diesen Metallen nicht lösenden Schicht versehen wird.
Diese Schicht besteht vorzugsweise aus MgO-Pulver. Damit verhindert man bereits ein Verkleben oder
Verschweißen der Drähte oder Bänder und alle für flüssige Oberflächen notwendigen Aufwendungen, z. B.
kontinuierliche langsame Drahtführung dur;b öfen werden überflüssig.
Es ist vorteilhaft, wenn das Aufbringen des einzudiffundierenden Metalls, das Aufwickeln und das Erwär-
ω men wenigstens zwümal wiederholt wird. Dies ist
besonders dann günstig, wenn das Auftragen einer ziemlich dicken Schicht des einzudiffundierenden
Metalls Schwierigkeiten macht. Bei einej- dünnen
Schicht ist die Gefahr des Verklebens kleiner. Die
<>5 Menge des aufgebrachten Zinns bildet zweckmäßig 2
bis 15Gew.-&/o, vorzugsweise 6 bis 13Gew.-% dos
Gesamtgewichts des Drahtes, bzw. die Menge des aufgebrachten Galliums bildet zweckmäßig 5 bis
22Gew.-%, vorzugsweise 15 bis 22 Gew.-% des
Gesamtgewichts des Drahtes, unter Umständen jeweils vergrößert um vorausgesetzte, für die Reaktion mit den
Filamenten bestimmte Menge. Eine gewisse Menge von Sn bzw. Ga ist vorteilhaft zur Bildung der supraleitenden
Verbindungen. Die obere Konzentration wird wegen technologischer Schwierigkeiten (Versprödung
des Leiters) vorteilhaft begrenzt.
Ferner ist es vorteilhaft, wenn der Ausgangsteil radial gesehen nur dort die Filamente enthält, wo das
diffundierende Metall nur in gelöster Form vorkommt. Dadurch werden die Filamente vor Beschädigung und
vorzeitiger Reaktion geschützt, welche zu schlechteren Supraleitereigenschaften führt.
In der Zeichnung ist als Beispiel das Zustandschaubild
der Kupfer-Zinn-Legierungen nach G. V. Raynor dargestellt (»Werkstoff-Handbuch, Nichteisenmetalle«,
2. Auf., Düsseldorf I960, III Cu, B. Metallkundliches,
3. Zustandschaubilder, S. 4).
In diesem Zustandschaubild sind unten von ünks nach
rechts die Gewichtsprozente des Zinns aufgetragen, oben Atomprozente des Zinns und auf der Ordinate die
Temperatur in °C. Das Diagramm beschreibt die beiden zugehörigen Mengenverhältnisse der beteiligten Komponenten
für die in Gleichgewicht vorhandenen metallischen Phasen. Die festen Phasen sind durch die
griechischen Buchstaben gekennzeichnet und der Buchstabe L kennzeichnet den flüssigen Zustand.
Zur Fertigung eines als Ausgangsmaterial zur Herstellung von Supraleitern dienenden Drahtes wurde
ein mit Nb-Filamenten versehener Kupferdraht von 0,25 mm 0 elektrolytisch mit einer 3 μ dicken Zinnschicht
versehen und auf einen Spulenkörper aufgewikkHt. Während des Aufwickeins wurde der Draht durch
einen Behälter mit MgO-Pulver geführt. Der Spulenkörper mit dem Draht wurde zuerst 50 h bei einer
Temperatur von 21O0C in einem Schutzgas-Glühofen geglüht. Die genannte Temperatur liegt dicht unterhalb
der eutektischen Temperatur von ^27° C des zinnreichen
Phasengebietes (siehe das Diagramm). Die Oberfläche blieb somit noch fest. Kupfer diffundierte in
das oberflächliche Zinn und bildete die intermetallischen Phasen Cu6Sn5 (η-Phase) und CujSn (ε-Phase) und zwar
räumlich im Verhältnis von etwa 1 : 1. Anschließend wurde die Temperatur auf 400"C gesteigert und
während 1 h gehalten. Auch hierbei blieb die Oberfläche fest, da die eutektische Gerade für eine Zinnkonzentration
unterhalb 59 Gew.-% bei 4I5°C verläuft. Während ι dieser Glühzeit wandeile sich die η-Phase vollständig in
die ε-Phase um. bis Sn im Cu-Trägermaterial vollständig
homogenisiert ist. Danach wurde die Temperatur weiter gesteigert und der Draht wurde 150 h bei 675°C geglüht,
bis sich Nb durch eindiffundierendes Sn in die in supraleitende Verbindung NbjSn umgewandelt hat.
In einen Cu-Dr.rii wurde Ga cindiffundiert: Die
Beschichtung des Kupferdrahtes wurde mit einem Lot
ii durchgeführt, das aus einer breiförmigen Mischung aus
feinkörnigem Cu-Pulver (Korngröße 5 bis I 5 μ) und ca. 63 Gew.-% flüssigem Gallium bestand. Durch diesen
Brei wurde der /u beschichtende Cu-Draht bei einer Temperatur von etwas über 30°C geführt. Die
-'» Ürahtoberliache wurde durch Bürsten gereinigt, der
Draht durch eine Öse mit angepaßtem Durchmesser .im Boden eines Gefäßes mit der breiförmigen Mischung in
das Bad geleitet und unmittelbar über dem Bad durch einen entsprechend der gewünschten Schichtdicke
.'■> kalibrierten Ziehstein gezogen. Über dem Bad kühlte
der Draht ab und wurde auf einen Spulenkörper aufgewickelt. Anschließend wurde der Spulenkörper
mit dem Draht auf 25°C erwärmt, d. h. dicht unter den Erweichungspunkt der breiförmigen Mischung, und
entsprechend der fortschreitenden Aushärtung wurde die Temperatur anfangs langsam, dann immer rascher
bis auf 245°C, also dicht unterhalb der eutektischen
Gerade von 254°C erhöht, bis sich CuGa?-Verbindung
gebildet hat (s. Zustandsdiagramm in Hansen: »Consti-
Jj tution of Binary Alloys«. New York 1958, S. 583). In
einem weiteren Glühschritt wird die Glühtemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur der /-Phase, d. h.
auf eine Temperatur unterhalb 520°C erhöht.
Danach wird die Temperatur auf unterhalb der
■»ο Schmelztemperatur der y-Phase abermals erhöht und
solange gehalten bis Ga im Cu-Trägermaterial vollständig homogenisiert ist.
Abschließend wird die Glühtemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur, d. h. auf 640°C erhöht, bis sich
fi V durch eindiffundierendes Ga in die supraleitende
Verbindung VjGa umgewandelt hat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahret! zur Herstellung von Supraleitern in
Form von Drähten oder Bändern, enthaltend Nb-Filaraente als Ausgangsteil für die Bildung einer
supraleitenden Verbindung und ein metallisches Trägermaterial aus reinem Kupfer, in welches die
Nb-Filamente eingebettet sind, und einzudiffundierendes Zinn, welches auf mindestens einen Teil der
Oberfläche des Trägermaterials aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß in einem
ersten Glühschritt Zinn in fester Form in das Cu-Trägermaterial eindiffundiert wird, wobei die
Glühtemperatur unterhalb der Schmelztemperatur des Zinns, d.h. unterhalb 2300C liegt, bis sich die
intermetallische Phase CueSns-rj-Phase gebildet hat,
daß in einem zweiten Glühschritt die Glühtemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur der
tj-Phase, d. h. auf unterhalb 415°C erhöht wird, bis
sich die intermetallische Phase Gi3Sn-e-Phase
gebildet hat-, daß in einem dritten Glühschritt die
Giühiemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur der ε-Phase erhöht wird, bis Sn im Cu-Trägermaterial vollständig homogenisiert ist, und daß zuletzt
in einem vierten Glühschritt die Glühtemperatur auf 2s
unterhalb der Schmelztemperatur der «-Phase, d. h. auf unterhalb 7500C, erhöht wN, bis sich Nb durch
eindiffundierendes Sn in die supraleitende Verbindung Nb3Sn umgewandelt hat
2. Verfahren zur Herstellung von Supraleitern in M
Form von Drähten oder Bändern, enthaltend V-Filamente u's Ausgangsteil für die Bildung einer
supraleitenden Verbindung und ein metallisches Trägermaterial aus reinem Kupfer, in welches die
V-Filamente eingebettet sind.undsinzudiffundieren- J5
des Ga, welches auf mindestens einen Teil der Oberfläche des Trägermaterials aufgebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß in einem ersten Glühschritt die Glühtemperatur auf unterhalb der
eutektischen Temperatur im binären System Cu-Ga, d.h. unterhalb 254°C erhöht wird, bis sich die
CuGa2-Verbindung gebildet hat, daß in einem
zweiten Glühschritt die Glühtemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur der γ-Phase, d.h. auf
eine Temperatur unterhalb 520°C. erhöht wird, daß in einem dritten Glühschritt die Glühtemperatur auf
unterhalb der Schmelztemperatur der y-Phase erhöht wird, bis Ga im Cu-Trägermaterial vollständig homogenisiert ist, und daß zuletzt in einem
vierten Glühschritt die Glühtemperatur auf unterhalb der Schmelztemperatur der γ-Phase, d.h. auf
6400C, erhöht wird, bis sich V durch eindiffundierendes Ga in die supraleitende Verbindung V3Ga
umgewandelt hat.
3. Verfahren nach Ansprüchen I oder 2 zur Herstellung von Drähten und Bändern, dadurch
gekennzeichnet, daß das metallische Cu-Trägermaterial und Ausgangsteil mit dem aufgebrachten
einzudiffundierenden Metall vor dem Erwärmen auf einen Spulenkörper aufgewickelt wird. w
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufwickeln des metallischen
Cu-Trägermaterials und Ausgangsteil auf den Spulenkörper die Oberfläche des mit dem einzudiffundierenden Metall versehenen Ausgangsteiles
wenigstens teilweise mit einer vorzugsweise aus Pulver bestehenden, das Verkleben verhindernden,
chemisch mit dem einzudiffundierenden Metall und
dem metallischen Ausgangsteil nicht reagierenden
und sich in diesen Metallen nicht lösenden Schicht versehen wird.
5, Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die das Verkleben verhindernde
Schicht aus MgO-Pulver besteht
c. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen des einzudiffundierenden Metalls, das Aufwickeln und das Erwärmen
wenigstens zweimal wiederholt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge des aufgebrachten Zinns 2
bis 15Gew.-%, vorzugsweise 6 bis 13Gew.-% des
Gesamtgewichts des Drahtes bildet, vergrößert um vorausgesetzte, für die Reaktion mit den Filamenten
bestimmte Menge.
8. Verfahren nach Ansprach 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge des aufgebrachten Galliums
5 bis 22 Gew.-%r vorzugsweise 15 bis 22 Gew.-% des
Gesamtgewichts des Drahtes bildet vergrößert um vorausgesetzte, für die Reaktion mit den Filamenten
bestimmte Menge.
9. Verfahren nach Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet daß das Cu-Trägermaterial und das
Ausgangsteil radial gesehen nur dort die Filamente enthält, wo das diffundierende Metall nur in gelöster
Form vorkommt
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH50776A CH603797A5 (de) | 1976-01-16 | 1976-01-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2603806A1 DE2603806A1 (de) | 1977-07-21 |
DE2603806C2 true DE2603806C2 (de) | 1983-06-16 |
Family
ID=4188584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2603806A Expired DE2603806C2 (de) | 1976-01-16 | 1976-02-02 | Verfahren zur Herstellung von Supraleitern |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH603797A5 (de) |
DE (1) | DE2603806C2 (de) |
FR (1) | FR2338333A1 (de) |
GB (1) | GB1575564A (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3116680A1 (de) * | 1981-04-27 | 1982-11-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kontaktwerkstoff aus einer kupferlegierung und verfahren zu seiner herstellung |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR69759E (fr) * | 1954-12-14 | 1958-12-30 | Nat D Etudes & De Rech S Aeron | Perfectionnements apportés aux procédés pour la formation d'alliages superficiels de diffusion, notamment sur des pièces réfractaires |
DE1282412B (de) * | 1965-12-11 | 1968-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von supraleitenden Baendern mit Innenschichten aus einer supraleitenden zweikomponentigen intermetallischen Verbindung |
GB1333554A (en) * | 1969-10-27 | 1973-10-10 | Atomic Energy Authority Uk | Superconducting members and methods of manufacture thereof |
BE759061A (fr) * | 1969-11-19 | 1971-05-17 | Imp Metal Ind Kynoch Ltd | Perfectionnements aux conducteurs electriques |
IT947135B (it) * | 1971-02-04 | 1973-05-21 | Imp Metal Ind Kynoch Ltd | Perfezionamenti a superconduttori o ad essi pertinenti |
US3731374A (en) * | 1971-07-20 | 1973-05-08 | Atomic Energy Commission | Method of fabricating a hard intermetallic superconductor by means of diffusion |
BE792936A (fr) * | 1971-12-22 | 1973-06-18 | Imp Metal Ind Kynoch Ltd | Procede pour produire des supraconducteurs |
DE2333893C3 (de) * | 1973-07-03 | 1975-12-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen eines Supraleiters mit einer aus wenigstens zwei Elementen bestehenden supraleitenden intermetallischen Verbindung |
-
1976
- 1976-01-16 CH CH50776A patent/CH603797A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-02 DE DE2603806A patent/DE2603806C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-01-14 GB GB1586/77A patent/GB1575564A/en not_active Expired
- 1977-01-14 FR FR7701062A patent/FR2338333A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2603806A1 (de) | 1977-07-21 |
FR2338333B1 (de) | 1982-05-21 |
FR2338333A1 (fr) | 1977-08-12 |
GB1575564A (en) | 1980-09-24 |
CH603797A5 (de) | 1978-08-31 |
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