DE2523529C2

DE2523529C2 - Impulssteuerschaltung

Info

Publication number: DE2523529C2
Application number: DE2523529A
Authority: DE
Inventors: Akira Tokio Iga; Hideo Komae Tokio Nakamura
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-05-27
Filing date: 1975-05-27
Publication date: 1983-11-17
Also published as: FR2273410B1; GB1499423A; FR2273410A1; CA1011824A; JPS50152648A; DE2523529A1; NL7506246A; US4002927A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Impulssteuerschaltung mit einem ersten Feldeffekttransistor eines ersten Polaritätstyps, mit einem zweiten Feldeffekttransistor eines zweiten Polaritätstyps, mit einer ersten, eine Gleichspannung einer ersten Polarität abgebenden Gleichspannungsquelle, mit einer zweiten, eine Gleichspannung einer zweiten Polarität abgebenden Gleich-Spannungsquelle, zwischen der und der ersten Gleichspannungsquelle die beiden Feldeffekttransistoren in Reihe liegend vorgesehen sind, mit einer Vorspannungsschaltung für die Abgabe von Vorspannungen an die Gate-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren, mit einer ein Impulssignal an die Feldeffekttransistoren abgebenden Impulssignalquelle und mit ersten und zweiten Zeitkonstantenkreisen.

Es ist bereits eine Datenumsetzschaltung bekannt (US-PS 37 16 723), bei der Dateneingangssignale den Gate-Elektroden zweier Feldeffekttransistoren zugeführt werden, die Feldeffekttransistoren unterschiedlichen Typs sind und die mit ihren Source-Drain-Strecken zwischen Speisespannungsquellen in Reihe liegend angeordnet sind. In der Verbindungsstrecke zwischen den Drain-Source'Strecken beider Feldeffekttransistoren liegen zwei Dioden mit gleicher Leitfähigkeit in Reihe. Der gemeinsame Verbindungspunkt dieser beiden Dioden liegt über einen Kondensator an Erde, an welchem ein Datenausgangssignal abnehmbar ist, welches einer weiteren, entsprechend aufgebauten Feldeffekttransistorschaltung zugeführt wird. Der jeweilige Kondensator wird dann geladen, wenn der eine Feldeffekttransistor der mit ihren Source-Drain-Strek-

ken mit dem betreffenden Kondensator verbundenen Feldeffekttransistoren im leitenden Zustand ist; er wird dann entladen, wenn der zugehörige andere Feldeffekttransistor sich im leitenden Zustand befindet Derartige Schaltungsstrukturen werden in dynamischen Schieberegistern verwendet, bei denen die mit ihren Source-Drain-Strecken jeweils in Reihe miteinanderliegenden Feldeffekttransistoren durch zueinander phasenversetzte Taktimpulse gesteuert werden. Nachdem die erwähnten Kondensatoren direkt mit den geschalteten Feldeffekttransistorschaltungen verbunden sind, eignet sich die betreffende bekannte Schaltungsanordnung nicht für eine verzerrungsfreie Abgabe von ihr eingangsseitig zugeführten Impulsen.

Es ist ferner einer Signalformungsschaltung bekannt (US-PS 37 25 679), bei der eine aus Bipolar-Transistoren bestehende Transistorschaltung vorgesehen ist, die zur Signalformung dient Bei dieser bekannten Schaltungsanordnung sind zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps mit ihren KoHektor-Emitter-Sirekken über zwei gleichsinnig in Reihe geschaltete Dioden ebenfalls in Reihe geschaltet. Die beiden Transirtoren werden gegenphasig zueinander angesteuert. Am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden Dioden liegt ein eine Induktivität und zwei Kondensatoren umfassender Reihenschwingkreis. Mit Hilfe dieser bekannten Schaltungsanordnung wird die Vorderflanke eines der betreffenden Schaltungsanordnung zugeführten Eingangs-Rechtecksignals in eine Halbperiode einer Kosinuswelle umgesetzt, und die Rückflanke des eingangsseitig zugeführten Rechtecksignals wird in eine weitere Halbweile einer Kosinuswelle umgesetzt Damit eignet sich aber diese bekannte Schaltungsanordnung nicht für eine verzerrungsfreie Weiterleitung von Impulsen.

Es ist schließlich auch schon eine Stromquelle bekannt (US-PS 36 21 281), bei der eine Konstantstromquelle und eine getastete Konstantstromquelle miteinander in Reihe liegend vorgesehen sind, wobei am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden Stromquellen ein Kondensator und eine Transistoranurdnung angeschlossen sind, über die ein Verbraucher gesteuert wird. Die Anordnung ist dabei so getroffen, daß jeweils eine der beiden Stromquellen aktiviert ist, während die andere nicht aktiviert ist, wodurch der erwähnte Kondensator linear geladen oder entladen wird. Dies führt zu einem linearen Ansieigen bzw. Abfallen des Ausgangsstroms, der dem Verbraucher zugeführt wird. Damit ist aber auch diese beKannte Anordnung nicht für eine verzerrungsfreie Weiterleitung von ihr zugeführten Impulsen geeignet

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Weg zu zeigen, wie eine Impulssteuerschaltung der eingangs genannten Art auszubilden ist, damit ihr zugeführte Impulssignale ohne eine Signalverformung ss abgegeben werden können.

Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe bei einer Impulssteuerschaltung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch, daß der erste Zeitkonstantenkreis mit dem ersten Feldeffekttransistor ver- bunden ist und einen ersten Widerstand und einen Kondensator aufweist und daß der zweite Zeitkonstantenkreis mit dem zweiten Feldeffekttransistor verbunden ist und einen zv'eiten Widerstand sowie den Kondensator aufweist, dessen Aufladung über den ersten Widerstand in dem Fall erfolgt, daß sich der erste Feldeffekttransistor auf das Impulssignal hin im leitenden Zustand befindet, und dessen Ladespannung eine Entladung über den zweiten Widerstand in dem Fall erfährt, daß der zweite Feldeffekttransistor sich auf die Ladespannung hin im leitenden Zustand befindet

Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß mit^ einem insgesamt relativ geringen schaltungstechnischerT Aufwand sichergestellt ist, daß die Signalform der der Impulssteuerschaltung zugeführten Impulssignale nicht verzerrt wird. Die Impulssteuerschaltung gemäß der Erfindung eignet sich damit in vorteilhafter Weise besonders gut dazu, ihr eingangsseitig zugeführte Impulssignale genau in sägezahnförmige, dreieck!örmige oder sonstwie geformte Impulssignale umwandeln zu lassen, und zwar synchron mit dem Anstieg und dem Abfall des jeweiligen eingangsseitigen Impulssignals.

Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend zn Alisführungsbeispielen näher erläutert

F i g. 1 zeigt schematisch ein Schaltbi! > einer Ausführungsform einer impulssieuersehaltung ^emäß der Erfindung.

F i g. 2 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit dynamischer Triodenchsrakteristik, der für eine Impulssteuerschaltung gemäß der Erfindung vorteilhaft ist

Fig.3 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform eines Feldeffekttransistors mit dynamischer Triodencharakteristik, der vorteilhafterweise bei einer Impulssteuerschaltung gemäß der Erfindung zu verwenden ist

F i g. 4 zeigt ein achaubild der Vcr/rf-Kennlinie eines N-Kanal-V-Feldeffekttransistors und eines P-Kanal-V-Feldeffekttransistors.

Fig.5A, 5B und 5C zeigen Impulsformen, wie sie jeweils mit einer Impulssteuerschaltung gemäß der Erfindung zu erhalten sind.

F i g. 1 zeigt ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform einer Impulssteuerschaltung gemäß der Erfindung. Eine Impulssignalquelle 10 ist in Fig. 1 über ei.ien Anschluß 11 mit dem gleitenden Abgriff 13 eines Potentiometers 12 verbunden. Der eine endseitige Anschluß 12a des Potentiometers 12 ist über eine erste Konstantstromschaltung 14a und über einen Widerstand Ra mit einer ersten Quelle 15 für eine Versorgungsgleichspannung verbunden. Der andere endseitige Anschluß 126 des Potentiometers 12 ist über eine zweite Konstantstromschaltung 146 und über einen Widerstand Rb mit einer zweiten Quelle 16 für Versorgungsgleichspannung verbunden, die gegenüber der ersten Quelle 15 entgegengesetzte Polarität hat Wie weiter unten noch erläutert wird, liegen ein erster und ein zweiter Sperrschichtfeldeffekttransistor des vertikalen Typs und Zeitkonstantenkreise zwischen der ersten und der zweiten Quelle 15 und 16. Der erste und der zweite Schaltkreis 14a und 146 für konstanten Strom, die Widerstände Ra und Rb und das Potentiometer 12 bilden einen Vorspannungsschaltkreis für die Feldeffekttransistoren.

Es sei nunmehr auf F i g, 2 Bezug genommen, in der eine Schnittansicht eines Ausfuhrungsbeispiels eines Feldeffekttransistors gezeigt ist, der eine triodenartige dynamische Charakteristik hat. Ein solcher Transistor kann in einer erfindungsgemäßen Impulssteuerschaltung verwendet werden. Der Feldeffekttransistor hat einen vertikalen Flächen- oder Übergangsaufbau, gebildet aus einem eigenleitenden Halbleiterbereich 21 mit niedriger Störstellenkonzentration und hohem spezifischen Widerstand. Des weiteren hct der Transi-

stör einen Halbleiterbereich 22 eines ersten Leitungstyps (P-leitend), der ringförmige Gestalt hat und der auf dem oberen Anteil des eigenleitenden Bereiches 21 ausgebildet ist. Der Transistor hat weiter einen Halbleiterbereich 23 eines zweiten Leitungstyps (N-Ieitend), der hohe Störstellenkonzentration hat und der sich über dem ringförmigen Bereich 22 und dem eigenleitenden Bereich 21 befindet, wie dies aus der Figur zu ersehen ist. Entsprechende Drain- oder Senken-fDJl Gate- oder Tar-(G) und Source- oder Quellen-fSJ-A nschlüsse sind jeweils auf der oberen Oberfläche des eigenleitenden Bereiches 21, dem freiliegenden Anteil des ringförmigen Bereiches 22 (P-leitend) vom ersten Leitungstyp und der oberen Oberfläche des Bereiches 23 (N-Leitend) vom zweiten Leitungstyp vorgesehen.

Der in Fig. 2 dargestellte Flächen-Feldeffekttransi- ~*— ^ust eine d"nsiTiischs Charakteristik wie ein? Triode-Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines solchen Feldeffekttransistors ist in Fig.3 dargestellt, in der gleiche Bezugszeichen übereinstimmende Einzelheiten bezeichnen. Wie ersichtlich, gleicht die Ausführungsform nach Fig.3 stark der Ausführungsform des Feldeffekttransistors nach F i g. 2, jedoch mit den zusätzlichen Ausgestaltungen des ringförmigen Bereiches 22 (P-leitend) des ersten Leitungstyps, der mit einem im Inneren befindlichen gitter- oder maschenartigen Aufbau versehen ist, wie dies aus der Figur zu erkennen ist. Dementsprechend ist zu sehen, wie der zweite (N-leitende) Bereich 22 mit hoher Störstellendichte sich sowohl über den ringförmigen und den gitter- oder maschenförmigen ersten (P-Ieitenden) Bereich 22 als auch über den eigenleitenden Bereich 21 erstreckt. Die Gitter- oder Maschenform stellt eine Grenze zwischen dem eigenleitenden Bereich und dem darüberliegenden zweiten (N-Ieitenden) Bereich mit hoher Störstellendichte dar. Außerdem befindet sich ein zusätzlicher (N-Ieitender) Halbleiterbereich 24 des zweiten Leitungstyps mit hoher Störstellenkonzentration auf der unteren Oberfläche des eigenleitenden Halbleiterbereiches 21. Auf diesem Bereich 24 ist der Drain- oder Senkenanschluß Dausgebildet.

Im allgemeinen beträgt die scheinbare Mischsteilheit £777eines Flächen-Feldeffekttransistors

gm

Gm

1 + Rc- Gm

wobei Gm die wahre oder tatsächliche Steilheit und Rc ein äquivalenter innerer Widerstand des Feldeffekttransistors zwischen Quellenanschluß und Senkenanschluß bedeuten. Der Widerstand Rc ist ein zusammengesetzter Widerstand, bestehend aus dem Widerstand zwischen dem Quellenanschluß und dem innerhalb des Feldeffekttransistors befindlichen Kanal, dem Widerstand des Kanals selbst und dem Widerstand zwischen dem Kanal und dem Senkeanschluß.

Vergleichsweise zu einem Flächen-Feldeffekttransistor bekannter Art ist der in Fig.3 dargestellte Feldeffekttransistor durch relativ geringe Trennung oder relativ geringen Abstand zwischen Source oder der Quelle S und dem Kanal ausgezeichnet, der sich in dem P-Ieitenden Bereich 22 ausbildet Außerdem hat ein Feldeffekttransistor nach Fig.3 eine relativ kurze Kanallänge. Es ist dementsprechend der Widerstand Rc des in Fig.3 dargestellten Flächen-Feldeffekttransistors mit vertikalem Obergang sehr viel kleiner als der Widerstand Rc eines bekannten Feldeffekttransistors, und die wahre oder tatsächliche Mischsteilheit Gm ist hoch. Das Produkt Rc ■ Gm ist im allgemeinen kleiner als 1. Somit liegt, wie aus der obigen Gleichung entnehmbar, die scheinbare Steilheil gm des Feldeffekttransistors mit vertikalem Übergang, wie er in F i g. 3 dargestellt ist und für die vorliegende Erfindung verwendet wird, nahe bei dem Wert der wahren oder tatsächlichen Steilheit Gm, abhängig von der Breitenoder Dickenvariation der Verarmungsschicht.

ίο Es ist zu ersehen, daß durch Vertauschung des Halbleitercharakters des Halbleiterbereiches 22 vom ersten Leitungstyp und dem Halbleiterbereich 23 vom zweiten Leitungstyp, wie in Fig.3 gezeigt, ein Feldeffekttransistor mit umgekehrter Polarität erhalten

is wird.

Die Ströme fließen bei dem oben angegebenen Feldeffekttransistor aufgrund seines Aufbaues und aufgrund des Potentials bzw. der Spannung zwischen Quelle und Senke in vertikaler Richtung. Der Feldef-

fekttransistor ist kein stromsteuerndes Element, bei dem Minoritäts-Ladungsträger wie beim bipolaren Transistor ausgenutzt werden. Er ist vielmehr ein spannungssteuemdes Element unter Verwendung von Majoritäts-Ladungsträgern. Dementsprechend hat ein solcher

Feldeffekttransistor keine Ladungsspeicherung, außerordentlich kurze Schaltzeit und geringe Speicher- oder Abkl^:.N£zeit. Das Ergebnis ist, daß Schaltverzerrungen für hohe Frequenzen unterdrückt sind und daß der hohe Harmonische betreffende Verzerrungs- oder Klirrfaktor gering ist.

Fig.4 zeigt eine Charakterirtik oder Kennlinienfeld eines obenerwähnten Feldeffekttransistors. Auf der Abszisse der Fig.4 ist die Gate- oder Tor-Spannung Vcsund auf der Ordinate der Drain- oder Senken-Strom

l_d aufgetragen. Wie aus F i g. 4 ersichtlich, entspricht dieses Kennlinienfeld dem L^-Zj-Kennlinienfeld einer Vakuum-Triodenröhre. Das Kennlinienfeid ist verschieden von demjenigen eines Transistors. Da der oben beschriebene Feldeffekttransistor keinen Ladungs-Speichereffekt oder Ladungs-Abklingeffekt und hohe Schaltgeschwindigkeit hat, ist er besonders gut verwendbar für die Erzeugung von Impulssignalen mit kurzzeitigem Anstieg und/oder Abfall bzw. steiler Anstiegs- und/oder Abfallflanke.

Der Feldeffekttransistor ist nach N-Kanal und nach P- Kanal entsprechend den Polaritäten der Torspannung Vbsund des Senkenstroms /jzu unterscheiden.

Es sei wieder auf F i g. 1 verwiesen, der Toranschluß G eines N-Kanal-Feldeffekttransistors 30, wie er oben

so beschrieben ist, ist mit dem negativen Ansc'.luß der Quelle 16 für Versorgungsgleichspannung verbunden, und zwar über den festen Anschluß 126 des Potentiometers 12, der zweiten Konstantstromschaltung 14Z> und den Widerstand Rb- Dem Toranschluß G eines N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 wird eine Torspannung zugeführt. Ein Senkenanschluß D des N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 ist mit dem positiven Anschluß der Quelle 15 für Gleichspannung verbunden. Ein Quellenanschluß S des N-Kanal-Feldeffekttransistors

30 ist mit einem ersten Zeitkonstantenkreis, gebildet aus einem veränderbaren Widerstand 32a und einem Kondensator 33, und weiter mit einem Ausgangsanschluß 34 verbunden. Ein Toranschluß G eines P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit dem positiven Anschluß einer Quelle 15 für Gleichspannung über den festen Anschluß 12a des Potentiometers 12, die erste Konstantstromschaltung 14a und den Widerstand Ra verbunden. Eine Torspannung wird dem Toranschluß G

des P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 zugeführt. Ein Senkenanschluß Dries P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit dem negativen Anschluß der Quelle 16 für Gleichspannung verbunden. Ein Quellenanschluß 5 des P-Kanal-Feldeffekttransistors 35 ist mit einem zweiten Zeitkon'"antenkreis, gebildet durch einen veränderbaren Widerstand 32b und den Kondensator 33, und weiter mit dem Ausgangsanschluß 34 verbunden.

Anhand der F i g. I wird nachfolgend die Betriebsweise der erläuterten Impulssteuerschaltung beschrieben. Durch die Konstantstromschaltungen 14a und 146 wird der durch das Potentiometer 12 hindurchfließende Strom konstant gehalten. Wenn kein Eingangsimpuls an den Anschluß 11 angelegt ist, sind die Torspannungen der Feldeffekttransistoren 30 und 35 durch den Gleitabgriff 13 des Potentiometers 12 derart festgelegt, daß an dem Ausgangsanschluß 34 das Potential Null herrscht.

Wenn, wie in Fig. 1 gezeigt, ein positives Impulssignal 40 dem Gleitabgriff 13 des Potentiometers 12 über den Anschluß 11 von einer Impulssignalquelle 10 her zugeführt wird, gelangt dieses an die Toranschlüsse G der Feldeffekttransistoren 30 und 35. Dieses Impulssignal 40 addiert sich zu den Vorspannungen derart, daß der N-Kanal-Feldeffekttransistor 30 leitend geschaltet wird. Das verstärkte Impulssignal wird dem ersten Zeitkonstantenkreis zugeführt, der durch den veränderbaren Widerstand 32a und den Kondensator 33 gebildet wird, wobei dieses Impulssignal vom Quellenanschluß S des N-Kanal-Feldeffekttransistors 30 herkommt, womit der Kondensator 33 aufgeladen wird.

Wenn der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32a und die Kapazität des Kondensators 33 außerordentlich klein sind, wird ein Anfangsanteil oder eine Anstiegsflanke eines am Ausgangsanschluß 34 auftretenden Ausgangssignais 41 gegenüber dem Anfangsanteil oder der Anstiegsflanke des Impulssignals 40 nicht verzerrt. Der Kondensator 33, der auf eine gewisse Spannung aufgeladen ist, wird nicht entladen, bis der Pegel des Eingangsimpulssignals 40 abfällt

Mit dem Abfall des Pegels des Eingangsimpulssignals 40 wird der eine Feldeffekttransistor 30 in den gesperrten Zustand gebracht, während der andere Feldeffekttransistor 35 in den leitenden Zustand kommt, da die Aufladespannung des Kondensators 33 dem Quellenanschluß S des Feldeffekttransistors 35 über den veränderbaren Widerstand 32b zugeführt wird. Dementsprechend wird die Aufladung des Kondensators 33 über den veränderbaren Widerstand 326 und den Feldeffekttransistor 35 in die Quelle 16 für negative Spannung entladen. Wenn der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 326 und dementsprechend die Entladezeitkonstante außerordentliph klein sind, wird ein Endteil oder eine Abfallflanke des am Ausgangsanschluß 34 auftretenden Ausgangssignals 41 vergleichsweise zum Endteil oder zur Abfallflanke des Eingangssignals 40 nicht verzerrt.

Das Eingangsimpulssignal 40 kann in eine Sägezahnform, in eine Dreiecksform oder in jegliche andere Form umgesetzt werden, und zwar entsprechend den Widerstandswerten der veränderbaren Widerstände 32a und 326. Wenn z. B. der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32a höher ist und der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 326 niedriger ist, wird der Kondensator 33 entsprechend dem Anstieg des Impulssignals 40 allmählich aufgeladen und entsprechend dem Abfall des Impulssignals 40 nahezu linear entladen. Dementsprechend wird das Eingangsimpulssignal 40 in eine wie in Fig.5A mit 42 gekennzeichnete Form umgewandelt. Wann der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 32a noch höher und der Widerstandswert des veränderbaren Widerstandes 326 noch niedriger ist, erhält man am Ausgangsanschluß 34 eine wie in F i g. 5B gezeigte Form 43. Wenn sowohl der Widerstandswert des Widerstandes 32a als auch der des Widerstandes 326 weiter höher sind, erhält man am Ausgangsanschluß 34 eine wie in F i g. 5C gezeigte Form 44. Nebenbei bemerkt können verschiedene Wellen- oder Impulsformen durch Veränderung der Widerstandswerte jeweils der veränderbaren Widerstände 32a und 326 für Aufladung und Entladung erhalten werden.

Es ist ersichtlich, daß das Eingangsimpulssignal nicht nur mit hoher Wiedergabetreue zu erhalten ist, sondern daß auch eine Umwandlung in verschiedene Wellenformen, wie z. B. Sägezahnform oder Dreiecksform, durch Einstellung der Zeitkonsianicn erreicht werden kann, und zwar ohne Änderung von Verbindungen in der Schaltung, wobei diese Schaltung einen ersten Feldeffekttransistor, der entsprechend einem Eingangssignal in leitenden Zustand zu schalten ist, einen ersten Zeitkonstantenkreis mit einem veränderbaren Widerstand und einem Kondensator, der in leitendem Zustand des ersten Feldeffekttransistors aufgeladen wird, einen zweiten Feldeffekttransistor, der mittels der Aufladespannung des ersten Zeitkonstanten-Schaltkreises in den leitenden Zustand gebracht wird, und einen zweiten Zeitkonstantenkreis mit einem veränderbaren Widerstand und einem Kondensator hat, der seine dem ersten Zeitkonstantenkreis zugehörige Ladung abgibt, wenn der i-weite Feldeffekttransistor leitend geworden ist. Der Kondensator 33 kann veränderbar sein, so wie es der Einzelfall fordert.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Impulssteuerschaltung mit einem ersten Feldeffekttransistor (30) eines ersten Polaritätstyps, mit einem zweiten Feldeffekttransistor (35) eines zweiten Polaritätstyps,

mit einer ersten, eine Gleichspannung einer ersten Polarität abgebenden Gleichspannungsquelle (15),
mit einer zweiten, eine Gleichspannung einer zweiten Polarität abgebenden Gleichspannungsquelle (16), zwischen der und der ersten Gleichspannungsquelle (15) die beiden Feldeffekttransistoren (30,35) in Reihe liegend vorgesehen sind,
mit einer Vorspannungsschaltung (14a, 146, 13) für die Abgabe von Spannungen an die Gate-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren (30,35),
mit einer ein Impulssignal an die Feldeffekttransistoren (30,35) abgebenden Impulssignalquelle(10),
und mii srsten und zweiten Zeitkonstantenkreisen (32a,33;326,33),

dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Zeitkonstantenkreis (32a, 33) mit dem ersten Feldeffekttransistor (30) verbunden ist und einer ersten Widerstand (32a,> und einen Kondensator (33) aufweist

und daß der zweite Zeitkcnstantenkreis (326,33) mit dem zweiten Feldeffekttransistor (35) verbunden ist und einen zweiten Widerstand (32b) sowie den Kondensator (33) aufweist, dessen Aufladung über den ersten Widerstand (32a,l in dem Fall erfolgt, daß sich der erste Fc!deffekr.ransistor (30) auf das Auftreten des Imp-jlssignals hin im leitenden Zustand befindet, und dessc- ■* Ladespannung eine Entladung über den zweiten Widerstand (32b) in dem Fall erfährt, daß der zweite Feldeffekttransistor (35) sich auf die betreffende Ladespannung hin im leitenden Zustand befindet.

2. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die beiden Feldeffekttransistoren (30,35) jeweils eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode and eine Drain-Elektrode aufweisen,
daß die Source-Elektroden der beiden Feldeffekttransistoren (30, 35) mit dem ersten bzw. zweiten Zeitkonstantenkreis (32a,33;320,33) verbunden sind und daß die Vorspannungsschaltung eine Konstantstromschaltung (14a, i4b), die zwischen den beiden Gleichspannungsquellen (15, 16) liegt, und einer, dazu in Reihe geschalteten dritten Widerstand (12) aufweist.

3. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,

daß das eine mit der Konstantstromschaltung (14a; i4b) verbundene Ende des dritten Widerstands (12) mit der Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (30) verbunden ist, während das andere Ende des Widerstands (12) mit der Gate-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (35) verbunden ist,
und daß der dritte Widerstand (12) einen bewegbaren Abgriff (13) aufweist, der mit der Impulssignalquelle (10) verbunden ist.

4. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Widerstand des ersten Widerstands (32a) und des zweiten Widerstands (32b) der Zeitkonstantenkreise ein einstellbarer Widerstand ist.

5. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 1, da

durch gekennzeichnet, daß der Kondensator (33) ein einstellbarer Kondensator ist.

6. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Feldeffekttransistoren (30, 35) Flächen-Feldeffekttransistoren vom Triodentyp mit dynamischen Eigenschaften sind, die zueinander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen.

7. Impulssteuerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,

daß der erste Feldeffekttransistor (30) durch eine vertikale Verbindungsstruktur gebildet ist, die aus einem Eigenhalbleiterbereich (21) geringer Störstellenkonzentration und hohen Widerstands, einem Halbleiterbereich (22) eines ersten Typs von bestimmter Konfiguration auf dem oberen Teil des Eigenhalbleiterbereichs (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23) eines zweiten Typs mit hoher Störstellenkonzentration über dem Halbleiterbereich des ersten Typs (22) und dem Eigenhalbleiterbereich (21) besteht,

und daß der zweite Feldeffekttransistor (35) aus einer vertikalen Verbindungsstruktur besteht, die aus einem Eigenhalbleiterbereich (21) geringer Störstellenkonzentration und hohen Widerstands, einem Halbleiterbereich (22) eines zweiten Typs mit einer bestimmten Konfiguration auf dem oberen Teil des Eigenhalbleiterbereichs (21) und aus einem Halbleiterbereich (23) eines ersten Typs besteht, der eine hohe Siörstellenkonzentration aufweist und der sowohl über dem Halbleiterbereich (22) des zweiten Typs als auch über dem Eigenhalbleiterbereich (21) gebildet ist.