DE2512951A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes

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DE2512951A1
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semiconductor substrate
metal
cathode
substrate
semiconductor
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DE19752512951
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German (de)
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Osamu Asai
Moriaki Fuyama
Masanobu Hanazono
Masao Iimura
Masahiro Okamura
Hideyuki Yagi
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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JPS542066B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1979-02-01
US3968019A (en) 1976-07-06
JPS50132865A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1975-10-21
NL7503480A (nl) 1975-09-29

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