DE2458868C3 - Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in photographischen Kameras - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in photographischen Kameras, der im Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 beschriebenen Art

Durch die DE-OS 22 63 616 ist eine Vorrichtung zur automatischen Bildscharfeinstellung bekanntgeworden, bei der das von dem Objektiv entworfene Bild von einem aus wenigstens zwei Einzelelementen gebildeten opto-elektrischen Wandler abgetastet wird, das geradlinige streifenförmige Elektroden besitzt und mit einer vorgegebenen Frequenz senkrecht zur optischen Achse oszilliert Durch diese Abtastbewegung wird der Lichteinfall auf den wirksamen Oberflächen der Einzelelemente beeinflußt Die bei der Schwingbewegung von zwei benachbarten Einzelelementen gelieferten elektrischen Signale unterscheiden sich um so mehr voneinander, je größer die Beleuchtungsunterschiede auf ihren wirksamen Oberflächen sind. Da diese Beleuchtungsunterschiede von der Feinstruktur des auf der Wandlerfläche entworfenen Bildes abhängen und diese Feinstruktur bei korrekter Fokussierung am größten ist, sind auch die bei der Schwingbewegung auftretenden Signaländerungen bei korrekter Fokussierung am größten. Die Auswertung dieser Signaländerungen ermöglicht eine automatische Scharfeinstellung.

Eine weitere selbsttätige Scharfeinstellvorrichtung für optische Geräte ist durch die DE-OS 1497 538 bekannt bei der eine Mehrzahl von Photozellen vorgesehen ist, deren Elektrodenbreiten und -abstände so gewählt sind, daß sie in der Größenordnung des kleinsten Zerstreuungskreises des Objektivs liegen. Die Einzelelemente sind Bestandteile elektrischer Brückenschaltungen, die zusammengeschaltet sind und ein Ausgangssignal liefern, wenn eine oder mehrere der Einzelbrücken verstimmt sind, was einer Differenz in der Beleuchtungsstärke benachbarter Einzelelemente entspricht. Diese Differenz ist offensichtlich wieder um so größer, je besser das Objektiv fokussiert ist Damit ist das Ausgangssignal der zusammengeschalteten Einzel· brücken ein Maß für den Fokussierungszustand. Die Wandlerelemente sind auf einer Platte angeordnet, die senkrecht zur optischen Achse schwingt. Die Amplitude dieser Schwingbewegung ist so groß, daß das abzubildende Objekt während der Schwingbewegung auf den

Wandlerflächen korrekt fokussiert wird und die Brückenschaltungen ein maximales Ausgangssigna] liefern. Aus dem Abstand dieser Signalmaxima kann der Fokussierungszustand bestimmt und gegebenenfalls korrigiert werden. s

Durch die US-PS 35 62 785 ist ein Verfahren und eine Yorrichutng zur automatischen Scharfeinstellung bekannt, bei dem die optoelektrischer) Wandlerelemente zur Ermittlung des Fokussierungszustandes in Ruhe verbleiben, also weder in Richtung der optischen Achse noch senkrecht zu ihr schwingen. Bei diesem Verfahren wird von einer Eigenschaft photoleitender Elemente Gebrauch gemacht, die als »Einsattelungseffekt« bezeichnet wird. Dieser Einsattelungseffekt äußert sich in einem lokalen Extremwert des Photoleitwertes bei is korrekter Scharfeinstellung. Er ist von der Ortsfrequenz, dem Kontrast und der Objekthelligkeit abhängig. Bei der durch die genannte US-PS 35 62 785 bekanntgewordenen Vorrichtung sind zwei Photowiderstände vorgesehen, die jeweils den bilderzeugenden Strahlen ausgesetzt werden, jedoch so angeordnet sind, daß gleichzeitig nur auf der wirksamen Oberfläche eines der Elemente ein scharfes Bild erzeugt werden kann. Zu diesem Zweck sind die einzelnen Elemente entweder mit vorzugsweise gleichem Abstand vor und hinter der Bildebene angeordnet oder sie befinden sich beide in der Bildebene, wobei einem von ihnen eine Streuscheibe vorgeschaltet ist Wenn die Ausgangssignale der einzelnen Wandlerelemente z. B. in einer Brückenschaltung miteinander verglichen werden, ändert sich das Differenzsignal in Abhängigkeit von dem Abstand zwischen Objektiv und Bildebene. Im erstgenannten FaIL bei dem zwei vor und hinter der Bildebene angeordnete Wandlerelemente vorgesehen sind, durchläuft das Differenzsignal zwei Extremwerte mit Js entgegengesetztem Vorzeichen. Der Nulldurchgang zwischen den beiden Extremwerten entspricht der korrekten Scharfeinstellung. Im zweiten Fall besitzt das Differenzsignal bei korrekter Scharfeinstellung einen Maximalwert. Das von jedem der Einzelelemente w gelieferte Ausgangssignal besitzt eine Komponente, die dem Quadrat der Entfernung zwischen der Wandler* oberfläche und dem Objektiv umgekehrt proportional ist. Es ist ein Vorteil der durch die Verwendung zweier Wandlerelemente ermöglichten Differentialmessung, daß diese Komponente eliminiert wird. Ferner wird auch der Einfluß des Absolutwertes der Objekthelligkeit kompensiert

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der in dem Gattungsbegriff des Patentan- so Spruchs 1 beschriebenen Art zu schaffen, die sich mit besonders einfachen Mitteln realisieren läßt Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 genannten Merkmale gelöst

Die auf einem gemeinsamen Substrat integrierten Photowiderstände und die zugehörigen Abdeckscheiben lassen sich vergleichsweise einfach herstellen. Es hat sich gezeigt, daß trotz der vergleichsweise einfachen Form eine hinreichend genaue Ermittlung des Fokussierungszustandes möglich ist

Während bei diskreten Photowiderständen, wie sie bei dem in der obengenannten US-Patentschrift beschriebenen Verfahren Verwendung finden, die die Abhängigkeit zwischen Photoleitwert und Beleuchtungsstärke wiedergebende Kurve praktisch niemals f>"> denselben Verlauf hat, ist dies bei auf einem gemeinsamen Substrat angeordneten Elementen der Fall, so daß der Einfluß der Objekthelligkeit auf die Meßgenauigkeit tatsächlich besonders wirksam eliminiert wird.

Im folgenden sei die Erfindung an Hand der Zeichnungen näher erklärt:

Fig. la zeigt ein aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen bestehendes photoelektronisches Bauelement im Querschnitt,

Fig. Ib zeigt die Anordnung der Elektroden des in Fig. la dargestellten photoelektronischen Bauelementes in einer Aufsicht,

F i g. Ic zeigt ebenfalls in Aufsicht, die Abdeckscheibe des photoelektronischen Bauelementes,

F i g. 2 zeigt eine Variante der Elektrodenanordnung;

Fig.3 zeigt eine Abdeckscheibe, die der in Fig.2 dargestellten Elektrodenanordnung angepaßt ist;

F i g. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für das aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen bestehende photoelektronische Bauelement;

Fig.5 zeigt eine Schaltung zur Messung des Fokussierungszustandes;

Fig.6a bis 6c zeigen die Abhängigkeit des Innenwiderstandes der beiden das photoelektronische Bauelement bildenden Photowiderstände von der Entfernung zwischen dem abbildenden Objektiv und der wirksamen Oberflächen des Elementes;

F i g. 7 zeigt eine weitere Schaltung zur Messung des Fokussierungszustandes;

F i g. 8 zeigt die Anordnung eines weiteren Ausführungsbeispiels zur Messung des Fokussierungszustandes, bei dem zwei der erfindungsgemäß aus je zwei Photowiderständen bestehende photoelektronischen Bauelemente verwendet werden;

Fig.9 zeigt die zu der optischen Anordnung nach F i g. 8 gehörende Schaltungsanordnung; die

F i g. 10a bis 10c zeigen schließlich Kennlinien, die den Verlauf von Einzelspannungen in der in Fig.9 dargestellten Schaltung sowie den Verlauf der Überlagerungsspannung in Abhängigkeit vom Fokussierungswiderstand wiedergeben.

In Fig.la ist in geschnittener Darstellung ein Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäß aus zwei Photowiderständen zusammengesetzte photoelektronische Bauelement wiedergegeben. Ein gemeinsames Substrat 5 trägt eine CdS-Schicht 6, auf der Elektroden 9 aufgebracht sind. Eine im wesentlichen röhrenförmige Wandung 7 bildet den Träger für eine Abdeckscheibe 8, die einen durchsichtigen Bereich 8a und einen diffus durchscheinenden Bereich Sb besitzt

Die Abdeckscheibe 8 ist in Fig. Ic in Aufsicht dargestellt Das von den Elektroden 9 gebildete Muster ist in der in Fig. Ib gezeigten Aufsicht dargestellt Das photoelektronische Bauelement bildet zwischen den Elektroden Cund A einen ersten CdS-Photowiderstand, dessen Innenwiderstand im folgenden mit Rca bezeichnet wird, und zwischen den Elektroden C und B einen zweiten CdS-Photowiderstand, dessen Innenwiderstand im folgenden mit Ra bezeichnet wird. Die Elektrode C ist beiden Photowiderständen gemeinsam. Jedes der Einzelelemente hat im wesentlichen die gleichen charakteristischen Eigenschaften, z. B. stimmt der y-Wert bei beiden Elementen überein. Die Einzelelemente sind derart hinter der Abdeckscheibe 8 angeordnet, daß der Photowiderstand mit dem Innenwiderstand Rcb den den durchsichtigen Bereich 8a und das Element mit dem Innenwiderstand Rca den den diffus zerstreuenden Bereich der Abdeckscheibe 8 durchdringenden Strahlen /ausgesetzt ist. In F i g. la ist

noch die Zusammenschaltung der einzelnen Elektroden dargestellt.

Anstelle des in Fig. 1b dargestellten Elektrodenmusters in Form von konzentrischen Kreisen kann auch die in Fig.2 dargestellte Elektrodenanordnung gewählt werden. Die zugehörige Abdeckscheibe hat die in F i g. 3 dargestellte Gestalt. Sie ist zur Unterscheidung mit dem Bezugszeichen 8' versehen. Der durchsichtige Bereich Sa' und der diffus durchscheinende Bereich Sb' bilden Halbkreisflächen auf der Abdeckscheibe 8'. to

Selbstverständlich kann das Elektrodenmuster der Photowiderstände auch eine beliebige andere Gestalt haben, wobei die Form der durchsichtigen bzw. der diffusen Bereiche der Abdeckscheibe jeweils der Elektrodenform angepaßt sein muß. Anstelle zweidi- is mensionaler Elektrodenanordnungen kann auch ein photoelektronisches Bauelement in sogenannter Sandwich-Bauweise verwendet werden, wie es in F i g. 4 dargestellt ist. Bei diesem sind die Elektroden auf beiden Seiten einer CdS-Schicht 6 angeordnet.

In Fig.5 ist eine Schaltung zur Messung des Einsattelungseffekts dargestellt, bei der eines der vorangehend beschriebenen, aus zwei Photowiderständen zusammengesetzten photoelektronischen Bauelemente verwendet wird. Die Schaltungspunkte A, B und C in F i g. 5 entsprechen den Elektroden A, B und C in Fig. 1. Die Innenwiderstände Rca und Rcb der beiden Teilelemente sind von der Intensität /des auftreffenden Lichts abhängig. Vor den wirksamen Oberflächen der das photoelektronische Bauelement bildenden Photowiderstände ist eine Abdeckscheibe mit einem durchsichtigen Bereich 8a und einem diffusen Bereich Sb angeordnet. Die Innen widerstände Rca und Rcb ändern sich in Abhängigkeit von der Intensität / des einfallenden Lichts im gleichen Verhältnis, falls die Entfernung zwischen dem Objektiv und der wirksamen Oberfläche des photoelektronischen Bauelements konstant ist. Das Verhältnis der Innenwiderstände ist deshalb konstant, und die Spannung Vcam Meßpunkt C ist ebenfalls konstant. Infolgedessen ist auch die Meßempfindlichkeit konstant. Der hinter dem durchsichtigen Bereich der Abdeckscheibe liegende Photowiderstand ändert seinen Innenwiderstand Rcb infolge des Einsattelungseffekts in Abhängigkeit von der Entfernung L zwischen dem Objektiv und seiner wirksamen Oberfläche in der in Fig.6a dargestellten Weise. Der Innenwiderstand R_Ca des hinter dem diffusen Teil der Abdeckscheibe gelegenen Photowiderstands zeigt hingegen bei Änderung der Entfernung L keinen derartigen Einsattelungseffekt Er ändert sich stetig umgekehrt proportional zum Quadrat von L, wie dies in Fig.6b dargestellt ist Dieser Kurvenverlauf wird im folgenden als 1/L²-Komponente bezeichnet F i g. 6c zeigt den Verlauf der Meßspannung Vc an dem Schaltungspunkt C der Schaltung nach Fig.5. Diese Kurve besteht aus einer Gleichspannungskomponente, der die von dem Photowiderstand mit den Innenwiderstand Rc erzeugte Einsattelung überlagert ist Die Gleichspannungskomponente hängt von dem Widerstandsverhältnis RcA/RcB^b. Wi

Bei der Schaltung, die mit einem aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen bestehenden photoelektronischen Bauelement ausgestattet ist ist das Spannungsmaximum im wesentlichen von der herrschenden Beleuchtungsstärke unab- i>s hängig. Der Aussteuerberetch der Schaltung zur Weiterverarbeitung der Meßsignale kann infolgedessen vergleichsweise klein sein. Die Empfindlichkeit bei der Messung des Fokussierungszustandes unterliegt bei wechselnder Beleuchtungsstärke bzw. bei wechselnder Objekthelligkeit keinen wesentlichen Änderungen, so daß eine derartige Anordnung sich ausgezeichnet zur genauen Fokussierung eignet.

Bei der in F i g. 5 dargestellten Schaltung ändert sich die 1/Z.²-Komponente nicht und bildet einen konstanten Grundwert. In Fi g. 7 ist eine Weitere Schaltungsanordnung zur Messung des Fokussierungszustandes dargestellt, bei der die beiden Teilelemente des photoelektronischen Bauelements Zweige einer Brückenschaltung bilden. Hierdurch wird die 1//AKomponente eliminiert. Die Brückenschaltung besteht aus den dem durch das Objektiv eintretenden Licht ausgesetzten Elementen Rcb und Rca und den Brückenwiderständen Ro und Rq. Der Innenwiderstand der in der Schaltung nach Fig.7 enthaltenen Photowiderstände Rceund Rca ändern sich in Abhängigkeit von der Objektiventfernung L in der in F i g. 6a bzw. 6b dargestellten Weise. Das Galvanometer 4 zeigt einen Spannungsverlauf an, der dem in Fig.6c dargestellten Spannungsverlauf ähnlich ist. Im folgenden seien die Unterschiede zwischen den in den Fi g. 5 und 7 dargestellten Schaltungsanordnungen betrachtet. Zunächst kann festgestellt werden, daß die in F i g. 7 dargestellte Schaltung keine Gleichspannungskomponente besitzt, wie sie in Fig.6c dargestellt ist Bei der Schaltung nach Fig.5 ist die Meßempfindlichkeit konstant, während sie bei der Schaltung nach F i g. 7 Veränderungen unterliegt.

In Fig.8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung dargestellt, das eine noch höhere Meßempfindlichkeit liefert und das es insbesondere ermöglicht das Vorzeichen einer Defokussierung festzustellen, d. h. zu unterscheiden, ob sich die maximale Bildschärfe vor oder hinter der vorbestimmten Bildebene befindet bzw. ob die Entfernung zwischen Bildebene und Objektiv vergrößert oder verkleinert werden muß. Das einfallende Licht / wird durch einen halbdurchlässigen Spiegel 2 aufgeteilt. Ein erstes aus zwei Photowiderständen zusammengesetztes pholoclcktronisches Bauelement PH, (mit den Innenwiderständen Ro-BA bzw. Rc*-Aa) ist hinter, ein weiteres aus zwei Photowiderständen zusammengesetztes photoelektronisches Bauelement PH_b (mit den Innenwiderständen R_n-Bb und Rn-Ab) ist mit seiner wirksamen Oberfläche vor der Bildebene bzw. einer äquivalenten Abbildungsebene angeordnet. Die Bildebenen sind mit f\ bzw. 6 bezeichnet und liegen im direkten bzw. in dem von dem halbdurchlässigen Spiegel 2 reflektierten bildseitigen Strahlengang des Objektivs 1. Die Elektroden der photoelektronischen Bauelemente PH₁ und PH_b sind mit Aa, Ba, Ca bzw. mit Ab, Bb, und Cb bezeichnet F i g. 9 zeigt die zugehörige Schaltung. Die durchsichtigen Bereiche der Abdeckmasken der beiden photoelektronischen Bauelemente PH_Z bzw. PHb sind mit 9a und 10a bezeichnet, während die diffus durchscheinenden Bereiche die Bezeichnungen 9b bzw. 106 tragen. Die beiden den Diagonalzweig der Brückenschaltung begrenzenden Schaltungspunkte sind mit den Eingängen eines Differenzverstärkers 11 verbunden. Fig-10 zeigt die Ausgangsspannungen an den genannten Schaltungspunkten bzw. am Ausgang des Differenzverstärkers 11. Man erkennt den Einsattelungseffekt der durch die in F i g. 8 dargestellte optische Anordnung in Zusammenhang mit der in Fig.S dargestellten Schaltungsanordnung erzielt wird. Die Ausgangsspannungen Vo und Va. der aus je zwei Photowiderständen zusammengesetzten photoelektro-

nischen Bauelemente sind in Fig.6a bzw. in Fig.6b dargestellt. Der Unterschied zwischen diesen beiden Spannungskurven besteht darin, daß das den Einsattelungseffekt kennzeichnende lokale Minimum bei unterschiedlicher Entfernung L zwischen dem Objektiv und der jeweiligen Oberfläche des photoelektronischen Bauelements liegt. Durch die Verknüpfung der beiden Ausgangsspannungen Vc* und VO, im Differenzverstärker U entsteht eine Ausgangsspannung V₀, wie sie in Fig. 10c dargestellt ist Diese Ausgangsspannung schneidet die Abszissenachse im Punkt f, der der korrekten Scharfeinstellung entspricht Durch die Polarität der Spannung Vo kann erkannt werden, ob sich die maximale Bildschärfe vor oder hinter der vorgegebenen Bildebene berindet Ein wichtiger Vorteil dieser is Anordnung besteht darin, daß sich durch die Verknüpfung der Einzelspannungen durch einen Differenzverstärker eine wesentlich höhere Meßempfindlichkeit erzielen läßt, ein weiterer Vorteil besteht darin, daß sowohl die l/ZAKomponente als auch die Gleichspannungskomponente eliminiert sind. Ein weiterer Vorteil gegenüber bekannten Anordnungen besteht darin, daß die Meßgenauigkeit von Änderungen der Lichtintensität unabhängig ist Infolgedessen eignet sich diese Anordnung in besonderem Maße als Meßorgan für eine Vorrichtung zur automatischen Scharfeinstellung.

Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen messen die einzelnen CdS-Teilwiderstände der aus je zwei Photowiderständen bestehenden photoelektronischen Bauelemente die Bildinformationen jeweils an unterschiedlichen Stellen. Dies ist jedoch unproblematisch, da der hinter dem diffusen Bereich der gemeinsamen Abdeckscheibe angeordnete CdS-Teilwiderstand lediglich zur Messung des Betrages der Lichtintensitätsänderung dient

Aus der vorangehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß die mit den erfindungsgemäßen Merkmalen ausgestattete Meßanordnung gegenüber den bekannten Meßanordnungen, die vom Einsattelungseffekt Gebrauch machen, unter anderem den insbesondere für Vorrichtungen zur Autofokussierung, d h. zur automatischen Scharfeinstellung wichtigen Vorteil besitzt, daß die Meßempfindlichkeit bzw. -genauigkeit unabhängig von Änderungen der Lichtintensität praktisch konstant ist Zudem arbeitet die erfindungsgemäße Meßanordnung stabiler, was unmittelbar auf die Tatsache zurückzuführen ist, daß zwei CdS-Teilwiderstände auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht sind und damit eine integrale Einheit bilden, die als homogener Photowiderstand behandelt werden kann. Bei durch den Stand der Technik bekannten Anordnungen sind hingegen die Photowiderstände und die Lastwiderstände untereinander in ihrem Temperaturverhalten und in verschiedenen elektrischen Eigenschaften jeweils sehr unterschiedlich. Die CdS-Teilwiderstände, die auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht sind, besitzen in bezug auf ihre Temperaturabhängigkeit, die die übrigen elektrischen Eigenschaften eines CdS-Widerstandes beeinflußt, übereinstimmende Eigenschaften, so daß elektrisches »Gleichgewicht« und daraus resultierend ein stabiles Meßsignai gewährleistet sind.

Die besonderen Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung ergeben sich aus der Tatsache, daß die gegenüber geringsten Abweichungen im Herstellungsverfahren und gegenüber den Umgebungsbedingungen äußerst empfindliche Cadmiumsulfid-Substanz jeweils für zwei Photowiderstände völlig identische Eigenschaften besitzt, wenn sie auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht ist, und die CdS-Schicht für beide Teilwiderstände dieselbe ist

Abschließend seien einige Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung bzw. der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele noch einmal zusammenfassend erläutert

Die Anordnung besitzt einen überaus einfachen Schaltungsaufbau, und die Meßgenauigkeit und -empfindlichkeit sind über einen weiten Bereich der Lichtintensität praktisch konstant

Die Anordnung eignet sich zum Einbau in vergleichsweise kompakte Apparate, z. B. in photographische Kameras, da der Raumbedarf bei Verwendung nur eines photoelektronischen Bauelements sehr gering ist

Diejenigen Ausführungsbeispiele, bei denen nur ein aus zwei Teilwiderständen bestehendes photoelektronisches Bauelement verwendet wird, vermeiden Lichtverluste, da kein Strahlenteiler erforderlich ist

Infolge der integrierten Anordnung der Photowiderstände ist das Meßsignal stabil.

Die erfindungsgemäße Anordnung läßt sich mit geringem Aufwand und damit sehr preiswert herstellen. Es ist selbstverständlich, daß die Meßanordnung auch zur Steuerung von Servoverstärkem oder Servomotoren und damit zum Aufbau von Vorrichtungen zur selbsttätigen Schärfeeinstellung geeignet ist

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in s photographischen Kameras, mit wenigstens zwei Photowiderständen, die im büdseitigen Strahlengang des optischen Systems in einer vorbestimmten Position in bezug auf die Bildebene angeordnet sind, wobei die wirksame Oberfläche eines dieser Photowiderstände direkt den bilderzeugenden Strahlen ausgesetzt ist, während der wirksamen Oberfläche des anderen Photowiderstandes eine Streuscheibe vorgesetzt ist, so daß dieser ein von der Feinstruktur des erzeugten Bildes unabhängiges, is lediglich die Grundhelligkeit kennzeichnendes Ausgangssignal liefert, ferner mit Schaltmitteln zur elektrischen Verknüpfung der von den beiden Photowiderständen gelieferten Ausgangssignale, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Photowiderstände (Rcb, Rca) in an sich bekannter Weise auf einem gemeinsamen Substrat (5) aufgebracht sind, daß die ineinandergreifenden Elektroden dieser Photowiderstände in Form eines einfachen Musters angeordnet sind, daß beiden Photo- widerständen eine gemeinsame Abdeckscheibe (8) zugeordnet ist, die nach einem dem Elektrodenmuster entsprechenden Muster in klar durchsichtige und als Streuscheiben wirkende diffus durchscheinende Bereiche aufgeteilt ist.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem gemeinsamen Substrat (5) eine Cadmiumsulfid-Schicht (6) aufgebracht ist, auf deren freier Oberfläche die Elektroden (9) der Photowiderstände angeordnet sind

3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß den beiden auf einem gemeinsamen Substrat (5) aufgebrachten Photowiderständen eine Elektrode fQ gemeinsam zugeordnet ist

4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (9) der auf dem gemeinsamen Substrat (5) aufgebrachten Photowiderstände die Gestalt von konzentrischen Kreisringstücken haben.

5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Elektrode (C) eine symmetrisch sprossenartige Struktur besitzt, in deren Zwischenräume die gabelartig ausgebildeten Gegenelektroden (A, B) hineinragen. so

6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Photowiderstände aus zwei auf eine Oberfläche einer Cadmiumsulfid-Schicht (6) aufgebrachtem Elektrodenanordnungen (A, B)bestehen und daß die gemeinsame Gegenelektrade (C) auf der gegenüberliegenden Oberfläche der Cadmiumsulfid-Schicht (6) angeordnet ist

7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strahlenteiler (2) zur Erzeugung zweier konjugierter Bildebenen (f\, fi) vorgesehen ist und daß ein erstes aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen (Ra-Bt, RctAt) bestehendes Element (PH,) mit seiner wirksamen Oberfläche hinter der einen (fy der genannten t.5 konjugierten Bildebenen und ein weiteres aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen (RcbBb. RaAb) bestehendes Element (PHb) vor der zweiten Bildebene (f\) angeordnet ist, derart, daß das aus der Oberlagerung der Ausgangssignale (Vc* Va) der beiden Elemente resultierende Ausgangssignal (V₀) Abweichungen von dem korrekten Fokussierangszustand sowohl dem Betrag als auch dem Vorzeichen nach kennzeichnet

& Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Pholowidprstände des erstgenannten Elementes (PHJ) und die des zweitgenannten Elementes (PHt) zu einer Brückenschaltung zusammengefaßt sind, daß der Diagonalzweig (Va. Va) dieser Brückenschaltung mit den Eingängen eines Differenzverstärkers (11) verbunden ist und daß das Ausgangssignal (V₀) dieses Differenzverstärkers (11), welches Abweichungen von dem korrekten Fokussierungszustand sowohl dem Betrag als auch dem Vorzeichen nach kennzeichnet (Fig. 10c), das Ausgangssignal der Meßanordnung bildet