DE2462743C2 - Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer niedrigen Störstellendichte - Google Patents
Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer niedrigen StörstellendichteInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
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- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausbildung einer Haibieiterbchicht mit einer hohen Siörsiciicndieh-Ie
durch Aufwachsen aus der Dampfphase auf ein Halbleitersubstrat oder eine Halbleiterschicht mit einer
niedrigen Störstellendichte des gleichen Leitungstyps.
In den letzten Jahren ist der Bedarf nach Festkörperelektronikvorrichtungen
rasch gestiegen und hat zu einer Beschleunigung der Entwicklung fortgeschrittener
halbleiterelemente geführt. Insbesondere erwünscht
lind ein größerer Wirkungsgrad und eine größere Zuverlässigkeit sowie ein Betrieb bei höheren Frequenzen.
Derartigt· Halbleiterelemente sind insbesondere bei bipolar integrierten Schaltungen erforderlich, sowie für
Bauelemente mit rascher Kapazitätsänderung, für Hochfrequenztransistoren und Mikrowellendioden.
Diese Elemente werden gewöhnlich unter Abscheidung einer Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat
hergestellt, wobei die Kristallstrukturen fluchten. Solche Halbleiterschichten werden im folgenden als Epitaxialichichten
bezeichnet.
Häufig ist es erwünscht, eine F.pitaxialschicht hoher
Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat oder auf einer Epitaxialschicht niedriger Störstellendichte ah?uicheiden.
Dabei kommt es zu einer unscharfen Verteilung der Fremdatome an der Grenze zwischen
der aufwachsenden Epitaxialschicht und dem Substrat bzw. der vorhergehenden Halbleiterschicht. Diese
Ausbildung eines unscharfen, flach verlaufenden Stör-Stellenprofils
beruht auf dem Phänomen der Autoverdünnung. Hierdurch wird der Aufbau und die Zuverlässigkeit
des Halbleiterelements beeinträchtigt.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Ausbildung einer Epitaxialschicht mit einer hohen
Störstellendichte durch Aufwachsen aus der Dampfphase auf ein Halbleitersubstrat oder eine Halbleiterscbicht
mit einer niedrigen Störstellendichte des gleichen Luitungstyps so zu gestalten, daß bei einfacher
Verfahrensführung mit guter Reproduzierbarkeit ein abrupter Übergang der Störstellendichte vom Halbleitersubstrat
bzw. der Halbleiterschicht zur aufwachsenden Halbleiterschicht entsteht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgernäß dadurch gelöst, daß man vor dem Aufwachsen der Halbleiterschicht mit
einer hohen Störslellendichte eine Hitzebehandlurig Unter Überleitung eines Trägergases und eines Dotier«
gases durchführt, wobei die Konzentration des Dotiergases der mit der gewünschten Störstellendichte in der
Halbleiterschicht im Gleichgewicht stehenden Dotier· gäskönzenträtion entspricht.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 ein schematisches Diagramm zur Veranschaulichung
der Gasströmungsverhältnisse in einem Reaktionsrohr eines horizontalen Dampfaufwachsapparates,
F i g. 2 einen Schnitt einer Halbleiterscheibe mit einer Epitaxialschicht hoher Störstellendichte auf einem
Halbleitersubstrat geringer Störstellendichre, hergestellt
durch Aufwachsen aus der Dampfphase,
ίο Fig.3 ein Diagramm der Störstellenverteilung
entlang der Linie A-A der F i g. 2 und
Fig.4 ein Diagramm eines konkreten Beispiels der
Störstellenverteilung in einer nach dem erfindungsgemäSen Verfahren abgeschiedenen Epitaxialschicht.
Ij Das nachfolgend erläuterte Beispiel betrifft die
Abscheidung einer mit Arsen dotierten Silicium-Epitaxialschicht auf einem mit Arsen dotierten Silicium-Substrat
Bei diesem Anwendungsfall der Erfindung kommt es besonders leicht zu Störungen im Grenzbereich.
F i g. 1 zeigt ein Reaktionsrohr 1, durch welches ein
Gas strömt. Das Reakiiunsrohr 1 befindet sich in einem
horizontalen Ofen. Eine hydrodynamische Analyse zeigt, daß die Gasströmung in dem Rohr 1 nicht
gleichförmig verläuft, sondern in zwei Schichten getrennt ist, nämlich in eine sehr dünne stagnierende
Schicht 3 über dem Heizelement 2 und eine Konvektionsschicht 4. Die stagnierende Schicht bildet sich
aufgrund des Strömungswiderstandes aus sowie aufgrund
der thermischen Auftriebskraft beim Aufheizen.
ίο In der stagnierrnden Schicht findet im wesentlichen
keine Gasströmung statt, während in der Konvektionsschicht die Strömungen des Trägergases, des Dotiergases
und des Siliciumquellengases im wesentlichen konstant sind. Diese Gase treten sodann aus dem Rohr
J5 aus. Als Siliciumquellengase eignen sich Hydride und
Halogenide wie SiH4, SiCl4. SiHClj, SiH2Cl2. Als
Dotiergas wird gewöhnlich Arsin (AsHj) i.nd als
Trägergas Wasserstoff (H2) verwendet. Eine Silicium-Epitaxialschicht
kann imr>er m,: in solcher Weise
-ίο ausgebildet werden, daß die Moleküle der Gase aus der
Konvektionsschicht 4 in die stagnierende Schicht 3 diffundieren und danach einer thermischen Zersetzung
oder Reduktion an der Oberfläche eines Substrats 5 unterliegen. Das 5iubstrat besteht aus Silicium, welches
4ί mit Arsen dotu t ist. Das Substrat 5 befindet sich auf
einer Halterung 2. Das Silicium und das Arsen werden auf dem Substrat 5 abgeschieden.
Im folgenden soll das erfindungsgemäße Verfahren anhand der F i g. 2 bis 4 näher erläutert werden. Hierbei
vt wird eine Epitaxialschicht mit einer hohen Störstellendichte
auf einem Halbleitersubstrat mit einer geringen Störstellendichte ausgebildet. In diesem Fall ergibt sich
das dem Autodotiereffekt entgegengesetzte Phänomen der Autoverdünnung.
« Vor Beginn des Aufwachsens einer Epitaxialschicht mit hoher Störstellendichte ist die Dotiergaskonzentration
in der stagnierenden Gasschicht niedrig im Vergleich zur erwünschten Dolierstufe in der Epitaxialschicht.
Es vergeht daher eine bestimmte Zeitspanne.
während welcher die Dotiergaskon/entration in der stagnierenden Gasschicht den gewünschten Konzentrationswert
erreicht. Dieser Effekt macht das Störstellenprofil an der Grenzfläche zwischen den beiden
Regionen unterschiedlicher Störstellendichte flach und Unscharf. Um ein steiles Störstellenprofil zu erhalten, ist
ein rasches Ansprechen der Störstellendotierung ohne jegliche Verzögerung erforderlich. Mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren wird die zu einem flachen
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Störstellenprofil führende Autoverdünnung vermieden.
F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch eine Halbleiterscheibe,
auf der eine Epitaxialschicht abgeschieden wurde, welche mit einem Dotierstoff hoher Störstellendichte
dotiert wurde. Die Epitaxialschicht befindet sich auf einem Halbleitersubstrat (oder auf einer anderen
Epitaxialschicht) mit einer niedrigen Störstellendichte. Dabei hat die abgeschiedene Epitaxialschicht den
gleichen Lekangstyp wie das Substrat. Gemäß F i g. 2
bezeichnet das Bezugszeichen 9 ein Halbleitersubstrat (oder eine Epitaxialschicht) mit geringer Störstellendichie
und das Bezugszeichen 10 bezeichnet eine Epitaxialschicht mit einer hohen Störstellendichte.
F i g. 3 zeigt die Störsteilendichteverteilung entlang der Linie A-A der Halbleiterscheibe gemäß F i g. 2. Die
ausgezogene Linie bezeichnet die Störstellenverteilung in einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren durch
epitaktisches Aufwachsen hergestellten Scheibe und die gestrichelte Linie zeigt die Störstellenverteilung in einer
Scheibe, welche durch epitaktisches Aufwachsen nach einem herkömmlichen Verfahren hergestellt wurde.
Man erkennt aus F i g. 3, daß der Autoveruünnungseffekt
bei der erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe im wesentlichen nicht in Erscheinung tritt
Im folgenden soll das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines konkreten Beispiels erläutert werden.
Hierbei wird zunächst eine Siliciumscheibe mit einer Störstellendichte von 1 χ lO'Vcrn3 auf die Halterung
gelegt, welche mit Hochfrequenz induktiv beheizbar ist Die Halterung mitsamt der Scheibe wird sodann in
einen herkömmlichen Reaktionsapparat mit offenem horizontalem Rohr gemäß Fig. 1 gegeben. Das Innere
des Reaktionsapparates, welcher auf Zimmertemperatur gehalten wird, wird sodann mit Stickstoffgas gespült,
welches mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 40 l/min während 4 min eingeleitet wird. Danach wird
das Reaktionsrohr mit Wasserstoffgas der gleichen Strömungsgeschwindigkeit während abermals 4 min
gespült.
Die Hal.srung wird sodann auf eine Temperatur von 10500C erhitzt. Arsin (AsHj) wird gasförmig in den
Reaktionsapparat eingeleitet, und zwar 50 ppm mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 30 ml/min. Nachdem
die Apparatur während 20 min von diesen Gasen durchströmt wurde, hat die Störstoffkonzentration in
der stagnierenden Gasschicht infolge von Diffusion aus der Konvektionsschicht den vorbestimmten Wert
τ erreicht. Nun beginnt man mit dem Einleiten von 5% Siliciumwasserstoff (SiH-O mit einer Strömungsgeschwindigkeit
von 1040 ml/min zusätzlich zur Einleitung des Arsins (AsH3). Nach der Zufuhr dieser Gase
während 20 min wird die Einleitung von Wasserstoffgas
tu gestoppt. Das Erhitzen wird jedoch noch während 4 min
fortgesetzt Sodann läßt man die Halterung auf Zimmertemperatur abkühlen. Bei der nachfolgenden
Untersuchung erkennt man, daß die Dicke der Epitaxialschicht 7,0 μπι beträgt und daß die Störstellendichte
in der Epitaxialschicht 1 χ 1017/cm3 beträgt
Ferner wird festgestellt, daß die Dicke der Übergangsregion zwischen dem Substrat mit e'<ner .Störstellendichte
von 1 χ 10l5/cm3 und der epitaxialen Schicht mit
einer Störstellendichte von 1 χ 10'Vcm3 eine Dicke von
nicht mehr als 0,1 μιτι aufweist. D' je Ergebnisse sind
grapüäsch in F i g. 4 dargestellt. Die aufgezogene Linie
bezeichnet die Störsteilendichte, weiche nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten wird, während
die gestrichelte Linie die Störstellendichte bezeichnet, welche nach einem herkömmlichen Verfahren erhalten
wird.
Vorstehend wurde die Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben, bei dem
eine epitaktische Schicht aus Silicium mit Arsen dotiert
3n wird und auf ein Siliciumsubstrat aufgebracht wird, welches ebenfalls mit Arsen dotiert ist. Die Erfindung ist
jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt Zum Beispiel kann als Halbleitermaterial Silicium, Germanium,
Galliumarsenid. Galliumphosphid dienen. Als Störelement kann man Arsen, Phosphor, Antimon, Bor,
Gallium, Aluminium verwenden.
Ferner ist die Erfindung nicht auf einen Reaktionsapparat mit horizontalem Rohr beschränkt. Die Erfindung
kann bei allen Systemen des Aufwachsens aus der Dampfphase angewandt werden, bei denen die Gasströn
jng parallel zur Halbleiterscheibenoberfläche verläuft
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte durch Aufwachsen aus der Dampfphase auf ein Halbleitersubstrat oder eine Halbleiterschicht mit einer niedrigen Störstellendichte des gleichen Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, daß man voi dem Aufwachsen der Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte eine Hitzebehandlung unter Oberleitung eines Trägergases und eines Dotiergases durchführt, wobei die Konzentration des Dotiergases der mit der gewünschten Störstellendichte in der Halbleiterschicht im Gleichgewicht stehenden Dotiergaskonzentration entspricht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742462743 DE2462743C2 (de) | 1973-12-26 | 1974-04-20 | Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer niedrigen Störstellendichte |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP742161A JPS5322029B2 (de) | 1973-12-26 | 1973-12-26 | |
DE19742462743 DE2462743C2 (de) | 1973-12-26 | 1974-04-20 | Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer niedrigen Störstellendichte |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2462743B1 DE2462743B1 (de) | 1979-05-10 |
DE2462743C2 true DE2462743C2 (de) | 1981-02-19 |
Family
ID=25768212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742462743 Expired DE2462743C2 (de) | 1973-12-26 | 1974-04-20 | Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiterschicht mit einer hohen Störstellendichte auf einem Halbleitersubstrat mit einer niedrigen Störstellendichte |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2462743C2 (de) |
-
1974
- 1974-04-20 DE DE19742462743 patent/DE2462743C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2462743B1 (de) | 1979-05-10 |
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