DE2509521A1 - Elektrischer widerstand auf einem substrat aus gesintertem aluminiumoxid - Google Patents

Elektrischer widerstand auf einem substrat aus gesintertem aluminiumoxid

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DE2509521A1
DE2509521A1 DE19752509521 DE2509521A DE2509521A1 DE 2509521 A1 DE2509521 A1 DE 2509521A1 DE 19752509521 DE19752509521 DE 19752509521 DE 2509521 A DE2509521 A DE 2509521A DE 2509521 A1 DE2509521 A1 DE 2509521A1
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aluminum oxide
substrate
sintered aluminum
substrate made
electric resistance
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Pending
Application number
DE19752509521
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English (en)
Inventor
Jozef Juliette Maes
Aart Gerard Van Nie
Lambertus Postma
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/01Mounting; Supporting
    • H01C1/014Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

Elektrischer Widerstand auf einem Substrat aus gesintertem Aluminiumoxid
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Widerstand der aus einer Nickel-Phosphor-Widerstandsschicht auf einem Substrat aus gesintertem Aluminiumoxid besteht und insbesondere auf integrierte Widerstände in Schaltungsmustern auf gesintertem Aluminiumoxid, wie sie in integrierten Mikrowellenschaltungen verwendet werden.
Nickel-Phosphor-Widerstandsschichten auf verschiedenen Substratmaterialien sind bekannt, z.B. aus einem Aufsatz von Emma L, Hebb unter dem Titel "Microcircuitry by Chemical Deposition" in "Electrochemical
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Technology" Λ_ (1963)» S. 217-223. Sie werden nach Sensibilisierung des z,B« aus Glas bestehenden Substrats mit Hilfe einer Lösung von Zinnchlorid und einer anschliessenden Behandlung mit einer Edelmetallsalzlösung durch chemische Reduktion mit Hypophosph.it eines Nickelsalzes in Lösung erhalten.
Dieses Verfahren zur Herstellung von Widerständen weist im Vergleich zu Techniken, bei denen Verdampfung oder Kathodenzerstäubung angewandt wird, grosse Vorteile auf.
Es hat sich nun be± den Versuchen, die zu der Erfindung geführt haben, ergeben, dass derartige Widerstands schicht en auf gesintertem Aluminiumoxid, welches Substratmaterial vorzugsweise für integrierte Mikrowellenschaltungen verwendet wird, unzulässig grosse Streuungen in dem Widerstandswert pro Quadrat auf ein ι und derselben Oberfläche aufwiesen. Es wurde versucht, durch das Anbringen einer Zwischenschicht in dieser Hinsicht eine Verbesserung zu erzielen. Eine Zwischenschicht aus einem polymeren Stoff weist den Nachteil auf, dass das Substrat mit dieser Zwischenschicht und der angebrachten Widerstandsschicht aus Ni-P nicht mehr auf die Temperatur erhitzt werden kann, die für das Anbringen der Halbleiterteile erforderlich ist. Eine andere bekannte Möglichkeit besteht darin, dass
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eine Emailschicht als Zwischenschicht verwendet wird. Derartige Schichten weisen den Nachteil auf, dass die dielektrischen Eigenschaften des Substrats ungünstiger werden, infolge der Tatsache, dass sich das Email schwer in einer Submikronschicht anbringen lässt.
Nach der Erfindung ist ein Nickel-Phosphor-Widerstand auf Substratmaterial aus gesintertem Aluminiumoxid dadurch gekennzeichnet, dass eine Zwischenschicht mit einer Dicke von höchstens 1 /um aus polykristallinem Titandioxid angebracht ist.
Es stellte sich heraus, dass durch das Vorhandensein dieser Zwischenschicht eine erheblich geringere Streuung in dem Widerstandswert pro Quadrat auftrat. Z.B. weist eine Widerstandsschicht mit einem Wert von 50 Ω. pro Quadrat ohne Zwischenschicht eine Streuung von 100 ia auf einer Subs trat oberfläche von 2,5 χ 2,5 cm auf; beim Vorhandensein einer Zwischenschicht nach der Erfindung ist der Widerstandswert 50 +_ 10 π pro Quadrat.
Das Titandioxid lässt sich auf einfache Weise mit Hilfe von Pyrolyse einer thermisch zersetzbaren Titanverbindung durch Spritzen der Verbindung oder einer Lösung derselben auf der erhitzten Substratoberfläche anbringen. Geeignete Verbindungen sind z.B. Titantetrachlorid oder organische Titanverbindungen, wie Titanacetylacetonat oder Butyltitanat.
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Auch kann das Substrat in eine Lösung einer zersetzbaren Titanverbindung, z.B. eine Lösung von Titanacetylacetonat in Isopropanol, eingetaucht und das Ganze dann bis oberhalb der Pyrolysetemperatur, z.B. auf 50O0C, erhitzt werden.
Die Widerstände können dadurch erhalten werden, dass zunächst eine gleichraässige Nickelphosphorschicht aufgebracht und dann das überschüssige Material unter •Verwendung einer Photomaske weggeätzt wird.
ErwünschtenfalIs können die lichtempfindlichen Eigenschaften von Titandioxid benutzt werden, und zwar die Fähigkeit von belichtetem Titandioxid, Edelmetall aus seinen Salzen in Form von Keimen auszulösen, auf denen Nickelphosphor aus einer Vernickelungslösung stromlos abgelagert wird.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert, BEISPIEL I
Eine Platte aus Aluminiumoxid mit einem Reinheits grad von 99,7 $ mit einem Mittenrauhwert (R ) von
2 0,08 bis 0,12/um und mit Abmessungen von 25 x 25 mm und einer Dicke von 635/um, wie es von "Basic Ceramics Corporation" vertrieben wird, wurde 10 Sekunden lang in einer auf 300°C erhitzten NaOH-Schmelze gehalten, um eine gewisse Mikrοaufrauhung zu erhalten, (Der Mitten-
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rauhwert R ist im DIN-Normblatt 4762 definiert). a
Die Platte wurde dann 10 Minuten lang in warmem strömendem Leitungswasser, 2 Minuten lang in entmineralisiertem Wasser, 5 Minuten lang in HCl 1 j 3 gespült und Ultraschallschwingungen ausgesetzt, 1 Stunde lang in konzentrierter Salzsäure gekocht und schliesslich 2 Minuten lang in strömendem entmineralisiertem Wasser gespült.
Anschliessend wurde die Platte durch Aufziehen aus einer 10 $igen Lösung von Titanacetylacetonat in Isopropylalkohol mit dieser Lösung benetzt und 5 Minuten lang auf 2250C und anschliessend 5 Minuten lang auf 500°C in Luft erhitzt. Die erhaltene Titanoxidschicht wies eine Dicke von etwa 0,02 /um auf.
Die Platte wurde danach dadurch mit Keimen versehen, dass sie nacheinander in die folgenden Bäder eingetaucht wurde: 2 Minuten lang in eine Ultraschallschwingungen ausgesetzte Lösung von 0,1 g SnCIg,2H*0 + 0,1 ml konz, HCl pro Liter, 1 Minute lang in entmineralisiertes Wasser, 1 Minute lang in eine Ultraschallschwingungen ausgesetzte Lösung von 1 g/l AgNO«, 1 Minute lang in entmineralisiertes Wasser, 1 Minute lang in eine Ultraschal!schwingungen ausgesetzte Lösung, die pro Liter 100 mg PdCIp und 3,5 ml. konz. HCl enthielt, und 1 Minute lang in strömendes entmineralisiertes Wasser.
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Es wurde eine NiP-Widerstandsschicht angebracht, indem die Platte zunächst 20 Sekunden lang in entmineralisiertem !fässer von 950C vorerhitzt und dann 17 Sekunden lang in ein auf 950C erhitztes Bad der folgenden Zusammensetzung pro Liter eingetaucht gehalten wurde» 30 g NiCl2.6H2O
30 s Glycocol,
10 s NaH2PO2.H2O (pH =3,8)
wonach sie 2 Minuten lang in strömendem entmineralisiertem Wasser gespült, getrocknet und 5 Minuten lang auf 2250C in Luft erhitzt wurde, um den Widerstandswert zu stabilisieren und Haftung zu erhalten.
Dann wurde ein Goldmuster mit Hilfe eines käuflich erhältlichen Photolacks (z.B. Shipley AZ 1350 H) angebracht, der gemäss einem Muster belichtet und entwickelt wurde, wonach 2 bis 5 Minuten lang im obenstehenden stromlosen Vernickelungsbad von 950C aktiviert und in einem üblichen Vergoldungsbad vergoldet wurde, das Kaliumgoldcyanid und Zitronensäure enthielt.
Dann wurden die NiP-Widerstände durch Wegätzen des ungewünschten Teiles unter Verwendung desselben Photolacks erhalten. Eines der nachstehenden drei Aetzbäder lässt sich verwenden:
a) HNO3 1:1
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' . ■ PHN.7^39.
3.2.75.
b) h Teile konz. H3^
1 Teil konz. HNO„
c) '30 Teile konz. HgSO^
15 Teile konz. HNO3
h Teile konz. HCl
1 Teil Wasser.
Danach. wurde das Ganze dadurch stabilisiert, dass h Stunden lang auf 2750C in Luft erhitzt wurde. . ' In Fig, 1 ist eine auf diese Weise hergestellte integrierte Mikrowellenschaltung dargestellt. Die Goldpartien sind mit 1 und die NiP-Widerstände mit 2 bezeichnet»
BEISPIEL 2
Auf völlig gleiche Weise wie im Beispiel 1 wurde
auf einer Al?O„-Platte mit Abmessungen von 25 x 25 mm eine gleichmässige NiP-Widerstandsschicht mit einem mittleren Widerstandswert von 52,7 Λ pro Quadrat angebracht. Auf dieser Platte wurde an sechsunddreissig gleichmässig verteilten Punkten der Widerstandswert gemessen. In Fig. 2 ist schematisch das Resultat dargestellt. Unter den in der Figur angegebenen Werten ist mit der folgenden Bezeichnung die Anweichung von dem Mittelwert angegeben:
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PHN.7^39. 3.2.75.
1 = Abweichung <^ 10 $
2 = Abweichung ^ 20 #
3 = Abweichung 4. 40 #·
4 = Abweichung ^ 40 $
χ = Widerstand unterbrochen.
' Vergleichsweise sind in Fig. 3 Werte einer auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 vernickelte Platte, aber ohne TiO2-Zwischenschicht, angegeben. Die Werte sprechen für sich.

Claims (1)

  1. 213--2.75.
    PATENTANSPRUCH:
    Elektrischer ¥iderstand aus einer Nickel-Phosphor-Widerstands schicht auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus gesintertem Aluminiumoxid besteht und zwischen dem Substrat und der Wider— Standsschicht eine Zwischenschicht mit einer Dicke von höchstens 1 /um aus polykristallinem Titandioxid angeordnet ist.
    509839/0672
DE19752509521 1974-03-18 1975-03-05 Elektrischer widerstand auf einem substrat aus gesintertem aluminiumoxid Pending DE2509521A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7403565A NL7403565A (nl) 1974-03-18 1974-03-18 Weerstandslagen op gesinterd aluminiumoxyde.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2509521A1 true DE2509521A1 (de) 1975-09-25

Family

ID=19820977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752509521 Pending DE2509521A1 (de) 1974-03-18 1975-03-05 Elektrischer widerstand auf einem substrat aus gesintertem aluminiumoxid

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS50127200A (de)
DE (1) DE2509521A1 (de)
FR (1) FR2264893A1 (de)
NL (1) NL7403565A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603757A1 (de) * 1985-02-16 1986-08-21 Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603757A1 (de) * 1985-02-16 1986-08-21 Nippon Soken, Inc., Nishio, Aichi Schichtwiderstand fuer eine stroemungsmessvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
NL7403565A (nl) 1975-09-22
FR2264893A1 (en) 1975-10-17
JPS50127200A (de) 1975-10-06

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