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n-Kanal-Speicher-FET Die Erfindung stellt eine besondere Ausgestaltung
eines in der Fauptanmeldung/Hauptpatent P 25 05 816.6 = 75 P 6016 BRD des behandelten
Gegenstandes dar - diese Hauptanmeldung/Haupt patent stellt seinerseits einen Zusatz
zur Anmeldung/Patent P 24 45 137.4 = 74/6185 dar.
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Die Erfindung betrifft eine besondere Weiterbildung der in der Hauptanmeldung/Hauptpatent
erfaßten Löschmethode eines in integrierter Technik hergestellten elektronischen
Bauelementes mit Speichereigenschaften, welches für die Verwendung in eInem Programmspeicher
eines Fernsprech-Vermittlungssystems entwickelt wurde, welches jedoch auch für andere
Speicher, z. B. für Programmspeicher von Datenverarbeitungsanlagen, geeignet ist.
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In der genannten Anmeldung/Patent P 24 45 137.4 ist ein n-Kanal-Speicher-FET
mit einem einen Anschluß aufweisenden steuerbaren Steuergate, vergleiche dort Fig.
1, und mit einem allseitig von einem Isolator umgebenen, floatenden Speichergate
beschrieben, wobei sein Speichergate beim Programmieren durch mittels Kanalinjektion
erzeugte, aufgeheizte Elektronen negativ aufgeladen wird und wobei sein Speichergate
nach dieser Aufladung, vor allem beim Lesen, mittels seiner negativen Ladung durch
Influenz in den Drain-Source-Strom hemmender Weise auf die Drain-Source-Strecke
einwirkt. Dort ist auch ein Beispiel gezeigt, vergleiche Fig. 4 und Seite 10, Zeile
1und 2 sowie den dortigen,
derzeitigen Anspruch 16, bei welchem
ein solcher n-Kanal-Speicher-FET mehrfach in einer Speichermatrix, in integrierter
Technik auf einem Substrat hergestellt, vorgesehen ist, wobei jeder n-Kanal-Speicher-FET
für sich jeweils eine Speicherzelle bildet. Hierbei sind die Anschlüsse der Steuergates
jeweils einer Speicherzeile über eine erste Steuerleitung X,unddie einen Anschlüsse
der zwei Anschlüsse aufweisenden Hauptstrecken aller Speicher-FETs untereinander
über einen gemeinsamen Schaltungspunkt So leitend verbunden.
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Gemäß der Hauptanmeldung/Hauptpatent P 25 OS 816.0, Seite 1, Absatz
1 und dem dortigen, derzeitigen Anspruch 1, kann das geladene, also programmierte
Speichergate solcher Speicherzellen mit Hilfe von elektrischen Mitteln, und zwar
mittels einer zwischen dem Steuergate und der Hauptstrecke zugeführten Löschspannung,
durch einen Effekt entladen werden, der im Speichergate gespeicherte Elektronen,
die durch die Löschspannung in Richtung vom Speichergate weg in den Isolator zwischen
Speichergate und Hauptstrecke hinein beschleunigt werden, zum Abfließen durch den
Isolator zur Hauptstrecke, also zum Kanal oder zum Drain oder zur Source, veranlaßt.
Dazu wird eine Löschspannung entsprechender Polarität und Amplitude zwischen Steuergate
und jenem Bereich der Hauptstrecke angelegt, wohin die Entladung erfolgen soll.
Bei der vorliegenden Erfindung ist der genannte Effekt vorwiegend durch den Fowler-Nordheim-Tunneleffekt
gebildet, der bereits in der Hauptanmeldung/Haupt patent beschrieben wurde. Dort
wurde auf Seite 22, letzter Absatz auch bereits offenbart, daß sich dem Elektronen-Entladungsstrom,
der vom Speichergate zur Hauptstrecke fließt, häufig ein Lbcher-Entladungsstrom
überlagert, der wegen seiner entgegengesetzten Stromrichtung ebenfalls das Speichergate
entlädt.
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Aus der Hauptanmeldung/Hauptpatent geht auch hervor, daß der n-Kanal-Speicher-FET
sowohl mit Hilfe des Fowler-Nordheim-Tunneleffektes, also mit elektrischen Mitteln,
mehrfach wiederholbar elektrisch gelöscht, als auch anschließend elektrisch neu
programmiert werden kann. Die elektrische Löschung und auch die elektrische Neuprogrammierung
kann bei geeigneten Spannungsamplituden vorteilhafterweise i#merhalb kurzer Zeit,
nämlich z.3. innerhalb von einigen 10 ms, z.B. bei ca 35 V Spannungsimpulsen zwischen
Speichergate und Hauptstrecke, beim erstmaligen Löschen und z.B. imlerhalb einer
Minute beim 20. Löschen, erreicht werden. Die gemessenen Löschdauern ändern sich
also normalerweise, und zwar steigen sie von Löschung zu Löschung an. Die Löschdauer
wird schließlich einen höchstzulässigen, an sich beliebig festsetzbaren Wert übersteigen,
ab welchem man die Löschung als gestört und nicht-mehr-möglich betrachten kann.
Der für die elektrische Löschung benötigte Aufwand ist gering. Die Verwendung eines
n-Kanals statt eines p-Kanals für den Speicher-FET ist notwendig, da sonst keine
Programmierung mittels Kanalinjektion und anschließende Löschung mittels Fowler-Nordheini-Tunneleffekt
möglich ist.
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Die Erfindung beruht auf neuen Erkenntnissen über die Ursachen und
über die Abhilfemöglichkeiten der von Programmierung zu Programmierung wachsenden,
Jeweils nötigen Löschdauern. Die Erfindung löst die Aufgabe, das Anwachsen der Löschdauern,
das sonst von Löschung zu Löschung zu beobachten ist, stark zu vermindern. Da die
durch die Erfindung notwendigen Löschdauern erheblich langsamer anwachsen - falls
sie überhaupt wachsen -, kann mit Hilfe der erfindungsgemäßen Maßnahme die Anzahl
der ohne Störungen möglichen Löschungen und Neuprogrammierungen erheblich vergrößert
werden.
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Durch die Erfindung wird also auch die Lebensdauer des Speicher-FET
vergrößert, weil die Löschdauern nicht mehr so rasch unzulässig hohe Werte erreichen.
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Die Erfindung betrifft also einen n-Kanal-Speicher-FET mit einem einen
Anschluß aufweisenden, steuerbaren Steuergate und mit einem allseits von einem Isolator
umgebenen, floatenden Speichergate, wobei sein Speichergate beim Programmieren durch
mittels Kanalinjektion im eigenen Kanal erzeugte, aufgeheizte Elektronen negativ
aufgeladen wird, wobei sein Speichergate nach dieser Aufladung, vor allem beim Lesen,
mittels seiner negativen Ladung durch Influenz in den Drain-Source-Strom hemmender
Weise auf die Drain-Source-Strecke, also Hauptstrecke, einwirkt, wobei das geladene,
also programmierte Speichergate mit elektrischen Mitteln, und zwar mittels einer
zwischen dem Steuergate und der Hauptstrecke zugeführten Löschspannung, durch den
Fowler-Nordheim-Tunneleffekt entladen wird, der im Speichergate gespeicherte Elektronen,
die durch die Löschspannung in Richtung vom Speichergate weg in den Isolator zwischen
Speichergate und Hauptstrecke hinein beschleunigt werden, zum Abfließen durch den
Isolator zur Hauptstrecke, also zum Kanal oder zum Drain oder zur Source, veranlaßt,
und wobei dazu die Löschspannung entsprechender Polarität zwischen Steuergate und
jenem Bereich der Hauptstrecke angelegt wird, wohin die Entladung erfolgen soll.
Der erfindungsgemäße n-Kanal-Speicher-FET ist dadurch gekennzeichnet, daß beim Löschen
die Löschspannung, die zwischen dem Steuergate und der Hauptstrecke angelegt wird,
langsam, z.B. innerhalb einiger Sekunden, auf ihren Endwert ansteigt. Die Löschspannung
kann also z.B. sägezahnförmig, oder auch impulsförmig mit sehr flach ansteigender
Vorderflanke und konstantern, dem Endwert entsprechenden Dach sein' oder auch durch
eine amplitudenmodulierte Impulsfolge mit langsam steigender *) Die dadurch erreichten
Verbesserungen beim Löschen, also die größere Störungsfreiheit, und Weiterbildungen
der Erfindung werden anhand der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Ausführungsbeispiele
näher erläutert, wobei die *) Amplitude gebildet sein.
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Fig. 1 erfindungsgemäße, zu einer Speichermatrix angeordnete Speicher-FETs
und die Fig. 2 eine besondere Ausgestaltung eines einzelnen Speicher-FET zeigen.
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In Fig. 1 sind n-Kanal-Speicher-FETs T1 bis T4 gezeigt. Die zweidimensionale
Speichermatrix kann auch viel mehr als nur vier solche Speicher-FETs enthalten.
Die einzelnen Speicher-FETs enthalten jeweils neben einem steuerbaren Steuergate
ein allseitig von einem Isolator umgebenes, in elektrischer Hinsicht floatendes
Speichergate, vergleiche z.B. in Fig. 2 das Speichergate G1. Das Speichergate wird
beim Programmieren durch Elektronen, hier Ke, die mittels Kanalinjektion im eigenen
Kanal, hier an der Kanalstelle Y, erzeugt, d.h. aufgeheizt sind, negativ aufgeladen.
Nach dieser negativen Aufladung wirkt das Speichergate, hier G1, vor allem beim
Lesen, mittels seiner negativen Aufladung durch Influenz in den Drain-Source-Strom
hemmender Weise auf die Hauptstrecke, hier auf deren ersten Teil K1, ein. Nach dem
Programmieren ist also die Hauptstrecke, hier K1/K2, in einen übermäßig sperrenden
Zustand gesteuert, wie in der oben zitierten Anmeldung/Patent P 24 45 137.4-53 ausführlich
beschrieben ist.
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Das geladene, also programmierte Speichergate, hier G1, kann gemäß
der Hauptanmeldung/Hauptpatent mit elektrischen Mitteln, und zwar mittels einer
zwischen dem Steuergate und der Hauptstrecke zugeführten Löschspannung, durch den
Fowler-Nordheim-Tunneleffekt entladen werden. der irrrim Speichergate gespeicherte
Elektronen zum Abfließen durch den Isolator, hier Is, zur Hauptstrecke veranlaßt.
In der Hauptanmeldung Hauptpatent ist auch beschrieben, daß sich beim Löschen diesem
Elektronen-Entladungsstrom ein Lö cher-Entladungsstrom an der gleichen Stelle des
Isolators überlagern kann.
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Die Löcher fliesen dabei in entgegengesetzter Richtung wie
die
Elektronen, so daß der Löcher-Entladungsstrom ebenfalls entladend auf das Speichergate
G1 wirkt.
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Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß der Löcher-Entladungsstrom
im wesentlichen aufgrund des dem Fowler-Nordheim-Tunneleffekts überlagerten Avalanche-Effektes
entsteht. Dieser Avalanche-Effekt ist in der Hauptanmeldung/Hauptpatent insbesondere
in Zusammenhang mit der Kurve F2 der dortigen Fig. 2 beschrieben. Es zeigte sich,
daß das von Löschung zu Löschung starke Ansteigen der Löschdauer vor allem mit dem
Auftreten des Löcher-Entladungsstroms zusammenhängt. Aufgrund der Löcher werden
nämlich die im Isolator Is - normalerweise unvermeidbar vorhandenen - Haftstellen
mit Löchern besetzt, welche eine Vergiftung des Isolators bewirken. Diese im Isolator
haftenden Löcher verursachen ein Ansteigen der für die Löschung notwendigen Mindestlöschspannungen
und der für die Löschung notwendigen Löschdauern.
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Es zeigte sich, daß das starke Ansteigen der Löschdauern, welche sonst
zur völligen Vergiftung und völligen Störung der Löschungen führt, völlig oder doch
zumindest weitgehend vermieden werden kann, wenn man beim Löschen die Löschspannung
- vergleiche Ur/Ut in Fig. 1, was zwischen dem Steuergate G2 und der Hauptstrecke
hier des Speicher-FET T3 angelegt wird ~- nur langsam auf ihren Endwert ansteigen
läßt. Die Löschspannung soll nämlich z.B. sägezahnförmig kontinuierlich innerhalb
von drei Sekualden von Null V auf ihren Endwert, z.B.+35 V, zwischen der Hauptstrecke
und dem Steuergate G2 ansteigen. Man kann dazu für das Potential Ut konstant Erdsotentinl
und für das Potential Ur ein dazu positives, ansteigendes Potential wählen. Man
kann auch eine entsprechende amplitudenmodulierte Folge positiver impulse zum Löschen
verwenden, derer Amplitude ebenso langsam sägezahnförmig, gleichsam kontinuierlich,
ansteigt - in diesem Fall handelt es sich um eine amplitudenmodulierte Impulsfolge,
wobei die Hüllkurve der Amplitudenspitze sägezahnförmig langsam kontinuierlich auf
jenen Endwert, bei dem das Speichergate gelöscht ist, ansteigt. Der Endwert der
Sägezahnspannung kann
anschließend auch noch einige Zeit konstant
andauern, um auch in dieser Zeit die Entladung fortzusetzen.
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Durch eine solche langsam ansteigende Löschspannung, statt einer von
Anfang an hohen Löschspannung, erfolgt die Entladung des Speichergate G1 nur langsam
nach und nach, sobald die Spannung Fl zwischen Speichergate und Hauptstrecke, also
Drain oder Source, erreicht ist. Durch die nun beginnende Entladung des Speichergate
hat diese Spannung die Tendenz, kleiner zu werden. Weil aber die Steuergate-Hauptstrecke-Löschsparinung
weiter ansteigt, ist die Spannung zwischen Speichergate und Hauptstrecke trotzdem
weiterhin gleich der für den Fowler-Ncrdheim-Tunneleffekt minimal möglichen Spannung
F1 oder nur wenig höher, vergleiche F1 in Fig. 2 der Hauptanmeldung/Hauptpatent-besonders
bei optimaler Dimensionierung der Isolatordicke x. Die Entladung erfolgt bei der
Erfindung nur durch den Fowler-Nordheim-Tl~nneleffekts weil die zwischen dem Speichergate
Gl und der Hauptstrecke wirksame, trotz des lang samen Steuergate-Hauptstrecke-Spannungsanstiegs
wegen der Kleinheit des Elektro#Entladungsstroms angenähert konstant bleibende Spannung
jeweils kleiner als F2 ist, so daß kein aufgrund des Avalanche-Effektes überlagerter
Löcher-Entladungsstronjgleichzeitig fließen kann - vergleiche die für die Erzeugung
eines Löcher-Entladungsstroms nötige, hohe, bei der Erfindung nicht mehr erreichte
Mindestspannung F2 in Fig. 2 der Hauptanmeldung/Hauptpatent,solange die Dicke x
des Isolators Is nicht ungewöhnlich große Werte, vergleiche 11002 in Fig. 2 der
Hauptanmeldung/Hauptpatent, übersteigt. Aufgrund der erfindungsgemäßen Maßnahme
wird also der durch den Avalanche-Effekt überlagerte Löcher-Entladungsstrom vermieden.
Statt dessen tritt aufgrund des erfindungsgemäß langsamen Ansteigens der Löschspannung
nur der Fowler-Nordheim-Ttinneleffekt auf, der vorteilhafterweise bereits bei relativ
niedrigen Spannungen nach und nach die Entladung des Speichergate G1 bewirkt.
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Da bei der Erfindung der Löcher-Entladungsstrom vermieden wird, werden
die Haftstellen im Isolator Is nicht mehr mit solchen Löchern besetzt. Während des
langsamen Ansteigens der Steuergate-Hauptstrecken-Löschspannung fließt bei der Erfindung
allmählich, also nur nach und nach, der Elektronen-Entladungsstrom, ohne daß die
Spannung zwischen Speichergate G1 und Hauptstrecke die der Kurve 2 entsprechende
Höhe erreicht. Der Anstieg der Löschspannung Ur/Ut soll bei der Erfindung also so
langsam erfolgen, daß kein Löcher-Entladungsstrom fließt und daß die Löschdauer
möglichst konstant bleibt - ein Indiz für das Fließen von Locher-Entladungsstrom
erhält man durch Messung der Spannung zwischen dem floatenden Substrat HT und jenem
Bereich S oder D, zu dem hin die Elektronenentladung erfolgen soll; diese Spannung
steigt, falls auch Löcher fließen. Der für die Erfindung höchst zulässige Wert für
die Schnelligkeit des Anstiegs der Löschspannung kann für den jeweils gewählten
Aufbau des Speicher-FET auch durch einen Versuch an einem Probe exemplar ermittelt
werden -zulässig ist nur eine solche Schnelligkeit dieses Anstiegs, bei der trotz
mehrfachen Löschens und Neuprogrammierens kein wesentlicher Anstieg mehr der jeweiligen
Löschungsdauer beobachtet wird.
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Wegen dieser Vermeidung der Vergiftung kann nunmehr auch die Löschung
Uber die gleiche Isolatorstelle zugelassen werden, über die die Programmierung erfolgte.
Man kann also, vergleiche Fig. 2, zuerst die Programmierung an einer Drain-nahen
Kanalstelle V mittels der aufgeheizten Elektronen Ke bewirken und anschließend dle
Löschung zum Drain D hin mittels des Elektronen-Entladungsstromes Kd über praktisch
die gleiche Isolatorstelle bewirken. Auch in diesem Fall beobachtet man nicht den
sonst üblichen'unangenehm starken Anstieg der Löschdauer und der Neuprogrammierdauer
und auch nicht die bei Vergiftung übliche zu geringe Aufladung des Speichergate
nach der Neuprogrammierung.
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Um die Löschung des erfindungsgemäßen Speicher-FET zu verbessern,
kann man eine Weiterbildung anwenden, welche eine übermäßige Entladung des Speichergate
G1 zuläßt, ohne daß aufgrund dieser übermäßigen Entladung der ganze Kanal des Speicher-FET
in den leitenden Zustand gesteuert wird. Bei dieser Weiterbildung ist vorgesehen,
daß das Speichergate des Speicher-FET jeweils nur einen sich über die ganze Breite
des Kanals erstreckenden ersten Teils, vergleiche K1 in Fig. 2 des Kanals K1/K2
bedeckt. Dieser erste Kanalteil Kl soll diewenige Kanalstelle V enthalten, die mittels
Kanalinjektion beim Programmieren die aufgeheizten Elektronen emittiert; - oder
der erste Kanalteil K1 soll zumindest an diese Kanal stelle V angrenzen. Zusätzlich
ist vorgesehen, daß ein Steuergate G2, aber nicht das Speichergate G1, jeweils den
restlichen, elektrisch in Reihe liegenden Teil, vergleiche K2 in Fig. 2, des Kanals
bedeckt, so daß der Zustand des ersten Teils K1 des Kanals sowohl vom Steuergatezustand
als auch vom Speichergatezustand, jedoch der Zustand des restlichen Teils K2 des
Kanals nur vom Steuergatezustand gesteuert wird. Ein solcher Aufbau des Speicher-FET
ist bereits in der Anmeldung/Patent P 25 13 207.4 = 75 P 6039 beschrieben.
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Fig. 1 zeigt eine Speichermatrix, welche der in Fig. 4 der Anmeldung/Patent
P 24 45 137.4 gezeigten Speichermatrix angenähert entspricht. Die hier in Fig. 1
gezeigte Speichermatrix ist jedoch mit den in Fig. 2 gezeigten Ausführungen des
Speicher-FET ausgestattet. Speichermatrizen mit solchen Weiterbildungen können vorteilhafterweise
beim Löschen verschieden betrieben werden: Erstens kann bitweise die in einem einzelnen
Speicher-FET gespeicherte Information gelöscht werden. Dazu muß die Lösch-Spannung,
z.B. zur Löschung des Speicher-FET T3,zwischen dar zugehörigen Steuerelektrode,
hier X2, und dem entsprechenden Drain, also Y1, wirken. Man kann als¢ z.B. die ansteigende
Löschspannung durch Anlegen der Potentiale Us1=0V...+35V
und Ut1
= OV an die ausgewählte Speicherzelle, hier unter Steuerung des Schalters T5 in
den leitenden Zustand, erzeugen. In diesem Falle entlädt sich die auf dem isolierten,
floatenden Speichergate der Speicherzelle T3 gespeicherte negative Ladung über den
Drain D dieser Speicherzelle zum Schalter T5 hin. An die übrigen mit den Steuergates
verbundenen Steuerleitungen X kann dabei jeweils z.B. +20V, an die übrigen mit den
Drains verbundenen Steuerleitungen Y jeweils 0 V gelegt werden und der gemeinsame
Schaltungspunkt So kann floaten, um unerwünschte Beeinflussungen d.h. Löschungen
und Programmienungen, der nicht ausgewählten Speicherzellen T1, T2, T4 zu vermeiden.
Durch das Floaten des gemeinsamen Schaltungspunktes So vermeidet man gleichzeitig
das Fließen von Hauptstreckenströmen, die unnötig Verlustwärme erzeugen.
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Zweitens kann auch wortweise die in einer Zeile des Speichers gespeicherte
Gesamtinformation, oder auch die in mehreren solchen Zeilen gespeicherte Gesamtinformation
gleichzeitig elektrisch gelöscht werden. Dazu sind die betreffenden Potentiale allen
entsprechend zugeordneten Matrixsteuerleitun gen X, Y zuzuführen. In dieser Weise
kann auch die gesamte, in allen Zeilen gespeicherte Information gleichzeitig elektrisch
gelöscht werden, indem allen Matrixste'ierleitungen die betreffenden Potentiale
zugeführt werden Beim Programmieren einer Speicherzelle, z.B. T3, kann ein Programmierpotential
Ut2 mit z.B. +20V an die dieser Speicherzelle zugeordnete, mit dem Steuergate G2
verbundene Steuerleitung, hier X2, angelegt werden. Das Programmierpotential Ut2
beschleunigt die durch die Kanalinjektion im Kanal auf geheizten freien Elektronen
zum Speichergate G1 hin, wie dies in vorstehend angegebenen Anmeldwngen/Patenten
ausführlich beschrieben ist. Damit die betreffende Kanalstelle V durch Kanalinjektion
die freien Elektronen Ke emittiert, die das Speichergate G1 aufladen, ist der Hauptstrecke
des betreffenden
Speicher-FET, hier T3, eine Programmierspannung,v#L.
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Ur2/Us2 z.B. mit den Potentialen Ur2 = OV, Us2 = +20V zuzuführen.
Durch Zuführung des Potentials OV an die übrigen Matrixsteuerleitungen X1, Y2 werden
die übrigen Speicher-FETs T1, T2, T4 nicht programmiert, nicht gelesen und nicht
gelöscht - diese übrigen Speicher-FETs verbrauchen dann auch keinen Strom, also
keine Energie.
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Der in Fig. 1 gezeigte Speicher kann ohne erheblichen konstruktiven
Aufwand auch gelesen werden. Beim Lesen einer ausgewählten Speicherzelle, z.B. T3,
kann ein solches Lesepotential Ut3, z.B. +5V, an die dieser Speicherzelle zugeordnete,
mit dem Steuergate verbundene Steuerleitung, hier X2, angelegt werden, welches die
Hauptstrecke der betreffenden Speicherzelle, hier T5, in den leitenden Zustand steuert,
falls die Speicherzelle T3 nicht programmiert ist, und welches die Hauptstrecke,
hier nämlich den ersten Kanalteil K1 des in Fig. 2 gezeigten Speicherzellenaufbaus,
nicht in den leitenden Zustand steuert, wodurch T3 gesperrt bleibt, falls die Speicherzelle
T3 programmiert ist. Ob die Hauptstrecke der betreffenden Speicherzelle leitend
oder sperrend ist, wird durch eine gleichzeitige Zuführung einer Lese-Spannung,
hier Ur3/Us3,über den zu der betreffenden Spalte gehörenden Schalter T5 festgestellt,
z.B. mit Ur3 =+5 V und Us3 = O V. Beim Lesen einer Speicherzelle wird hier also
ein Lesepotential der dem Steuergate dieser Speicherzelle zugeordneten Steuerleitung
X2,und zusätzlich eine Lesespannung Ur3/Us3 der Hauptstrecke dieser Speicherzelle
zugeführt. Der durch die Hauptstrecke K1/K2 fließende Strom bildet ein Signal, das
den Ausgangsverstärker LV steuert. Dieser Ausgangsverstärker überwacht also ob ein
Strom fließt oder nicht, das heißt, ob die Speicherzelle T3 programmiert oder nicht
programmiert ist.
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An die nicht ausgewählte Steuerleitung Xl kann beim Lesen wie auch
beim Programmieren z.B. OV angelegt werden, vgl.lig.1.
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Dadurch wird erreicht, daß in keiner der nicht ausgewählten Speicher-FETs
ein Strom fließen kann.
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4 Patentansprüche a Figuren