DE1515905B2 - Verfahren zur Herstellung von Cermet Dunnschichtwiderstanden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Cermet DunnschichtwiderstandenInfo
- Publication number
- DE1515905B2 DE1515905B2 DE19651515905 DE1515905A DE1515905B2 DE 1515905 B2 DE1515905 B2 DE 1515905B2 DE 19651515905 DE19651515905 DE 19651515905 DE 1515905 A DE1515905 A DE 1515905A DE 1515905 B2 DE1515905 B2 DE 1515905B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- cermet
- chromium
- copper
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Cermet-Dünnschichtwiderständen durch Niederschlag
eines Cermets auf ein Substrat und anschließendem Aufbringen von Anschlußleitungen.
Zur Herstellung von mikrominiaturisierten Schaltungen werden in steigendem Maße aufgedampfte
Dünnschichten verwendet. Dies gilt in besonderem Maße für die Herstellung von Widerständen. Aufgedampfte
Nickel-Chrom-Schichten und Tantalschichten haben sich als brauchbare Widerstandselemente
erwiesen. In jüngster Zeit hat es sich gezeigt, daß Chromsiliziummonoxyd-Schichtwiderstände eine
höhere Stabilität bei hohen Temperaturen besitzen, so daß Widerstandsänderungen bei Überlastung unbeachtlich
sind.
Während Nickelchrom- und Tantalschichten einer erforderlichen Formgebung mittels Ätzens unterworfen
werden, geschieht dies in der Regel bei Chromsiliziummonoxyd-Schichten, die als Cermet-Schichten bekanntgeworden
sind, durch Maskenverfahren während des Vakuum-Aufdampfverfahrens. Ein solches Aufdampfverfahren
mit Hilfe von Masken birgt aber mannigfaltige Nachteile. Insbesondere dann, wenn die zu
erstellenden Widerstände außergewöhnlich klein und von gewundener Form sein sollen. Eine gewundene
Form ist deshai-b erforderlich, um höhere Widerstandswerte
bei geringstem Platzbedarf erzielen zu können. Solche Maskenverfahren sind nicht nur deshalb nachteilig,
weil ihr Erstellungsaufwand relativ groß ist, sondern auch weil ihrem Auflösungsvermögen eine
bestimmte Grenze gesetzt ist, die ohne weiteres nicht unterschritten werden kann, ganz abgesehen davon,
daß eine bestimmte mechanische Festigkeit und Steifheit gewahrt bleiben muß. In gewisser Weise läßt sich
dadurch Abhilfe schaffen, daß verschiedene Masken in aufeinanderfolgenden Abdampfungsvorgängen verwendet
werden. Dies hat aber wieder andere Nachteile zur Folge, nämlich die, daß dieKonturen in aufeinanderfolgenden
Gängen übereinstimmen müssen, so daß jeweils ihre Lage justiert werden muß und/oder daß
ein Verwerfen, Ausdehnen und Zusammenziehen der Masken berücksichtigt werden muß.
Eine hervorragende Eigenschaft der Cermets-Materialien ist die, daß sie eine große chemische Stabilität
besitzen. Diese Eigenschaft aber ist es gerade, die eine Anwendung von Ätzvorgängen zur Formgebung
der Widerstandsschichtverläufe äußerst erschwert. So besitzt z. B. eins der am meisten verwendeten
Cermet-Materialien, nämlich Chrom-Siliziummonoxyd, in dem beide Anteile je zu 50 °/0 enthalten sind, einen
solch hohen Siliziummonoxyd-Gehalt, daß ein gut brauchbares Ätzmittel zur Auflösung des Cermets,
ζ. B. Flußsäure, außerdem die Trägerunterlage, wie z. B. Siliziummonoxyd oder Glas angreift.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Cermet-Dünnschichtwiderständen
derart zu gestalten, daß das Anätzen des Substrates vermieden und die Haftfestigkeit der für
die Anschlußleitungen notwendigen Metallschicht auf dem Cermet verbessert wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf die Cermetschicht zur Bildung einer
elektrisch leitenden Schicht eine Metallschicht (16) derart aufgebracht wird, daß zu Beginn der Metallschichtauftragung
ein geringer Anteil der im Cermet enthaltenen Metallsubstanz zugesetzt wird, daß dann
die leitende Schicht entsprechend dem Anschlußleitungsmuster mit einer ersten Chloridlösung abgetragen
wird, die die Cermetschicht nicht angreift, und daß mittels einer Maske die Cermetschicht entsprechend
dem gewünschten Widerstandsmuster mit einer zweiten Chloridlösung unter nicht Angreifen
des Substrats (10) abgetragen wird.
Dank der Erfindung ist in vorteilhafter Weise gewährleistet, daß sowohl die Substratsubstanzen beim
Ätzen der Widerstandsschichten als auch die Cermetschicht beim Ätzen des Leitungsmusters nicht angegriffen
werden. Außerdem hat sich gezeigt, daß als weiterer Vorteil eine sehr gute, allen Ansprüchen
gerecht werdende Haftung zwischen der Cermet- und der Metallschicht zu erzielen ist.
Wenn ein Chrom-Siliziummonoxyd-Cermet verwendet wird, genügt es vollständig, wenn der Metallanteil
mindestens bei 70 Atomprozent liegt. In diesem Fall kann ein Ätzverfahren Verwendung finden, das
zum Ätzen von reinem Chrom geeignet ist. Die Oberflächenschicht wird vor dem Ätzvorgang durch Bestreuen
mit Zinkteilchen oder Zinkpulver entsprechend vorbereitet, so daß eine anschließende Behandlung
mit einer Aluminiumchlorid-Lösung als Ätzmittel angewendet werden kann.
Als besonders vorteilhaft hat sich erwiesen, wenn auf das Substrat, das aus Glas mit Siliziummonoxyd-Überzug
besteht, eine Cermet-Schicht durch Ent-
, -spannungsverdampfen niedergeschlagen wird, die aus
90-Atomprozenten Chrom und aus einem entsprechenden Rest von Siliziummonoxyd besteht, wobei die
Trägerunterlage auf 2000C aufgeheizt wird. Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren keine Flußsäure
Anwendung findet, die, wie oben beschrieben, Siliziummonoxyd und Siliziumdioxyd angreifen kann,
erfolgt auch keine Beschädigung oder Verletzung des
Substrates während des Ätzvorgangs.
In vielen Anwendungsfällen jedoch ergeben sich weitere Probleme, insbesondere dann, wenn wie gemäß
der Erfindung auf die Cermet-Schicht eine elektrisch leitende Schicht aufgedampft worden ist. Diese elek-
trisch leitende Schicht wird deshalb einem Ätzverfahren
unterworfen, um entsprechende Anschlußstücke für die Widerstandsschicht bereitzustellen, wobei
dann die Formgebung des Widerstandsschichtverlaufs in den Flächenbereichen erfolgt, bei denen das
Kupfer entfernt worden ist. Zum Aufbringen der Kupferschicht wird im allgemeinen zunächst eine
Metallschicht aufgetragen, die dem Metall des Cermets entspricht. Zum Wegätzen der leitenden Schicht
" muß dann nach Entfernen der Kupferlage die Chromlage mit Hilfe eines Chromätzmittels entfernt werden.
Dies hat dann aber zur Folge, daß auch das darunterliegende Cermet-Material durch diesen Ätzvorgang
angegriffen wird. Dies gilt insbesondere dann, wenn ein relativ hoher Chromanteil im Cermet-Material
enthalten ist. In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung ist dieses Problem dann dadurch gelöst
worden, daß als unterste Lage der leitenden Schicht auf die Cermet-Schicht eine Chrom-Kupfer-Legierung
niedergeschlagen wird und anschließend eine reine Kupferlage aufgebracht wird. Auf diese Weise wird
eine noch ausreichende Adhäsion zwischen der Cermet-Schicht und der elektrisch leitenden Schicht gewährleistet.
Außerdem ist dann ein Ätzmittel für den Metallanteil der elektrisch leitenden Schicht anwendbar,
der nicht dem Metallanteil der Cermet-Schicht entspricht. Damit ist also ein Wegätzen der elektrisch
leitenden Schicht ohne Zerstörung der Cermet-Schicht möglich.
3 4
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung des im Ätzvorgang aufgelöst wird, ohne daß die Widerstands-Anspruch
1 beschriebenen Verfahrens wird zunächst schicht angegriffen wird.
auf die elektrisch leitende Schicht eine erste Photo- Es hat sich herausgestellt, daß sich die bei der Verwiderstandsschicht
aufgetragen, die entsprechend dem dampfung durch Entspannen hergestellten Widerersten
Muster belichtet und darauf entwickelt 5 Standsschichten, bestehend aus einem Pulver mit
wird, worauf dann die freigegebenen Flächenteile 90 Atomprozent Chrom und 10 Molekülprozent
der leitenden Schicht im darauffolgenden ersten Siliziummonoxyd, gut in einem Lösungsmittel, be-Ätzverfahren
einer Eisenchloridlösung ausgesetzt stehend aus 453,59 g AlCl3 · 6 H2O, 30 ml Phosphorwerden,
säure (H3PO4) und 400 ml Wasser ätzen lassen. Wie
Gemäß einem weiteren Erfindungsgedanken wird io beim Ätzen von reinen Chromschichten wird die
das sich so ergebende Werkstück mit einer zweiten Oberfläche der Widerstandsschicht zunächst durch
Photowiderstandsschicht überzogen, die dann ent- Behandlung mit Zink-Kontaktkörpern oder -Pulver
sprechend dem zweiten Muster belichtet und darauf für das Ätzmittel angreifbar gemacht. Wird das gleiche
entwickelt wird. Die hierbei freigelegten Oberflächen- Lösungsmittel aber auf Schichten angewendet, die
teile der Cermet-Schicht werden einer Aluminium- 15 aus 70 Atomprozent Chrom- und 30 Molekülprozent
chlorid-Lösung während des zweiten Ätzverfahrens Siliziummonoxyd-Pulver bestehen, dann geht der
ausgesetzt. Lösungsvorgang äußerst langsam vor sich, mit dem
Vorteilhafterweise werden nach jedem Ätzvorgang Ergebnis einer Inselbildung von Schichtresten auf
Waschvorgänge eingeschoben, wobei mit Hilfe von dem Schichtträger. Dementsprechend scheint die untere
Wasser und Methanol unter Anwendung von Ultra- 20 Grenze der Chromkonzentration in der Cermetschicht
schall die beim Ätzvorgang übriggebliebenen Teilchen bei ungefähr 70 Atomprozent zu liegen,
weggespült werden. Die Adhäsion einer reinen Kupferschicht auf die
Um stabile Widerstandswerte mit möglichst gerin- frisch präparierte Widerstandsschicht ist aber völlig
gen Toleranzen zu erhalten, werden die fertigen Werk- - unzureichend. Wird aber der Chromanteil beim Aufstücke
unter Überwachung des Widerstandswertes 25 dampfen herabgesetzt, um die Adhäsion zu verbessern,
in einer Argonwasserstoff-Atmosphäre gemäß einem , dann tritt die Schwierigkeit auf, daß das benutzte
weiteren Erfindungsgedanken auf 400 bis 45O0C Lösungsmittel zum Entfernen des Chroms in gleicher
mindestens 1 Stunde aufgeheizt. Die Dauer der Auf- Weise die Widerstandsschicht angreift. Ein anderes
heizzeit ergibt sich dann aus dem Verlauf des ge- Verfahren zum Erhöhen der Adhäsion von Kupfermessenen
Widerstandswertes. Gemäß der Erfindung 30 schichten auf verschiedenen Oberflächen besteht darin,
können also äußerst kleine und feingewundene gleichzeitig Chrom und Kupfer aufzudampfen. Chrom-Widerstände
mittels des photographischen Masken- reiche Kupferlegierungen sind jedoch nicht in Eisenverfahrens
und des anschließenden Ätzvorgangs auf chloridLLösungen löslich, dem üblichen Agens, um
einem einzigen Substrat hergestellt werden, ohne daß örtlich auftretende Bereiche eines Kupferüberschusses
die Nachteile bekannter Verfahren auftreten. 35 zu beseitigen. Es hat sich herausgestellt, daß durch
Die Erfindung wird in der nachfolgenden Beschrei- Aufdampfen von Chrom mit einer Geschwindigkeit
bung an Hand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe von etwa 3 Ä/sec gleichzeitig mit Kupfer bei einer
nachstehend aufgeführter Zeichnungen näher erläutert. Geschwindigkeit von etwa 25 Ä/sec eine Legierungs-
Es zeigt jeweils ausschnittsweise im Querschnitt schicht gebildet wird, die sowohl in einer Eisenchlorid-
F i g. 1 die einzelnen Schichten des Werkstücks 40 Lösung noch löslich ist als auch fest an der darunter-
vor der Bearbeitung, liegenden Widerstandsschicht haftenbleibt. Das gleiche
F i g. 2 das gleiche Werkstück nach Belichtung und Ergebnis wird herbeigeführt, wenn die Legierung
Entwicklung der oberen Photowiderstandsschicht, statt Chrom Aluminium enthält.
F i g. 3 das gleiche Werkstück nach Ätzung der Zum Aufdampfen wird das oben beschriebene
darunterliegenden metallischen Schicht, 45 Gemisch von 90 % Chrom und 10 % Siliziummonoxyd
Fig. 4 das gleiche Werkstück nach Auf bringen einer verwendet, um Widerstandswerte von 40 bis 50 Ω
neuen noch unbelichteten und unentwickelten Photo- pro Fläche zu erhalten. Durch Variation der Schichtwiderstandsschicht,
dicke läßt sich noch ein größerer Bereich erzielen.
F i g. 5 das gleiche Werkstück, nachdem diese Im Gegensatz zu Widerstandsschichten, die aus 50 %
neue Photowiderstandsschicht belichtet und entwickelt 5° Chrom und 50 °/0 Siliziummonoxyd bestehen, ändert
worden ist, sich der spezifische Widerstand für die obengenannten
F i g. 6 das gleiche Werkstück nach Ätzung der Widerstandsschichten bei der nachfolgenden Aufunmittelbar nächstfolgenden Schicht, heizung nicht wesentlich. Durch Aufheizen in einer
Fig. 7 das Endprodukt nach Aufbringen einer Argon-Wasserstoffatmosphäre auf 4500C während
Schutzschicht. 55 einer Zeitspanne von einigen Stunden sinkt der Wider-
Um ein geeignetes Verfahren zur Ätzung von standswert auf nicht mehr als 20 % des ursprünglichen
metall-dielektrischen Cermet-Widerständen, speziell Wertes ab. Nach dieser Behandlung bleibt der Wider-
von Chrom-Siliziummonoxyd-Cermet-Widerständen, standswert dann sehr stabil.
bereitzustellen, hat das Problem darin bestanden, Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel des
eine solche Zusammensetzung zu finden, die es ge- 60 Verfahrens gemäß der Erfindung sind die nachstehend
stattet, Widerstandsschichten mit Hilfe von anderen aufgeführten Verfahrensschritte vorgesehen, wobei
Lösungsmitteln als Fluorwasserstoff od. dgl. zu ätzen, sich die ersten fünf auf F i g. 1 beziehen, während
die nämlich ebenfalls benachbarte Schichten angreifen. die folgenden sich jeweils auf eine der weiteren
Als zweite Notwendigkeit hat sich ergeben, leitendes Abbildungen beziehen:
Schichtmaterial zu finden, das sowohl während aller 65
Phasen des Ätzvorganges als auch der darauffolgenden 1. Eine hitzebeständige Glasunterlage 10 mit den Ab-
Reinigungs-Arbeitsgänge fest auf der Widerstands- messungen 62,5 · 87,9 · 1,0 mm und bei der eine
schicht haftenbleibt, aber außerdem in einem weiteren Seitenfläche poliert ist, wird in Wasser und Me-
thanolbädern unter Zuhilfenahme von Ultraschall gereinigt.
2. Auf die Gesamtfläche dieser Unterlage wird unter Vakuum bei etwa 35O°C eine 5000 bis 15 000 Ä
dicke Siliziummonoxyd-Schicht 12 aufgedampft.
3. Durch Entspannungs-Verdampfen unter Vakuum von einem 90 Atomprozent Chrom- und 10 Molekülprozent
Siliziummonoxyd-Pulvergemisch wird eine Widerstandsschicht 14 gebildet. Die Schicht
schlägt sich auf die Gesamtoberfläche des Substrats nieder, das auf eine Temperatur von etwa
2000C gebracht und gehalten wird. Der Schichtwiderstand
der wachsenden Schicht wird mit Hilfe einer besonderen Unterlage mit daran angebrachten
Metallkontakten überwacht, so daß das Aufdampfverfahren abgebrochen wird, wenn ein
Widerstandswert von etwa 45 Ω pro Fläche erreicht ist. Die Dicke dieser Cermet-Widerstandsschicht
hat z. B. einen Wert von etwa 1200 Ä.
4. Das Substrat wird anschließend in ein anderes Vakuumgefäß eingebracht, in dem über die gesamte
Oberfläche eine Metallschicht aufgetragen wird. Für diesen Verfahrensschritt ist eine Chrom-
und Kupfer-Verdampfungsquelle so eingerichtet,
"" daß Auf dampf ungsraten von 3 Ä/sec bzw. 25 Ä/sec eingehalten werden. Nach etwa 30 Sekunden wird,
die Verdampfung von Chrom abgebrochen, wohingegen die Verdampfung von Kupfer so lange
fortgesetzt wird, bis eine Gesamtschichtdicke von etwa 10 000 Ä erreicht ist. In dieser Weise besteht
die Schicht 16 in Wirklichkeit aus zwei Lagen, nämlich einer Legierungslage 16 a und einer
Kupferlage 16 b.
5. Die so geschichtete Platte erhält eine Photowiderstandsschicht
18 und wird bei 1000C gehärtet. Das sich ergebende Werkstück ist in F i g. 1
dargestellt.
6. Eine photographische Platte mit der Abbildung der gewünschten Widerstandsstege und der elektrischen
Verbindungen wird auf das Werkstück (F i g. 1) gelegt und wird mit Hilfe einer Bogenlampe belichtet.
Nach Entwicklung der so gewonnenen Abbildung werden die freigelegten Oberflächenbereiche
der Schicht 16 (F i g. 2) einer Eisen-Chlorid-Lösung ausgesetzt, so daß die darunterliegenden
Schichtteile aufgelöst werden, wie es als Ergebnis in F i g. 3 dargestellt ist. Wie dieser
Darstellung zu entnehmen ist, werden in diesem Verfahrensschritt nicht nur die entsprechenden
Teile der Kupferlage 16b, sondern auch die der Legierungslage 16a abgetragen.
7. Die im vorhergehenden Verfahrensschritt verbliebenen Reste der Photowiderstandsschicht werden
abgetragen, die sich ergebende Oberfläche wird sorgfältig gereinigt, darauf mit einer neuen
Photowiderstandsschicht 22 (F i g. 4) überzogen und ebenso behandelt, wie die zuerst aufgetragene.
8. Eine photo graphische Platte mit den gewünschten Widerstandsstegen wird dann auf das Werkstück
abgebildet und belichtet. Nach dem Entwickeln werden die so freigelegten Oberflächenbereiche 24
(Fig. 5) der Chrom-Siliziummonoxyd-Schicht 14
einer AlCl3-Lösung ausgesetzt und die darunterliegenden
Schichtteile weggeätzt. Während die Photowiderstandsschicht-Abbildung nach F i g. 2
in der Hauptsache dazu diente, die Schicht 16 so
ίο aufzuteilen, damit in diesem Ausführungsbeispiel
zwei Anschlußstücke 26, 28 (F i g. 2) entstanden, dient die Photowiderstandsschicht-Abbildung 30
bei der Anordnung nach F i g. 5 dazu, Ausschnitte in der Widerstandsschicht 14 zu markieren, was
in diesem Falle dazu führt, daß ein gekrümmter, aber kontinuierlicher Widerstandsweg 32 (F i g. 6)
zwischen den Anschlußstücken 26, 28 entsteht.
9. Die Überreste der Photowiderstandsschicht 22 werden abgezogen, und die verbleibende Oberfläche
wird sorgfältig in Wasser und Methanol
unter Anwendung von Ultraschall gereinigt.
10. Eine Siliziummonoxydschicht 34 (F i g. 7) wird in einer Dicke von 10 000 bis 15 000 Ä unter Vakuum bei einer Substrattemperatur von etwa 350° C niedergeschlagen, so daß eine Schutzschicht ».. . entsteht.
10. Eine Siliziummonoxydschicht 34 (F i g. 7) wird in einer Dicke von 10 000 bis 15 000 Ä unter Vakuum bei einer Substrattemperatur von etwa 350° C niedergeschlagen, so daß eine Schutzschicht ».. . entsteht.
1-1. Die Widerstandswerte werden gemessen.
12. Unter Überwachung eines der Widerstände eines Substrates wird das Substrat in einer Argon-Wasserstoff-Atmosphäre zwischen 1 bis 6 Stunden auf eine Temperatur von 400 bis 450° C aufgeheizt. Genaue Aufheizungszeiten und -temperaturen ergeben sich je nach dem Meßwertverlauf des überwachten Widerstandes.
12. Unter Überwachung eines der Widerstände eines Substrates wird das Substrat in einer Argon-Wasserstoff-Atmosphäre zwischen 1 bis 6 Stunden auf eine Temperatur von 400 bis 450° C aufgeheizt. Genaue Aufheizungszeiten und -temperaturen ergeben sich je nach dem Meßwertverlauf des überwachten Widerstandes.
13. Alle Widerstandswerte eines Substrates werden nochmals gemessen. Werden engere Widerstandswert-Toleranzen
gefordert, dann wird durch örtliche Aufheizung der jeweiligen Widerstände nachgeholfen. Beispiele für Widerstände eines
nach obigem Verfahren hergestellten Substrates
40
ergeben:
Nominalwert | Anzahl | Widerstands | in mm | vernaitnis Länge |
der | der | abmessungen | Länge | ZU XJi clic |
Widerstände | Wider | jeweils | 0,254 | 0,50 |
in Ω | stände | Breite | 0,254 | 0,83 |
20 | 10 | 0,508 | 0,508 | 1,67 |
33 | 80 | 0,306 | 0,762 | 2,50 |
66 | 12 | 0,306 | 21,6 | 170 |
100 | 48 | 0,306 | ||
6800 | 10 | 0,127 |
In Tabelle II wird jeweils der Mittelwert, höchster und niedrigster Widerstandswert jeder Kategorie von
Widerständen eines einzigen Substrats vor und nach dem Aufheizen angegeben.
Nominalwert | Werte vor Aufheizung | hoch | in Ω | niedrig | Werte nach Aufheizung in Ω | hoch | niedrig |
der Widerstände in Ω | Mittelwert | 25,5 | 21,3 | Mittelwert | 21,8 | 18,0 | |
20 | 22,9 | 42,3 | 34,8 | 19,4 | 36,0 | 29.5 | |
33 | 38,0 | 87,0 | 72,0 | 32,3 | 68,3 | 60,1 | |
66 | 77,1 | 123,5 | 111,6 | 65,0 | 103,9 | 94,4 | |
100 | 117,6 | 8,192 | 7,435 | 99,3 | 6,955 | 6,324 | |
6800 | 7,824 | 6,643 |
Aus der Tabelle II ergibt sich, daß sich die Mittelwerte der Widerstände nach dem Aufheizen in allen
Kategorien um etwa 15% gesenkt haben. Korrektur durch örtliches Aufheizen, wie oben beschrieben, ist
nur bei einem Widerstand durchgeführt worden. Hierbei hat sich ergeben, daß nach Ofen-Aufheizung
erfolgter örtlicher Aufheizung der Widerstandswert von 73,7 auf 68,3 Ω hingetrimmt werden konnte.
Die sich ergebenden Endwerte schwanken alle jeweils zwischen ±10% um die Nominalwerte. Fernerhin
zeigt sich, daß die Endmittelwerte jeweils enger an die Nominalwerte angeschlossen sind als die Mittelwerte
vor der Nachbehandlung. Außerdem ist die Streuung um so kleiner, je höher die geforderten Widerstandswerte
sind. Das bedeutet aber, daß die Genauigkeit vorgeschriebener Werte um so besser erreicht wird,
je größer das Verhältnis von Länge zu Breite ist. Daraus ergibt sich dann die Genauigkeit, die durch die
Festlegung von Widerstandsstegen mit Hilfe photographischer Maskenverfahren und nachfolgender
Ätzung erreicht werden kann.
In Tabelle III schließlich ist jeweils sowohl die Abweichung der Mittelwerte von den Nominalwerten
nach der Aufheizung als auch die Gesamtstreuung angegeben. '"
Nominalwert | Werte nach | Aufheizung | Gesamtstreuung |
der Widerstände | Abweichung vom | I | 19,6% |
in | Mittelwert | 20,1% | |
20 | -3,0% | 12,4% | |
33 | -2,0% | 9,6% | |
66 | -1,5% | 9,5% | |
100 | -0,7% | ||
6800 | -2,4% |
Die relativ große Abweichung des Mittelwertes im Betrag von —2,4% vom vorbestimmten Widerstandswert
von 6800 Ω ergibt sich aus der besonderen Form dieser Widerstände. Diese Widerstandsstege
sind hierbei nämlich mäanderförmig gewunden, so daß es infolge der Krümmungen und Ecken schwierig
ist, deren Längen-zu-Breitenverhältnis exakt zu bestimmen.
Auf jeden Fall ergibt sich aus den in den Tabellen angegebenen Daten, daß mit Hilfe des erfindungsgemäßen
Verfahrens eine große Anzahl von Präzisionswiderständen mit geringeren Toleranzen als ±5%
hergestellt werden kann, wenn bei den photographischen Verfahren einige Sorgfalt angewendet wird und
die Widerstandsabmessungen in geeigneter Weise gewählt werden. Das Verhältnis von Maximalwert
zu Minimalwert beträgt bei den den Tabellen zugrunde liegenden Werten 340:1, was aber keine obere Grenze
dieses Verhältnisses bedeuten soll, die mit dem erfindungsggemäßen Verfahren zu erreichen ist.
Wie bereits erwähnt, hat sich herausgestellt, daß an Stelle von Chrom ohne weiteres auch Aluminium in
der Legierungslage 16 a verwendet werden kann. Die Eisenchlorid-Lösung, die die Kupferlage 16b angreift,
vermag aber ebensogut die kupferreiche Kupfer-Aluminium-Legierung anzugreifen, so daß sich das
gleiche Ergebnis erzielen läßt, wie mit der Kupfer-Chrom-Legierung. Außerdem kann reines Aluminium
für die Bildung der Lage 16a Verwendung finden, die dann durch Ätznatron, ohne das darunterliegende
Chrom-Siliziummonoxyd-Cermet zu beschädigen, weggeätzt werden kann. In vielen Anwendungsfällen
jedoch wird es vorzuziehen sein, eine Kupferlage 16 a zu verwenden, insbesondere dann, wenn Lötanschlüsse
angebracht werden sollen. Zur Vereinfachung des Ätzvorgangs dürfte eine Aluminium-Kupfer-Legierung
den Vorzug vor einer nichtlegierten Aluminiumlage haben. Jedenfalls ist dargelegt worden, daß erfindungsgemäß
Verfahren bereitgestellt werden, die es gestatten, die Cermet-Schicht 14 und die leitende
ίο Schicht 16 je besonders zu ätzen.
Zusammenfassend ergibt sich also, daß gemäß der Erfindung Mischungssysteme in ein oder mehreren
Schichten eines geschichteten Dünnfilms verwendet werden, worin eine bestimmte Schicht durch ein
Lösungsmittel für einen Anteil des betreffenden Mischungssystems geätzt werden kann, während ein
oder mehrere andere Anteile dieses Systems ohne Beschädigung angrenzender Teile nicht direkt angegriffen
werden können. Während im vorliegenden
Fall nur ein spezielles Ätzverfahren unter Anwendung einer Aluminium-Chlpridlösung bei einem chromreichen
Cermet eingehend beschrieben worden ist, bedarf es keiner Frage, daß die grundsätzliche Lehre
der Erfindung, nämlich Cermets-Materialien zu ätzen, in vielfacher Weise abgewandelt werden kann. Hierbei
*· ist darauf zu achten, daß nur der Metallanteil des Cermets und nicht sein dielektrischer Anteil angegriffen
wird, so daß das dielektrische Material keinen Halt mehr besitzt, obgleich es selbst nicht aufgelöst
worden ist. Praktisch hängt dabei die untere Grenze des Metallanteils des Cermets von der Wirksamkeit
des zu verwendenden Lösungsmittels ab. Auf alle Fälle sollte aber der Metallanteil des Cermets noch
groß genug sein, daß er sowohl ohne weiteres durch das Lösungsmittel angreifbar ist, als auch nach seiner
Auflösung nichtgebundene Dielektrikumsteilchen zurückläßt, die dann in einem nachfolgenden Waschvorgang
beseitigt werden. Dieser Waschvorgang kann zugleich mit dem Ätzvorgang unter der Wirkung
des Ätzbades selbst erfolgen oder durch wirksamere Methoden, wie z. B. Abwischen und/oder Ultraschallanwendung
wie beim oben beschriebenen 9. Arbeitsgang.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Cermet-Dünnschichtwiderständen durch Niederschlag eines Cermets
auf ein Substrat und anschließendem Aufbringen von Anschlußleitungen, dadurch gekennzeichnet,
daß auf die Cermetschicht (14) zur Bildung einer elektrisch leitenden Schicht
eine Metallschicht (16) derart aufgebracht wird, daß zu Beginn der Metallschichtauftragung ein
geringer Anteil der im Cermet enthaltenden Metallsubstanz zugesetzt wird, daß darauf die
leitende Schicht (16) entsprechend dem Anschlußleitungsmuster mit einer ersten Chloridlösung
abgetragen wird, die die Cermetschicht (14) nicht angreift, und daß mittels einer Maske die Cermetschicht
(14) entsprechend dem gewünschten Widerstandsmuster mit einer zweiten Chloridlösung abgetragen
wird, die das Substrat (10) nicht angreift.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat (10), das aus Glas
mit Siliziummonoxyd-Überzug besteht, eine Cermetschicht (14) durch Entspannungsverdampfen
niedergeschlagen wird, die mindestens aus 70 Atom-
109 532/169
prozent Chrom und aus einem entsprechenden Rest von Siliziummonoxyd besteht, wobei das Substrat
(10) auf 2000C aufgeheizt wird.
3. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als unterste Lage
(16 a) der leitenden Schicht (16) eine Chrom-Kupferoder eine Aluminium-Kupfer-Legierung niedergeschlagen
wird und anschließend eine reine Kupferlage (16 b) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mit einer Aufdampfungsrate
von 3 Ä/sec und Kupfer mit einer Aufdampfungsrate von 25 Ä/sec niedergeschlagen wird und daß
die Aufdampfung von Chrom nach 30 Sekunden abgebrochen wird, während die Aufdampfung
von Kupfer bis zum Erreichen einer Gesamtschichtdicke von etwa 10 000 Ä fortgesetzt wird.
5. Verfahren mindestens nach Anspruch 1 und Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die
elektrisch leitende Schicht (16) eine erste Photo-Widerstandsschicht (18) aufgetragen wird, die entsprechend
dem ersten Muster belichtet und darauf entwickelt wird, und daß die dann freigegebenen
Flächenteile der leitenden Schicht (16) im ersten darauffolgenden Ätzverfahren einer Eisenchloridlösung
bzw. einer Ätznatronlösung ausgesetzt werden.
6. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, 2 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß das sich so ergebende
Werkstück mit einer zweiten Photowiderstandsschicht (22) überzogen wird, die dann entsprechend
dem zweiten Muster belichtet und darauf entwickelt wird, und daß die hierbei freigelegten
Oberfiächenteile der Cermetschicht (14) einer Aluminium-Chloridlösung während des zweiten
Ätzverfahrens ausgesetzt wird.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß nach jedem Ätzvorgang
ein Waschvorgang mit Hilfe von Wasser und Methanol unter Anwendung von Ultraschall
durchgeführt wird.
8. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das fertige Werkstück
unter Überwachung des Widerstandswertes in einer Argon-Wasserstoff-Atmosphäre auf 400
bis 4500C für mindestens 1 Stunde aufgeheizt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US414195A US3398032A (en) | 1964-11-27 | 1964-11-27 | Method of making cermet resistors by etching |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1515905A1 DE1515905A1 (de) | 1969-12-18 |
DE1515905B2 true DE1515905B2 (de) | 1971-08-05 |
Family
ID=23640373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19651515905 Withdrawn DE1515905B2 (de) | 1964-11-27 | 1965-11-25 | Verfahren zur Herstellung von Cermet Dunnschichtwiderstanden |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3398032A (de) |
JP (1) | JPS5127877B1 (de) |
DE (1) | DE1515905B2 (de) |
GB (1) | GB1094865A (de) |
NL (1) | NL6515020A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3786557A (en) * | 1972-05-22 | 1974-01-22 | G Bodway | Fabrication of thin film resistors |
US3988823A (en) * | 1974-08-26 | 1976-11-02 | Hughes Aircraft Company | Method for fabrication of multilayer interconnected microelectronic devices having small vias therein |
US3996551A (en) * | 1975-10-20 | 1976-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Chromium-silicon oxide thin film resistors |
US4081315A (en) * | 1976-05-25 | 1978-03-28 | Trw Inc. | Cermet etch technique |
US4191938A (en) * | 1978-07-03 | 1980-03-04 | International Business Machines Corporation | Cermet resistor trimming method |
CN109585412A (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-05 | 廖嘉郁 | 薄膜电阻结构 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3135638A (en) * | 1960-10-27 | 1964-06-02 | Hughes Aircraft Co | Photochemical semiconductor mesa formation |
-
1964
- 1964-11-27 US US414195A patent/US3398032A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-10-20 GB GB44416/65A patent/GB1094865A/en not_active Expired
- 1965-11-15 JP JP40069805A patent/JPS5127877B1/ja active Pending
- 1965-11-19 NL NL6515020A patent/NL6515020A/xx unknown
- 1965-11-25 DE DE19651515905 patent/DE1515905B2/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3398032A (en) | 1968-08-20 |
NL6515020A (de) | 1966-05-31 |
JPS5127877B1 (de) | 1976-08-16 |
DE1515905A1 (de) | 1969-12-18 |
GB1094865A (en) | 1967-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2453035C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat | |
DE1246072B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schaltung mit Widerstands- und Kondensatorelementen | |
DE2554691C2 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung | |
DE1589480B2 (de) | Leiterplatte für Halbleiteranordnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2424338A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von mustern duenner filme auf einem substrat | |
DE2021264B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer rc-duennfilmschaltung | |
DE1615010B1 (de) | Mit dünnen Filmen mehrlagig beschichtete Unterlage | |
DE1297949B (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
DE1515905B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Cermet Dunnschichtwiderstanden | |
DE3782389T2 (de) | "lift-off" verfahren zur herstellung von leiterbahnen auf einem substrat. | |
DE1515905C (de) | Verfahren zur Herstellung von Cermet-Dünnschichtwiderständen | |
DE1960554C3 (de) | Herstellung von Dünnschicht-Schaltungen | |
DE1765003B2 (de) | Verfahren zum herstellen von bezueglich des rauschens und des uebergangswiderstandes verbesserten integrierten duennfilmschaltungen | |
DE2363516A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines musters mit teilplattierten bereichen | |
DE2606086C3 (de) | Herstellung von integrierten Dünnschichtschaltungen aus mit dünnen Schichten mehrlagig beschichteter Unterlage | |
DE2310736A1 (de) | Verfahren zum ausbessern defekter metallmuster | |
DE1615011C (de) | Mit dünnen Filmen mehrlagig beschichtete Unterlage | |
DE2315845A1 (de) | Verfahren zur herstellung von aus schichten bestehenden elektrischen schaltungen | |
CH511501A (de) | Dünnschicht-Widerstand | |
DE2512860C2 (de) | Verfahren zum fotolithografischen Strukturieren von Widerstandsbahnen in Hybridschaltungen | |
DE3913117A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern | |
DE1258943B (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
DE2240502C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Relief bildes von Gegenständen mit vorgegebener Konfiguration durch Ätzen einer Metall- oder Legierungsschicht | |
DE2746225A1 (de) | Verfahren zur herstellung von lokalen anodischen oxidschichten | |
DE2026383C (de) | Verfahren zur Herstellung von Dickfilmschaltungen mit Hilfe des partiellen Ätzens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |