DE2503452A1 - Verfahren zur herstellung kugelfoermiger halbleiterteilchen - Google Patents

Verfahren zur herstellung kugelfoermiger halbleiterteilchen

Info

Publication number
DE2503452A1
DE2503452A1 DE19752503452 DE2503452A DE2503452A1 DE 2503452 A1 DE2503452 A1 DE 2503452A1 DE 19752503452 DE19752503452 DE 19752503452 DE 2503452 A DE2503452 A DE 2503452A DE 2503452 A1 DE2503452 A1 DE 2503452A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
particles
semiconductor
conductivity type
layer
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752503452
Other languages
English (en)
Inventor
Gene Felix Wakefield
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE2503452A1 publication Critical patent/DE2503452A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/115—Orientation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/122—Polycrystalline

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Texas Instruments Incorporated
13500 North Central Expressway
Dallas, Texas 75222/V.St.A.
Unser Zeichen; T 1727
Verfahren zur Herstellung kugelförmiger Halbleiterteilchen
Die Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleitermaterial und insbesondere die Herstellung von Halbleiterteilchen mit etwa kugeliger Form. Die Erfindung betrifft ferner Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung solcher Teilchen, sowie die nach diesem Verfahren erhaltenen neuen Halbleitervorrichtungen.
Üblicherweise umfaßt die Hersteilung von Halbleitervorrichtungen die Reinigung und Herstellung von polykristallinem Halbleitermaterial, dessen Verarbeitung zu Stäben, die anschließend zu einkristallinem Halbleitermaterial gereinigt und mit Störstoffen zur Erzielung spezifischer elektrischer Eigenschaften dotiert werden. Diese dotierten Stäbe werden in Plättchen geschnitten, die dann mechanisch und chemisch poliert werden. Bei einem einfachen Herstellungsverfahren, z.B. zur Herstellung von Halbleiterdioden, können
Dr.Ha/Mk
50 9 831/0893
die Plättchen in typischer Weise einem Diffusionsprozeß unterworfen werden, wobei eine Oberfläche oder bestimmte Teile einer Oberfläche des Plättchens den entgegengesetzten Leitungstyp erhalten als wie der Rest des Plättchens. An diesem Punkt ist das Plättchen bereit für eine weitere Bearbeitung, einschließlich der Anbringung von Metallkontakten und der Trennung des Plättchens in einzelne Chips, aus denen die fertigaiHalbleitervorrichtungen gebildet werden. Obwohl ein solches Verfahren technisch durchführbar ist, hat es doch einen beträchtlichen Ausschuß an Halbleitermaterial (etwa 85%) bis zum Erhalt der einzelnen polierten Plättchen und bis zur Erzielung der einzelnen Chips treten noch weitere Materialverluste auf.
Es wurde auch schon vorgeschlagen, elementares, hochreines Halbleitermaterial in feinteiliger Form herzustellen, das zum Schmelzen und zum Wachsenlassen vom einkristallinem Material bereit ist. Ein solches Verfahren erfordert jedoch, daß das erhaltene einkristalline stabförmige Material wie vorstehend beschrieben in Plättchen' geschnitten und poliert wird usw., weshalb auch hier beträchtliche Materialverluste auftreten.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung von polykristallinem oder einkristallinem Halbleitermaterial in feinteiliger Form, das direkt zur Verwendung für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen geeignet ist, ohne zwischenzeitliche Verfahrensstufen, wje Kristallwachstum, Aufspaltung in Plättchen und Polieren der Plättchen.
Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial in Form feinteiliger, vorzugsweise etwa kugeliger einkristalliner Teilchen. Dabei wird eine
509831 /0893
Wirbelschicht aus Halbleiterteilchen gebildet und auf einer geeignet hohen Reaktionstemperatur gehalten. In die Wirbelschicht wird ein halbleiterhaltiger Dampf zusammen mit dem Dampf eines Dotierungsmittels von einem Leitungstyp sowie ein verdampftes Reduktionsmittel eingeführt, um die Abscheidung von elementarem Halbleitermaterial auf den elementaren Halbleiterteilchen zu bewirken, wobei das abgeschiedene Halbleitermaterial zu dem genannten Leitungstyp dotiert ist. Nach einer bestimmten Abscheidungsperiode wird die Quelle für das dampfförmige Dotierungsmittel des einen Leitungstyps zu einer Quelle für ein dampfförmiges Dotierungsmittel vom entgegengesetzten Leitungstyp geändert, so daß jetzt auf den Teilchen eine Schicht aus Halbleitermaterial abgeschieden wird, das zu dem entgegengesetzten Leitungstyp dotiert ist. Eine bevorzugte Größe für die in die Wirbelschicht eingeführten Halbleiterteilchen liegt zwischen 150 und 350 Mikron Nenndurchmesser; ferner wird bevorzugt eine Schicht mit dem einen Leitungstyp abgeschieden, die eine Dicke zwischen 250 und 2250 Mikron besitzt. Als Ergebnis erhält man Halbleiterteilchen mit etwa kugeliger Form, die aus einem inneren Bereich mit einem Leitungstyp und einer äusseren Schicht oder Hülle vom entgegengesetzten Leitungstyp mit einem pnübergang dazwischen bestehen. Ein Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, daß die Halbleiterteilchen kontinuierlich gebildet und zu den gewünschten Leitungstypen dotiert werden, ohne daß sie aus der Wirbelschicht, in welcher die erforderlichen Reaktionen stattfinden, entfernt zu werden brauchen. Infolgedessen sind beträchtliche Einsparungen bei der Herstellung nicht nur im Hinblick auf eine verkürzte Durchlaufzeit möglich, sondern man hat " auch wesentlich geringere Materialverluste zu verzeichnen, da die als Verfahrensprodukt erhaltenen dotierten Teilchen sich direkt zu Halbleitervorrichtungen verarbeiten lassen, so daß Verfahrensstufen wieKristallwachstum, Aufteilung
509831/0893
in Plättchen und Polieren der Plättchen sowie Aufspaltung derselben in Chips entfallen. Das erfindungsgemäße Verfahren ergibt wesentlich höhere Ausbeuten an Vorrichtungen als sie bisher nach dem vorstehend beschriebenen üblichen Methoden möglich waren. Da die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Teilchen nach Größe und Form für eine .- gewünschte Endverwendung vorsortiert werden können, lassen sie sich leicht an einen völlig automatisierten Verfahrensgang anpassen, was die billige Herstellung von Halbleitervorrichtungen in großer Menge ermöglicht.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. T eine schematische Schnittansicht durch einen Wirbelschichtreaktor, der sich zur erfindungsgemäßen Herstellung von etwa kugelförmigen Halbleiterteilchen eignet,
Fig. 2 einen schematischen, typischen Querschnitt (nicht maßstabsgerecht) eines erfindungsgemäß erhaltenen Halbleiterteilchens und
Fig. 3 eine vergrößerte schematische Schnittansicht (nicht maßstabsgerecht) einer erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterteilchen enthaltenden Sonnenzelle.
Die in Fig. 1 dargestellte Einrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens für die Herstellung von Halbleiterteilchen besitzt einen zylindrischen korrosionsbeständigen Reaktor 1 aus hochreinem Quarz oder geschmolzener Kieselsäure mit einer Verteilerplatte 2 aus Quarz nahe am Boden des Reaktors. Bei der beschriebenen Ausführungsform besitzt der Reaktor zweckmäßig einen Durchmesser von 75 mm. Der Reaktor 1 besitzt eine Zuführung 3 an seinem oberen
B09831 /0893
Ende zur Einführung von elementaren Halbleiterteilchen in den Reaktor sowie einen Einlaß 4, durch welchen ein reduzierendes Gas/Durchwirbelungsmittel sowie die Reaktionsbestandteile in den Reaktor eingeführt werden können, Die Reaktionsteilnehmer kommen aus durch Strömungsventile 9, bzw. 11 geregelten Quellen 6,7 und 8. Die Quellen 6, 7 und enthalten die gewünschte halbleiterhaltige Verbindung, bzw. das Dotierungsmittel für den einen Leitungstyp (z.B. η-leitend) und ein Dotierungsmittel vom entgegengesetzten Leitungstyp (z.B. p-leitend). Ein Auslaß 12 befindet sich am Kopfende des Reaktors 1 und eine Abführungsleitung 13 für überzogene Halbleiterteilchen ist am Boden des Reaktors oberhalb der Verteilerplatte 2 angeordnet.
Der Betrieb der Einrichtung wird nachstehend in Bezug auf die Herstellung von η-dotierten einkristallinen Siliciumteilchen mit einer äusseren p-dotierten epitaktischen Schicht beschrieben. Beim Betrieb der Einrichtung wird eine gewünschte Menge von hochreinen, einkristallinen, elementaren Siliciumteilchen 14 wie man sie z.B. durch Unterteilung eines einkristallinen Siliciumstabs geeigneter Größe, z.B. eines solchen mit einem Nenndurchmesser zwischen 150 und 350 Mikron erhält, durch den Einlaß 3 unter Bildung einer Schicht aus Siliciumteilchen 14 in den Reaktor eingeführt und ein Strom von hochreinem Wasserstoff wird durch den Einlaß 4 mit einer zweckmäßig zwischen 25 und 50 Liter/Minute liegenden Strömungsgeschwindigkeit eingeführt, der zur Fluidisierung der Siliciumteilchen 14 ausreicht, wobei sich das Volumen der Schicht stark vergrößert und die Teilchen 14 in lebhafte Bewegung geraten. Die Wirbelschicht wird durch den Erhitzer 15 auf 950 bis 12500C erhitzt, was zur Abscheidung von Silicium aus der Gasphase auf den Siliciumteilchen 14 ausreicht.
509831/0893
Zur Erzielung einer solchen Abscheidung werden eine geeignete Biliciumhaltige Verbindung, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4, sowie eine η-leitende dotierende Verbindung, z.B. Phosphin, Arsin, Stibin, aus den Quellen 6 und 8 unter Regelung durch die Ventile 9 bzw. 11 durch den Einlaß 5 in den Reaktor 1 in Dampfform eingeführt. Die Ventile 9 und 11 werden so eingestellt, daß man Konzentrationen an der Siliciumverbindung und dem Dotierungsmittel von etwa 12 bis 15 % bzw. 0,001 bis 0,01 % in dem gesamten Wasserstoffstrom erhält. Zwischen den durch den Einlaß 5 eintretenden verdampften Verbindungen und einem Teil des durch den Einlaß eingeführten Wasserstoff findet eine chemische Reaktion statt, welche die Abscheidung von η-dotiertem Silicium auf den Siliciumteilchen 14 in der Wirbelschicht zur Folge hat, wobei die Wirbelbewegung der Siliciumteilchen 14 in der Wirbelschicht diese Abscheidung auf der gesamten Oberfläche der Teilchen erleichtert. Im allgemeinen ist eine zwischen 50 und 2500 Mikron dicke abgeschiedene η-leitende Schicht geeignet. In typischer Weise besitzt das η-dotierte Silicium eine Dotierungskonzentration von 10 bis 10 Atome/cm . Wenn die Abscheidungsdauer zur Vergrösserung der Teilchen auf einen gewünschten Bereich von z.B. 650 bis 850 Mikron ausreichte, wird die Reaktion so geändert, daß sich eine p-dotierte epitaktische Siliciumschicht auf den Teilchen 14 abscheidet, indem man das Ventil 11 schließt und das Ventil 10 öffnet, durch welches Dampf einer p-leitenden Verbindung, z.B. Boran oder Bortrichloriddampf durch den Einlaß 5 in den Reaktor strömt, ebenfalls zweckmäßig in einer Konzentration von 0,001 bis 0,01% in dem gesamten Wasserstoff strom". P-leitendes Silicium wird dann solange abgeschieden, bis sich eine p-leitende Oberflächenschicht mit der gewünschten Dicke von z.B. 1 bis 10 Mikron abgeschieden hat, die in typischer
17 Weise eine Dotierungsmittelkonzentration von 10 bis 10 Atome/cm besitzt, worauf die so überzogenen Silicium-
509831/0893
teilchen 14 aus dem Reaktor 1 durch den Auslaß 13 abgezogen werden können. .
Während der vorstehend beschriebenen Reaktionen werden überschüssiger Wasserstoff und Nebenprodukte der Reaktion aus dem Reaktor 1 durch den Auslaß 12 abgeführt,- Außer Silicium können in einem erfindungsgemäßen Verfahren andere Halbleiterstoffe, die sich zur Bearbeitung mittels chemischer Dampfabscheidung eignen - einschließlich von Halbleiterverbindungen - bei geeigneter Einstellung des Abscheidungsmaterials, der Dotierungsverbindungen, der Strömungsgeschwindigkeiten und Temperaturen verwendet werden.
Nach dem vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren erhaltene Teilchen besitzen eine angenäherte Kugelform und auf Grund des Größenbereichs der zu Beginn in den Reaktor zur Bildung der Wirbelschicht eingeführten elementaren Siliciumteilchen einen engen Größenbereich. In einem spezifischen Beispiel können elementare Siliciumteilchen mit einen Nenndurchmesser von 250 Mikron verwendet werden, wobei dann die η-leitende und p-leitende Abscheidung Teilchen mit einem Gesamtdurchraesser von 750 Mikron ergeben.
Die Struktur eines nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren erhaltenen Siliciumteilchens ist ganz allgemein beispielsweise in Fig. 2 gezeigt. Das Teilchen besitzt einen η-leitenden inneren Bereich 20, der von einer dünnen p-leitenden Oberflächenschicht 21 umgeben ist, die einen pn-übergang 22 definiert und das Teilchen be- sitzt einen etwa kreisförmigen Querschnitt' und eine etwa kugelige Gesamtform. Die Abscheidung der p-leitenden Schicht 21 ergibt einen viel besser definierten pn-übergang 22 und eine glattere Oberflächenbeschaffenheit mit sehr
509831 /0893
- 8 " - 2503A52
wenig Oberflächenfehlstellen der p-leitenden Schicht verglichen mit einer eindiffundierten, in einer mechanisch hergestellten Siliciumkugel gebildeten p-leitenden Schicht. Teilchen mit einem von einer η-leitenden Oberflächenschicht umgebenen p-leitenden Kern können bei geeigneter V/a'hl der dotierenden Störstoffe ebenfalls hergestellt werden.
Eine beonsdere Anwendung von erfindungsgemäß hergestellten kugeligen Halbleiterteilchen wird nachstehend als Beispiel beschrieben; natürlich können auch andere Herstellungsmethoden angewendet und andere Arten von Halbleitervorrichtungen hergestellt werden.
Großflächige Sonnenzellen werden als elektrische Energiequellen immer attraktiver und die Verwendung von Halbleiterteilchen mit angenähert kugeliger Form beim Bau von Sonnenzellen bietet viele Vorteile, da solche Zellen eine wirtschaftliche Verwendung des Halbleitermaterials gestatten und einen hohen Umwandlungsfaktor von Licht in Elektrizität besitzen.
Die Herstellung einer Ausführungsform einer solchen Sonnenzelle wird in Bezug auf Fig. 3 beschrieben. In erfindungsgemäß für die Verwendung in Sonnenzellen hergestellten kugeligen Teilchen soll die p-leitende epitaktische Schicht dünn genug sein, z.B. 1 bis 10 Mikron, damit ein großer Anteil an durch einfallende Strahlung erzeugten Photonen einen Ladungsträgerfluß durch den pn-übergang bewirkt, d.h. daß nur ein kleiner Anteil solcher Photonen sich innerhalb der epitaktischen Schicht wieder vereinigt. Siliciumkugeln 30 mit vorherbestimmter Größe (Nenndurchmesser beispielsweise etwa 750 Mikron), die nach einem in Bezug auf Fig. 1 beschriebenen Verfahren erhalten wurden, werden dicht nebeneinander in einem vorherbestimmten Muster (beispielsweise einem hexagonalzentrierten Muster von Fig.3)
509831 /0893
in eine dünne flexible Isolierfolie 31,z.B. aus einem halbpolymerisierten Kunststoff eingesetzt, der beispielsweise etwa 2 m lang oder fortlaufend, 1 bis 2 m breit und 0,1 mm dick sein kann.
Beispielsweise kann ein Vakuumkopf mit ein oder mehreren Reihen von Saugöffnungen, die entsprechend dem erforderlichen Abstand der Siliciumteilchen und der Reihen derselben angeordnet sind, dazu dienen, die Teilchen auf der Folie in Stellung zu bringen, wobei diese Folie nach einem mit dem Vakuumkopf synchronisierten Stufenmechanismus an diesem vorbeigeführt werden kann.
Die Ausrichtung der Kugeln ist nicht kritisch, Hauptsache ist eine ausreichende Bedeckung der Oberfläche der Isolierfolie. Der Abstand zwischen benachbarten Kugeln hängt zum Teil von deren Durchmesser, von dem Wunsch, daß einfallende, von der Oberfläche einer Kugel reflektierte Strahlung auf die Oberfläche einer benachbarten Kugel unter Erhöhung des Umwandlungsgrads der Gesamtstruktur auftrifft und ferner davon ab, daß man ein Maximum an Projektionsfläche der Kugel zu einfallender Sonnenstrahlung erhält» Vorzugsweise nach dem Aushärten (oder der Polymerisation) der Isolierfolie 31 wird auf deren Oberfläche und auf den freiliegenden p-leitenden Schichten 33 der in der Folie eingebetteten Siliciumkugeln 30 die leitende Schicht 32 abgeschieden, um die p-Schichten der Kugeln elektrisch miteinander zu verbinden. Die Metallschicht 32 kann aus Aluminium bestehen,, das gleichmässig in einer Dicke von etwa 0,5 bis 1,0 Mikron auf den Kugeln und der Isolierschicht unter genauer Bedeckung des Umrisses der Siliciumkugel und der dazwischen befindlichen Flächen der Isolierschicht abgeschieden ist. In geeigneter Weise kann die Aluminiumschicht 31 durch Aufdampfen, Aufsprühen oder vorzugsweise durch eine chemische
508831/0883
Zersetzung in der Dampf phase bei etwa 150 bis 200°C aufgebracht werden. Bei Verwendung einer temperaturbeständigeren Isolierfolie 31, z.B. einer aus vergießbarem Aluminiumoxid, kann auch eine Schicht aus Wolfram durch Reduktion von Wolframhexafluorid in Anwesenheit von Wasserstoff bei einer Temperatur von etwa 700°C während einer Zeit gebildet werden, die zur Abscheidung einer Wolframschicht mit der gewünschten Dicke von beispielsweise 0,4 bis 1 Mikron, ausreicht. Die abgeschiedene Wolframschicht 32 besitzt den Vorteil, daß sie sehr gut an Silicium haftet, nicht gleich in Silicium eindiffundiert und eine ausgezeichnete Abriebbeständigkeit besitzt.
Eine Isolierschicht 34 (aus Kunststoff oder vergießbarem Aluminiumoxid)wird dann durch Vergießen einer Flüssigkeit gebildet, welche auf der leitenden Schicht 32 zwischen den Siliciumkugeln 30 zu der Isolierschicht trocknet oder aushärtet, so daß ein Teil Jodler der Siliciumkugeln 30 über die Isolierschicht 34 hinausragt. Mach dem Aushärten der Isolierschicht werden dann die Flächen der leitenden Schicht 33 auf den herausragenden Teilen· der Siliciumkugeln selektiv mit Fluorwasserstoff-Salpeter-Essigsäure weggeätzt, (z.B. eine Ί-3-8'-Ätzung) wodurch die freiliegenden Flächen der p-leitenden Schichten 33 unter Freilegung der n-leitenden Innenbereiche 35 der Siliciümkugelii entfernt werden. Auf der Isolierschicht 34 wird dann eine weitere Isolierschicht aus Kunststoff oder vergießbarem Aluminiumoxid 36 gebildet, die eine kleinere Fläche der η-leitenden Zone 35 jeder über die Schicht 36 herausragenden Engel 30 freiläßt. Hach dem Aushärten dieser Isolierschicht wird auf den freiliegenden Flächen der η-leitenden Zonen 35 und der Isolierschicht 36 eine weitere leitende Schicht 37 gleichlaufend aufgebracht und zwar entweder durch Aufdampfen von Aluminium oder mittels der vorstehend beschriebenen Wolframabscheidung,
5 0 9 8 31/0893
wobei diese Schicht zwischen den η-leitenden Bereichen 35 der Kugeln 30 leitende Verbindungen schafft. Über der Metallschicht 37 kann dann eine weitere durchscheinende Isolierschicht 38 zum Schutz gegen Staub und Wasser gebildet werden.
Beim Betrieb einer solchen Sonnenzelle bewirkt auf die freiliegenden η-leitenden Flächen 35 der Siliciumkugeln auftreffendes Licht die Bildung von Elektronen-Löcherpaaren an den pn-Übergängen 39 der Kugeln und die Erzeugung einer entsprechenden EMK zwischen den leitenden Schichten 32 und 37.
Anstelle eines halbpolymerisierten Kunststoffs können für die Isolierschichten 31, 34 und 36 auch andere Materialien verwendet werden. Zum Beispiel kann ein thermoplastisches Material verwendet werden, das sich zunächst in einem weichen (erhitzten) Zustand befindet und beim anschliessenden Abkühlen die Siliciumkugeln darin festsetzt; auch ein partiell ausgehärtetes Epoxydharz ist geeignet, das dann zur Lokalisierung der Siliciumkugeln vollständig ausgehärtet wird. Auf jeden Fall sollen die Isolierschichten bei längerer Belichtung mit Sonnenstrahlung nicht abgebaut werden.
Obwohl Silicium als ein geeignetes Halbleitermaterial zur Verwendung beim Bau von Sonnenzellen beschrieben wurde, können die Kugeln doch auch aus anderen Halbleitermaterialien, z.B. aus Kadmiumsulfid, als geeignetes Material für eine Sonnenzelle, bestehen. Außerdem können gegebenenfalls zur Verwendung in solchen Sonnenzellen polykristalline Teilchen hergestellt werden. Andere
509831 /0893
einzelne Vorrichtungen als Sonnenzellen, insbesondere Dioden, können ebenfalls auf wirtschaftliche Weise aus erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterteilchen gebildet werden und auch hier können andere Halbleiterstoffe als Silicium, z.B. Germanium, zur Herstellung der Kugeln verwendet werden. Außerdem finden die in Bezug auf die epitaktische Schicht von kugeligen Teilchen für die Verwendung in Sonnenzellen vorstehend erläuterten kritischen Dicken nicht unbedingt bei Verwendung der Kugeln für andere Arten von Halbleitervorrichtungen Anwendung, so daß gegebenenfalls über 10 Mikron dicke, epitaktische Schichten verwendet werden können. Solche Vorrichtungen können auf der Oberfläche der kugeligen Teilchen oder auf einer ebenen Fläche gebildet werden, wie man sie durch seletive Entfernung eines Teils der Oberfläche einer Kugel erhält. Diese Entfernung erfolgt am einfachsten mittels richtungsabhängiger Ätzungen, z.B. derjenigen auf der Basis von KOH-HpO-Isopropylalkohol,(siehe beispielsweise "Anisotropie Etching of Silicon with KOH-H2O-Isopropyl Alcohol", J.B. Price, Semiconductor Silicon 1973, H.R. Huff und R.R. Burgess, Editors, the Electrochemical Society, Princeton N.J. 1973). Ein Beispiel ist eine Lösung von 20 Gew.-% KOH in 5% Isopropylalkohol und 95% HpO mit SO0C. Diese Ätzung oder eine andere wandelt die Kugelform (oder nur einen Teil der Kugel, wenn das Teilchen nur zu einem Teil in die Ätzlösung eingetaucht wird) zu einem regelmäßig geformten Polyeder mit flachen Seitenwänden, die parallel zu spezifischen kristallografischen Ebenen verlaufen, um. Durch richtige ¥ahl des richtungsgebundenen Ätzmittels können verschiedene Ebenen freigelegt werden. An die einzelnen Zonen des geätzten Teilchens können nach üblichen Methoden An-
509831/0893
Schlüsse angelegt werden.
Die Erfindung kann weitgehende Abänderungen erfahren, ohne daß dadurch ihr Rahmen verlassen wird.
509831/0893

Claims (22)

  1. Patentansprüche
    . !Verfahren zur Herstellung kugelförmiger Halbleiterteilchen, dadurch gekennzeichnet, daß man in eine Wirbelschicht aus auf einer erhöhten Reaktionstemperätur gehaltenen Halbleiterteilchen einen ein Halbleitermaterial enthaltenden Dampf, ein" dampfförmiges Reduktionsmittel und ein dampfförmiges Dotierungsmittel von einem Leitungstyp unter Eintritt einer zur Abscheidung von dotiertem Halbleitermaterial mit dem einen Leitungstyp auf den Halbleiterteilchen führenden Reaktion einführt; nach einer bestimmten Abscheidungszeit das dampfförmige Dotierungsmittel mit dem einen Leitungstyp durch ein dampfförmiges Dotierungsmittel mit dem entgegengesetzten Leitungstyp unter Abscheidung von zu dem entgegengesetzten Leitungstyp dotiertem Halbleitermaterial auf den Halbleiterteilchen austauscht; und etwa kugelförmige Halbleiterteilchen mit einer Außenschicht mit dem entgegengesetzten Leitungstyp, die einen Innenbereich mit dem einen Leitungstyp bedeckt, abtrennt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterteilchen aus elementarem Halbleitermaterial bestehen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterteilchen aus einkristallinem Halbleitermaterial bestehen und daß das zum entgegengesetzten Leitungstyp dotierte Material eine epitaktische Abscheidung ist.
    50 9 831/0893
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wirbelschicht Halbleiterteilchen mit einem Nenndurchmesser zwischen 150 und 350 Mikron enthält.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, ,daß die Abscheidung von zum einen Leitungstyp dotierten Halbleitermaterial bis zu einer Dicke der abgeschiedenen Schicht von 250 bis 2250 Mikron erfolgt.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung von Halbleitermaterial mit dem entgegengesetzten Leitungstyp in wesentlich dünnerer Schicht erfolgt als die Abscheidung von Halbleitermaterial mit dem einen Leitungstyp.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1. bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wirbelschicht aus elementaren Siliciumteilchen gebildet, ein siliciumhaltiger Dampf und ein η-leitender Dotierungsmitteldampf eingeleitet werden und daß letzterer durch einen p-leitenden Dotierungsmitteldampf ersetzt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,· daß p-dotiertes Silicium epitaktisch in einer 1 bis 10 Mikron dicken Schicht abgeschieden wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die abgetrennten Siliciumteilchen einen Nenndurchmesser zwischen 650 und 850 Mikron besitzen.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel Wasserstoff verwendet wird.
    509831 /0893
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als eine η-Leitung ergebendes Dotierungsmittel eine Phosphorverbindung und als eine p-Leitung ergebendes Dotierungsmittel eine Borverbindung verwendet wird.
  12. 12. Verwendung der nach einem der vorhergehenden Ansprüche erhaltenen kugelförmigen Halbleiterteilchen zur 'Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
  13. 13. Verwendungsart nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Oberflächenbereich der Teilchen unter Bildung einer ebenen Fläche, die eine Fläche des Kernmaterials und eine Umgebungsfläche der epitaktischen Schicht freilegt, entfernt wird wobei die freigelegte ebene Fläche parallel zu einer vorherbestimmten kristallografischen Ebene des Halbleitermaterials verläuft.
  14. 14. Verwendungsart nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Kern einen Nenndurchmesser zwischen 650 und 850 Mikron besitzt.
  15. 15. Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle unter Verwendung der kugelförmigen Halbleiterteilchen nach einem der-Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß man die Halbleiterteilchen in einer Oberfläche einer ersten Isolierschicht unter Bildung einer bestimmten Gruppierung dieser Teilchen fixiert, auf dieser ersten Isolierschicht und den Überzügen vom entgegengesetzten Leitungstyp der kugelförmigen Halbleiterteilchen eine leitende Schicht abscheidet, auf dieser ersten Leiterschicht zwischen den kugelförmigen Teilchen eine erste Isolierschicht aufbringt, welche Teile der Kugeln herausragen läßt, daß man von diesen herausragenden
    509831 /0893
    Teilen der Halbleiterkugeln Flächen der leitenden Schicht und des Überzugs vom entgegengesetzten Leitungstyp unter ■ Freilegung von Flächen des einen Leitungstyps der Teilchen entfernt, eine weitere Isolierschicht über der ersten abscheidet, die kleinere Flächen der aus dieser weiteren Isolierschicht herausragenden Kugeln mit dem einen Leitungstyp freiläßt und daß man auf dieser weiteren Isolierschicht und diesen kleineren Flächen der Teilchen leitendes Material zur selektiven Verbindung der Zonen mit dem einen Leitungstyp der Kugeln abscheidet.
  16. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Flächen der leitenden Schicht und des Überzugs mit dem entgegengesetzten Leitungstyp durch selektive chemische Ätzung entfernt werden.
  17. 17. Verfahren nach Anspruch 15f dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Material Aluminium ist.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der ersten Isolierschicht ein partiell polymerisierter Kunststoff,/ein thermoplastischer Stoff oder partiell ausgehärtetes Epoxydharz ist.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Material Wolfram ist.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material vergießbares Aluminiumoxid ist.
  21. 21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Isolierschicht aus einer
    5 09 831/0893
    2503A52
    länglichen Folie aus flexiblem Kunststoff besteht.
  22. 22. Nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 21 erhaltene Sonnenzelle.
    509831/0893
    Leer seife
DE19752503452 1974-01-28 1975-01-28 Verfahren zur herstellung kugelfoermiger halbleiterteilchen Withdrawn DE2503452A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/437,278 US3998659A (en) 1974-01-28 1974-01-28 Solar cell with semiconductor particles and method of fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2503452A1 true DE2503452A1 (de) 1975-07-31

Family

ID=23735792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752503452 Withdrawn DE2503452A1 (de) 1974-01-28 1975-01-28 Verfahren zur herstellung kugelfoermiger halbleiterteilchen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3998659A (de)
JP (1) JPS50124586A (de)
DE (1) DE2503452A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2633878A1 (de) * 1975-07-28 1977-02-17 Kilby Jack St Clair Energiewandler
DE3211144A1 (de) * 1982-03-26 1983-10-06 Josef Dr Phil Heyes Fotozelle und verfahren zu ihrer herstellung
EP0318008A2 (de) * 1987-11-27 1989-05-31 Albemarle Corporation Hochreine Legierungen für Dotierungszwecke
US4952425A (en) * 1987-11-27 1990-08-28 Ethyl Corporation Method of preparing high purity dopant alloys
DE4103086A1 (de) * 1991-02-01 1992-08-06 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zum abscheiden von reinem halbleitermaterial durch thermische zersetzung
WO2000034552A1 (en) * 1998-12-10 2000-06-15 Ball Semiconductor, Inc. Single crystal processing by in-situ seed injection
US6383287B1 (en) 2000-09-28 2002-05-07 Ball Semiconductor, Inc. System and method for performing diffusion on a three-dimensional substrate

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4173494A (en) * 1977-02-14 1979-11-06 Jack S. Kilby Glass support light energy converter
US4270263A (en) * 1977-02-14 1981-06-02 Texas Instruments Incorporated Glass support light energy converter
US4341610A (en) * 1978-06-22 1982-07-27 Schumacher John C Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates
US4159212A (en) * 1978-09-18 1979-06-26 Atlantic Richfield Company Luminescent solar collector
US4454372A (en) * 1981-04-17 1984-06-12 Electric Power Research Institute, Inc. Photovoltaic battery
US4407320A (en) * 1981-09-08 1983-10-04 Texas Instruments Incorporated Large area, fault tolerant solar energy converter
EP0494699A3 (en) * 1987-11-27 1995-03-29 Ethyl Corp High purity doping alloys
US4872607A (en) * 1988-02-04 1989-10-10 Texas Instruments Incorporated Method of bonding semiconductor material to an aluminum foil
US5278097A (en) * 1989-07-31 1994-01-11 Texas Instruments Incorporated Method of making doped silicon spheres
US5223452A (en) * 1989-12-21 1993-06-29 Knepprath Vernon E Method and apparatus for doping silicon spheres
US5081069A (en) * 1989-12-26 1992-01-14 Texas Instruments Incorporated Method for depositing a Tio2 layer using a periodic and simultaneous tilting and rotating platform motion
US5466301A (en) * 1994-06-29 1995-11-14 Texas Instruments Incorporated Solar cell having an output-increasing, protective cover
US5763320A (en) * 1995-12-11 1998-06-09 Stevens; Gary Don Boron doping a semiconductor particle
DE69637769D1 (de) 1996-10-09 2009-01-15 Josuke Nakata Halbleitervorrichtung
CA2239626C (en) * 1996-10-09 2003-09-02 Josuke Nakata Semiconductor device
US5955776A (en) * 1996-12-04 1999-09-21 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped semiconductor integrated circuit
US5925897A (en) * 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
US6130742A (en) * 1997-10-17 2000-10-10 Ball Semiconductor, Ltd. Exposure apparatus for a ball shaped substrate
US6015464A (en) * 1998-04-29 2000-01-18 Ball Semiconductor, Inc. Film growth system and method for spherical-shaped semiconductor integrated circuits
US6489051B1 (en) 1998-05-27 2002-12-03 Toray Industries, Inc. Carbon fiber paper for solid polymer fuel cells
US6106614A (en) * 1998-10-15 2000-08-22 Starmet Corp Method and apparatus for fabricating near spherical semiconductor single crystal particulate and the spherical product produced
US6355873B1 (en) 2000-06-21 2002-03-12 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly
US6441298B1 (en) * 2000-08-15 2002-08-27 Nec Research Institute, Inc Surface-plasmon enhanced photovoltaic device
CA2671924C (en) 2000-10-20 2013-06-11 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor module and method for making the same
US6498643B1 (en) 2000-11-13 2002-12-24 Ball Semiconductor, Inc. Spherical surface inspection system
US6706959B2 (en) * 2000-11-24 2004-03-16 Clean Venture 21 Corporation Photovoltaic apparatus and mass-producing apparatus for mass-producing spherical semiconductor particles
US6563041B2 (en) * 2000-11-29 2003-05-13 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device
JP4570235B2 (ja) * 2000-11-29 2010-10-27 京セラ株式会社 光電変換装置
US6762359B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-13 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Photovoltaic panel and method of producing same
US20050004625A1 (en) * 2001-06-29 2005-01-06 Chow Alan Y. Treatment of degenerative retinal disease via electrical stimulation of surface structures
US20050033202A1 (en) 2001-06-29 2005-02-10 Chow Alan Y. Mechanically activated objects for treatment of degenerative retinal disease
ATE527683T1 (de) * 2001-08-10 2011-10-15 Evergreen Solar Inc Verfahren zur dotierung von halbleitern
KR20030086573A (ko) * 2001-08-13 2003-11-10 죠스게 나가다 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
JP3904558B2 (ja) * 2001-08-13 2007-04-11 仗祐 中田 発光又は受光用半導体モジュール及びその製造方法
AU2001295987B2 (en) * 2001-10-19 2005-10-20 Sphelar Power Corporation Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same
US7109528B2 (en) * 2001-12-25 2006-09-19 Josuke Nakata Light receiving or emitting semiconductor apparatus
WO2003094248A1 (en) * 2002-05-02 2003-11-13 Josuke Nakata Light-receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof
ATE417364T1 (de) 2002-06-21 2008-12-15 Kyosemi Corp Lichtempfangs- oder lichtemissionseinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
US7387400B2 (en) * 2003-04-21 2008-06-17 Kyosemi Corporation Light-emitting device with spherical photoelectric converting element
CN1771641A (zh) * 2003-06-09 2006-05-10 京半导体股份有限公司 发电系统
EP1521308A1 (de) * 2003-10-02 2005-04-06 Scheuten Glasgroep Kugel- oder kornförmiges Halbleiterbauelement zur Verwendung in Solarzellen und Verfahren zur Herstellung; Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Halbleiterbauelement und Solarzelle
CN1771608A (zh) * 2003-10-24 2006-05-10 京半导体股份有限公司 受光或发光模块板及其制造方法
WO2009002551A1 (en) * 2007-06-26 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots
JP4869194B2 (ja) * 2007-09-20 2012-02-08 京セラ株式会社 結晶シリコン粒子の製造方法および光電変換装置の製造方法
JP4869195B2 (ja) * 2007-09-20 2012-02-08 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
DE102008040147A1 (de) * 2008-07-03 2010-01-28 Crystalsol Og Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle
DE102008056086A1 (de) 2008-11-06 2010-05-12 Gp Solar Gmbh Additiv für alkalische Ätzlösungen, insbesondere für Texturätzlösungen sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US8329046B2 (en) * 2009-02-05 2012-12-11 Asia Union Electronic Chemical Corporation Methods for damage etch and texturing of silicon single crystal substrates
US7955989B2 (en) * 2009-09-24 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Texturing semiconductor substrates
US20110151671A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc method of texturing semiconductor substrates
DE102010019079A1 (de) 2010-04-30 2011-11-03 Gp Solar Gmbh Additiv für alkalische Ätzlösungen, insbesondere für Texturätzlösungen, sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US9455307B2 (en) 2011-10-14 2016-09-27 Diftek Lasers, Inc. Active matrix electro-optical device and method of making thereof
US9209019B2 (en) 2013-09-05 2015-12-08 Diftek Lasers, Inc. Method and system for manufacturing a semi-conducting backplane
US9224851B2 (en) 2011-10-14 2015-12-29 Diftek Lasers, Inc. Planarized semiconductor particles positioned on a substrate
US9593053B1 (en) 2011-11-14 2017-03-14 Hypersolar, Inc. Photoelectrosynthetically active heterostructures
US9957037B2 (en) 2013-07-10 2018-05-01 X Development Llc High altitude aircraft with integrated solar cells, and associated systems and methods
US10100415B2 (en) 2014-03-21 2018-10-16 Hypersolar, Inc. Multi-junction artificial photosynthetic cell with enhanced photovoltages
KR20180025837A (ko) * 2014-12-30 2018-03-09 시텍 게엠베하 결정 생성 시스템들 및 방법들
US10312310B2 (en) 2016-01-19 2019-06-04 Diftek Lasers, Inc. OLED display and method of fabrication thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL66954C (de) * 1946-03-20
US2984775A (en) * 1958-07-09 1961-05-16 Hoffman Electronics Corp Ruggedized solar cell and process for making the same or the like
US3040416A (en) * 1959-05-13 1962-06-26 Hoffman Electronics Corp Method of making a large area solar cell panel
US3025335A (en) * 1960-02-29 1962-03-13 Hoffman Electronics Corp Flexible solar energy converter panel
NL270665A (de) * 1960-10-31 1900-01-01
US3233111A (en) * 1962-05-31 1966-02-01 Union Carbide Corp Silicon whisker photocell with short response time
US3375418A (en) * 1964-09-15 1968-03-26 Sprague Electric Co S-m-s device with partial semiconducting layers
NL6510096A (de) * 1965-08-04 1967-02-06
US3449705A (en) * 1966-04-21 1969-06-10 Ncr Co Photoconductive matrix sheet

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2633878A1 (de) * 1975-07-28 1977-02-17 Kilby Jack St Clair Energiewandler
DE3211144A1 (de) * 1982-03-26 1983-10-06 Josef Dr Phil Heyes Fotozelle und verfahren zu ihrer herstellung
EP0318008A2 (de) * 1987-11-27 1989-05-31 Albemarle Corporation Hochreine Legierungen für Dotierungszwecke
EP0318008A3 (en) * 1987-11-27 1989-09-20 Ethyl Corporation High purity doping alloys
US4952425A (en) * 1987-11-27 1990-08-28 Ethyl Corporation Method of preparing high purity dopant alloys
DE4103086A1 (de) * 1991-02-01 1992-08-06 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zum abscheiden von reinem halbleitermaterial durch thermische zersetzung
US6264742B1 (en) 1998-07-10 2001-07-24 Ball Semiconductor Inc. Single crystal processing by in-situ seed injection
WO2000034552A1 (en) * 1998-12-10 2000-06-15 Ball Semiconductor, Inc. Single crystal processing by in-situ seed injection
US6383287B1 (en) 2000-09-28 2002-05-07 Ball Semiconductor, Inc. System and method for performing diffusion on a three-dimensional substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US3998659A (en) 1976-12-21
JPS50124586A (de) 1975-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2503452A1 (de) Verfahren zur herstellung kugelfoermiger halbleiterteilchen
DE2538325C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE4019209C2 (de)
DE60033252T2 (de) Mehrschichtige halbleiter-struktur mit phosphid-passiviertem germanium-substrat
DE1544329A1 (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten bestimmter Form
DE2917564A1 (de) Verfahren zum herstellen von solarzellen und dadurch hergestellte gegenstaende
DE3314197A1 (de) P-leitende amorphe siliziumlegierung mit grossem bandabstand und herstellungsverfahren dafuer
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
DE2818261A1 (de) Halbleiter-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2805910A1 (de) Halbleitersystem und verfahren zu seiner herstellung
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE4134261A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterschichten und photovoltaischen einrichtungen
DE1764155C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes aus einem Siliciumkörper
DE102012102745A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie Solarzelle
DE3244661A1 (de) Verfahren zur herstellung einer festphasenlegierung
DE10229231A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur
DE1231812B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiterbauelementen nach der Mesa-Diffusionstechnik
DE2654946C2 (de)
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE102013211231B4 (de) Verfahren zum Bilden einer Tandem-Fotovoltaikeinheit
DE2151346C3 (de) Verfahren zum Herstellung einer aus Einkristallschichtteilen und Polykristallschichtteilen bestehenden Halbleiterschicht auf einem Einkristallkörper
DE1464305A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2363269A1 (de) Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von p-n uebergaengen in einem einzigen diffusionszyklus
DE3021021A1 (de) Verfahren zum selektiven zuechten einer fluessigphasen-epitaxieschicht auf einem halbleitersubstrat
DE1815913A1 (de) Elektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination