DE2460225B2 - Schreib-lese-verstaerker - Google Patents

Schreib-lese-verstaerker

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DE2460225B2 DE19742460225 DE2460225A DE2460225B2 DE 2460225 B2 DE2460225 B2 DE 2460225B2 DE 19742460225 DE19742460225 DE 19742460225 DE 2460225 A DE2460225 A DE 2460225A DE 2460225 B2 DE2460225 B2 DE 2460225B2
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Description

35
Die Erfindung betrifft einen Schreib-Lese-Verstärker nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein derartiger Schreib-Lese-Verstärker ist aus der US-PS 35 38 348 bekannt. Integrierte bipolare Speichersysteme in Form von Lese-Schreib-Speichern sind für Rechner mit hoher Rechengeschwindigkeit weit verbreitet. Die wesentliche Anforderung an solche bipolare Speicher ist die hohe Rechengeschwindigkeit bei verhältnismäßig geringen Kosten, da diese Speicher zwischen die mit hoher Rechengeschwindigkeit arbeitenden arithmetischen Stufen der Digitalrechner und die langsamer arbeitenden Hauptspeicher geschaltet werden. Diese Hauptspeicher müssen in der Lage sein, mit verhältnismäßig geringen Speicherkosten verhältnismäßig große Mengen an Programminformationen und Dateninformationen aufzunehmen.
Der bekannte Schreib-Lese-Verstärker verwendet die Wechselwirkung zwischen der internen Kollektorknotenspannung der ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle und einer Bezugs-Schwellspannung, die außerhalb der Flip-Flop-Speicherzelle erzeugt wird, um den Schaltzustand paarweise als Differenzschaltung betriebener Transistoren im Abtastverstärkerteil des Schreib-Lese-Verstärkers einzustellen und ausgangsseitig eine Differenzspannung als Abtastspannung zu liefern. Der &o Hauptnachteil eines solchen Schreib-Lese-Verstärkers besteht darin, daß die Bezugs-Schwellenspannung derart ausgewählt werden muß, daß sie zwischen den beiden Kollcktorknotenspannungen der ausgewählten Flip-Flop-Spcicherzclle liegt. Das Verhältnis zwischen ^ der Amplitude der Kollektordifferenzspannung der Speicherzelle und der Bezugsspannung muß derart sein, daß die Transistor-Basisspannung der eingeschalteten Seite der Flip-Flop-Speicherzelle um einen solchen Betrag größer ist als die Bezugsschwellspannung, der ausreicht, um die Umschaltung sicherzustellen. Ferner muß die Bezugsschwellenspannung um einen entsprechenden Betrag größer als die Transistor-Basisspannung auf der abgeschalteten Seite der Flip-Flop-Speicherzelle sein. Dies bedeutet, daß die Amplitude der Kollektordifferenzspannung der Speicherzelle zumindest das Zweifache der für die Umschaltung erforderlichen Spannung sein muß. Überdies muß die Amplitude der Kollektordifferenzspannung der Speicherzelle noch um einen Betrag größer sein, der für die Kompensation der Toleranzänderungen der Kollektorspannungen der Speicherzelle ausreicht. Diese Toleranzänderungen sind hauptsächlich von den Toleranzen der Lastwiderstände der Speicherzelle ausgelöst. Um die Toleranzeinflüsse durch die Lastwiderstände zu verringern, ist es nötig, wegen der sich aus der photo-lithographischen Technik ergebenden Grenzen die physikalische Abmessung der Widerstände zu vergrößern. Dadurch wird die Anzahl der auf einem Halbleiterplättchen unterzubringenden Speicherzellen verringert bzw. eine Vergrößerung der Halbleiterplättchen verursacht, womit sich auch die Kosten pro Speichereinheit vergrößern. Aus diesen größeren Abmessungen leiten sich auch größere parasitäre Kapazitäten ab. Die Notwendigkeit, die Amplitude der Differenz der Spannungen zwischen den Kollektoren der Flip-Flop-Speicherzellen zu vergrößern, löst auch eine Vergrößerung der Zeitkonstante der Speicherzelle aus, womit die für die Umschaltung der Speicherzelle beim Schreibvorgang notwendige Zeit vergrößert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Schreib-Lese-Verstärker für Speicherzellen zu schaffen, der eine Verringerung der Toleranzen und der physikalischen Abmessung der Komponenten möglich macht, die zusammen mit den bipolaren Speicherzellen verwendet werden. Ferner soll durch geeignetes Maßnehmen erreicht werden, daß die Bezugsschwellenspannung nicht mehr extern erzeugt und den Flip-Flop-Speicherzellen zugeführt werden muß.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß im Ausgangskreis des ersten und des zweiten Verstärkerteils jeweils ein erster und ein zweiter Ausgangstransistor angeordnet ist, dessen Basis jeweils mit dem Ausgang des ersten bzw. zweiten Verstärkerteils verbunden ist und dessen Emitter jeweils mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors im entsprechenden Verstärkerteil verbunden ist, daß der Emitter des ersten und des zweiten Ausgangstransistors jeweils mit dem Ausgang des zweiten bzw. ersten Treibers verbunden ist und daß die Emitter der Schreibtransistoren jeweils mit dem Eingang des ersten bzw. zweiten Verstärkerteils verbunden sind.
Durch die Erfindung wird ein vorteilhafter Schreib-Lese-Verstärker für bipolare Speicherzellen geschaffen, die kreuzweise gekoppelte Verstärkerstufen aufweisen, die im Zusammenwirken mit der eingeschalteten Seite einer ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle abwechselnd als Verstärker mit der Verstärkung 1 wirken, bezogen auf die entsprechende Reihenauswahlspannung. Der Schreib-Lese-Verstärker verwendet eine Rückkopplung interner Spannungen der Flip-Flop-Speicherzelle, um den Einstellzustand abzutasten. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung sind zwei Verslärkerabschnitte mit der Verstärkung 1 vorgesehen und derart kreuzweise gekoppelt, daß jeder Spannungsabfall am Kollektor-Lastwiderstand der ausgewählten Flip-Flop-
Speicherzelle auf eine Spannung reduziert wird, die dem Wert entspricht, der für die Einstellung des Schaltzustandes der in Differenzschaltung betriebenen Transistorpaare benötigt wird.
Die Erfindung wird in einem Schreib-Lese-Verstärker für bipolare Speicherzellen verwirklicht, welcher einen ersten Verstärkerteil umfaßt, dessen Ausgangsknotenpunkt mit dem Eingangsknotenpunkt eines ersten Ansteuerkreises in Form eines Emitterfolgers verbünde 1 ist. Ferner umfaßt dieser Schreib-Lese-Verstärker einen zweiten Verstärkerteil, dessen Ausgangsschaltung einen zweiten Emitterfolger umfaßt. Dieser erste und zweite Verstärkerteil enthalten Eingangsstufen, die mit den Lese-Schreibleitungen entsprechend verbunden sind, die für eine Spalte der Flip-Flop-Speicherzellen gemeinsam Verwendung finden. Die Zeilenauswahlschaltung für die ausgewählte Zeile, die eingeschaltete Seite der ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle und die Eingangsschaltung des zugeordneten Versiärkerteils stellen einen Verstärker mit der Verstärkung 1 dar, der an einem Knotenpunkt die Basisknotenspannung der eingeschalteten Seite der ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle erzeugt. Damit wird eine extern erzeugte Bezugsschwellenspannung nicht mehr benötigt, da der andere Verstärkerteil an seinem Ausgang eine wesentlieh geringere Spannung liefert, die durch die Schaltkreiskomponenten außerhalb der Speicherzelle bestimmt wird. Eine Schreibschaltung ist an die Eingangsstufe des ersten und zweiten Verstärkertsils angekoppelt und bewirkt, daß der durch die Einschaltseite der Flip-Flop-Speicherzelle geführte Strom auf den danebenliegenden Verstärkerteil mit der Verstärkung 1 geschaltet wird, der eine Umschaltung bewirkt, die über den Ansteuerkreis auf den Eingang des anderen Verstärkerteils gekoppelt wird. Dadurch wird die Spannung auf der anderen Lese-Schreibleitung verringert und der andere Schalttransistor der Flip-Flop-Speicherzelle eingeschaltet.
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit dem Anspruch und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 das schematische Schaltbild eines Verstärkers mit der Verstärkung 1, der zur Beschreibung der Wirkungsweise eines Schreib-Less-Verstärkers und der damit verbundenen Teile einer Flip-Flop-Speicherzelle dient.
Fig. 2 das Schaltbild eines Schreib-Lese-Verstärkers und einer zugeordneten ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle, die von dem Schreib-Lese-Verstärker abgetastet und gesteuert wird.
Die Schaltung gemäß F i g. 1 findet zur Beschreibung der Wirkungsweise von Teilen des Schreib-Lese-Verstärkers gemäß Fig. 2 während des Lesevorgangs Verwendung und wird nachfolgend näher erläutert.
In der Fig. 2 ist das Schaltbild eines Schreib-Lese-Verstärkers dargestellt, wie er als bevorzugte Ausführungsform der Erfindung Verwendung findet. Diese Schaltung ist ein Teil eines bipolaren Speichersystems 40, welches eine Vielzahl von bipolaren Lese-Schrclb-Speicherzellen 44 und 46 umfaßt, die an zwei Lese-Schreibleitungen 48 und 50 liegen. Eine Vielzahl von Spalten von Speicherzellen, die weiteren Lese-Schreibleitungspaaren 120 und 122 zugeordnet sein können, können ebenfalls mit dem Schreib-Lese-Vcrstärker 42 gekoppelt sein.
Der Aufbau der Speicherzellen 44 und 46 ist bekannt, jedoch wird er zur Erleichterung der Beschreibung der Wirkungsweise des Schreib-Lese-Verstärkers 42 gemäß der Erfindung in Verbindung mit der Abtastung des Speicherzustandes der Speicherzellen und des Einschreibens neuer Informationen diskutiert.
Die Speicherzelle 44 umfaßt zwei kreuzgekoppelte Transistoren 62 und 64, deren miteinander verbundene Emitter an einer Stromquelle 78 liegen. An diese Stromquelle sind auch andere Speicherzellen derselben Zeile, welche nicht dargestellt sind, angeschlossen. Die Basis des Transistors 62 ist mit dein Kollektor des Transistors 64 verbunden, wogegen die Basis des Transistors 64 am Kollektor des Transistors 62 liegt. Ein Ansteuerungstransistor 66 ist üblicherweise in derselben isolierten epitaktischen Zone wie der Transistor 62 ausgebildet. Beide haben einen gemeinsamen Kollektor. Dasselbe gilt auch für die Basisbereiche der Transistoren 62 und 66, die gemeinsam betrieben werden. Die Transistoren 62 und 66 können auch als ein einziger Transistor mit zweifache/n Emitter betrachtet werden. Die Kollektoren der Transistoren 62 und 66 sind mit einem Lastwiderstand 70 verbunden, der mit seinem anderen Ende an eine Zeilenauswahlleitung 52 angeschlossen ist, die ihrerseits wieder mit dem Emitter des Zeilenauswahltransistors 54 verbunden ist. Die Basis dieses Zeilenauswahltransistors 54 ist mit einer nicht dargestellten Zeilenauswahlschaltung verbunden, die an die Klemme 59 angeschlossen ist. Entsprechend ist der zweite Ansteuertransistor 68 ausgebildet, so daß er mit dem Transistor 64 den Basisbereich und den Kollektorbereich teilt. Ein zweiter Lastwiderstand 72 ist zwischen den Kollektor der Transistoren 64 und 68 und die Zeilenauswahlleitung 52 geschaltet. Der Emitter des Ansteuertransistors 66 ist mit der Lese-Schreibleitung 48 verbunden, wogegen der Emitter des Ansteuertransistors 48 an der Lese-Schreibleitung 50 liegt. Dioden 74 und 76, die vorzugsweise aus Schottky-Dioden bestehen, können parallel zu den Lastwiderständen 70 und 72 geschaltet sein, um die Funktionsgeschwindigkeit der Schaltung wie nachfolgend erläutert wird zu verbessern. Der Schreib-Lese-Verstärker 42 umfaßt einen ersten Verstärkerteii mit den Transistoren 84 und 88 und einem Lastwiderstand 86 sowie einen ersten Treiberteil, einen Emitterfolger, mit einem Transistor 92 und mit einem Widerstand 94. Die andere Seite des Schreib-Lese-Verstärkers 42 umfaßt einen zweiten Verstärkerteil mit den Transistoren 100 und 106 und einem Lastwiderstand 102 sowie eine zweite Treiberschaltung mit einem Transistor 108 und einem Widerstand UO, die ebenfalls als Emitterfolger wirksam sind.
Der Schreibtreiber für die binäre Odes Schreib-Lese-Verstärkers 42 umfaßt einen Transistor % in Verbindung mit dem ersten Verstärker- und Treiberteil. Der Emitter des Transistors 84 ist mit der Lese-Schreibleitung 48 verbunden, wogegen die Basis mit den Emittern der Transistoren 88, 96 und 103 und der Kollektor mit dem Ausgangsknotenpunkt 90, dem Widerstand 86 und der Basis der Transistoren 88 und 92 verbunden ist. Die andere Seite des Lastwiderstandes 86 ist mit der Versorgungsspannung VVcüber die Klemme 56 verbunden. Die Kollektoren der Transistoren 88, 92 und % liegen ebenfalls an der Klemme 56. Die Basis des Transistors % ist mit der Schreibleitung 98 für die binäre O verbunden. Der Transistor 100 des zweiten Vcrstärkerteils ist mit seinem Emitter an die Lese-Schreibleitung 50 und mit seiner Basis an den Emitter des Transistors 92, den Emitter des Transistors 10b und den Emitter des Transistors 112 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors 100 ist mildem Ausgangskno-
tenpunkt 104, dem Lastwiderstand 102, der Basis der Transistoren 106 und 108 verbunden. Die Kollektoren der Transistoren 106, 108 und 112 sind über die Klemme 56 an die Versorgungsspannung Vtc angeschlossen. Der Schreibtransistor 112 für die binäre 1 ist mit seiner Basis an die Schrciblcitung 114 für die binäre 1 angeschlossen. Die Widerstände 94 und 110 liegen als Emitterfolgen-Widerstände zwischen den Emittern der Transistoren 92 und 108 und einer Klemme 124, an der das Potential Via: wirksam ist. Der Schrcib-Lese-Verstärker 42 kann an eine Vielzahl von Spalten der Speicherzellen angeschlossen werden. Jedoch wirkt er nur mit einer bestimmten ausgewählten Spalte der Speicherzellen beim Abtasten von Information oder Einschreiben von Information zusammen, wobei jeweils nur eine Zeile zu einem gegebenen Zeitpunkt bei dieser Spalte ausgewählt wird. Die Spalte wird mit Hilfe der Stromquellen 150 und 51 ausgewählt, die die Spaltenauswählschaltung darstellen. Eine gegebene Zeile wird durch das Anlegen einer geeigneten Zeilenauswahlspannung an einen der Transistoren 54, 60 usw. ausgewählt. Ein zusätzliches Schalttransistorpaar mit den Transistoren 116 und 118 ist in der Zeichnung dargestellt, deren Basis gemeinsam mit der Basis des Transistors 84 bzw. 100 ausgebildet ist und deren Kollektor ebenfalls durch je einen gemeinsamen Kollektorbereich gebildet wird. Der Emitter des Transistors 116 ist mit der Lese-Schreibleitung 120 verbunden, wogegen der Emitter des Transistors 118 an der Lese-Schreibleitung 122 liegt. Diese Lese-Schreiblcitungen 120 und 122 sind an separate Spalten von nicht dargestellten Speicherzellen angeschlossen. In entsprechender Weise können weitere Lese-Schreibtransistoren parallel zu den Transistoren 84 und 100 geschaltet sein, wodurch weitere Spalten von Speicherzellen durch den Schreib-Lese-Verstärker 42 bedient werden.
Die Wirkungsweise des Schreib-Lese-Verstärkers der vorliegenden Erfindung wird in Verbindung mit dem Verstärker gemäß Fig. 1 erläutert. Diese Schaltung stellt einen Verstärker mit der Verstärkung 1 dar, d. h. eine Spannungsfolgerschaltung. Die Ausgangsspannung Vo an der Ausgangsklemme 32 folgt der Eingangsspannung V1n an der Klemme 20, wenn V1n zwischen der Versorgungsspannung Vcc-IR liegt, wobei R der Widerstandswert des Widerstandes 22 und /der durch die Stromquelle 16 fließende Strom ist. Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß Fig. 1 ist wie folgt: Der Strom /von der Stromquelle 16 wird in zwei Stromwege aufgespaltet, wobei der eine die Transistoren 12 und 18 und der andere den Transistor 14 und den Widerstand 22 umfaßt. Solange die Transistoren 18, 12 und 14 eingeschaltet sind, befindet sich der gemeinsame Emitter der cmittcrgekoppelten Transistoren 12 und 14 auf einem Potential, das gleich der Spannung V1n ist, vermindert um die Emitter-Basisspannungsabfälle der Transistoren 18 und 12. Die Ausgangsspannung V() an der Klemme 32 ist gleich diesem Potential, plus der Emitter-Basisspannungsabfälle der Transistoren 14 und 24. Damit ist V(> näherungsweise gleich V1n.
Dieser Zustand herrscht, solange V1n größer ais Vc-IR ist, d. h.als eine Spannung, bei der der Transistor 18 abgeschaltet wird und der gesamte Strom /über den Stromweg mit dem Transistor 14 und dem Widerstand 22 fließt.
Wenn der als Diode geschaltete Transistor 12 in der Fig. 1 durch die Einschaltseite einer Flip-Flop-Spcicherzelle ersetzt wird und wenn zwei derartige Schaltungen kreuzweise gekoppelt werden, ergibt sich eine Schaltung, die der Schaltung gemäß F i g. 2 entspricht, so daß der gespeicherte Zustand dci Flip-Flop-Speicherzelle festgestellt bzw. geändert wer den kann.
In der Schaltung gemäß Fig. 2 liegt die Basis de; Transistors 84 auf derselben Spannung wie die Basis dei Einschaltscite der Flip-Flop-Speicherzelle 44, so daß dk Ausgangsspannung VOi an der Klemme 90 etwa gleich der Zeilenauswahlspannung ist, die an der Klemme 5? wirksam ist. Dieser Teil der Schaltung arbeitet ir
ίο derselben Weise wie der Verstärker 10 gemäß Fig. 1 mit der Verstärkung 1. Durch das Anlegen der an dei Basis des Transistors 84 wirksamen Spannung über der Emitterfolger mit dem Transistor 92 und derr Widerstand 94 an die Basis des Transistors 100 entsteh!
eine Differenzschaltung aus dem Abschalttransistor 68 der Flip-Flop-Speicherzelle 44 und dem Transistor 100 Es wird für die Beschreibung davon ausgegangen, daC die Flip-Flop-Speicherzelle 44 einen logischen Schaltzustand einnimmt, in welchem die Transistoren 62 und 6t eingeschaltet und die Transistoren 64 und 68 abgeschaltet sind. Die Basis des Transistors 100 ist stärker positiv als die Basis des abgeschalteten Transistros 68, und zwai näherungsweise um die Basisdifferenzspannung dei Flip-Flop-Speicherzelle, die sich an dem Lastwiderstanc 70 ausbildet, so daß der Transistor 100 den Strom / au: der Lese-Schreibleitung durch die Quelle 51 derar zieht, daß die Ausgangsspannung V02 gleich Va-IR ist wobei /?den Widerstandswert der Widerstände 86 unc 102 darstellt. Der Speicherzustand der Flip-Flop
Speicherzelle 44 wird durch die Differenzspannunf repräsentiert, die sich aus VOi-Ve» ergibt und gleich V55- Vcc-IR ist, wobei V55 die Zeilenauswahlspannung ar der Klemme 59 ist. Es sei bemerkt, daß die Basisdifferenzspannung, welche sich am Lastwiderstanc 70 aufbauen muß, nur groß genug sein muß, um ein ir Differenzschaltung angeordnetes Transistorpaar umzu schalten.
Der Speicherzustand der Flip-Flop-Speicherzelle 5< kann mit Hilfe eines Schreib-Lese-Verstärkcrs gc
steuert werden. Wenn die Basis des Transistors 84 durch die an die Klemme 98 angelegte Schreibspannung füi die binäre ο stärker positiv angesteuert wird als die Basis des eingeschalteten Transistors 66 der Flip-Flop Speicherzelle 44, wird die Wirkungsweise der Schaltung
als Spannungsfolger unterbrochen und eine Differenz schaltung hergestellt, die aus dem Transistor 66, dei Flip-Flop-Speicherzelle und dem Transistor 84 besteht Die Basis des Transistors 84 liegt auf einem stärke: positiven Potential, so daß der Transistor 84 der Lese-Schreibstrom / durch die Stromquelle 150 zieht Die Ausgangsspannung der ersten Verstärkerstufe ar der Klemme 90 fällt ab. Diesem Spannungsabfall folg die Basisspannung des Transistors 100. Nun wird vor dem Transistor 100 eine Differenzschaltung zusamme!
v, mit dem abgeschalteten Transistor 68 der Flip-Mop Speicherzelle 44 gebildet und, wenn die Basisspannun^ am Transistor 100 unter die Basisspannung an Transistor 68 abfällt, beginnt dieser den Leseschreib strom /über die Stromquelle 51 zu führen, womit eint
wi Umschaltung des Bctricbszustandes der Flip-Flop
Speicherzelle 44 ausgelöst wird. Die Ausgangsspannun^
an der Klemme 104 steigt an und folgt der an dii
Klemme 59 angelegten Zeilenauswahlspannung.
Der Schreib-Lese-Verstärker gemäß der Erfindung
-., verwendet die Rückkopplungswirkung der internet Differenzspannungen einer Flip-Flop-Speieherzcllc, urr den Speicherzustand abzutasten. Diese Differenzrück kopplung ermöglicht die Abtastung des Spcicherzustun
des der Flip-Flop-Spcicherzelle, ohne die Verwendung irgendwelcher festliegender Bezugsspannungen, die außerhalb der Flip-Flop-Speicher/.eile erzeugt werden. Sie ermöglicht auch den Spannungsabfall am Kollektorlastwiderstand der ausgewählten Flip-Flop-Speicherzelle auf den Wert zu reduzieren, der benötigt wird, um ein in Diiferenzschaltung geschaltetes Transistorpaar umzuschalten. Sowohl die Toleranzen als auch die physikalische Abmessung der Lasiwiderstande für die Speicherzellen lassen sich dadurch reduzieren, was eine Vergrößerung der Speicherzcllendichte möglieh macht. Die Verringerung der Kapazität an den Kollektoranschlüssen der Speicherzellen aufgrund der verringerten physikalischen Größe und die Verringerung der benötigten Differenzspannung führt auch dazu, daß die Geschwindigkeit für das Einschreiben neuer Informationen in die Speicherzelle wesentlich erhöht werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 M5/37B

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Schreib-Lese-Verstärker für eine Speicherzelle zur Speicherung digitaler Binär-Zeichen m lern ersten Verstärkerteil, welcher einen ersten ■ ransistor und einen ersten Widerstand aufweist, und mit einem zweiten Verstärkerteil, welcher einen zweiten Transistor und einen zweiten Widerstand aufweist, wobei die Emitter des ersten und des zweiten Transistors jeweils mit einer Leseleitung verbunden sind, wobei weiterhin ein erster Treiber für den ersten Verstärkerteil und ein zweiter Treiber für den zweiten Verstärkerteil vorhanden sind und wobei Schreibtransistoren in beiden Verstärkerteilen vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß im Ausgangskreis des ersten und des zweiten Verstärkerteils jeweils ein erster und ein zweiter Ausgangstransistor (88 bzw. 106) angeordnet ist, dessen Basis jeweils mit dem Ausgang des ersten bzw. zweiten Verstärkerteils verbunden ist und dessen Emitter jeweils mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors (84 bzw. 100) im entsprechenden Verstärkerteil verbunden ist, daß der Emitter des ersten und des zweiten Ausgangstransistors (88 bzw. 106) jeweils mit dem Ausgang (Emitter von Transistor 108 bzw. Emitter von Transistor 92) des zweiten bzw. ersten Treibers (108, 110 bzw. 92, 94) verbunden ist und daß die Emitter der Schreibtransistoren (96, 112) jeweils mit dem Eingang des ersten bzw. zweiten Verstärkerteils (84, 86 bzw. 100, 102) verbunden sind.
DE2460225A 1973-12-26 1974-12-19 Schreib-Lese-Verstärker Expired DE2460225C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

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