DE2548221A1 - Photokatode - Google Patents
PhotokatodeInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Description
PATENTANWÄLTE
MANITZ, FINSTERWALD & GRÄMKOW
„.. , , ZB. GKL w/ä
München, den
P/Sv - E 2056
English Electric Valve Company Limited
106, Waterhouse Lane Chelmsford, Essex 0M1 2 QTJ / Großbritannien
Photokatode
Die Erfindung betrifft Photokatoden.
Mit "Photokatode" werden Katoden bezeichnet, aus deren
Oberfläche bei Lichteinfall Elektronen emittiert werden; solche Photokatoden werden in zunehmendem Maße bei bestimmten
Arten von Fernsehkameraröhren eingesetzt, insbesondere bei IPernsehkameraröhren, die für den Betrieb
bei sehr geringer Helligkeit, beispielsweise bei Nacht, gedacht sind.
- 2 609852/0597
β MÖNCHEN 22, ROBERT-KOCH-STRASSE I 7 STUTTGART SO (BAD CANNSTATTl MÖNCHEN. KONTO-NUMMER 7270
Wird die Gesamtbeleuchtung bzw. gesamte Beleuchtungsstärke einer betrachteten Szene zu groß bzw« zu hell, so verhindert
die Verwendung einer Blenden- oder Verstärkungssteuerung in
der Kamera selbsttätig das Auftreten von Überlastungen; dieser Schutz hat jedoch dann keine Wirkung, wenn die übermäßige
Beleuchtung sehr lokalisiert ist und nur über einen sehr kleinen Anteil der betrachteten Szene auftritt (dies
kann beispielsweise dann der Fall sein, wenn helle Straßenleuchten in einer sonst sehr dunklen Nachtszene vorhanden
sind), idealisierte, also örtlich auf einen sehr kleinen Bereich
begrenzte Überlastungen können jedoch zu einer Bildverbreiterung bzw» Bildspreizung oder "Übeistrahlung"
("blooming") führen; dieser Effekt wird im Allgemeinen subjektiv von einem Betrachter nicht akzeptiert; darüberhinaus
kann durch diesen Effekt der Wirkungsgrad bzw. das Leistungsvermögen der Kameraröhre beeinträchtigt werden.
Mit der vorliegenden Erfindung soll deshalb eine Photokatode geschaffen werden, bei der die Wirkung der Bildspreizung
verringert wird»
Gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine Photokatode ein transparentes Substrat mit einer Anordnung bzw„ Gruppe
oder einem Feld von Vertiefungen, die in einer größeren Oberfläche ausgebildet sind, wobei die Fläche einer jeden
Vertiefung an der Oberfläche kleiner als die Fläche der Vertiefung in einem Punkt unter der Oberfläche ist, und
wobei die Bodenbereiche der Vertiefungen mit Photokatodenmaterial
versehen sind.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Wände der Vertiefungen unterschnitten, so daß eine Querschnittsfläche
entsteht, die über wenigstens einen Teil der Wandhöhe mit der Tiefe zunimmt; als Alternative hierzu kann eine Maschen-
609852/0597 - 3 -
bzw ο Netzelektrode auf der größeren Oberfläche vorhanden
sein, die mit Öffnungen versehen ist, die kleiner als die Vertiefungen und mit ihnen ausgerichtet sind.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform besteht das Substrat aus Glas, wobei die Vertiefungen hergestellt werden, indem
eine größere Oberfläche des Glases geätzt wird.
Nach einer Ausführüngsform der Erfindung besteht das Sub strat
aus einer Glasplatte mit parallelen Oberflächen, von denen eine beim Betrieb der Abbildung im einfallenden Licht
ausgesetzt wird; die andere Oberfläche der Platte ist mit einer Netzelektrode versehen, die bei einem Ätzverfahren
als Maske verwendet wird; dabei werden die Vertiefungen in dem Glas unter den öffnungen in der Netzelektrode ausgebildet.
Die Wirkung des Ätzmittels führt zu einem Unterschneiden bzw. Unterätzen der Wände der Vertiefungen; wenn
also anschließend Photokatodenmaterial in den Vertiefungen abgelagert wird, so daß auf dem Boden einer jeden Vertiefung
eine Schicht ausgebildet wird, erreicht kein Photokatodenmaterial den unterätzten Bereich der Wand. Dieser unterätzte
Bereich hat also einen sehr hohen elektrischen Oberflächenwiderstand
.
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung weist das
Substrat ein Bündel von parallelen Lichtleitern, insbesondere Lichtfasern auf, die aus einem Glaskern bestehen, der
von einer Glasverkleidung bzwo Glasummantelung umgeben ist.
Der Glaskern ist von einer größeren Oberfläche, die durch die Grenz- bzwo Anschlußebene der Glasummantelung definiert
ist, zurückgeätzt; die Enden der ungeätzten Glasummantelung sind mit einer leitenden Beschichtung versehen, so
daß eine mit Löchern versehene Netz- bzw. Maschenelektrode
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entsteht; diese Elektrode wirkt wiederum als Maske, wenn anschließend Photokatodenmaterial auf den geätzten Oberflächen
des Glaskerns abgelagert wird. Ein leichter Überhang der Maschenelektrode stellt sicher, daß wenigstens
ein Teil der Seitenwände der Glasummantelung frei von dem
Katodenmaterial bleibt; dieser Teil hält also seinen hohen elektrischen Oberflächenwiderstand bei.
In beiden Fällen dient die Maschenelektrode dazu, Elektronen über die größere Oberfläche zu dem Photokatodenmaterial
zu leiten.
Die Anwesenheit eines hohen elektrischen Widerstandes zwischen jedem lokalisiertem Bereich des Photokatodenmaterials
und der Maschenelektrode hat folgende Bedeutung; wenn durch den Einfall von Licht die Emission von Elektronen
durch einen Photokatodenbereich bewirkt wird, nimmt dieser Bereich ein positives Potential an; dann ist der maximale
Emissionsstrom durch den niedrigen Ableit- bzw, Streustrom begrenzt, der von der Maschenelektrode abfließen kann. Auf
diese Weise erreicht der Emissions&rom für einen bestimm«
ten Photokatodenbereich rasch einen Sättigungswert, wenn er einer zu hohen Bestrahlung ausgesetzt wird. Unter diesem
Sättigungswert steht der Elektronenemissionsstrom in einer Beziehung zu dem tatsächlichen Wert bzw. Pegel der einfallenden
Bestrahlung.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden, schematischen
Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Figo 1 einen Schnitt durch eine Photokatode gemäß der
vorliegenden Erfindung;
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Fig. 2 eine Draufsicht dieser Photokatode;
Fige 3 einen Schnitt durch eine weitere Photokatode gemäß
der vorliegenden Erfindung.
Wie sich aus den Fig. 1 und 2 ergibt, weist eine Photokatode ein transparentes Glassubstrat 1 auf, das mit einer
regelmäßigen Anordnung bzw. Gruppierung von Vertiefungen bzw. Aussparungen 2 versehen ist, die sich von einer
größeren Oberfläche 3 des Substrats erstrecken. Jede Vertiefung ist mit einem unterschnittenen bzw» unterätzten
Wandbereich Zf versehen; an dem Boden, also der tiefsten Stelle einer jeden Vertiefung 2 in Bezug auf die
große Oberfläche 3, befindet sich eine Schicht aus Photokatodenmaterial 5o Auf der Oberfläche 3 ist eine mit
Löchern versehene Netz- bzw„ Maschenelektrode 6 angeordnete
Die Photokatode wird auf folgende Weise hergestellt; eine größere Oberfläche einer Platte aus poliertem und gereinigtem
Glas wird mit einer dünnen Metallbeschichtung versehen;
die Glasplatte hat parallele Seitenflächen. In diesem Beispiel wird Chrom als Metall verwendet, da es· ein guter
elektrischer Leiter ist; die Beschichtung ist gerade dick genug, daß sie licht-undurchlässig ist. Die Chromschicht
wird vollständig mit einem Film aus einer lichtunempfindlichen Deckmasse bzw» einem Photoresist-material, bzw.
einem Photoresistlack, bedeckt; dann wird ein Kupfernetz in Kontakt mit dem Photoresistlack gebracht. Der Photoresistlack
wird belichtet, indem er durch das Kupfernetz unter Verwendung von ultraviolettem Licht bestrahlt wird»
Das Kupfernetz wird abgenommen, und dann wird der belichtete Photoresistlack unter Verwendung eines Lösungsmittels
abgelöst, so daß der unbelichtete Photoresistlack zurück
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bleibt. Die Bereiche der Chrombeschichtung, die nicht
mit Photoresistlack bedeckt sind, werden durch Ätzen mit einer
geeigneten Säure entfernt; anschließend wird die Oberfläche abgewaschen. Die zurückbleibende Chrombeschichtung
bildet die Maschenelektrode, wobei die Glasbereiche in den
öffnungen der Maschenelektrode geätzt werden, so daß unterätzte Vertiefungen anstehen. Durch die Wirkung des Ätzmittels
wird eine Unterätzung bzw. Hintersehneidung der
Maschenelektrode erzeugt, wobei die Chrom-Maschenelektrode selbst als Maske für diesen Ätzprozeß wirkt. Anschließend
wird Photokatodenmaterial 5 aus der Dampfphase auf den Bodenbereichen der Vertiefungen abgelagert. Gleichzeitig
wird zwangsläuftig auch Photokatodenmaterial auf der Maschenelektrode abgelagert; dadurch wird jedoch nicht die
Funktionsweise der Photokatode beeinträchtigt, da die Chrom-Maschenelektrode licht-undurchlässig ist. In diesem Beispiel
wird als Photokatodenmaterial ein polykristallines Alkalimaterial verwendet, das aus Antimon, Kalium, Natrium
und Caesium besteht; solche Materialien werden üblicherweise eingesetzt, wobei manchmal auf Natrium verzichtet wird.
Wenn eine optische Abbildung auf die untere Oberfläche 7 der Glasplatte 1 in Richtung der Pfeile 8 projiziert wird, bewirkt
das Licht, welches das Photokatodenmaterial 5 erreicht, eine Elektronenemission, wobei sich einige der
Elektroden nach außen in die durch die Pfeile 9 dargestellte Richtung bewegen. Die emittierten Elektronen werden durch
Leck- bzw. Ableitungsströme von der Maschen elektrode 6 über die Fände 4 ersetzt. Die Maschenelektrode 6 leitet also
Elektronen zu den Photokatoden-Elementen. Nicht alle
emittierten Elektronen entkommen in die Richtung der
Pfeile 9, da einige auf die Seitenwände 4 auftreffen.
Sind die Beleuchtungswerte sehr hoch, so können sehr große Elektronenemissionsströme erzeugt werden; dann steigt die
- 7 609852/0597
Potentialdifferenz, die aufgrund des Ableitstromes zwischen der Maschenelektrode 6 und dem Photokatodenmaterial 5 entsteht,
auf einen Wert an, bei dem nur die emittierten Elektronen mit der höchsten Energie entkommen können; die weniger
energiereichen Elektronen werden durch das dort vorliegende positive Potential zu dem Photokatodenmaterial zurückgebracht.
Es soll angenommen werden, daß jeder lokalisierte Bereich
des Photokatodenmaterials eine Fläche von ^O um χ ^O um
(0o002·· χ 0.0021') hat; um den maximalen Elektronenemissionsstrom
auf den akzeptablen Wert von 1CT TA. zu begrenzen,
muß der effektive Widerstand zwischen dem Photokatodenmaterial 5 und der Maschenelektrode 6 ungefähr 10** ^"Oh
sein· Eine Photokatode der oben erwähnten Größe ist ausreichend klein, um einem einzigen Bildelement zu entsprechen,
wenn sie in einer normalen Fernsehkameraröhre verwendet wird.
In Fig. 3 ist eine alternative Anordnung dargestellt, bei
der die einfallenden Lichtstrahlen mit der Abbildung über Lichtleiter 11 zu lokalisierten Bereichen des Photokatodenmaterials
gebracht werden; solche Lichtleiter 11 werden auch als optische Fasern bzw. Lichtfasern bezeichnet. Die
Lichtleiter 11 sind in einer Glasummantelung 12 eingebettet und werden von ihr umgeben. Die Enden des Glaskerns, welcher
die Lichtleiter 11 aufweist, werden 3elektiv geätzt,
so daß zwischen erhöhten Bereichen der Glasummantelung 12 örtliche Vertiefungen 13 entstehen. Dazu wird eine dünne
Chromschicht auf die anfänglich flache obere Oberfläche der Glasplatte aufgebracht, welche die in die Glasummantelung
12 eingebetteten Lichtleiter 11 aufweist. Dabei kann ein Verfahren verwendet werden, wie es unter Bezugnahme auf
Fig. 1 beschrieben wurdej der Unterschied liegt darin, daß
die Chromschicht sehr dünn gemacht wird, so daß sie nahezu
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transparent ist. Wird also das Chrom mit einer Schicht Photoresistlack bedeckt, so werden die Bereiche des Photoresistlacks
über den Enden der Lichtleiter 11 dadurch belichtet, daß Licht längs der Lichtleiter selbst und durch
die Chromschicht durchgelassen wird. Während der Herstellung werden die Enden der Glasummantelung 12 galvanisiert bzw.
mit einem galvanischen überzug versehen, so daß sich eine mit Löchern ausgebildete Maschenelektrode 1/f aufbaut, die
an den Rändern etwas über den Vertiefungen hängt. Wenn das
Photokatodenmaterial 10 auf dem Boden der Vertiefungen 13 abgelagert wird, verhindert dieser geringe Überhang die Ablagerung
des Photokatodenmaterials auf den Seitenwänden, die durch die ungeätzte Glasummantelung 12 gebildet werden.
Haben die Lichtleiter 11 einen Durchmesser von 15 um, so
IC /
ist ein Widerstand von 10 y Ohm zwischen dem Photokatodenmaterial
10 und der Maschenelektrode 1 if erforderlich, um
den gleichen Sättigungsstrom wie bei der Photokatode zu erhalten,
die unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 beschrieben wurde»
Da jede so gebildete "Tasche" aus Photokatodenmaterial physikalisch
von den benachbarten "Taschen" getrennt ist, kann keine Bildverbreiterung bzw. Bildsprazung auftreten.
-Patentansprüche-
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Claims (2)
- Patentansprüche{ 1·/Photokatode, gekennzei chnet durch ein transparentes Substrat (1) mit einer Gruppe von Vertiefungen (2), die in einer größeren Oberfläche (3) ausgebildet sind, wobei die Fläche einer jeden Vertiefung (2) an der Oberfläche (3) kleiner als die Fläche der Vertiefung (2) an einem Punkt unterhalb der Oberfläche (3) ist, und wobei die Bodenbereiche der Vertiefungen (2) mit Photokatodenmaterial (5) versehen sind.
- 2. Photokatode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wände der Vertiefungen (2) unterschnitten sind, so daß eine Querschnittsfläche entsteht, die über wenigstens einen Teil der Wandhöhe mit der Tiefe zunimmt.3· Photokatode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der größeren Oberfläche eine Maschenelektrode (6), (lif) angeordnet ist, die mit öffnungen versehen ist, die kleiner als die Vertiefungen (2), (13), und mit ihnen ausgerichtet sindoif. Photokatode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1 ) aus Glas besteht, und daß die Vertiefungen (2) hergestellt werden, indem eine größere Oberfläche des Glases geätzt wird.Photokatode nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einer Glasplatte mit parallelen Oberflächen besteht, von denen eine beim Betrieb einfallenden Lichtstrahlen mit einer Abbildung ausgesetzt wird, und daß die andere Oberfläche der Glasplatte mit einer Maschenelektrode versehen ist, die als609852/0597- 10 -Maske bei dem Ätzverfahren verwendet wird, bei dem die Vertiefungen (2) in dem Glas unter den Öffnungen in der Maschenelektrode ausgebildet werden.6ο Photokatode nach einem der Ansprüche 1 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Bündel von parallelen Lichtfasern (11) aufweist, die aus einem von einer Glasummantelung (12) umgebenen Glaskern bestehen.609852/0597
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2548221B2 DE2548221B2 (de) | 1979-04-26 |
DE2548221C3 DE2548221C3 (de) | 1980-01-17 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2548221C3 (de) |
GB (1) | GB1548873A (de) |
-
1975
- 1975-06-19 GB GB2607275A patent/GB1548873A/en not_active Expired
- 1975-10-28 DE DE19752548221 patent/DE2548221C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2548221B2 (de) | 1979-04-26 |
GB1548873A (en) | 1979-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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