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Die vorliegende Erfindung betrifft
ein Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder
empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur.
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Lichtemissionsdioden (LEDs) zeichnen
sich u.a. dadurch aus, dass je nach Materialsystem der interne Umwandlungswirküngsgrad
von zugeführter elektrischer
Energie in Strahlungsenergie inzwischen deutlich über 80%,
in manchen Fällen
bereits nahe 100% liegt. Die effektive Strahlungsauskopplung aus dem
Halbleiterchip wird jedoch durch den großen Unterschied der Brechungsindizes
zwischen dem Halbleitermaterial (n ≈ 2 , 2–3 , 8) und dem angrenzenden Medium
(nLuf
t ≈ 1, nChipverguß 1,5)
begrenzt. Dieser große
Unterschied in den Brechungsindizes bewirkt einen sehr kleinen Grenzwinkel
für die
Totalreflexion an der Grenzfläche
zwischen Halbleiter und Umgebung. Dies führt dazu, dass nur ein Bruchteil
der im Halbleiterchip erzeugten Strahlung ausgekoppelt werden kann.
In herkömmlichen
LEDs geht daher die von der aktiven Zone in Richtung zur Oberfläche emittierte Strahlung,
die außerhalb
des Auskoppelkegels liegt, mit hoher Wahrscheinlichkeit durch Absorption
im Substrat verloren.
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Aus dem Stand der Technik sind deshalb
bereits verschiedene Maßnahmen
bekannt, den (externen) Wirkungsgrad der Strahlungsauskopplung von LEDs
zu verbessern. Ein möglicher
Ansatz besteht darin, an der Oberseite der LED eine dicke Halbleiterschicht
vorzusehen, so dass die Strahlung von der aktiven Zone auch seitlich
aus den Halbleiterschichten ausgekoppelt werden kann.
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Wie aber zum Beispiel in der Beschreibungseinleitung
der
WO-A-99/31738 ausgeführt, würde dieser
Ansatz im allgemeinen zu übermäßig dicken Kontaktschichten
führen,
was wiederum Nachteile bei der Fertigung und dem internen Wirkungsgrad der
LEDs mit sich bringen würde.
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Eine weitere bekannte Möglichkeit
zur Verbesserung der Auskoppeleffizienz stellen aufgeraute Strukturen
an der Oberfläche
des Halbleiterchips dar. Bei solchen Aufraustrukturen sind grundsätzlich Strukturperiodizitäten wünschenswert,
die der Wellenlänge
der auszukoppelnden Strahlung entsprechen oder darunter liegen.
Neben der Periodizität derartiger
Oberflächenstrukturen
wird die Auskoppeleffizienz auch durch die Höhenverhältnisse und die Formen der
Strukturen beeinflusst. Derzeit sind insbesondere drei Techniken
zur Erzeugung von aufgerauten Oberflächenstrukturen zur Verbesserung des
externen Wirkungsgrades bekannt.
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Die erste bekannte Technik besteht
darin, Halbleiteroberflächen
durch Ätzverfahren
aufzurauen, die bestimmte Kristallebenen bevorzugt abtragen. Ein
derartiges Verfahren ist zum Beispiel in der
DE 196 32 627 A1 beschrieben.
Hier wird bei einem Halbleiterkörper
mit mindestens einer Halbleiterschicht, die aus GaAsP besteht, zumindest
ein Teil der Oberfläche
der Halbleiterschicht in einem ersten Ätzschritt mit einer Ätzlösung der
Zusammensetzung H
2SO
4:H
2O
2:H
2O
und nachfolgend in einem zweiten Ätzschritt mit Flusssäure behandelt.
Durch dieses zweistufige Ätzen
wird an der Oberfläche
eine Aufrauung in Form von nebeneinander angeordneten Sägezähnen erzeugt,
so dass im Vergleich zu einer ebenen Fläche ein größerer Anteil der in dem Halbleiterkörper erzeugten
Strahlung in einem Winkel auf die Oberfläche der Halbleiterschicht trifft,
der kleiner als der Grenzwinkel der Totalreflexion ist und daher direkt
in das angrenzende Medium auskoppeln kann.
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Eine weitere Technik der Aufrauung
der Oberfläche,
um die Strahlungsauskopplung zu verbessern, ist die sogenannte Mikrostrukturierung
des LED-Chips, wie sie beispielsweise in dem Artikel „InGaN/GaN
quantum well interconnected microdisk light emitting diodes" von S.X. Jin et
al., Appl. Phys. Lett., Vol. 77, Nr. 20, 13. November 2000, Seiten 3236–3238, beschrieben
ist. Bei einem derartigen LED-Chip wird ein Schichtpaket mit einer
aktiven Schicht wie oben beschrieben auf ein Substrat aufgebracht,
und anschließend
werden in das Schichtpaket Ausnehmungen bzw. Kanäle geätzt, so dass eine Vielzahl
kleiner Zylinder mit dem entsprechenden Schichtaufbau verbleibt.
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Jin et al. haben festgestellt, dass
die Anordnung von Mikrostrukturen mit einem Durchmesser von 9–12 μm trotz der
kleineren aktiven Fläche
im Vergleich zu einem einzigen Schichtstapel eine deutlich höhere Strahlungsausgangsleistung
zeigt. Dies wird insbesondere auf einen wesentlich höheren Wirkungsgrad
der Strahlungsauskopplung zurückgeführt.
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Eine Ausführungsform eines solchen LED-Chips
mit Mikrostrukturierung ist zum Beispiel in der bereits genannten
WO 99/31738 offenbart. Auf einem
Substrat zum Beispiel aus Saphir ist eine Vielzahl von Mikrostrukturelementen
auf Al-GaInN-Basis angeordnet.
Das AlGaInN-Materialsystem besteht aus einer aktiven Schicht mit
einer Schichtdicke in der Größenordnung
von 1.000 Å,
welche eine Strahlung erzeugende Schicht aus GaInN zwischen einer oberen
stromtragenden Schicht aus p-dotiertem AlGaN und einer unteren stromtragenden
Schicht aus n-dotiertem AlGaN aufweist, einer oberen Kontaktschicht
aus p-dotiertem GaN auf der aktiven Schicht und einer unteren Kontaktschicht
aus n-dotiertem GaN zwischen der aktiven Schicht und dem Substrat. Auf
den Oberseiten der oberen Kontaktschichten sind Kontaktstellen aufgebracht.
Die Mikrostrukturelemente mit einer Breite in der Größenordnung
von etwa 10 μm
sind durch Kanäle
oder Nuten mit einer Breite ebenfalls in der Größenordnung von etwa 10 μm voneinander
getrennt. Aufgrund der geringen Breite der Mikrostrukturelemente
genügen
für die obere
und die untere Kontaktschicht Schichtdicken von etwa 2–5 μm, um zu
erreichen, dass deutlich mehr der von der aktiven Schicht zur Seite
emittierten Strahlung innerhalb des Grenzwinkels der Totalreflexion
auf die Grenzfläche
treffen und direkt durch die Seitenflächen der Mikrostrukturelemente
ausgekoppelt wird.
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Ein diesem sehr ähnlicher Halbleiterchip ist in
der
DE 199 11 717
A1 offenbart. Bei diesem Halbleiterchip werden Strahlungsauskoppelelemente
in bestimmten Formen und Dimensionen durch Photolithographietechnik
und anschließendem Ätzen hergestellt.
Die durch die Mikrostrukturierung erzeugten Strahlungsauskoppelelemente
weisen insbesondere die Form von Zylindern oder Kugelsegmenten auf.
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Ein weiterer derartiger Halbleiterchip
ist aus der
DE 199
43 406 C2 bekannt. Die dem Substrat gegenüberliegende
Oberfläche
einer Halbleiterschichtstruktur ist in mindestens einem Abschnitt
derart strukturiert, dass sie eine Vielzahl von dreiseitigen Pyramidenstümpfen aufweist.
In den Pyramidenstümpfen
wird ein Lichtstrahl durch Mehrfachreflexionen in einen Auskoppelkegel
gelenkt. Die Mikrostrukturierung bzw. Aufrauung der Oberfläche wird
mittels eines zusätzlichen
lithographischen Prozessschritts und nachfolgender Trockenätzung erzielt.
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Ein weiterer Halbleiterchip dieser
Art und ein entsprechendes Herstellungsverfahren sind beispielsweise
in der
DE 197 09 228
A1 beschrieben. Zur Verbesserung des externen Wirkungsgrades
der Strahlungsauskopplung eines Halbleiterchips wird zunächst eine
Struktur auf mindestens eine Oberfläche des Halbleiterchips aufgebracht
und die so aufgebrachte Struktur anschließend in den Halbleiterchip übertragen,
so dass auf der mindestens einen Oberfläche des Halbleiterchips eine
Aufrauung erzeugt wird. Das Aufbringen der zu übertragenden Struktur erfolgt
beispielsweise durch Aufbringen einer Schicht aus Photolack auf
die Oberfläche
des Halbleiterchips, Belichten eines Teils der Schicht aus Photolack,
um die Struktur zu erzeugen, und Entfernen der nicht-strukturierten
Regionen des Photolacks, um die Maskierungsschicht zu erzeugen.
Diese Maskierungsschicht schützt
bei dem folgenden Ätz- oder Fräsprozess
die darunter liegenden Bereiche des Halbleitermaterials. Mit diesem
Verfahren wird auf der Oberfläche
des Halbleiterchips eine Struktur geschaffen, die in mindestens
einer Richtung periodisch ist, wobei die Periodizität vorzugsweise
mit der Wellenlänge
der auszukoppelnden Strahlung vergleichbar ist.
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Ausgehend von dem oben genannten
Stand der Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein vereinfachtes Verfahren der eingangs genannten Art zu entwickeln.
Das Verfahren soll insbesondere in Herstellungs-Prozessabläufe für herkömmliche
Strahlung emittierende und/oder empfangende Halbleiterchips einfach
integrierbar sein.
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Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren
mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen
und Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis
20.
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Bei dem Verfahren wird auf eine zu
strukturierende Materialschicht des Halbleiterchips, beispielsweise
einer die aktive Schichtenfolge abschließende Halbleiterschicht, ein
Maskenmaterial vorzugsweise aus einem metallischen Material aufgebracht.
Die Benetzungseigenschaften des Maskenmaterials wird derart gewählt oder
eingestellt, dass es auf der zu strukturierenden Materialschicht
eine Strukurierungsschicht aus einer Vielzahl von voneinander getrennten
oder wenigstens teilweise miteinander vernetzen Inseln ausbildet.
Nachfolgend wird die zu stukturierende Materialschicht mittels eines materialabtragenden
Prozessschrittes, wie beispielsweise Trokkenätzen, strukturiert.
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Die Ausbildung der Inseln erfolgt
vorzugsweise während
des Aufbringens des Maskenmaterials oder bei einem dem Aufbringen
des Maskenmaterials nachfolgenden Temperaturbehandlungsschritt des
Maskenmaterials.
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Bei einer vorteilhaften Weiterbildung
des Verfahrens wird auf der zu strukturierenden Materialschicht
eine Zwischenschicht ausgebildet, deren Oberflächenenergie derart gewählt sind,
dass sie die Ausbildung der Inseln fördert.
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Beim Strukturierungsschritt wird
vorzugsweise die Struktur der voneinander getrennten oder miteinander
vernetzten Inseln in die zu strukturierende Materialschicht übertragen.
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Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen
des Maskenmaterials mit einer solchen Abscheiderate und Temperatur,
dass sich auf der Oberfläche
der zu strukturierenden Materialschicht bzw. der Zwischenschicht
unmittelbar die voneinander getrennten oder miteinander vernetzten
Inseln ausbilden.
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Alternativ dazu wird auf der Oberfläche der zu
strukturierenden Materialschicht bzw. der Zwischenschicht zunächst eine
weitestgehend geschlossene Schicht aus Maskenmaterial ausgebildet
und werden die voneinander getrennten oder miteinander vernetzten
Inseln mittels eines nachfolgenden Temperschrittes des Maskenmaterials
erzeugt.
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Das Maskenmaterial ist vorzugsweise
ein metallisches Material, enthält
beispielsweise Silber und die Inseln weisen bevorzugt eine Höhe von etwa 20
bis 40 nm auf. Weiterhin besitzen die Inseln untereinander im Wesentlichen
einen Abstand zwischen 10 nm und 50 nm und haben größtenteils
einen mittleren Durchmesser, der vorzugsweise zwischen 20 und 200
nm liegt.
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Die Zwischenschicht ist ggf. vorzugsweise eine
oxidische Schicht ist. Hierzu eignet sich vorzugsweise eine dünne Oxid schicht,
die bei einer Ag enthaltenden Maskenschicht beispielsweise Al2O3 oder SiO2 enthält.
Die Oxidschicht weist vorzugsweise eine Schichtdicke von etwa 10
bis 20 nm auf.
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Geeignete Trockenätzverfahren zum Strukturieren
der zu strukturierenden Materialschicht sind beispielsweise das
Barrel-Ätzverfahrens,
Plasmaätzen,
reaktives Ionenätzen
oder reaktives Ionenstrahlätzen.
Bevorzugt werden beim Strukturieren die Inseln zumindest zum Teil
entfernt.
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Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst also vorzugsweise
die Schritte (a) des Aufbringens einer Struktur auf mindestens eine
Oberfläche
des Halbleiterchips und (b) des nachfolgenden zumindest teilweisen Übertragens
der aufgebrachten Struktur in den Halbleiterchip, so dass auf der
mindestens einen Oberfläche
des Halbleiterchips eine Mikrostruktur erzeugt wird. Die in Schritt
(a) auf die mindestens eine Oberfläche des Halbleiterchips aufgebrachte
Maskenstruktur besteht insbesondere aus einer Vielzahl von voneinander
getrennten oder untereinander vernetzten Metall-Clustern.
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Zur Beeinflussung der Periodizität der Aufrauung
der Halbleiteroberfläche
und der Auskoppeleffizienz können
die Prozessparameter über
einen großen
Bereich variiert werden. Das Verfahren enthält wenige Prozessschritte,
insbesondere entfällt der
Verfahrensschritt der Phototechnik mit dem aufwändigen Aufbringen einer Photomaske,
wie er bei einigen herkömmlichen
Herstellungsverfahren erforderlich ist. Das erfindungsgemäße Verfahren
lässt sich
problemlos in bestehende Fertigungsabläufe integrieren und verursacht
nur relativ geringe Zusatzkosten. Bei einer hohen Reproduzierbarkeit
der aufgerauten Struktur wird eine sehr hohe Auskoppeleffizienz
gewährleistet.
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In einer bevorzugten Ausführungsform
wird das Aufbringen der Struktur in Schritt (a) mittels Aufbringen
einer Metallschicht mit einer solchen Abscheiderate und Temperatur
auf die mindestens eine Oberfläche
des Halbleiterchips durchgeführt,
dass sich auf der Oberfläche
sofort Metall-Cluster bilden. Alternativ kann das Aufbringen der
Struktur in Schritt (a) auch mittels Aufbringen einer geschlossenen
Metallschicht auf die mindestens eine Oberfläche des Halbleiterchips und
anschließendem
Tempern der Metallschicht derart, dass sich auf der Oberfläche Metall-Cluster
bilden, erfolgen.
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Die in Schritt (a) aufgebrachten
Metall-Cluster enthalten vorzugsweise Ag und weisen eine Schichtdicke
von etwa 20 bis 40 nm auf.
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In einer bevorzugten Ausführungsform
wird ein zumindest teilweises Übertragen
der Metall-Cluster in den Halbleiterchip mittels eines Trockenätzverfahrens
durchgeführt.
Dabei werden insbesondere Trockenätzverfahren mit hoher Isotropie
und Selektivität,
wie Barrel-Ätzverfahren
(BE), Plasmaätzverfahren
(PE), reaktive Ionenätzverfahren
(RIE) oder reaktive Ionenstrahlätzverfahren
(RIBE) bevorzugt.
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Vorzugsweise werden beim Übertragen
der aufgebrachten Struktur in den Halbleiterchip gleichzeitig die
aufgebrachten Metall-Cluster entfernt, so dass eine nachträgliche Entfernung
mit Nasschemie überflüssig ist.
Dies kann zum Beispiel dadurch erreicht werden, das ein Trockenätzverfahren
mit geeigneter Selektivität
zwischen den Metall-Clustern und dem Halbleitermaterial verwendet
wird.
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Vor dem eigentlichen Aufbringen der
Struktur kann vorteilhafterweise auf die mindestens eine Oberfläche des
Halbleiterchips noch eine dünne Oxidschicht,
zum Beispiel mit Al2O3 oder
SiO2 und einer Schichtdicke von etwa 10
bis 20 nm, aufgebracht werden, um den Clusterbildungseffekt zu verstärken.
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Weitere Vorteile und vorteilhafte
Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich
auch aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme
auf die beiliegenden Zeichnung.
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Es zeigen:
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1a–lc eine
schematische Darstellungen eines Verfahrensablaufes gemäß dem Ausführungsbeispiel;
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2a und 2b eine schematische Darstellung einer
Draufsicht eines Halbleiterchips mit aufgebrachter Maskenstruktur
mit voneinander getrennten Inseln bzw. eine schematische Darstellung
einer Draufsicht eines Halbleiterchips mit aufgebrachter Maskenstruktur
mit untereinander vernetzten Inseln; und
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3 eine
schematische Darstellung eines herkömmlichen Halbleiterchips im
Schnitt.
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Zum besseren Verständnis der
vorliegenden Erfindung ist in 3 zunächst ein
herkömmlicher Strahlung
emittierender Halbleiterchip ohne Auskoppel-Mikrostruktur dargestellt.
Der Halbleiterchip weist ein epitaktisch gewachsenes Schichtpaket 10 auf, das
sich über
die gesamte Oberfläche
eines Substrats 12 erstreckt. Das Schichtpaket besteht
im wesentlichen aus einer Strahlung emittierenden aktiven Schicht 14,
welche zwischen einer oberen Kontaktschicht 16 und einer
zwischen der aktiven Schicht 14 und dem Substrat angeordneten
unteren Kontaktschicht 18 angeordnet ist. Die aktive Schicht
selbst umfasst die eigentliche Strahlung erzeugende Schicht zum
Beispiel aus InGaN sowie die daran angrenzenden stromtragenden Schichten
aus zum Beispiel p-dotiertem bzw. n-dotiertem AlGaN oder GaN. Die
aktive Schicht 14 kann eine Doppelheterostruktur oder eine
Multi-Quantum-Well-Struktur aufweisen.
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Die Schichtdicken betragen beispielsweise für die Strahlung
erzeugende Schicht etwa 30 bis 1.000 Å und für die stromtragenden Schichten
etwa 1.000 Å.
Auf der oberen Kontaktschicht 16 und an der Rückseite
des Substrats 12 sind Kontaktstellen
20, 22 aufgebracht.
Ein solcher LED-Chip wird in einem herkömmlichen Gehäuse beispielsweise
in eine strahlungsdurchlässige
Vergussmasse aus Epoxidharz eingekapselt.
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Die 1a–lc stellen
ganz schematisch die Prozessschritte zur Herstellung einer mit einer
Auskoppel-Mikrostruktur 30 versehenen Oberfläche 24 eines
LED-Chips, wie er oben grundsätzlich
in Zusammenhang mit 3 beschrieben
ist, dar.
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Wie in 1a dargestellt,
wird zunächst
auf der gesamten Oberfläche 24 des
LED-Chips, einschließlich
der Kontaktstelle 20 ein dünner geschlossener Metallfilm 26 abgeschieden.
Anschließend wird
der Metallfilm getempert, was beispielsweise vermittels Erwärmen des
gesamten mit der Chip-Schichtenfolge versehenen Epitaxie-Wafers
erfolgen kann. Je nach Wahl des Metallfilms 26 bildet sich
dann ab einer bestimmten Temperatur eine Struktur aus, die aus einer
Vielzahl von voneinander getrennten Metall-Clustern 28 besteht,
wie dies in 1b schematisch dargestellt
ist.
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Alternativ zu dem anhand der 1a und 1b erläuterten
Prozess zum Herstellen der Metall-Cluster 28 mittels nachträglichem
Tempern eines Metallfilms, kann das Metall mit einer derartigen
Abscheiderate und Temperatur auf die Oberfläche 24 des Halbleiterchips
aufgedampft werden, dass sich kein geschlossener Metallfilm, sondern
sofort Metall-Cluster 28 ausbilden.
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Weiterhin alternativ können an
Stelle der voneinander getrennten Metall-Cluster 28 miteinander
zumindest zum Teil vernetzte Metall-Cluster 28 erzeugt
werden.
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Die 2a und 2b zeigen eine schematische Darstellung
einer Draufsicht eines Halbleiterchips 1 mit aufgebrachter
Maskenstruktur mit voneinander getrennten Metall-Clustern 28 und
eine schematische Darstellung einer Draufsicht eines Halblei terchips
mit aufgebrachter Maskenstruktur mit untereinander vernetzten Metall-Clustern.
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Die Höhe der Metall-Cluster liegt
vorzugsweise im Bereich zwischen von etwa 20 und etwa 40 nm und
der Metallfilm 26 enthält
vorzugsweise Silber (Ag). Typische Durchmesser der Metall-Cluster 28 liegen
im Wesentlichen im Bereich zwischen etwa 20 nm und 200 nm, bevorzugt
im Wesentlichen zwischen etwa 50 nm und 150 nm. Der bevorzugte Abstand
zwischen den Metall-Clustern liegt im Wesentlichen zwischen 10 nm
und 50 nm.
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Der Effekt der Cluster- bzw. Inselbildung
der Metallbeschichtung 26 beruht im wesentlichen auf der
Benetzbarkeit und letztlich auf der Grenzflächen- und Oberflächenenergie
der beiden beteiligten Materialien der Metallbeschichtung 26 und
der Halbleiterschicht 16. Die Ausbildung der Metall-Cluster 28 bezüglich Höhe, Breite,
Zwischenraumbreite und dergleichen kann in weiten Grenzen über verschiedene Prozessparameter,
wie beispielsweise die Wahl des Metalls und des Hialbleitermaterials,
die Bedampfungsrate, die Abscheidetemperatur und dergleichen, beeinflusst
werden.
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Zur Verstärkung des Effekts der Cluster-Bildung
kann es von Vorteil sein, vor dem Abscheiden der Metallschicht 26 eine
dünne Oxidschicht 40 (gestrichelt
angedeutet) auf die Oberfläche 24 des
Halbleiterchips aufzubringen. Die Oxidschicht enthält beispielsweise
Al2O3 oder SiO2 und weist eine Schichtdicke von etwa 10
bis 20 nm auf.
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Nach dem oben erläuterten Ausbilden der Metall-Cluster 28 auf
der Oberfläche 24 des
Halbleiterchips 1 wird diese Struktur in die Halbleiterschicht 16 übertragen,
so dass ein Halbleiterchip 1 mit einer mikrostrukturierten
Oberfläche 30 entsteht.
Dies ist in 1c dargestellt. Hierbei
dienen die Metall-Cluster 28 in üblicher Weise als Maskierung
für den Ätzvorgang.
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Die Übertragung der Struktur geschieht
vorzugsweise mittels eines geeigneten Trockenätzverfahrens. Wie ferner in 1c erkennbar, werden die Metall-Cluster 28 bevorzugt
im gleichen Prozessschritt weggeätzt,
so dass ein nachträgliches
Entfernen der Metall-Cluster 28 beispielsweise mittels
Nasschemie überflüssig ist.
Dies kann beispielsweise durch eine geeignete Selektivität des Trockenätzverfahrens
zwischen den Metall-Clustern und dem Halbleitermaterial erreicht
werden.
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Besonders bevorzugt werden bei dem
Verfahren der Erfindung Trockenätzverfahren
mit einer relativ hohen Isotropie und Selektivität eingesetzt. Hierbei handelt
es sich beispielsweise um Barrel-Ätzverfahren (BE), Plasmaätzverfahrens
(PE), reaktive Ionenätzverfahren
(RIE) oder reaktive Ionenstrahlätzverfahren
(RIBE).
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Grundsätzlich kann das Versehen der
Oberfläche 24 des
Halbleiterchips mit einer aufgerauten Struktur gemäß dem oben
beschriebenen Verfahren der Erfindung vor oder nach dem Aufbringen
der Kontaktstellen-Metallisierung 20 erfolgen. Allerdings sollte
der Einfluss des Verfahrens auf die Kontaktstelle 20 überprüft werden
und gegebenenfalls die Kontaktstelle 20 vor dem Aufbringen
der Metallschicht 26 bzw. der Metall-Cluster 28 zum Schutz beispielsweise
mit einem Photolack abgedeckt werden.
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Die besonderen Vorteile der Erfindung,
wie sie oben anhand eines bevorzugten, aber nicht einschränkenden
Ausführungsbeispiels
näher beschrieben
wurden, sind die einfache Integrierbarkeit in bestehende Fertigungsabläufe von
herkömmlichen Halbleiterchips,
die geringe Anzahl von Prozessschritten, die gute Reproduzierbarkeit,
die mit dem Verfahren erzielbare gute Auskoppeleffizienz des Halbleiterchips
und die geringen Kosten des Herstellungsverfahrens.