DE2529544C2

DE2529544C2 - Schaltung mit variabler Reaktanz

Info

Publication number: DE2529544C2
Application number: DE2529544A
Authority: DE
Inventors: Masayuki Komae Tokyo Hongu; Masahito Tokyo Tada
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-07-04
Filing date: 1975-07-02
Publication date: 1984-04-05
Also published as: JPS516444A; NL7508039A; FR2277463A1; JPS6030125B2; CA1039819A; US3986145A; GB1486526A; FR2277463B1; DE2529544A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

jo Zwar ist bereits eine Schaltung mit variabler Reaktanz vorgeschlagen worden, bei der eine Kapazitätsdiode vorhanden ist, doch läßt sich bei dieser Schaltung die Reaktanz nur über einen kleinen Bereich variieren, und sie ist auch nicht auf bevorzugte Weise geeignet, als integrierter Schaltkreis hergestellt zu werden.

Ferner wurde bereits in Betracht gezogen, eine Schaltung mit einer variablen kapazitiven Reaktanz zu schaffen, die als Reihenschaltung ausgebildet ist und eine Quelle für einen konstanten Strom aufweist, ferner eine Diode, einen Transistor mit geerdetem Emitter, eine zwischen der Basis des Transistors und der Anode der Diode liegende Steuerspannungsquelle sowie einen zwischen dem Kollektor des Transistors und der Anode der Diode angeschlossenen Kondensator. Soll der Ausgangswiderstand bei einer solchen Schaltung mit variabler kapazitiver Reaktanz groß sein, benötigt man jedoch ein induktives Schaltungselement, und man muß einen Kondensator von großer Kapazität vorsehen, um

den Änderungsbereich der Reaktanz zu erweitern. Wegen der Notwendigkeit der Verwendung eines induktiven Schaltungselements und/oder eines Kondensators mit einer sehr großen Kapazität ist es jedoch schwierig, eine solche Schaltung mit variabler kapazitiver Reaktanz als integrierten Schaltkreis auszubilden.

Aus der DE-OS 15 41 997 ist eine gleichspannungsgesteuerte variable Reaktanz bekannt, bei der eine an einem Kollektorvorwiderstand eines Transistors oder an einem Teil dieses Widerstandes abfallende Gleichspannung einem Regelnetzwerk zugeführt wird, welches das Basispotential des Transistors so beeinflußt, daß der durch dessen Kollektorvorwiderstand fließende Kollektorstrom unabhängig von Änderungen der Betriebsbedingungen (Stromversorgung. Umgebungstemperatur) ist.

Aus der DE-AS 20 43 074 ist eine regelbare Reaktanzschaltung bekannt, bei der ein erster Transistor und ein zweiter Transistor jeweils mit ihren

Emittern verbunden sind. Bei dieser bekannten Reaktanzschaltung ist außerdem vorgesehen, daß an die Basis des zweiten Transistors eine Gleichspannung gelegt und in den von den Emittern der beiden Transistoren wegführenden Spannungspfad ein weiterer Transistor geschaltet ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung mit variabler Reaktanz zu schaffen, die nur ein kleines Reaktanzelement benötigt, so daß sich die Schaltung ah integrierter Schaltkreis ausbilden läßt, es jedoch gestattet, einen großen Änderungsbereich der Reaktanz vorzusehen, und bei der sich die Reaktanz variieren läßt, ohne daß irgendeine Änderung des Gleichspannungspegels eintritt.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch eine Schaltung mit variabler Reaktanz gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 gelöst, die durch die in dessen kennzeichnendem Teil angegebenen Merkmale gekennzeichnet ist.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist somit eine Schaltung mit variabler Reaktanz geschaffen worden, zu der ein sich aus einem ersten und einem zweiten Transistor zusammensetzender Differentialverstärker, ferner ein Reaktanzglied, z. B. ein zwischen dem Kollektor und dem Emitter des ersten Transistors liegender Kondensator, eine Spannungsquelle, die der Basis des zweiten Transistors eine Gleichspannung zuführt, sowie eine Steuersignalqueile, die an den Knotenpunkt zwischen den Emittern der beiden Transistoren angeschlossen ist, so daß sich als Eingangsimpedanz des ersten Transistors eine Reaktanzkomponente ergibt, die dem Pegel des Steuersignals entspricht, gehört.

Bei dieser Schaltung gemäß dem Gegenstand des Anspruchs 1 ist es nicht immer erforderlich, eine sehr große Ausgangsimpedanz vorzusehen, so daß es möglich ist, als Last einen Widerstand vorzusehen, wodurch sich die Schaltung daher vorteilhafterweise leicht als integrierter Schaltkreis herstellen läßt. Ferner ist bei dieser Schaltung mit variabler Reaktanz die jeweilige Änderung der Reaktanz nicht von einer Änderung des am Ausgang der Schaltung auftretenden Gleichspannungspegels begleitet, so daß man an die Schaltung eine nachfolgende Stufe, z. B. einen Oszillator, direkt anschließen kann.

Die Erfindung und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt

Fig. IA den Aufbau einer bekannten Schaltung mit variabler Reaktanz,

F i g. 1B eine der Schaltung nach Fig. IA äquivalente Schaltung,

Fig. 2A eine Schaltung, auf die bei der späteren Erläuterung der theoretischen Grundlage der Erfindung bezug genommen wird,

Fig. 2B und 2C jeweils eine der Schaltung nach F i g. 2A äquivalente Schaltung,

Fig.3 den Aufbau einer Schaltung mit variabler Reaktanz gemäß Patentanspruch 1,

F i g. 4 den Aufbau einer weiteren Ausführungsform der Schaltung nach F i g. 3,

F i g. 5 eine Schaltung, bei der es sich um eine Weiterbildung der Ausführungsform nach F i g. 3 handelt.

Um das Verständnis der Erfindung zu erleichtern, wird im folgenden anhand von Fig. IA und IB eine bekannte Schaltung mit variabler Reaktanz beschrie-Gemäß Fig. IA gehören zu der dargestellten bekannten Schaltung mit variabler Reaktanz eine Quelle 1 für einen konstanten Strom, eine Diode 2, die mit einer Klemme zum Zuführen einer Betriebsspan- > nung + Vcc und Masse bzw. einem Erdungsanschluß in Reihe geschaltet ist, ein Transistor 3 mit einem geerdeten Emitter, eine zwischen der Basis des Transistors 3 und der Anode der Diode ? angeschlossene Steuerspannungsquelle 4 und ein zwischen dem

in Kollektor des Transistors 3 und der Anode der Diode 2 liegender Kondensator 5. Wie im folgenden näher erläutert, ist außerdem eine geeignete Kollektorlast 6 zwischen dem Kollektor des Transistors 3 und der Quelle für die Betriebsspannung +- Vcc angeschlossen.

F i g. 1B zeigt eine Schaltung mit variabler Reaktanz, die der Schaltung nach Fig. IA äquivalent ist. Bezeichnet man bei der Schaltung nach Fig. IB den Strom, der von einer Signalquelle e,„ aus zu einer Schaltung mit variabler Reaktanz fließt, mit i,_n, den

2ii Strom, der von der Signalquelle e_m aus über eine kapazitive Reaktanz Z_t zu einem Verstärker A fließt, mit /ι, den Ausgangsstrom des Verstärkers A mit /2 und die Verstärkung des Verstärkers A in der Vorwärtsrichtung mit ß, ergeben sich die nachstehenden Beziehungen:

-^, h-ß-h,

im = '1 + '2 = '1 + ß-i\ = e_it

1 +ß

Somit läßt sich die Gesamtimpedanz Z,„ der Schaltung zwischen der Signalquelle und der Last wie folgt ausdrücken:

(D

In Fig. IA ist eine der praktisch brauchbaren Schaltungen dargestellt, die es ermöglicht, die Stromver-Stärkung des Verstärkers A zu ändern. Bezeichnet bei der Schaltung nach Fig. IA

Eβ die Steuerspannung für den Transistor 3,

V_be die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 3,

⁴"' V₆, die Anoden-Kathoden-Spannung der Diode 2,

K die Boltzmannsche Konstante,

T die absolute Temperatur,

q die Elektronenladung,

/₅ den Sättigungsstrom des Transistors 3 und der Diode 2,

/_ou, den Kollektorstrom des Transistors 3 und
I,„ den zu der Diode 2 fließenden Strom,

lassen sich die folgenden Gleichungen aufstellen:

Ke = V₄, - Eg

Lu, = h ■ exp -—

(2) (3) (4)

Mit Hilfe der Gleichungen (3) und (4) läßt sich der Kollektorstrom /,,„, des Transistors 3 wie folgt ausdrücken:

'οι/ι ~ 's' exp — —

I_s ' '"" KT' -//./exp 4^-

(5)

10

Daß durch die nachstehende Gleichung gegeben ist:

ß = ψ = exp

'in

(6)

erhält man durch Einsetzen von Gleichung (6) in Gleichung (1) die folgende Gleichung:

Z₁. = Z_c

20

1 + exp (-

KT

(7)

Bezeichnet man die Kapazität des Kondensators 5 mit Cq, läßt sich die Eingangsimpedanz

Z=-

in

des Transistors 3 zwischen seinem Kollektor und Masse wie folgt ausdrücken:

30

Z₁. = -

J-W-C₀

1 + exp I-

(8)

35

Gemäß Gleichung (8) ist es möglich, die Eingangsimpedanz Z_1n mit Hilfe der Steuerspannung Eb zu variieren und als Eingangsimpedanz eine variable Kapazität zu erhalten.

Bei der in Fig. IA gezeigten bekannten Schaltung mit variabler Reaktanz wird jedoch der Signalstrom i,„ dem Transistor 3 über seinen Kollektor zugeführt, so daß dann, wenn die Ausgangsimpedanz der Schaltung nicht groß ist, der Signalstrom /,„ zu der Kollektorlast 6 fließt, um den Wirkungsgrad der Schaltung als Schaltung mit kapazitiver Reaktanz herabzusetzen. Infolgedessen benötigt man bei dieser bekannten Schaltung mit variabler Reaktanz in jedem Fall als Kollektorlast 6 des Transistors 3 eine große Spule, wie sie in Fig. IA gezeigt ist, und daher läßt sich diese Schaltung nicht als integrierter Schaltkreis herstellen.

Wenn bei der Schaltung nach Fig. IA mit variabler Reaktanz die Steuerspannung Eb gleich Null wird, ergibt sich für β der Wert I₁ und wenn Eb unendlich groß wird, nimmt β den Wert Null an, d. h. der Variationsbereich von β erstreckt sich von i bis 0, und die durch Gleichung (8) ausgedrückte Eingangsimpedanz Z_1n wird durch Co bestimmt.

Soll eine große Kapazität erhalten werden, muß man einen Kondensator 5 mit großer Kapazität verwenden, und auch hierdurch wird die Anwendung von Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltkreise erschwert. Weiterhin benötigt man bei der bekannten Schaltung nach Fig. IA eine relativ hohe Gleichspannung, und daher wird es schwierig, die Schaltung unmittelbar mit der nächsten Stufe, z. B. einem Oszillator od. dgl., zu verbinden.

Im folgenden wird anhand von Fig. 2A die theoretische Grundlage der Schaltung nach Patentanspruch 1 erläutert. Bei der Schaltung nach F i g. 2A ist der Emitter eines Transistors 7 geerdet, und der Kollektor ist mit einer Last 8 verbunden. Das Reaktanzglied 9 liegt zwischen dem Kollektor und der Basis des Transitors 7. Bei einer solchen Schaltung läßt sich der von der Basis des Transistors 7 aus betrachtete Eingangswiderstand Z',„ zwischen der Basis des Transistors und Masse in der nachstehend genannten Weise ausdrücken. Bezeichnet man hierbei die Steilheit des Transistors 7 mit gm. den Widerstand der Last 8 mit Rl, die Reaktanz des Reaktanzgliedes 9 mit Z'c. die Eingangsspannung mit e',„, die Ausgangsspannung mit e'_oul, den Eingangsstrom mit /Ί + /':. und nimmt man an, daß der Eingangswiderstand des Transistors 7 genügend hoch ist, lassen sich die nachstehenden Beziehungen aufstellen:

Zq + Λ£ Z* ς Τ I\L

ρ' />' p' f

Z'c + R_L Z'c + R_L Z'c+ R,_ V

e'oui = gm ■ R_L- e'_in,

gmR,e',

Da eine ausreichende Eingangsimpedanz des Transistors 7 als vorhanden angenommen worden ist, kann man die Schaltung nach Fig.2A durch die äquivalente Schaltung nach Fig. 2C ersetzen.

Daher läßt sich die Eingangsimpedanz Z'_ln des Tran sistors 7 wie folgt ausdrücken:

Z'_C + R_L

'c + R

i[ + V₁ l+gm

60

somit ist

gm ■ R_L > 1.

Wählt man die Schaltungselemente so, daß sie die Bedingung erfüllt, daß Z'_c sehr viel größer ist_als R_L, kann man Gleichung (9) wie folgt anschreiben:

Zl ± in ~

Z'c

gm -R_L

(10)

Wenn die Steilheit gm des Transistors 7 durch das Steuersignal geändert wird, kann man gemäß Gleichung (10) die Reaktanzkomponente, die in Abhängigkeit vom Steuersignal variiert, als die Eingangsimpedanz Z'm erhalten.

Im folgenden wird eine praktisch brauchbare Ausfuhrungsforrn der Erfindung, die auf der vorstehend dargelegten Theorie beruht, anhand von Fig.3 beschrieben, in der zwei einen Differentialverstärker bildende Transistoren TA und 7B dargestellt sind. An den Kollektor des Transistors 7A ist ein Lastwiderstand

10 angeschlossen, und als Reaktanzglied liegt zwischen dem Kollektor und der Basis dieses Transistors ein Kondensator 11, so daß dieser Kondensator auf ähnliche Weise zur Wirkung kommt wie die bei der Schaltung nach Fig.2A zwischen Kollektor und Basis des Transistors 7 liegende Reaktanz 9. Die Emitter der Transistoren TA und TB sind miteinander verbunden und gemeinsam an den Kollektor eines weiteren Transistors 13 angeschlossen, dessen Emitter über einen Widerstand 14 geerdet ist, und dessen Basis mit einer Quelle 15 für ein Steuersignal verbunden ist, das einer einer Quelle 15a entnommenen Gleichspannungskomponente überlagert wird.

In Fig.3 ist die erfindungsgemäße Schaltung mit variabler Reaktanz einem Oszillator 17 mit einem Transistor 16 zugeordnet. Ein keramischer Zerhacker 18 ist in einen Rückkopplungsweg zwischen Emitter und Basis des Transistors 16 eingeschaltet, und die Basis dieses Transistors ist an die Basis des Transistors TA angeschlossen. Den Basiselektroden der Transistoren TB. TA und 16 wird als Vorspannung eine Gleichspannung über den Widerstand 19 bzw. den Widerstand 20 zugeführt. Diese Gleichspannung wird durch einen Transistor 22 erzeugt, dessen Basis an eine Gleichspannungsquelle 21 angeschlossen ist, und zwischen dem Emitter dieses Transistors und Masse liegt ein Widerstand 23. Ferner ist an die Basis des Transistors TB ein Entkopplungskondensator 24 angeschlossen.

Bezeichnet man bei der Schaltung nach Fig.3 den Widerstandswert des Lastwiderstandes 10 mit Rl und die Reaktanz des Kondensators 11 mit Z'c. läßt sich von der Basis des Transistors TA aus betrachtet die Eingangsimpedanz Z', dieses Transistors durch die nachstehende, der Gleichung (10) ähnelnde Gleichung (11 Jausdrücken:

gm ■ R_L

(H)

Bezeichnet man den durch den Transistor 13 fließenden Strom mit 1 und den Emitterwiderstand jedes der Transistoren TA und TB mit r„ läßt sich die Eingangsimpedanz Z'_d des durch die Transistoren TA und TB gebildeten Differentialverstärkers wie folgt ausdrücken:

Z'_d = 2r_e-ß, (12)

hierin bezeichnetjff die Stromverstärkung des Differentialverstärkers 7.

Allgemein gesprochen, kann man den Emitterwidersiäüd r_e jedes der den Differential verstärker bildenden Transistoren TA und TB wie folgt ausdrücken:

K-T

(13)

hierin bezeichnet K die Boltzmannsche Konstante, T die absolute Temperatur und q die Elektronenladung. Setzt man Gleichung (13) in Gleichung (12) ein, ergibt sich für Zi die folgende Gleichung.

· T

•f

. (14)

sich Ausgangsspannung e'_ou, des Transistors TA wie folgt ausdrücken:

'i ·

-J» - 4r ■ ^rl ß-

(15)

Da das Glied auf der rechten Seite von Gleichung (15) gleich dem Produkt gm ■ R_L- e',„ ist, läßt sich die Steilheit des Differentialverstärkers wie folgt ausdrücken:

_om - ß - 91 Z_d 4 K ■ T

(16)

Setzt man Gleichung (16) in Gleichung (11) ein, erhält man die folgende Gleichung:

AK- T-

g/ 4K- T

9 I-

(17)

Ist bei der Ausführungsfonn nach Fig. 3 die Kapazität des Kondensators 11 mit C gegeben, erhält

man für die Reaktanz Z'_c den Ausdruck - / —, so daß

wC

man Gleichung (17) wie folgt schreiben kann:

hierin gilt

K- T

Bezeichnet i'_b den Basisstrom des Transistors TA, läßt

Gemäß Gleichung (18) richtet sich Z', nach dem Faktor — j, bzw. es handelt sich um ein kapazitives Schaltungselement. Daher kann man den gesamten in F i g. 3 in das gestrichelte Rechteck 25 eingeschlossenen Teil der Schaltung als einer variablen Kapazität C" äquivalent betrachten, die mit dem keramischen Zerhacker 18 des Oszillators 17 parallel geschaltet ist. Diese variable Kapazität C variiert proportional zu dem Steuerstrom /, und daher ist es möglich, die Schwingungsfrequenz des Oszillators 17 in Abhängigkeit von Änderungen des Steuerstroms zu variieren.

Fig.4 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der Schaltungselemente, die in F i g. 3 dargestellten Schaltungselementen entsprechen, jeweils

so mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind.

Bei dem Schaltungsteil 25' nach F i g. 4 liegt ein als Emitterfolger geschaiicier Transistor 26, der mit einem Stromverstärkungsfaktor β arbeitet, zwischen dem Kondensator 11 und dem Kollektor eines Transistors TA als Pufferlast, während die Schaltung nach Fi g. 4 im übrigen im wesentlichen derjenigen nach F i g. 3 entspricht

Bei der Schaltung 25' nach Fig.4 lautet die der Gleichung (9) entsprechende Gleichung wie folgt:

ο-

Z' + Z' = Z'_C + R'_L 1 +ß

'" l+gm-R_L l+gm-R_L'

Es ist ersichtlich, daß die vorstehende Gleichung (19)

der Gleichung (10) ähnelt, so daß man das Glied Rl in

Gleichung (19) vernünftigerweise vernachlässigen kann. Wird eine Schaltung 25 oder 25' mit variabler

Reaktanz an einen Oszillator 17 angeschlossen, wie es in F i g. 3 gezeigt ist, und verwendet man die Steuersignalquelle 15 als Modulationssignalquelle, kann man an der mit dem Kollektor des Transistors 16 verbundenen Ausgangsklemme 7Ί ein frequenzmoduliertes Signal abnehmen.

F i g. 5 zeigt eine weitere Schaltung 25" mit variabler Reaktanz, die im wesentlichen der Schaltung 25 nach Fig.3 ähnelt; bei dieser Schaltung kann man einen Oszillatorschwingkreis 10" anstelle des Lastwiderstandes 10 nach F i g. 3 bzw. 4 oder zusätzlich zu einem solchen Lastwiderstand verwenden. Wird ein solcher Oszillatorschwingkreis 10" verwendet, bildet man ihn so aus, daß sich seine Impedanz entgegengesetzt zu den Änderungen der Impedanz der äquivalenten Oszillatorschwingkreisschaltung ändert, die in dem keramischen

Zerhacker 18 des Oszillators 17 enthalten ist, d. h. daß sich die Impedanz des Oszillatorschwingkreises 10" im umgekehrten Verhältnis zur Impedanz des äquivalenten Oszillatorschwingkreises des Oszillators 17 ändert, damit das Ausgangssignal des Oszillators 17 eine konstante Amplitude erhält. Benutzt man die Schaltung 25" mit variabler Reaktanz in Verbindung mit dem Oszillator 17 als Frequenzmodulator, weist das frequenzmodulierte Ausgangssignal eine konstante Amplitude auf, und daher benötigt man keine Einrichtung zum Begrenzen der Amplitude.

Gegebenenfalls kann man bei einer erfindungsgemäßen Schaltung mit variabler Reaktanz als Reaktanzglied anstelle des Kondensators 11 eine Spule verwenden, wie sie z. B. in F i g. 5 bei 11" dargestellt ist.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltung zur Realisierung einer variablen Reaktanz, mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, wobei die Emitter der beiden Transistoren miteinander verbunden sind, mit einem Vorspannkreis zum Anlegen einer vorbestimmten Gleichspannung an die Basis des zweiten Transistors sowie mit einer Steuersignalquelle in Form eines mit einer Steuerspannung gesteuerten dritten Transistors zum Zuführen eines Steuersignals zu den miteinander verbundenen Emittern des ersten und zweiten Transistors, so daß die von der Basis des ersten Transistors aus betrachtete Eingangsimpedanz eine variable Reaktanz bildet, die entsprechend dem Pegel des Steuersignals variiert,

dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen den Kollektor und die Basis des ersten Transistors (7A) ein Reaktanzelement (ti; 11") gelegt ist,

daß der Vorspannkreis einen Spannungsteiler, bestehend aus einem vierten Transistor (22), dessen Basis an eine Gleichspannungsquelle {21) angeschlossen ist, und einem ersten Widerstand (23), der zwischen dem Emitter des vierten Transistors (22) und Masse liegt, sowie einem zweiten und einem dritten Widerstand (19,20) und einen Entkopplungskondensator (24) enthält, wobei der Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des vierten Transistors (22) und dem ersten Widerstand (23) sowohl mit einem Ende des zweiten Widerstandes (19) als auch mit einem Ende des driuen Widerstandes (20) verbunden ist, wobei das andere Ende des zweiten Widerstandes (19) mit einem Anschluß des Entkopplungskondensators (24), dessen anderer Anschluß an Masse liegt, und der Basis des zweiten Transistors (7B) und das andere Ende des dritten Widerstandes (20) mit der Basis des ersten Transistors (7A) verbunden ist und wobei der Kollektor des vierten Transistors (22) an die Betriebsspannung (+Kv) gelegt ist,

und daß die Steuersignalquelle (15) zur Steuerung des dritten Transistors (13) an dessen Basis angeschlossen ist, wobei die Emitter-ZKollektorstrecke dieses weiteren Transistors (13) zwischen einen an Masse liegenden vierten Widerstand (14) und die Emitter des ersten und des zweiten Transistors (7A, 7ß^geschaltet ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktanzglied ein Kondensator (11) ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktanzglied eine Spule (H") ist.

4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für den ersten Transistor (7A) eine Last (Rl) vorhanden ist, die zwischen den Kollektor des ersten Transistors (7A) und die Anschlußklemme für die Betriebsspannung (+ V_n) geschaltet ist.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Last (Ri) aus einem Widerstand (10) besteht.

6. Schaltung nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Last (Ri) aus einem Schwing- bzw. Resonanzkreis (10") besteht.

7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein als Emitterfolger

geschalteter Transistor (26) zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (7A) und dem Reaktanzglied (11; 11") angeschlossen ist

8. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersinn Transistors (7A) an einen mit variabler Frequenz arbeitenden Oszillator (17) mit einem Resonanzglied (18) angeschlossen ist, um die Frequenz des Ausgangssignals des Oszillators mit Hilfe der variablen Reaktanz (C) zu regeln.

9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersignal (e'„) ein Informationssignal ist, mittels dessen eine Frequenzmodulation des Ausgangssignals des Oszillators (17) bewirkt wird.

10. Schaltung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwing- bzw. Resonanzkreis (10") eine Impedanz aufweist, die im umgekehrten Verhältnis zur Impedanz eines dem Resonanzglied (18) des Oszillators (17) äquivalenten Schwing- bzw. Resonanzkreises variiert, so daß das Ausgangssignal des Oszillators eine konstante Amplitude hat.