DE2555610C3

DE2555610C3 - Verfahren zur Herstellung von A -Aluminiumoxid-Einkristallen

Info

Publication number: DE2555610C3
Application number: DE2555610A
Authority: DE
Inventors: Larry R. Poway Calif. Rothrock (V.St.A.)
Original assignee: Union Carbide Corp
Current assignee: Union Carbide Corp
Priority date: 1974-12-20
Filing date: 1975-12-10
Publication date: 1979-11-22
Also published as: DE2555610B2; JPS5187197A; DE2555610A1; JPS5612280B2; FR2294747B1; FR2294747A1; GB1530608A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Alpha-Aluminiumoxid-Einkristallen mit kreisförmigem Querschnitt und /•-Ebene-Orientierung durch Ziehen aus einer auf wenigstens 2040^cC erhitzten Aluminiumoxid-Schmelze mit einem rotierenden, stabförmigen Alphd-Aluminiurnüxid-Keimkristal! in einer gegenüber der Schmelze chemisch inerten Atmosphäre.

Ein Verfahren zum Herstellen von Alpha-Aluminiumoxid-Einkristalle,¹ ist in der US-PS 37 15 194 offenbart. Danach wird ein derartiger Einkristall dadurch gewonnen, indem ein stabförmiger Keimkristall aus der Schmelze gezogen wird, ba¹· offenbarte Verfahren wurde zum Herstellen von Alpha-^luminiurnoxid-Einkristallen. z. B. für optische Fenster, Lager, Gleitringe. Schneidwerkzeuge und dergl. erfolgreich eingesetzt.

Beim Herstellen von Alpha-Aluminiumoxid-Einkristallen aus wasserklarem Aluminiumoxid mit r-Ebene-Orientierung gemäß der Lehre des oben erwähnten US-Patentes wurde festgestellt, daß sich kein Einkristall mit kreisförmigem Querschnitt, wie bei anderen Knstallorientierungen üblich, bildete, sondern ein solcher mit einem stark ellipsenförmigen Querschnitt. Die Hauptachse des Materials liegt in der Ebene, die durch die C-Achse und die Längsachse des Kristalls bestimmt ist. Kristalle mit ellipsenförmigem Querschnitt sind für eine industrielle Verwendung nicht geeignet. Wenn Einkristalle mit kreisförmigem Querschnitt aus einer Masse mit ellipsenförmigem Querschnitt hergestellt werden, entsteht überdies ein beträchtlicher Materialverlust.

Bei einer C-Achsenorientierung von 57" sieht bei einem bekannten Alpha-Aluminiumoxid-F.inkristall mit r-Ebene-Orientierung eine seiner r-Ebenen senkrecht zur Wachstumsachse.

Die Verwendung von Alpha-Aluminiumoxid-Einkristallen mit r-Ebene-Orientierung als passive Substrate in elektronischen Schaltungen, gewinnt im Vergleich /u anderen Kristallorientierungen zunehmend an Becleu tung.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren vorzuschlagen, das die Herstellung von AIpha-AIurniniumoxid-Einkristallen mit r-Ebene-Oriientierung und kreisförmigem Querschnitt zum Gegenstand hat.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Keimkristall mit seiner Längsachse senkrecht zur r-Ebene orientiert und mit einer solchen Geschwindigkeit rotiert wird, daß das aus der Schmelze gezogene Ende des Einkristalls an seinem untersten Abschnitt zu ■> einer länglichen, facettenförmigen Fläche ausgebildet ist, dessen Achse senkrecht zu der aus der c-Achse und der Längsachse des Einkristalls gebildeten Ebene steht.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher

in beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 eine für die Ausführung der Erfindung geeignete Vorrichtung;

Fig. la die Orientierung des stabförmigen Keimkristalls, der in der Vorrichtung von F i g. 1 benutzt wird;

π F i g. 2a eine Fotografie eines Alpha-Aluminiumoxid-Zinkristalls mit kreisförmigem Querschnitt und r-Ebene-Orientierung in normaler Größe;

Fig.2b eine Fotografie eines nach bekannten Verfahren hergestellten Alpha-Aluminiumoxici-Einkri-

:n stalls mit ellipsenförmigem Querschnitt und r-Ebene-Orientierung in normaler Größe, wobei der zuletzt gebildete Teil des Einkristalls zu sehen ist;

F i g. 3 eine schematische Darstellung eines aus der Schmelze gezogenen AIpha-AIuminiumoxid-Einkri-

->'· stalls;

Fig. 3a einen Vertikalschnitt eines Einkristalls mit r-Ebene-Orientierung;

Fi g. 3b, 3c und 3C die Querschnitte des in Fig. 3a dargestellten, mit verschiedenen Drehgeschwindigkeiten aus der Schmelze gezogenen Einkristalls;

F i g. 4 eine isometrische Darstellung eines Teils des in F i g. 3a gezeigten Einkristalls mit verschiedenen, für die Durchführung der Erfindung wichtigen Ebenen und Achsen;

r> Fig. 5 und 5a schematisch einen elliptischen Querschnitt eines AlphaAluminiumoxid-F.inkristalls mit r-Ebene-Orientierung und facettenförmigen, üblichen Flächen;

F i g. 6 schematisch einen kreisförmigen Querschnitt

4" eines Alpha-Aluminiumoxid-Finkris jlls mit r-Ebene-Orientierung ohne facetlenförmige Flächen;

F i g. 7 eine graphische Darstellung der Querschnittsmessungen typischer Einkristalle mit r-Ebene-Orientierung.

ί> Das erfindungsgemäße Verfahren /um Herstellen von Alpha-Aluminiumoxid-Einkristallen mit r-Ebene-Orientierung wird im folgenden näher beschrieben.

Fig. I zeigt eine in der US· PS 37 15 194 beschriebene Kristallzüchtungskammer 1. Die Aluminiumoxidschmel-

'>·> ze 9 befindet sich in einem vorzugsweise aus iridium bestehenden Tiegel 8. Eine vorzugsweise aus Iridium bestehende Abdeckscheibe 16 mit einer zentralen Öffnung 17 ruht auf dem oberen Teil des Tiegels 8 und dient als Schut/bild. um den Wärmeverlust der

^r>"> Schmelze 9 herabzusetzen. Der Tiegel 8 ist an den Seiten und am Boden von der Isolierung 15 umgeben Die Isolierung besteht vorzugsweise aus /irkomumdioxid und dient da/u, die Energie /u verringern, um die Schmel/e 9 flüssig /u halten und Temperaturschwan

fco kungen auszugleichen, die von Schwankungen der Netzspannung, von durch Konvektion bedingte Abküh lung aus der Atmosphäre und anderen Störungen herrühren. Durch das Rohr 11 wird ein Strahlungspyrometer an die Mitle des Tiegelbodens herangeführt, um die Temperatur am Boden des Tiegels 8 bestimmen zu können.

Eine beispielsweise aus Aluminiumoxid hergestellte Abdeckscheibe 4 ist von einem Rohr 5 getragen, das

vorzugsweise aus Zirkoniumdioxid besteht. Die Abdeckscheibe 4 dient als ein zweiter Strahlungsschutzschild und hindert die Konvektionsströmungen der Atmosphäre daran, in den oberen Teil des Tiegels einzudringen und den wachsenden Einkristall 7 zu erreichen. Die Abdeckscheibe 4 reduziert somit den vertikalen Temperaturgradienten in der Nähe des wachsenden Einkristalls und verstärkt die Wirkungen der Abdeckscheibe 16. Die Hülse 6, die z. B. aus Siliciumdioxid hcsteht, enthält die Isolierung 15 und ist ein Teil der Isolierungseinrichtung, die den Tiegel 8 umgibt. Auch das die Abdeckscheibe 4 tragende Rohr 5 gehört zu diesem Isolierungssystem.

Der Tiegel 8 und seine Isolierung befinden sich auf einem Keramiksockel 12, der beispielsweise aus Zirkoniumdioxid besteht. Die Einrichtung befindet sich unter einer Glocke 3, welche durch die Bodenplatte 13 abgeschlossen ist und z. B. aus silikonverstärktem Fiberglas besteht. Die im Innern des Tiegels 8 gewünschte, nicht mit der Schmelze im Tiegel reagierende Gasatmosphäre, wie z. B. Stickstoff oder ein Edelgas, wird in das Beobachtungsrohr J4 eingeführt, das mit dem Rohr 11 in Verbindung steht. Das Gas strömt durch die öffnung 18 in die Glocke 3, durch die der stabförmige Keimkristall 2 eingeführt wird. Der stabförmige Keimkristall 2 besteht aus einem Alpha-Aluminiumoxid-Einkristall,dessen Längsachse 20 mit der Wachstumsachse 30 des Einkristalls 7 zusammenfällt. Die r-Ebene 40 des stabförmigen Keimkristalls 2 steht senkrecht zur Längsachse 20 (siehe Fig. la). Ein solcher routinemäßig hergestellter Keimkristall führt zu einem Einkristall mit /•■Ebene-Orientierung. Der stabförmige Keimkristall 2 wird durch einen Antriebsmotor 50 über einen Riemen 51 rotiert und in bekannter Weise aus der Aluminiumoxidschmel/e 9 gezogen. Die F ι g. I zeigt si.hematisch den Antriebsmotor 50 in Eingriff mit einer Zahnstange 53. Wird der Motor 50 auf der Zahnstange nach oben bewegt, so wird der stabförmige Keimkristall aus der Schmelze gezogen.

Durch die Kontrolle der Drehgeschwindigkeit des stabförmige!· Keimkristalls 2 und damit auch die des Knstallwachstums auf diesem, hat der gebildete Alpha-Aluminiumoxid-Einkristall mit r-Ebene-Orientierung einen kreisförmigen Querschnitt, wie es die Fig. 2a zeigt. Die Drehgeschwindigkeit des stabförmigen Keimkristalls betrug 10 Umdrehungen pro Minute. Zum Vergleich wird in Fig. 2b der ellipsenförmige Querschnitt eines Alpha-Aluminiumoxid-Einkristalls mit r-Ebcne-Orientierung gezeigt, der wie der in der Fig. 2a gezeigte Einkristall hergestellt wurde, jedoch mit einer Geschwindigkeit von 5 Umdrehungen pro Minute. Die F ι g. 2a und 2b zeigen die untersten oder zulet/t gebildeten Teile der gewachsenen Kalotten, die auf ihren Oberflächen mit gleich weit voneinander enifernten Schichtlinien markiert wurden und in Ebenen senkrechl /u den Längsachsen dei Kalotten liegen. Diese den transversalen Querschmit der Kalotten darstellenden Schichtlinien werden im folgenden näher beschrieben.

Die Fig. J /eigi einen AlphaAluminiumoxid-Einkristall 60 mit r-F.bene-Onenlierung, der durch Ziehen aus der im Tiegel 8' befindlichen Aluminiumoxidschmelze hergestellt wurde. Die Grenzfläche zwischen dem Einkristall 60 und der Schmelze 9' isl bei 62 gezeigt. Wenn der Einkristall 60 vollständig pus der Schmelze 9' gezogen ist, hat er, wie die Fig. 3a zeigt, einen im allgemeinen konischen unteren Teil 63. Der unlerste Teil des unteren konische, Abschnittes der Kalotte, der.

wie im folgenden noch zu erläutern ist, bei 64 oder 64' in den F i g. 2a, 2b, 3,3a bis 3d angegeben ist, hat die Form einer Facette eines Längsquerschnittes. Beim Herstellen von wasserklaren Alpha-Aluminiumoxid-Einkristallen mit r-Ebene-Orientierung wurde festgestellt, daß der Querschnitt des Kristalls nicht kreisförmig, sondern im aligemeinen ellipsenförmig ist, wie die Fig.3b und 3c zeigen. Es wurde auch gefunden, daß der größte Durchmesser 66 des ellipsenförmigen Querschnitts in der Ebene liegt, die durch die r-Achse und die Längsachse des Einkristalls bestimmt ist Diese Ebene ist mit 57 sowohl in den Fig.3b, 3c und 3d als auch in Fig.4 angegeben, die einen Teil des Einkristalls 60 zeigt. Wie die Fig.3b zeigt, bildet die Hauptachse 68 des transversalen Längsquerschnitts der Facette 64 einen Winkel Θ mit der Ebene 67. Es ist üblich, den auf dem stabförmigen Keimkristall gewachsenen Einkristall 60 beim Ziehen aus der Schmelze 9' langsam zu drehen, um mögliche radiale thermische Ungleichheiten in der Schmelzvorrichtung auszuschalten. Es wurde gefunden, daß die Drehgeschwindigkeit des F^: .kristaüs 60 den Winke! Θ beeinflußt. Wird beispielsweise die Drehge schwindigkeit des Einkristalls erhöht, εο nimmt der Winkel Θ zu (siehe F i g. 3b). Wenn der Kristall 60 in entgegengesetzter Richtung gedreht wird, ändert sich der Winkel Θ, wie die F i g. 3c zeigt Unabhängig von der Richtung wird der Winkel Θ mit steigender Drehgeschwindigkeit des Einkristalls 60 größer, bis die Hauptachse 68 der Fläche 64 senkrecht zur Ebene 67 steht, die durch die c-Achse und die Längsachse des Kristalls, wie bei 64' in F i g. 3b gezeigt, bestimmt ist. Es wurde gefunden, daß die bei relativ hohen Drehgeschwindigkeiten hergestellten Einkristalle mit r-Ebene-Orientierung einen konstanten kreisförmigen Querschnitt aufweisen (Fig. 3d), und daij die Achse 68 der Fläche 64' senkrecht zur Ebene 67 steht, die durch die c-Achse und die Längsachse des Einkristalls definiert ist. Wenn also die Drehgeschwindigkeit steigt, nimmt der charakteristische größere Durchmesser 66 von Finkristallen mit r-Ebene-Orientierung ab und wird gleich dem kürzeren Durchmesser 70. so daß sich ein kre^: ,förmiger Querschnitt, wie die Fig. 3d und 2a bei 66' und 70' zeigen, ergibt. Mit steigender Drehgeschwindigkeit wird die im allgemeinen symmptrische Form der Fläche 64 der in Fig. 3b, 3c und 2b gezeigten ellipsenförmigen Kristalle verzerrt und exzentrisch, wie es bei 64' in Fig. 3d und 2a für die kreisförmigen Einkristalle gezeigt ist. Auch die typische in den F i g. 5 und 5a bei 75 gezeigte stufenartige Anordnung von Flächen mit ellipsenförmigem Kristallquerschnitt tritt bei Kristallen mit kreisförmigem Querschnitt nicht auf (Fig. 6). Dies ist ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung, da bei Blasendefekten in Einkristallen, wie bei 80 in Fig. 5a angedeutet, diese Blasen offenbar zusammen mit den stufenartigen Flächen 75 entstehen. Das Ausschalten st'i^fenartiger Flächen 75 in Kristallen mit kreisförmigem Querschnitt verringert daher das Auftreten bläschenartiger Defekte (Fig. 6). Bei der Durchführung der vorliegenden Erfindung hängt die geeignete Drehge _t'hwindigkeit des Kristalls von der Größe des zu züchtenden Kristalls, d. h. von seinem Durchmesser und bis zu einem gewissen Grade von der benutzten Vorrichtung ab. Wenn mit der gleichen Vorrichtung Kristalle mit größerem Durchmesser hergestellt werden sollen, sind im allgemeinen niedrigere Drehgeschwindigkeiten erforderlich.

Um die geeignete Drehgeschwindigkeit für die in einer besonderen Vorrichtung herzustellenden Einkri·

stalle mit kreisförmigem Querschnitt zu bestimmen, wird ein Versuch bei einer relativ niedrigen Drehgeschwindigkeit von z. B. 3 bis 5 Umdrehungen pro Minute durchgeführt und dabei der Kristallwinkel beobachtet. Die Drehgeschwindigkeit von Kristallen in aufeinanderfolgenden Versuchen wird so lange gesteigert, bis der Winkel θ so groß ist, daß die Längsachse 68 der Facette 64' senkrecht auf der Ebene steht, die durch die c-Achse und Längsachse des Kristalls definiert ist (Fig.3d und F i g. 2a). Diese Drehgeschwindigkeit ist für die Herstellung von Kristallen mit bestimmten Durchmessern in der benutzten Vorrichtung geeignet.

Die Achse der länglichen Facette eines Kristalls 60 kann leicht gemäß der in Fig. 2b gezeigten Technik bestimmt werden. Die Oberfläche des in Fig. 2b gezeigten Endteils des Kristalls wurde — wie beschrieben — mit Schichtlinien markiert. Die Hauptachse 95 des Ellipsoids 97 entspricht der Hauptachse der

Fig.5 gezeigten Einkristall mit ellipsenförmigem Querschnitt beträgt der Winkel Θ 42°. Fig. 2a zeigt einen Kristall mit kreisförmigem Querschnitt, der einen Winkel Θ von 90° hat und bei größerer Drehgeschwindigkeit hergestellt wurde. In den folgenden Beispielen wird die Erfindung näher beschrieben.

Beispiel I

Etwa 7000 g gereinigten Aluminiumoxidbruchs (Saphir) wurden in einen Iridiumtiegel gegeben, der einen inneren Durchmesser von 12,7 cm, eine Wandstärke von 0,25 cm und eine Höhe von 25,4 cm hatte. Der Tiegel wurde in eine Induktionsheizspule gebracht, die 10 Wicklungen 19 aufwies und einen inneren Durchmesser von 24,1 cm hatte. Der Tiegel stand auf einem aus gepreßtem Zirkoniumdioxidpulver bestehenden Sockel, wobei der Raum zwischen Spule und Tiegel auch mit Zirkoniumdioxidpulver gefüllt war. Der Tiegel war ebenfalls in Zirkoniumdioxidpulver eingepackt. Die Vorrichtung befand sich unter einer Glocke aus Aluminium, die oben eine Öffnung hatte. Eine etwa 600 ppm Sauerstoff enthaltende Stickstoffatmosphäre wurde in der Glocke aufrechterhalten. Die Induktionsheizspule wurde von einer bekannten Hochfrequenz-Induktionsheizeinheit mit Energie versorgt, wobei die Energiezufuhr so lange gesteigert wurde, bis der 'induzierte Strom den Iridiumtiegel auf »Weißglut« erhitzte. Die vom Iridiumtiegel übertragene Wärme schmolz dann die Aluminiumoxidstücke auf. Ein stabförmiger Keimkristall aus Alpha-Aluminiumoxid mit r-Ebene-Orientierung und einem Durchmesser von 0,76 cm wurde dann durch die Öffnung in die Glocke so weit eingeführt, bis der Kristall die Oberfläche der Schmelze berührte. Der Keimkristall wurde dann mit einer Geschwindigkeit von 10 Umdrehungen pro Minute gedreht und mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,25 cm/Std. aus der Schmelze gezogen, was 124 Stunden dauerte. Auf diese Weise bildete sich eine längliche Kalotte mit kreisförmigem Querschnitt, wobei der längste Durchmesser 63 cm, der kürzeste Durchmesser dagegen 5,9 cm bei einer Länge von 29 cm betrug. Diese Kalotte war ein wasserheller Alpha-Aluminiumoxid-Einkristal! mit kreisförmigem Querschnitt. Die Hauptachse der länglichen im Querschnitt gezeigten Facette an der Spitze der Kalotte stand senkrecht auf der Ebene, die durch die ο Achse und die Längsachse des Einkristalls bestimmt ist, wobei der Winkel Θ 90° ± 15" betrug.

Beispiel Il

Die Ausgangsbedingungen gleichen denen von Beispiel I. Der Keimkristall wurde dann bei einer

■5 Geschwindigkeit von 10 Umdrehungen pro Minute gedreht und mit einer Ziehgeschwindigkeit von 0,25 cm/Std. aus der Schmelze gezogen, was 125 Stunden dauerte. Auf diese Weise bildete sich eine längliche Kalotte mit kreisförmigem Querschnitt, wobei

to der längste Durchmesser 6,1 cm, der kürzeste Durchmesser dagegen 5,8 cm bei einer Länge von 25,4 cm betrug. Diese Kalotte war ein wasserheller Alpha-Aluminiumoxid-Einkristall mit kreisförmigem Querschnitt. Die Hauptachse der länglichen im Querschnitt gczeigten Facette an der Spitze der Kalotte stand senkrecht auf der Ebene, die durch die c-Achse und die Längsachse des Einkristalls bestimmt ist, wobei der Winkel Θ 90° ± 15° betrug.

Beispiel III (Verglcichsbeispiel)

Die Ausgangsbedingungen gleichen denen von Beispiel I. Der Keimkristall wurde dann mit einer Geschwindigkeit von 5 Umdrehungen pro Minute gedreht und mit einer Ziehgeschwindigkeit von etwa 0,25 cm/Std. aus der Schmelze gezogen, was 130 Stunden dauerte. Auf diese Weise bildete sich eine längliche Kalotte mit ellipsenförmigem Querschnitt, wobei 'Jer längste Durchmesser 6,4 cm, der kürzeste Durchmesser dagegen 5,4 cm bei einer Länge von 28 cm

JO betrug. Diese Kalotte war ein wasserheller Alpha-Aluminiumoxid-Einkristall. Die Hauptachse der länglichen im Querschnitt gezeigten Facette an der Spitze der Kalotte bildete einen Winkel von 45° mit der Ebene, die durch die c-Achse und die Längsachse des Einkristalls bestimmt ist, wobei der Winkel Θ 45" ± 5° betrug.

Beispiel IV (Vergleichsbeispiel)

Die Ausgangsbedingungen gleichen denen von Beispiel I. Der Keimkristall wurde dann bei einer Geschwindigkeit von 5 Umdrehungen pro Minute mit einer Ziehgeschwindigkeit von etwa 0,22 cm/Std. aus der Schmelze gezogen, was 149 Stunden dauerte. Auf diese Weise bildete sich eine längliche Kalotte mit ellipsenförmigem Querschnitt, wobei der längste Durchmesser 6,2 cm, der kürzeste Durchmesser dagegen 5,5 cm bei einer Länge von 29 cm betrug. Die;e Kalotte war ein wasserheüer Alpha-Aluminiumoxid-Einkristall. Die Hauptachse der länglichen im Querschn tt gezeigten Facette an der Spitze der Kalotte bilcete einen Winkel von 45° mit der Ebene, die durch die c Achse und die Längsachse des Einkristalls bestimmt ist, wobei der Winkel 0 45° ± 15° betrug.

F i g. 7 zeigt Kurven für die Beispiele I bis IV, in denen das Verhältnis vom kleinsten zum größten Durchmesser gegen die Länge des Einkristalls aufgetragen ist, wobei die Länge des betreffenden Kristalls von der »Schulter« gemessen wurde (bei 90 der F i g. 3a).

Aus der in Fig.7 gezeigten Darstellung ist zu entnehmen, daß die Querschnitte für Kristalle bis zu etwa 15,2 cm Länge in den Beispielen kreisförmig sind, wobei das Verhältnis vom kleinsten zum größten Durchmesser 0,9 und größer ist Die Querschnitte der Kristalle von etwa 15,2 cm Länge und größer (Beispie-Ie III und IV) bei einer Geschwindigkeit von 5 Umdrehungen pro Minute sind eP.ipseniörmig, während die erfindungsgemäßen Kristalle bei einer Geschwindigkeit von 10 Umdrehungen pro Minute (θ = 90°)

einen kreisförmigen Querschnitt bei Längen von 15,2 cm und größer aufwiesen.

Der Vorteil der vorliegenden Erfindung gegenüber dem Verfahren des US-Patentes 37 15 194 besteht darin, daß die Drehgeschwindigkeit des stabförmigen Keimkristalls beim Erstarren und während des Kristailisierens des Aluminiumoxids auf dem stabförmigen Keimkristall kontrolliert wird, wodurch ein Einkristall mit r-Ebene-Orientierung und gleichmäßigem kreisförmigem Querschnitt erhalten wird, wobei der längste Durchmesser des Kristalls höchstens 10% größer als der kleinste Durchmesser ist. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß höhere Kristallwachstumsgeschwindigkeiten erzielt werden, ohne daß die Qualität des Einkristalls nachteilig beeinflußt wird.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Verfahren zum Herstellen von AIpha-Aluminiumoxid-Einkristallen mit kreisförmigem Querschnitt und /--Ebene-Orientierung durch Ziehen aus einer auf wenigstens 2040°C erhitzten Aluminiumoxid-Schmelze mit einem rotierenden, stabförmigen Alpha-Aluminiurnoxid-Keimkristall in einer gegenüber der Schmelze chemisch inerten Atmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß der Keimkristall mit seiner Längsachse senkrecht zur r-Ebene orientiert und mit einer solchen Geschwindigkeit rotiert wird, daß das aus der Schmelze gezogene Ende (62) des Einkristalls (60) an seinem untersten Abschnitt zu einer länglichen, facettenförmigen Fläche (64) ausgebildet ist, dessen Achse (68) senkrecht zu der aus der c-Achse und der Längsachse (20) des Einkristalls (60) gebildeten Ebene (67) steht.