DE2511281A1 - Durch licht aktivierbarer, steuerbarer halbleitergleichrichter - Google Patents

Durch licht aktivierbarer, steuerbarer halbleitergleichrichter

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DE2511281A1 DE19752511281 DE2511281A DE2511281A1 DE 2511281 A1 DE2511281 A1 DE 2511281A1 DE 19752511281 DE19752511281 DE 19752511281 DE 2511281 A DE2511281 A DE 2511281A DE 2511281 A1 DE2511281 A1 DE 2511281A1
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Description

Priorität: 15. März 1974, Japan, Nr. 29135/74
Durch Licht aktivierbarer, steuerbarer Halbleitergleichrichter
Die Erfindung betrifft eine durch Licht aktivierbare, steuerbare Halbleiter-Gleichrichtereinrichtung, die sich durch ein Lichtsignal einschalten läßt.
Der durch Licht aktivierbare, steuerbare Halbleitergleichrichter (im folgenden als Fotothyristor bezeichnet), dessen Funktion darin besteht, daß er bei Bestrahlung mit Licht aus einem Vorwärts-Sperrzustand in einen leitenden Zustand umgeschaltet wird, umfaßt wie der gewöhnliche Thyristor mit elektrisch gesteuerter Gate-Elektrode mindestens ein Halbleitersubstrat mit vier aneinander grenzenden Schichten PNPN und einem Paar von Hauptelektroden, die mit den äußeren beiden Schichten des Halbleitersubstrates in Ohm'schem Kontakt stehen. Ein solcher Fotothyristor unterscheidet sich von dem Thyristor mit elektrisch gesteuerter Gate-Elektrode dadurch, daß bei dem letzteren ein Triggerstrom von der etwa mit einer der mittleren Schichten elektrisch verbundenen Gate-Elektrode zugeführt wird, während der Fotothyristor mit einem Triggerstrom in Form des Fotostroms versorgt wird, der bei Bestrahlung mit Licht aus einer von dem Halbleitersubstrat elektrisch isolierten Lichtquelle in dem Halbleitersubstrat erzeugt wird. Um die Zündempfindlichkeit des Fotothyristors zu verbessern, ist es erforderlich, einen Aufbau
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vorzusehen, bei dem der Fotostrom wirksam erzeugt und ausgenützt wird. Der herkömmliche Fotothyristor hat insbesondere bei verhältnismäßig großer Kapazität den Nachteil, daß sich die Zünd-Lichtempfindlichkeit infolge von Beschränkungen hinsichtlich der Durchlaßspannungs-Anstiegsgeschwindigkeit dv/dt und der Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen verringert.
Diese Tatsache soll anhand des in Fig. 1 und 2 dargestellten Fotothyristors nach dem Stand der Technik im einzelnen erläutert werden. Danach umfaßt ein Halbleitersubstrat 1 vier Schichten, nämlich eine P-leitende Emitterschicht PE, eine N-leitende Basisschicht N§ eine P-leitende Basisschicht PB und eine N-leitende Emitter schicht NE, die zwischen zwei an den beiden Seiten des Halbleitersubstrats 1 angeordneten Hauptoberflächen 11 und 12 hintereinander angeordnet sind. Die Schicht PB steht mit der Haupt oberfläche 12 über eine Vielzahl von Kurzschlußöffnungen 2, die über die gesamte Fläche der Schicht NE verstreut sind, sowie im wesentlichen über den mittleren Teil der Schicht NE in Verbindung. Mit J1, J2 und J3 sind drei PN-Übergänge zwischen den Schichten PE-NB, den Schichten NB-PB und den Schichten PB-NE bezeichnet. Eine Anode 3 steht in Ohm'schem Kontakt mit der Schicht PE an der einen Hauptoberfläche 11, während eine Kathode 4 an der anderen Hauptoberfläche 12 vorgesehen ist, und in Ohm'schem Kontakt mit der Schicht NE und der durch die Kurzschlußöffnungen 2 exponierten Schicht PB steht. Mit 5 ist eine Einrichtung zur Ausstrahlung eines Lichtsignals bezeichnet. Fällt Licht aus der Einrichtung 5 auf die Oberfläche der Schicht PB, die über den im wesentlichen mittleren Teil der Schicht NE mit der Hauptoberfläche 12 in Verbindung steht, und liegt zwischen den Elektroden des Fotothyristors eine Durchlaßspannung, so daß die Anode 3 gegenüber der Kathode 4 positiv vorgespannt ist, so wird in der Schicht PB ein Fotostrom erzeugt. Dieser Fotostrom fließt zu den dem belichteten Teil am nächsten liegenden Kurzschlußöffnungen 2, wie dies in Fig. 2 durch die Pfeile angedeutet ist, und erreicht über diese Kurzschlußöffnungei die Kathode 4. Der Fotostrom spannt den innersten Rand des dritten PN-Übergangs J3 zwischen den Schichten NE-PB in Durchlaßrichtung vor, wobei Elektronen aus der Schicht NE in die
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Schicht PB injiziert werden, so daß der Fotothyristor aus dem Sperrzustand in einen leitenden Zustand umgeschaltet und somit eingeschaltet wird« Wird der Innenradius der Schicht NE, daß heißt der Radius R1 desjenigen Teiles der Schicht PB, die durch den im wesentlichen mittleren Teil der Schicht NE exponiert ist, vergrößert, so wird der durch die Bestrahlung mit dem Lichtsignal erzeugte Fotostrom unter den am Rand gelegenen Kurzschlußöffnungen aufgeteilt, und die Dichte des den innersten Rand des dritten PN-Übergangs J3 in Durchlaßrichtung vorspannenden Fotostroms nimmt ab. Dies bedeutet, daß ein starker Fotostrom erforderlich ist, um die Einrichtung einzuschalten, so daß ihre Ztindempfindlichkeit abnimmt. Wird andererseits der Wert von R1 verringert, so verlängert sich der auf dem Strompfad des Fotostrom gelegene Teil der Schicht NE, so daß die innerste Seite des dritten<PN-Übergangs J3 durch einen verhältnismäßig geringen Fotostrom stark in Durchlaßrichtung vorgespannt wird; d.h. die Zündempfindlichkeit steigt. Da jedoch in diesem Fall der innerste Rand des dritten PN-Übergangs J3 leicht durch Verschiebungsströme und Leckströme des zweiten PN-Übergangs J2 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird, besteht der Nachteil, daß die kritische Anstiegsgeschwindigkeit der angelegten Spannung, d.h. das dv/dt-Vermögen und die Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen abnehmen. Um nun zu erreichen, daß der innerste Rand des dritten PN-Übergangs J3 leicht in Durchlaßrichtung vorgespannt wird, ohne daß das dv/dt-Vermögen oder die Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen abnimmt, sollten unter Verringerung des Radius R1 die Kurzschlußöffnungen 2 am innersten Rand so weit nach innen auf die Mitte zu verlegt werden, daß das gewünschten dv/dt-Vermögen erzielt wird. In diesem Fall ändert jedoch mit der Verlegung der Kurzschlußöffnungen 2 die Innenkante der Kathode 4 ihre Lage in Richtung auf die Mitte der Anordnung, so daß der belichtete Oberflächenbereich kleiner wird und dadurch die Größe des erzeugten Fotostroms abnimmt. Dies wiederum führt zu einer relativen Verringerung der Zündempfindlichkeit .
Wie sich aus der obigen Erläuterung ergibt, ist es bisher sehr schwierig, einen Fotothyristor zu erzeugen, der hohe Zündempfindlichkeit und gleichzeitig hohes dt/dv-Vermögen und hohe
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Durchbruchspannung bei hohen Temperatüren aufweist.
Der Erfindiong liegt die generelle Aufgabe zugrunde, einen mit Licht aktivierbaren, steuerbaren Halbleitergleichrichter mit neuartigem Aufbau zu schaffen, bei dem gewisse Nachteile, wie sie bei derartigen Gleichrichtern nach dem Stand der Technik auftreten, vermieden sind. Insbesondere soll ein mit Licht aktivierbarer Halbleitergleichrichter geschaffen werden, der eine überlegene Zünd-Lichtempfindlichkeit ohne Verringerung des dv/dt-Vermögens oder der Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen aufweist.
In diesem Zusammenhang vermittelt die Erfindung einen mit Licht aktivierbaren, steuerbaren Halbleitergleichrichter, dessen äußere belichtete Schicht zwei Abschnitt aufweist, von denen der erste Abschnitt eine Vielzahl von im wesentlichen gleichförmig verteilten Öffnungen aufweist, über die eine benachbarte Zwischenschicht freiliegi; und der zweite Abschnitt durch die benachbarte Zwischenschicht von dem ersten Abschnitt im wesentlichen getrennt ist, wobei eine Hauptelektrode in Ohm'schem Kontakt mit dem ersten Abschnitt, den durchgehenden Öffnungen, dem Randteil des zweiten Abschnitts und der um den Rand des zweiten Abschnitts herum freiliegenden benachbarten Zwischenschicht steht und das Lichtsignal auf die exponierte Oberfläche des zweiten Abschnitts fällt. Ein mit Licht aktivierbarer, steuerbarer Halbleitergleichrichter der obigen Struktur ist so aufgebaut} daß der PN-Übergang zwischen dem zweiten Abschnitt und der benachbarten Zwischenschicht im wesentlichen gleichförmig längs dem Rand des zweiten Abschnitts, dagegen an keiner anderen Stelle des zweiten Abschnitts kurzgeschlossen ist und dadurch der Strompfad des Fotostroms in seitlicher Richtung verlängert wird, während andererseits der PN-Übergang zwischen der äußeren Schicht und der benachbarten Zwischenschicht in im wesentlichen gleichem Maße durch Verschiebungsströme und Längsströme kurzgeschlossen wird. Dadurch wird es möglich, die Zündempfindlichkeit, das dv/dt-Vermögen und die Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen zu verbessern.
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Die Erfindung wird in der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen näher erläutert; in den Zeichnungen zeigen
Fig. 1, auf die oben schon Bezug genommen wurde, eine schematische Draufsicht auf einen mit Licht aktiv!erbarera, steuerbaren Halbleitergleichrichter nach dem Stand der Technik;
Fig. 2, auf die ebenfalls schon Bezug genommen wurde, einen schematischen Schnitt längs der Linie I-I nach Fig. 1;
Fig. 3 eine perspektivische, zum Teil geschnittene
schematische Darstellung eines mit Licht aktivierbaren, steuerbaren Halbleitergleichrichters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Verteilung des Verschiebungsstromes und des Leckstromes innerhalb eines mit Licht aktivierbaren Halbleitergleichrichters ;
Fig. 5 eine schematische Darstellung zum Vergleich des
Aufbaus eines mit Licht aktivierbaren Halbleitergleichrichters nach dem Stand der Technik mit dem eines erfindungsgemäßen Gleichrichters;
Fig. 6 eine perspektivische, geschnittene, schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 7 eine schematische Schnittdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 8 eine schematische Draufsicht auf den Licht aufnehmenden Teil weiterer Ausführungsbeispiele der _ Erfindung.
Ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen, mit Licht aktivierbaren, steuerbaren Halbleitergleichrichters (im folgenden als Fotothyristor bezeichnet) ist in Fig. 3 gezeigt, wobei in dieser Figur gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 und 2 bezeichnet sind. Ein Merkmal dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß die N-leitende Emitterschicht NE einen ersten Abschnitt 7 mit einer Vielzahl von im wesentlichen
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gleichförmig verteilten durchgehenden öffnungen 2, über die die P-leitende Basisschicht PB mit der Oberfläche der Einrichtung in Verbindung steht, sowie einen von dem ersten Abschnitt 7 umgebenen zweiten Abschnitt 8 umfaßt, der von dem ersten Abschnitt 7 durch die Schicht PB getrennt ist, keine durchgehenden Öffnungen aufweist und eine kleinere Fläche hat als der erste Abschnitt 7, wobei das Licht auf diesen zweiten Abschnitt 8 fällt. Die Kathode 4 steht in Ohm'schein Kontakt mit dem ersten Abschnitt 7, den durchgehenden Öffnungen 2, dem Rand des zweiten Abschnitts 8 und der Oberfläche der zwischen dem ersten Abschnitt 7 und dem zweiten Abschnitt 8 freiliegenden Schicht PB.
Um einen Fotothyristor mit diesem Aufbau einzuschalten, wird auf die Oberfläche des zweiten Abschnitts 8 ein Lichtsignal gerichtet. Bei Bestrahlung mit diesem Lichtsignal entsteht unmittelbar an oder in der Nähe des dem zweiten Abschnitt 8 entsprechenden zweiten PN-Übergangs J2 ein Fotostrom, der, wie durch den Pfeil 9 angedeutet, in der Schicht PB seitlich, d.h. in Richtung parallel zu dem zweiten PN-Übergang J2, fließt, bis er die Kathode 4 durch den zwischen dem ersten Abschnitt 7 und dem zweiten Abschnitt 8 gelegenen Teil der Schicht PB erreicht. Dieser Fotostrom bewirkt innerhalb der Schicht PB einen Spannungsabfall, der wiederum denjenigen Teil des dritten PN-Übergangs J3 in Durchlaßrichtung vorspannt, der im wesentlichen der Mitte des zweiten Abschnitts 8 entspricht. Somit wird der Einschaltvorgang der Einrichtung in diesem speziellen Teil eingeleitet. In dem vorliegenden Fall ist der Radius R2 des zweiten Abschnitts 8 in geeigneter Weise entsprechend dem nachstehend genannten Grund bestimmt.
Generell werden das dv/dt-Vermögen und die Durchbruchspannung des Thyristors durch die Anordnung der Kurzschlußöffnungen in dem dritten PN-Übergang J3 bestimmt, wobei das maximale dv/dt-Vermögen durch die Gleichung
gegeben ist. In dieser Gleichung bedeuten A und C die Fläche und Sperrschichtkapazität des zweiten PN-Übergangs J2, an dem
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der Verschiebungsstrom auftritt, pg den Scheibenwiderstand der der Schicht NE benachbarten Schicht PB, VD die dem dritten PN-Übergang J3 innewohnende Spannung und K einen durch die Kurzschlußstruktur der Einrichtung bestimmten Kurzschluß-Koeffizient, Bei einer Einrichtung mit gewöhnlicher Kurzschlußstruktur, bei der die Kurzschlußöffnungen jeweils einen Durchmesser d haben und an den Schnittpunkten eines rechtwinkligen Gitters in Abständen von D angeordnet sind, ist der Kurzschlußkoeffizient KQ durch die Gleichung
Ko = i ^
gegeben. Andererseits ist der Kurzschlußkoeffizient Κλ des dem zweiten Abschnitt 8 entsprechenden Teils des PN-Übergangs J3 durch
fR«p ρ
K1=J 2^dP- 2
(3)
gegeben, wobei r der Abstand von der Mitte des PN-Übergangs J2 in seitlicher Richtung ist.
In den obigen Gleichungen ist angenommen, daß der Verschiebungs strom in den zweiten PN-Übergang J2 gleichförmig erzeugt wird. Soll das dv/dt-Vermögen des in Fig. 3 gezeigten Fotothyristors verbessert werden, so muß dafür gesorgt werden, daß das dv/dt-Vermögen des Licht empfangenden Teils, d.h. des zweiten Abschnitts 8, mit dem des ersten Abschnitts zusammenfällt. Mit anderen Worten muß K1 = KQ sein. Der Wert, der diese Beziehung erfüllt, läßt sich ausdrücken als
- 0,153 . (4)
Betragen beispielsweise d = 0,2 mm und D = 1,5 mm, so ist R2 ungefähr 20 mm; wird also der Radius Rp des zweiten Abschnitts 8 mit 20 mm gewählt, so ist es möglich, für den zweiten Abschnitt 8 den gleichen Kurzschlußzustand wie für den ersten Abschnitt 7 mit der Anordnung aus Kurzschlußöffnungen 2 zu erreichen, wobei Verschiebungsstrom und Leckstrom gleichförmig von dem zweiten
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PN-Übergang J2 erzeugt werden und somit das dv/dt-Vermögen und die Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen auf gleichem Wert gehalten werden.
Es ist zu beachten, daß durch Ausstrahlung der Lichtsignale der Fotostrom nicht gleichförmig an dem zweiten PN-Übergang J2 erzeugt wird, sondern mit der Intensität des ausgestrahlten Lichts schwankt. Ein Beispiel für die Verteilung des erzeugten Fotostroms ist in Fig. 4 dargestellt. Anders als bei der zum Vergleich gezeigten Verteilung des Verschiebungsstroms hat der Fotostrom ein Maximum an derjenigen Stelle, die der stärksten Beleuchtung ausgesetzt ist, während er mit zunehmender Entfernung von der Maximum-Stelle kleiner wird. Im Falle eines Fotostroms mit einer derartigen Verteilung läßt sich der der Mitte des zweiten Abschnitts 8 entsprechende Teil des dritten PN-Übergangs J3 wirksamer, d.h. stärker, in Durchlaßrichtung vorspannen, indem die Mitte des zweiten Abschnitts 8 an diejenige Stelle gelegt wird, an der der Fotostrom seine Spitze hat.
In der schematischen Darstellung nach Fig. 5 sind Draufsichten auf den Aufbau der Licht aufnehmenden Teile eines herkömmlichen Fotothyristors (Fig. 5a) beziehungsweise der erfindungsgemäßen Einrichtung (Fig. 5b) gezeigt. Wie aus dieser Darstellung ersichtlich, ist anders als bei der Vorrichtung nach dem Stand der Technik, bei der die Kurzschlußöffnungen in Abständen von etwa 15 mm über die gesamte Oberfläche hinweg angeordnet sind, die erfindungsgemäße Einrichtung mit einem Übergangs- oder Sperrschichtteil versehen, der einen Durchmesser von 40 mm hat und keine Kurzschlußstellen aufweist; infolgedessen ist die Licht aufnehmende Fläche um etwa das zehnfache vergrößert, und der Abstand von derjenigen Stelle, die der Spitze des Fotostroms zugeordnet ist, zu der Kurzschlußstelle des nächsten PN-Übergangs ist im wesentlichen verdoppelt. Daher wird der Fotostrom vergrößert und sein Strompfad verlängert, so daß der dem zweiten Abschnitt 8 entsprechende Teil des dritten PN-Übergangs wirksam in Durchlaßrichtung vorgespannt wird.
Mit einem derartigen Aufbau läßt sich ein Fotothyristor mit hoher Zündempfindlichkeit erzielen, bei dem das Problem einer
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unerwünschten Abnahme des dv/dt-Vermögens und der Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen vermieden wird, ohne die Zündempfindlichkeit zu vermindern. Die erfindungsgemäße Einrichtung läßt sich insbesondere mit einer Licht emittierenden Diode (die mit GaAs als Ausgangsmaterial arbeitet) zünden, deren Lichtausgangsleistung ein fünftel derjenigen herkömmlicher Einrichtungen beträgt; somit ist ein Fotothyristor (1200 V, 100 A) mit einem dv/dt-Vermögen von 400 V/as geschaffen.
Das in Fig. 6 dargestellte zweite Ausführ.ungsbeispiel der Erfindung unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel insofern, als in dem zweiten Ausführungsbeispiel die Schicht PB etwa in der Mitte des zweiten Abschnitts 8 der Schicht NE teilweise exponiert ist. Da die Schicht NE eine hohe Störstoffkonzentration und daher eine unpraktisch geringe Lichtdurchlässigkeit aufweist, ist bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 die Zünd-Lichtempfindlichkeit dadurch verbessert, daß die Schicht PB etwa in der Mitte des zweiten Abschnitts 8, wo das auftreffende Licht am stärksten ist, freiliegt.
Das in Fig. 7 veranschaulichte dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel dadurch, daß der belichtete Teil des zweiten Abschnitts 8 der Schicht NE dünner ist als bei dem ersten Ausführungsbeispiel. Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 soll somit der bei dem zweiten Ausführungsbeispiel vorhandene Nachteil der geringen Lichtdurchlässigkeit der Schicht NE beseitigt werden, wobei dies erreicht wird, ohne den seitlichen Abstand des zweiten Abschnitts, längs dem der Fotostrom fließt, zu verringern. Da die Schicht NE, die gewöhnlich durch Eindiffundieren von Phosphor erzeugt wird, ihre höchste Störstoffkonzentration an oder in der Nähe ihrer Oberfläche aufweist, wird derjenige Teil hoher Störstoffkonzentration, wo hohe Lichtabsorption auftritt, durch Reduzieren der Dicke der Schicht NE beseitigt, wodurch die Lichtdurchlässigkeit und somit die Zündempfindlichkeit verbessert werden.
Der zweite Abschnitt 8 der Schicht NE braucht bei dem er-
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findungsgeraäßen Fotothyristor nicht notwendigerweise kreisförmig zu sein; zur Lösung der. der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe kann er auch rechteckig sein oder sonstige Form haben. Die mit der Erfindung erzielten Vorteile lassen sich ferner mit gleicher Wirksamkeit auch dann erreichen, wenn der zweite Abschnitt 8 von dem ersten Abschnitt 7 der Schicht NE nicht vollständig durch die Schicht PB getrennt ist, sondern teilweise mit ihm in Verbindung steht. Eine derartige Variante ist in Fig. 8 veranschaulicht. Der Vorteil dieser Variante besteht darin, daß sich der Einschaltbereich durch die teilweise Verbindung des ersten Abschnitts 7 mit dem zweiten Abschnitt 8 rascher ausbreitet. Außerdem ist es nicht unbedingt erforderlich, daß der zweite Abschnitt 8 vollständig von dem ersten Abschnitt 7 umgeben wird. Es genügt vielmehr, wenn ein gewisser Teil des zweiten Abschnitts 8 dem ersten Abschnitt 7 benachbart ist. Auch in diesem zuletzt genannten Fall wird die Kathode 4 in Ohm'schem Kontakt mit dem ersten Abschnitt 7, den Kurzschlußöffnungen 2, dem Rand des zweiten Abschnitts 8 und der den zweiten Abschnitt 8 umgegenden Schicht PB gehalten.
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Claims (7)

  1. Patentansprüche
    (IL, Durch Licht aktivierbarer, steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einem Halbleitersubstrat, das auf seinen beiden entgegengesetzten Seiten zwei Hauptoberflächen aufweist und mindestens vier aufeinanderfolgende Schichten abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps umfaßt, wobei die vier Schichten mehrere PN-Übergänge zwischen jeweils benachbarten Schichten bilden, eine der fiauptoberflächen mindestens die freiliegenden Oberflächen einer Außenschicht und der dieser Außenschicht benachbarten Zwischenschicht umfaßt, die andere Hauptoberfläche mindestens die frei-
    ' liegende Oberfläche der anderen Außenschicht umfaßt, wobei ferner die besagte eine Außenschicht einen Abschnitt mit einer Vielzahl von durchgehenden Öffnungen umfaßt, die im wesentlichen gleichförmig innerhalb dieses Abschnitts verteilt sind,und die besagte Zwischenschicht durch diese Öffnungen hindurch an der erstgenannten Hauptoberfläche freiliegt, wobei ferner auf der ersten Hauptoberfläche eine erste Hauptelektrode in Ohm'schem Kontakt mit mindestens der Oberfläche des besagten Abschnitts der Außenschicht und mit dem durch die Öffnungen hindurch freiliegenden Teil der Oberfläche der Zwischenschicht steht und eine zweite Hauptelektrode auf der anderen Hauptoberfläche in Ohm'schem Kontakt mit mindestens der Oberfläche der anderen Außenschicht steht, dadurch gekennzeichnet, daß die erstgenannte Außenschicht (NE) einen weiteren Abschnitt (8) aufweist, der von dem mit den Öffnungen (2) versehenen erstgenannten Abschnitt (7) durch einen freiliegenden Teil der ersten Zwischenschicht (PB) im wesentlichen getrennt ist, daß die erste Hauptelektrode (4) mit der Oberfläche des weiteren Abschnitts (8) an dessen Rand sowie mit
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    dem dem weiteren Abschnitt (8) benachbarten Teil der Oberfläche des freiliegenden Teils der ersten Zwischenschicht (PB) in Ohm'schem Kontakt steht, und daß die Lichtsignalquelle (5) zum Einschalten des Halbleitergleichrichters in der Nähe der Oberfläche des weiteren Abschnitts (8) an der Hauptoberfläche (12) vorgesehen ist.
  2. 2. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des weiteren Abschnitts (8) kleiner ist als die des erstgenannten Abschnitts (7).
  3. 3. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Abschnitt (8) von dem erstgenannten Abschnitt (7) umgeben ist.
  4. 4. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke mindestens desjenigen Teils des weiteren Abschnitts (8), der nicht in Kontakt mit der ersten Hauptelektrode (4) steht, verringert ist.
  5. 5. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenschicht (PB) in der Mitte des weiteren Abschnitts (8) freiliegt.
  6. 6. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Abschnitt (8) durch die erste Zwischenschicht (PB) vollständig von dem erstgenannten Abschnitt (7) getrennt ist.
    Γ) 0 9 8 3 9 / 0 7 7 7
  7. 7. Halbleitergleichrichter nach -Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Abschnitt (8) teilweise mit dem erstegenannten Abschnitt (7) verbunden ist.
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    Leerseite
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