DE2521503A1 - Ladungsuebertragungsvorrichtung zum filtern eines analogsignals - Google Patents

Ladungsuebertragungsvorrichtung zum filtern eines analogsignals

Info

Publication number
DE2521503A1
DE2521503A1 DE19752521503 DE2521503A DE2521503A1 DE 2521503 A1 DE2521503 A1 DE 2521503A1 DE 19752521503 DE19752521503 DE 19752521503 DE 2521503 A DE2521503 A DE 2521503A DE 2521503 A1 DE2521503 A1 DE 2521503A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cell
cells
charge
delay line
charge storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752521503
Other languages
English (en)
Other versions
DE2521503C2 (de
Inventor
Robert Henry Walden
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE2521503A1 publication Critical patent/DE2521503A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2521503C2 publication Critical patent/DE2521503C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00Transversal filters
    • H03H15/02Transversal filters using analogue shift registers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76866Surface Channel CCD
    • H01L29/76875Two-Phase CCD
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/30Time-delay networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

BLUMBACH . WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER . HIRSCH
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN 2521 503
Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237
Western Electric Company, Incorporated R. H. Waiden 9 New.York, N.Y., USA
Ladungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals
Die Erfindung betrifft eine Ladungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals, mit einer ein Ladungsspeichermedium umfassenden Verzögerungsleitung, die eine Vielzahl von in dem Medium gebildeten Ladungsspeicherzellen aufweist, welche in Reihe zueinander geschaltet sind und je eine Fläche A aufweisen, und mit einem Paar Anschlußzellen, von denen eine den Eingang und die andere den Ausgang der Verzögerungsleitung bildet.
Das Aufkommen der Ladungskopplungstechnologxe in jüngerer Zeit hat das Auftreten von inzwischen wohlbekannten Schieberegister- und Speichervorrichtung mit sich gebracht. Um vollständige Systeme herzustellen, werden häufig andere Schaltungsfunktionen verwendet. Beispielsweise umfassen solche zusätzlichen Funktionen
509848/0836
oft ein logisches UND und ODER, binäres Zählen und Signalfiltern. Wenn alle die verschiedenen Funktionen des Systems durchführenden Schaltungen ladungsgekoppelte Vorrichtungen (für die nach dem im
englischsprachigen Raum verwendeten Ausdruck "charge coupled devices" auch die Abkürzung CCD verwendet wird) sind, wird die Herstellung des Systems vorteilhafterweise vereinfacht. Beispielsweise könnten ein Schieberegister und ein UND-Gatter mit Hilfe der bekannten Technologie integrierter Schaltungen auf einem einzigen Plättchen hergestellt werden. Überdies würden Grenzflächenoder Schnittstellenprobleme, wie Impedanzanpassung und Belastung aufgrund von Streukapazität, verringert.
Obige Probleme werden gelöst mit einer Ladungsübertragungsvorrichtung der oben genannten Art, die dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Verbindungsvorrichtung vorgesehen ist, welche die Anschlußzellen derart miteinander verbindet, daß ein Bruchteil y der Ladung in einer der Anschlußzellen auf die andere Anschlußzelle übertragen wird, und daß die Verbindungsvorrichtung eine in dem Medium gebildete und mit der Eingangsanschlußzelle verbundene erste Ladungsspeicherzelle der Fläche A1, welcher das Analogsignal zugeführt wird, und eine in dem Medium gebildete und mit der Ausgangsanschlußzelle gekoppelte zweite Ladungsspeicherzelle der Fläche A2 umfaßt, so daß A2M1 = f ist.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung handelt es sich um ein La-
SG9848/0836
2l>2 1503
dungsübf-rtraguupp-Aiiixlogsignalfiller mit niner Vielzahl Ladungsspeicher zellen, die je eine Fläche A aufweisen und zueinander in Reihe g.r schalt et sind, um eine Verzögerungcleitung zu bilden, velche eine Zeitverzögerung T zwischen ihren Eingangs- und Ausgangszeilen erzeugt.
Eine Rück- oder Vorwärtskopplungsvorrichtung koppelt die Anschlußzellen der Verzögerungsleitung miteinander, so daß ein Bruchtc-il Jf derjenigen Ladung, welche an einer der Anschlußzellen (z. B. der Ausgangszeile) erscheint, auf die andere Anschlußzelle (z. B. die Eingangszeile) übertragen wird. Die Kopplungsvorrichtung umfaßt eine erste Ladungsspeicherzelle der Fläche A , die mit der Eingangszelle der Verzögerungsleitung verbunden ist und welcher das zu filternde Analogsignal zugeführt wird, und sie umfaßt ferner eine zweite Ladungsspeicherzelle der Fläche A2, die mit der Ausgangszelle der Verzögerungsleitung verbunden ist, so daß die Kocffizi^nteneinstellung '/* = h^/k. ist.
Bei einem vorwärtsgekoppelten Sperrfilter wird das Analogsignal über eine Lad.mj·.: üLort ragungszelle der Fläche A1 auf die Eingangshalle der Verzögerungsleitung und über eine andere Übertragungszelle der Fläche A„ <\uf die Ausgangszeile der Verzögerungsleitung . Die ÜberU-agungsfunktion des Sperrfilters ist gegeben
durch H(s) = ß * < ί;Ί , mit ß = f = hjh^. Die charakteristische Übertragungskurv ;:.: Sperrfilters weist Spannungsminima bei
r. o 3 ε /* s / ο β :j : -
Frequenzen f = n/2T auf, wobei η eine ungerade ganze Zahl ist. Andererseits wird bei einem rückgekoppelten Bandpaßfilter das Analogsignal über eine Ladungsspeicherzelle der Fläche A1 auf die Eingangszelle der Verzögerungsleitung gegeben, und das Ausgangssignal der Verzögerungsleitung wird über die Reihenschaltung eines Analoginverters und einer anderen Ladungsspeicherzelle der Fläche A„ auf die Eingangszelle gegeben. Die Übertragungsfunktion
sT —1 des Bandpaßfilters ist gegeben durch HCs) = (Cs+ e ) , mit O = y r A2ZA1. Die charakteristische Obertragungskurve des Bandpaßfilters weist Spannungsmaxima bei den Frequenzen f = n/2T auf, wobei η eine ungerade ganze Zahl ist.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein vorwärtsgekoppeltes Sperrfilter gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf ein anderes vorwärtsgekoppeltes Sperrfilter gemäß einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform;
Fig. 3 eine schematische Draufsicht auf ein rückgekoppeltes Bandpaßfilter gemäß einer dritten erfindungsgemäßen Ausführung s form; und
Fig. U eine schematische Draufsicht auf ein anderes rückgekoppeltes Bandpaßfilter gemäß einer vierten erfindungsgemäßen Ausführungsform.
5Ö9848/G83S
In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein vorwärtsgekoppeltes Sperrfilter gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform dargestellt. Das Filter 10 umfaßt ein Speichermedium 10.1, beispielsweise ein p~-leitendes Halbleitersubstrat, wie Silicium, auf welchem eine (nicht dargestellte) isolierende Schicht gebildet ist, typischerweise aus thermisch gewachsenem Siliciumdioxid. Im Substrat befinden sich mehrere rechtwinklige Ladungsspeicherzellen, deren Grenzen durch gestrichelte und strichpunktierte Linien gekennzeichnet sind. Diese Barrierengitter genannten Grenzen werden in dem Substrat beispielsweise durch Ionenimplantation oder Diffusion von Streifen unbeweglicher Ladungsträger (d. h., Störstellenzentren) in der Weise gebildet, wie sie in der US-PS 3 789 267 angegeben ist.
Das Barrierengitter setzt sich aus Ladungsstreifen mit zwei verschiedenen Potentialhöhen zusammen:
Cl) Kanalstopperbarrieren (gestrichelte Linien), die vorgesehen sind, um eine Ladungsübertragung über diese hinweg zu verhindern. Die Aufgabe der KanalStopperbarrieren, wie sie in der US-PS 3 72 8 161 beschrieben sind, liegt darin, eine unbeabsichtigte Inversion der Oberfläche eines eine integrierte Schaltung tragenden Halbierterplättchens aufgrund kapazitiver Kopplung zwischen Metallisierung und/oder Feldoxid im Halbleitersubstrat auszuschalten. Wäre eine solche Kopplung genügend stark, um die Halbleiteroberfläche zu invertieren, könnte ein Strom zwischen benachbarten
S09848/083S
— ο —
Vorrichtungen in Form von Leckstrom fließen oder sogar Elemente einer einzelnen Vorrichtung kurzschließen.
(2) Obertragungsbarrieren (strichpunktierte Linien), welche eine Höhe aufweisen, die typisch für ein n-Kanal-Bauelement ist; d. h. , das Anlegen der positivsten Taktspannung an die Barrierenzone sollte eine praktisch vollständige Ladungsübertragung erlauben. Die Obertragungsbarrieren sind hinsichtlich der Mitte der darüberliegenden Elektrode asymmetrisch angeordnet, um einen Ladungsfluß in voraussagbarer Richtung zu bewirken. Zusätzlich sind die Grenzen von Diffusionszonen für Dioden und dergleichen durch punktierte Linien gekennzeichnet.
Betrachtet man nun wieder den in Fig. 1 dargestellten strukturellen Aufbau, so kann man sehen, daß das vorwärtsgekoppelte Sperrfilter 10 eine Verzögerungsleitung aufweist, die mehrere Ladungsspeicherzellen 1, 2 ... N umfaßt, die in dem Speichermedium 10.1 in Kaskaden- oderSerienschaltung angeordnet sind. An der Grenzfläche zwischen jedem Paar benachbarter Zellen befindet sich eine Obertragungsbarriere (beispielsweise Barriere 2.1 zwischen den Zellen 1 und 2). Ober einer jeden Zelle der Verzögerungsleitung liegt eine Feldelektrode, die bezüglich der darunterliegenden Obertragungsbarriere asymmetrisch angeordnet ist. Beispielsweise liegt eine Elektrode 2.2 über der Zelle 2 und ist so angeordnet, daß die Obertragungsbarriere 2.1 in der Nähe ihres linken Randes, des näher am Eingang befindlichen Randes, liegt, so daß Ladung
SG9 84S/Ö83S
von links nach rechts übertragen wird (vom Eingang zum Ausgang).
Die Ladungsübertragung geschieht unter der Steuerung eines Taktgebers 20, der beispielsweise zwei Spannungsphasen TL und φ^ aufweist, wobei entgegengesetzte Phasen mit abwechselnden Elektroden der Verzögerungsleitungs-Feldelektroden verbunden sind. Generell bestimmt sowohl die TaktZyklenfrequenz als auch die Anzahl der Zellen N in der Verzögerungsleitung die Zeitverzögerung T vom Eingang bis zum Ausgang der Verzögerungsleitung.
Ein zu filterndes Analogsignal 12 wird auf den Eingangsanschluß IU gegeben, der mit beiden Verzögerungsleitungs-Anschlußzellen gekoppelt ist; d. h., mit Eingangszelle 1 und Ausgangszelle N. Die Kopplung sowohl am Eingang als auch am Ausgang wird mit Hilfe einer Reihenanordnung einer Diode und einer Ladungsspeicherzelle bewirkt. Somit ist am Eingang der Anschluß 14 mit einer Elektrode 16.2 verbunden, die einen Kontakt mit einer η -Diodendiffusionszone 16.1 herstellt. Bekanntlich wird ein elektrischer Kontakt mit der Zone 16.1 typischerweise dadurch hergestellt, daß ein (nicht dargestellte) Loch in die isolierende Schicht geschnitten wird, welche über dem p"-Halbleitersubstrat liegt, so daß die Elektrode 16.2 durch das Loch einen physikalischen Kontakt zur Zone 16.1 herstellt. Zwischen der Diodendiffusionszone 16.1 und der Eingangszelle 1 der Verzögerungsleitung befindet sich eine weitere Ladungsspeicherzelle 18.1 mit einer Fläche A1. Ober der
609340/0836
Zelle 18.1 liegt eine Feldelektrode 18.2, die mit der Phase (L des Taktgebers 20 verbunden ist; d. h., mit der Phase, welche derjenigen entgegengesetzt ist, mit welcher die Feldelektrode 1.2 der Eingangszelle 1 verbunden ist. An der Grenzfläche zwischen den Zellen 1 und 18.1 befindet sich eine Übertragungsbarriere 1.1, welche unter der Elektrode 1.2 liegt, um eine Ladungsübertragung von Zelle 18.1 zu Zelle 1 zu bewirken. Aus den gleichen Gründen erstreckt sich die Diodendiffusionszone 16.1 auch unter die Feldelektrode 18.2; d. h., der Rand 16.3 der Zone 16.1 liegt unter der Elektrode 18.2.
In gleicher Weise ist die Eingangszelle IH mit der Ausgangszelle N der Verzögerungsleitung über eine Diode 20 und eine Ladungsspeicherzelle 22 gekoppelt, wobei letztere eine Fläche A2 aufweist. Zelle 22 und Zelle N sind mit entgegengesetzten Phasen des Taktgebers 20 verbunden, wohingegen die Zellen 22 und 18 mit derselben Phase verbunden sind, so daß das analoge Eingangssignal 12 im wesentlichen gleichzeitig auf die Eingangszelle 1 und die Ausgangszelle N gegeben wird.
Das Ausgangssignal des Filters wird beispielsweise von einer Diode 2 4 abgenommen, die mit der Ausgangszelle N gekoppelt ist. Komponenten des Eingangssignals, deren Frequenzen in den "Einkerbungen" der Filterübertragungskurve liegen, erscheinen nicht in dem Ausgangssignal am Anschluß 26. Diese Einkerbungen oder
609848/0836
Spannungsminima werden durch die Filerübertragungskurve H(s) = ß + e"~ bestimmt und treten bei Frequenzen auf, welche ungerade Ganzzahlige von 1/2T sind. Wie bereits erwähnt, ist T eine Funktion der Taktfrequenz und der Anzahl der Zellen N inder Verzögerungsleitung. Die Koeffizienteneinstellung ß des unverzögerten Signals ist jedoch durch die relativen Flächen der Zellen 18 und 22 bestimmt; d. h., ß = A2M.. β bestimmt somit den Bruchteil des Eingangsanalogsignals, welches unverzögert auf die Ausgangszelle N gegeben wird.
Vorzugsweise ist A1 + A2 — A, so daß die Verzögerungsleitungsausgangszelle N (der Fläche A) genügend Kapazität aufweist, um gleichzeitig direkt von der Zelle 22 (der Fläche A2) übertragene Ladung und verzögerte Ladung aufzunehmen, die von der Zelle 18 (der Fläche A.) über die Verzögerungsleitung übertragen worden ist.
Da die Zeitverzögerung T eine Funktion der Anzahl N der Zellen in der Verzögerungsleitung ist, besteht eine Möglichkeit zur Vergrößerung der Verzögerung T darin, die Anzahl der Zellen N zu erhöhen. Konstruktionsgesichtspunkte, wie Packungsdichte, begrenzen jedoch aus praktischen Gründen die Anzahl solcher Zellen, die in einer einzigen Zeile angeordnet werden können. Dieses Problem wird durch die in Fig. 2 dargestellte kompaktere Ausführungsform der Erfindung verringert, bei welcher die Verzögerungsleitung
S09848/Ö838
gefaltet ist, um ihre Größe zu reduzieren. Nur als Beispiel ist somit eine Verzögerungsleitung dargestellt, welche vier Reihen von Ladungsspeicherzellen aufweist (101-106, 107-112, 113-118 und 119-124). Jede Reihe umfaßt sechs Zellen, je mit der Fläche A. Wie zuvor wird das Eingangssignal über Zellen 12 5 und 126 mit der Fläche A^ bzw. A2 auf die Eingangszelle 101 bzw. die Ausgangszelle 124 gegeben. Die Grenzfläche zwischen benachbarten Reihen (d. h. zwischen benachbarten Zellen in aneinanderstoßenden Reihen) ist eine Kanalstopperbarriere, wovon die "Umkehr"- Übergangsstellen der Verzögerungsleitung ausgenommen sind. Diese Obergangsstellen sind die Grenzflächen zwischen den letzten Zellen (106 und 107) des ersten Reihenpaares, zwischen den ersten Zellen (112 und 113) des nächsten Reihenpaares usw. Somit ist die gemeinsame Grenzfläche zwischen den Zellen 106 und 107 eine Übertragungsbarriere 127. Gleichermaßen sind die gemeinsamen Grenzflächen zwischen den Zellen 112 und 113 und zwischen den Zellen 118 und 119 ebenfalls Obertragungsbarrieren 128 bzw. 129.
Nicht dargestellt sind in Fig. 2 die Taktνerbindungen, die im wesentlichen mit denjenigen der Fig. 1 identisch sind. Die Arbeitsweise dieser Ausführungsform ist ebenfalls dieselbe mit der Ausnahme, daß an der Zelle 12 5 eingeführte Ladung mittels Zweiphasentaktgabe in der durch Pfeile 130, 131 und 132 angegebenen Richtung transportiert wird. Mit Ausnahme einer unterschiedlichen Zeitverzögerung sind die FiItereigenschaften des vorwärtsgekoppelten Sperrfilters der Fig. 2 jenen der Fig. 1 ebenfalls gleich.
509848/Ö83S
In gleicher Weise kann nach den erfindungsgemäßen Prinzipien ein rückgekoppeltes Bandpaßfilter aufgebaut werden. Wie schematisch in Fig. 3 gezeigt ist, umfaßt ein solches Filter 200 eine Verzögerungsleitung, welche beispielsweise sieben LadungsSpeicherzellen 201 bis 207 mit je einer Fläche A umfaßt. Die Elektroden, welche über diesen Zellen liegen, und deren Verbindungen mit den entgegengesetzten Phasen eines Zweiphasentaktes sind zur Vereinfachung weggelassen worden. Die Grenzfläche zwischen benachbarten Zellen der Verzögerungsleitung ist eine Obertragungsbarriere (beispielsweise Barriere 208 zwischen Zellen 201 und 202). Angrenzend an die Eingangszelle 201 ist eine gegabelte Zelle angeordnet, die hinsichtlich ihrer Form mit den Verzögerungsleitungszellen identisch ist, die jedoch geteilt ist, um zwei aneinander angrenzende rechtwinklige Subzellen 209 und 210 der Fläche A1 bzw. A2 zu bilden. Die gemeinsame Grenzfläche 211 zwischen den Subzellen ist eine Kanalstopperbarriere, während die Grenzfläche 212 zwischen den Subzellen und der Eingangszelle 201 eine Obertragungsbarriere ist. Wie zuvor sind die (nicht dargestellten) Feldelektroden der Subzellen mit derselben Phase des Taktgebers verbunden, jedoch mit der Phase, welcher derjenigen Phase entgegengesetzt ist, mit welcher die Eingangszelle 201 verbunden ist.
Das zu filternde Signal wird auf die Subzelle 209 gegeben, während die zeitverzögerte Version dieses Signals, die an der Aus-
609848/0836
gangszelle 207 erscheint, über einen Analoginverter 213 auf die Subzelle 210 rückgekoppelt wird. Beim Analoginverter 213 handelt es sich vorzugsweise um eine CTD-Vorrichtung (charge transfer device, d. h. Ladungsübertragungsvorrxchtung), beispielsweie von jenem Typ, welcher in der deutschen Patentanmeldung P 24 19 064.5 beschrieben ist.
Das Ausgangssignal des Filters wird beispielsweise von einer (nicht dargestellten) Diode abgenommen, die mit der Ausgangszelle 207 gekoppelt ist. Komponenten des Eingangssignals, deren Frequenzen innerhalb des Durchlaßbandes der Filterübertragungskurve liegen, erscheinen im Ausgangssignal. Diese Durchlaßbänder oder Span-
sT —1 nungsmaxima werden von der Filterübertragungsfunktion H(s) = («f+e ) bestimmt und treten bei Frequenzen auf, welche ungerade Ganz zahlige von 1/2T sind. Wie bereits erwähnt, ist T eine Funktion der Taktfrequenz und der Anzahl Zellen infler Verzögerungsleitung. Die Koeffizienteneinstellung C* des verzögerten Rückkopplungssignals ist durch die relativen Flächen der Zellen 209 und 210 bestimmt; d. h. Cx = Aj/A... Der Inverter 213 macht. 0\ negativ.
Das rückgekoppelte Bandpaßfilter der Fig. 3 kann dadurch kompakter gemacht werden, daß die Verzögerungsleitung gefaltet wird, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. Ladung wird in den durch Pfeile 320 und 321 angedeuteten Richtungen übertragen. Die Arbeitsweise des Filters ist ansonsten identisch mit der im Zusammenhang mit Fig. 3 beschriebenen.
509848/0836

Claims (5)

  1. BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HIRSCH
    PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
    Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237
    Western Electric Company, Incorporated R. H. Waiden 9
    Patentansprüche
    l.jLadungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals, mit einer ein Ladungsspeichermedium umfassenden Verzögerungsleitung, die eine Vielzahl von in dem Medium gebildeten Ladungsspeicherzellen aufweist, welche in Reihe zueinander geschaltet sind und je eine Fläche A aufweisen, und mit einem Paar Anschlußzellen, von denen eine den Eingang und die andere den Ausgang der Verzögerungsleitung bildet, dadurch gekennzeichnet , daß eine Verbindungsvorrichtung vorgesehen ist, welche die Anschlußzellen (1, N) derart miteinander verbindet, daß ein Bruchteil ^ der Ladung in einer der An schlußzellen auf die andere Anschlußzelle übertragen wird, und daß die Verbindungsvorrichtung eine in dem Medium gebildete und mit der Eingangsanschlußzelle verbundene erste Ladungsspeicherzelle (18.1) der Fläche A1 und eine in dem Medium gebildete und mit der Ausgangsanschlußzelle gekoppelte zweite Ladungsspeicherzelle (22) der Fläche A2 umfaßt, so daß A2M1 -J^ ist.
    509848/0838
    2S21503
  2. 2. Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein Zweiphasen-Taktgeber (20) vorgesehen ist, daß abwechselnde Zellen der Verzögerungsleitung mit entgegengesetzten Phasen (tL , ^2^ ^es Taktgebers und die erste und die zweite Ladungsspeicherzelle (18, 22) mit derselben Phase des Taktgebers gekoppelt sind , und daß das Analogsignal sowohl auf die erste, als auch auf die zweite Ladungs-speicherzelle geführt ist.
  3. 3. Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Verzögerungsleitung eine Vielzahl Reihen von Ladungsspeicherzellen (101-106, 107-112, 113-118, 119-124) aufweist, eine Vorrichtung zur Bildung von Kanalstopperbarrieren an der GRenzfläche zwischen benachbarten Reihen mit Ausnahme desjenigen Teils (12 7, 128, 129) der Grenzfläche, über welchen Ladung von einer Reihe in die angrenzende nächste Reihe zu übertragen ist, und eine Vorrichtung zur Bildung von Obertragungsbarrieren an diesen Teilen der Grenzflächen.
  4. 4. Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein Analoginverter (213) vorgesehen ist, daß die an der Ausgangsanschlußzelle (207) erscheinende zeitlich verzögerte Version des Signals auf den Eingang des Inverters und das Ausgangssignal des Inverters
    5G9848/G33C
    auf die zweite Zelle (210) mit einer Fläche A„ geführt ist,
    und daß abwechselnde Zellen der Verzögerungsleitung mit entgegengesetzten Phasen (CL, (IL) des Zweiphasentaktgebers (20) und die erste und die zweite Zelle mit derselben Phase des
    Taktgebers gekoppelt sind.
  5. 5. Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch
    gekennzeichnet , daß die erste und die zweite Zelle (209, 210) aneinander und an die Eingangsanschlußzelle (201) angrenzen und eine Vorrichtung zur Bildung einer Kanalstopperbarriere (211) an der Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten Zelle sowie eine Vorrichtung zur Bildung einer Obertragungsbarriere (212) an den Grenzflächen zwischen der
    Eingangszelle (201) und der ersten und der zweiten Zelle einschließen.
    509848/0836
    Leerseite
DE2521503A 1974-05-16 1975-05-14 Ladungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals Expired DE2521503C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47051174A 1974-05-16 1974-05-16
US05/600,272 US3944850A (en) 1974-05-16 1975-07-31 Charge transfer delay line filters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2521503A1 true DE2521503A1 (de) 1975-11-27
DE2521503C2 DE2521503C2 (de) 1986-02-27

Family

ID=27043111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2521503A Expired DE2521503C2 (de) 1974-05-16 1975-05-14 Ladungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3944850A (de)
JP (1) JPS6120172B2 (de)
BE (1) BE829026A (de)
CA (1) CA1023050A (de)
DE (1) DE2521503C2 (de)
FR (1) FR2271716B1 (de)
GB (1) GB1495636A (de)
NL (1) NL7505729A (de)
SE (1) SE399347B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2453669C2 (de) * 1974-11-12 1976-12-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrische Filterschaltung
JPS5814749B2 (ja) * 1976-04-15 1983-03-22 富士通株式会社 電荷転送装置
CA1101993A (en) * 1976-04-15 1981-05-26 Kunihiro Tanikawa Charge coupled device
FR2394925A1 (fr) * 1976-06-22 1979-01-12 Thomson Csf Filtre utilisant un dispositif a transfert de charges
US4152678A (en) * 1976-07-01 1979-05-01 Board of Trustees of the Leland Stanford Jr. Unv. Cascade charge coupled delay line device for compound delays
NL186666C (nl) * 1977-10-13 1992-03-16 Philips Nv Ladingsoverdrachtinrichting.
US4479201A (en) * 1981-12-17 1984-10-23 Hughes Aircraft Company Serpentine charge coupled device
FR2525836A1 (fr) * 1982-04-23 1983-10-28 Thomson Csf Filtre transversal a transfert de charge
JPS6316670A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd 電荷結合素子を用いた遅延素子
US5182623A (en) * 1989-11-13 1993-01-26 Texas Instruments Incorporated Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3621402A (en) * 1970-08-03 1971-11-16 Bell Telephone Labor Inc Sampled data filter
US3819959A (en) * 1970-12-04 1974-06-25 Ibm Two phase charge-coupled semiconductor device
US3789267A (en) * 1971-06-28 1974-01-29 Bell Telephone Labor Inc Charge coupled devices employing nonuniform concentrations of immobile charge along the information channel
US3811055A (en) * 1971-12-13 1974-05-14 Rca Corp Charge transfer fan-in circuitry
US3740591A (en) * 1972-02-25 1973-06-19 Gen Electric Bucket-brigade tuned sampled data filter
US3777186A (en) * 1972-07-03 1973-12-04 Ibm Charge transfer logic device
US3824413A (en) * 1973-02-16 1974-07-16 Bell Telephone Labor Inc Analog feedback frequency responsive circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2271716B1 (de) 1978-09-08
JPS6120172B2 (de) 1986-05-21
CA1023050A (en) 1977-12-20
NL7505729A (nl) 1975-11-18
GB1495636A (en) 1977-12-21
BE829026A (fr) 1975-09-01
SE7505230L (sv) 1975-11-17
DE2521503C2 (de) 1986-02-27
JPS50161138A (de) 1975-12-26
FR2271716A1 (de) 1975-12-12
US3944850A (en) 1976-03-16
SE399347B (sv) 1978-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2542518C3 (de)
DE69524804T2 (de) Basiszelle für BICMOS und CMOS-Gate-Arrays
DE2556274C2 (de) Programmierbare logische Schaltung
DE2754354A1 (de) Programmierbare logische baugruppenanordnung
DE2137211A1 (de) Hybrider Leistungsbaustein
DE2107037A1 (de) Halbleiterbaueinheit
DE2509530A1 (de) Halbleiteranordnung fuer logische verknuepfungsschaltungen
DE2759086A1 (de) Fotodetektoranordnung
DE3872737T2 (de) Verfahren zur kombinierung von &#34;gate array&#34;-schaltungen mit standardschaltungen auf ein gemeinsames halbleiterplaettchen.
DE2521503C2 (de) Ladungsübertragungsvorrichtung zum Filtern eines Analogsignals
DE2627574C3 (de) Integrierte Schaltungsanordnung in Injektionslogik für Schwellwertfunktionen
DE1953975B2 (de) Hochgeschwindigkeits-Mehrphasengatter
DE3886571T2 (de) EPROM-Speicherzelle mit zwei symmetrischen Halbzellen und mit getrennten schwebenden Gittern.
DE3600207A1 (de) Integrierte halbleitervorrichtung
DE1616438C3 (de) Integrierte Schaltung, Verwendung dieser Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0166027B1 (de) In C-MOS-Technik realisierte Basiszelle
DE102020128080A1 (de) Solarzellenmodul
DE2521511A1 (de) Ladungsuebertragungsvorrichtung zur durchfuehrung logischer funkionen
DE1947937A1 (de) Inverter mit Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE2635800C2 (de) Monolithisch integrierte Schottky-I&amp;uarr;2&amp;uarr;L-Gatterschaltung
DE2936682C2 (de)
DE2105475C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3531599C2 (de)
DE2652103A1 (de) Integrierte halbleiteranordnung fuer ein logisches schaltungskonzept mit bipolartransistoren und verfahren zu ihrer herstellung
DE2559361A1 (de) Halbleiterbauteil

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING. ZWIRNER, G., DIPL.-ING. D

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US

8330 Complete renunciation