JPS58222572A - 光トリガサイリスタ - Google Patents
光トリガサイリスタInfo
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- JPS58222572A JPS58222572A JP57106428A JP10642882A JPS58222572A JP S58222572 A JPS58222572 A JP S58222572A JP 57106428 A JP57106428 A JP 57106428A JP 10642882 A JP10642882 A JP 10642882A JP S58222572 A JPS58222572 A JP S58222572A
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- JP
- Japan
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- layer
- light
- thyristor
- etching
- thickness
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光トリガサイリスタに係り、特にその受光部
の構造の改良に関するものである。
の構造の改良に関するものである。
第１図は従来の光トリガサイリスタの構造とそのトリガ
用光の照射状況とを示す断面図で、その構造は周知の通
りで、（１）はｐ形エミッタ（ｐ８）層、（２）はｎ形
ベース（ｎＢ）層、（３）はｐ形ペース（ＰＢ）層、（
４）はｎ形エミッタ（ｎ Ｆ、）層、（５ンは陽極電極
、（６）は陰極電極で、陰極電極（６）で囲まれたｎ８
層（４〕の表面が受光部を構成し、図示のように光７ア
イパ（７）を介して矢印りのように光を照射している。
用光の照射状況とを示す断面図で、その構造は周知の通
りで、（１）はｐ形エミッタ（ｐ８）層、（２）はｎ形
ベース（ｎＢ）層、（３）はｐ形ペース（ＰＢ）層、（
４）はｎ形エミッタ（ｎ Ｆ、）層、（５ンは陽極電極
、（６）は陰極電極で、陰極電極（６）で囲まれたｎ８
層（４〕の表面が受光部を構成し、図示のように光７ア
イパ（７）を介して矢印りのように光を照射している。
受光部においてエレメントに入射した光はｎ８層（４）
を通シ、ｐＢ層（３） 、 ｎＢ層（２） 、 Ｐｉ層
（１）Ｋ達し、その間にエレメント内部で吸収されて電
子−正孔対を生成する。この光が吸収されて減衰してい
く様子を次式に示す。
を通シ、ｐＢ層（３） 、 ｎＢ層（２） 、 Ｐｉ層
（１）Ｋ達し、その間にエレメント内部で吸収されて電
子−正孔対を生成する。この光が吸収されて減衰してい
く様子を次式に示す。
Ｐ ＝ Ｐｏｅｘｐ（−αＸ） ［１］
ここで、ｘ：エレメント表面からの深烙Ｐｏ二人射時の
光のパワー Ｐ：深さＸでの光のパワー α：吸収係数 である。
ここで、ｘ：エレメント表面からの深烙Ｐｏ二人射時の
光のパワー Ｐ：深さＸでの光のパワー α：吸収係数 である。
ｎ０層（４）で吸収される光は、光トリガサイリスタの
ターンオンには寄与しないので、〔す式からｎ。
ターンオンには寄与しないので、〔す式からｎ。
層（４〕は厚さが薄い方が望ましいわけである。ととろ
が、ｎ、層（４）を薄くすると注入効率の低下によって
光トリガ感度の低下をきたすので、これらの協調を考え
るとｎ８層（４）の厚さは５〜１０μが最適となる。ま
た、ターンオン領域の拡がシ特性をよくするために：Ｖ
ｉｎ、層（４）のシート抵抗ρ８が高いこと、つまり、
受光部のｎＮ層（４）の不純物濃度が他のサイリスタの
ｎ８層の不純物濃度より低く、ρ８が５０Ω程度以上で
めることが望ましい。
が、ｎ、層（４）を薄くすると注入効率の低下によって
光トリガ感度の低下をきたすので、これらの協調を考え
るとｎ８層（４）の厚さは５〜１０μが最適となる。ま
た、ターンオン領域の拡がシ特性をよくするために：Ｖ
ｉｎ、層（４）のシート抵抗ρ８が高いこと、つまり、
受光部のｎＮ層（４）の不純物濃度が他のサイリスタの
ｎ８層の不純物濃度より低く、ρ８が５０Ω程度以上で
めることが望ましい。
ところで、以上のようなｎ０層を受光部に形成する方法
としては拡散による方法のほかに、エピタキシャル結晶
成長、イオン打込みなどの方法があるが、拡散以外の方
法ではそれぞれ専用の装置が必要である。これに反して
、拡散法ではエレメントを製作する際に必ず用いる拡散
と同様の工程であるので、専用の装置の必要はなく、製
造コスト的に有利である。従って、従来は拡散法で受光
部のｎ０層（４〕を形成していた。すなわち、通常のサ
イリスタのｎ。層の拡散と同時に同一条件で拡散してい
た。従って、この方法で作られた光トリガサイリスクの
受光部のｎＮ層（４）は厚さが通常のサイリスタのｎ。
としては拡散による方法のほかに、エピタキシャル結晶
成長、イオン打込みなどの方法があるが、拡散以外の方
法ではそれぞれ専用の装置が必要である。これに反して
、拡散法ではエレメントを製作する際に必ず用いる拡散
と同様の工程であるので、専用の装置の必要はなく、製
造コスト的に有利である。従って、従来は拡散法で受光
部のｎ０層（４〕を形成していた。すなわち、通常のサ
イリスタのｎ。層の拡散と同時に同一条件で拡散してい
た。従って、この方法で作られた光トリガサイリスクの
受光部のｎＮ層（４）は厚さが通常のサイリスタのｎ。
層の厚さと同じく２０〜３０μ程度となり、そのシート
抵抗ρ８もｌΩ以下となり所要の光トリガ特性が得られ
なかった。といって、前述のような好ましい厚さ、シー
ト抵抗のｎ、Ｎを得るには通常のサイリスクのｎ８層の
形成とは異なる条件で拡散せねばならず、工程を別にす
る必要がめシ、製造コストが上昇する。
抵抗ρ８もｌΩ以下となり所要の光トリガ特性が得られ
なかった。といって、前述のような好ましい厚さ、シー
ト抵抗のｎ、Ｎを得るには通常のサイリスクのｎ８層の
形成とは異なる条件で拡散せねばならず、工程を別にす
る必要がめシ、製造コストが上昇する。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、上
述の従来のように厚く形成したｎ。層をエツチングによ
って厚さを薄くして所要の光トリガ特性を有する光トリ
ガサイリスタを提供することを目的としている。
述の従来のように厚く形成したｎ。層をエツチングによ
って厚さを薄くして所要の光トリガ特性を有する光トリ
ガサイリスタを提供することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例の構造とそのトリガ用光の
照射状況とを示す断面図で、第１図と同等部分は同一符
号で示す。まず、受答部のｎ０層（４）は通常のサイリ
スタのｎ８層と同時に同一条件で拡散して形成する。第
３図はこのときの不純物濃度の分布を示す図で、横軸は
ウェー・表面からの深場を示し、イ領域はｎつ層（４）
、口慣域はｐＢ層（３）を示す。縦軸は・不純物濃度を
対数尺度で示している。このような拡散を行なった後に
、ｎ、層（４）の光照射部分（８）をエツチングして厚
さを薄くする。
照射状況とを示す断面図で、第１図と同等部分は同一符
号で示す。まず、受答部のｎ０層（４）は通常のサイリ
スタのｎ８層と同時に同一条件で拡散して形成する。第
３図はこのときの不純物濃度の分布を示す図で、横軸は
ウェー・表面からの深場を示し、イ領域はｎつ層（４）
、口慣域はｐＢ層（３）を示す。縦軸は・不純物濃度を
対数尺度で示している。このような拡散を行なった後に
、ｎ、層（４）の光照射部分（８）をエツチングして厚
さを薄くする。
第３図の不純物濃度の分布から判るようにエツチングし
て残った光照射部分（８）のｎＥ層（４） Ｆｉ不純物
濃度が低くなり、シート抵抗ρ８が高くなる。したがっ
て、このエツチング量を適当に制御することによって、
前述の光トリガサイリスタに適したｎ、層を形成できる
。このエツチング工程は光トリガサイリスタの全製造工
程で従来から含まれているエツチング工程に同時に実施
すれば、特に工程の増大はない。
て残った光照射部分（８）のｎＥ層（４） Ｆｉ不純物
濃度が低くなり、シート抵抗ρ８が高くなる。したがっ
て、このエツチング量を適当に制御することによって、
前述の光トリガサイリスタに適したｎ、層を形成できる
。このエツチング工程は光トリガサイリスタの全製造工
程で従来から含まれているエツチング工程に同時に実施
すれば、特に工程の増大はない。
以上説明したように、この発明になる光トリガサイリス
タでは特殊な工程を経ずに受光部のｎつ層の厚さを５〜
１０μに、シート抵抗を５０Ω以上にしたので、良好な
光トリガ特性が容易に得られる０
タでは特殊な工程を経ずに受光部のｎつ層の厚さを５〜
１０μに、シート抵抗を５０Ω以上にしたので、良好な
光トリガ特性が容易に得られる０
第１図は従来の光トリガサイリスタの構造とそのトリガ
用光の照射状況とを示す断面図、第２図はこの発明の一
実施例の構造とそのトリガ用光の照射状況とを示す断面
図、第３図は通常のサイリスタのｎ０層における表面か
ら深さ方向の不純物濃度分布図である。 図において、（４）はｎ形エミッタ（ｎｏ）層、（８）
は受光部（光を照射すべき部分）でめる０なお、図中同
一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名）
用光の照射状況とを示す断面図、第２図はこの発明の一
実施例の構造とそのトリガ用光の照射状況とを示す断面
図、第３図は通常のサイリスタのｎ０層における表面か
ら深さ方向の不純物濃度分布図である。 図において、（４）はｎ形エミッタ（ｎｏ）層、（８）
は受光部（光を照射すべき部分）でめる０なお、図中同
一符号は同一または和尚部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名）
Claims (1)
- （１）ｎ形エミッタ層の表面から光を照射してターンオ
ンさせる光トリガサイリスタにおいて、上記ｎ形エミッ
タ層を通常のサイリスタのｎ形エミッタ層の形成と同時
に同一条件で拡散形成し、上記ｎ形エミッタ層の上記光
を照射すべき部分をエッグーングによって犀さを薄くシ
、当該部分の厚さが５〜１０μに、シート抵抗が５０Ω
以上に々るようにしたことを％徴とする光ｌ・リガサイ
リスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106428A JPS58222572A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 光トリガサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106428A JPS58222572A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 光トリガサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222572A true JPS58222572A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14433383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106428A Pending JPS58222572A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 光トリガサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222572A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123282A (ja) * | 1974-03-15 | 1975-09-27 | ||
| JPS54128686A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | Photo trigger thyristor |
| JPS5656671A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Light-igniting reverse conductivity thyristor |
-
1982
- 1982-06-19 JP JP57106428A patent/JPS58222572A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123282A (ja) * | 1974-03-15 | 1975-09-27 | ||
| JPS54128686A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | Photo trigger thyristor |
| JPS5656671A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Light-igniting reverse conductivity thyristor |
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