DE2458868B2 - Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in photographischen Kameras - Google Patents
Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in photographischen KamerasInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen,
insbesondere in photographischen Kameras, der im Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 beschriebenen
Art.
Durch die DT-OS 22 63 616 ist eine Vorrichtung zur automatischen Bildscharfeinstellung bekanntgeworden,
bei der das von dem Objektiv entworfene Bild von einem aus wenigstens zwei Einzelelementen gebildeten
opto-elektrischen Wandler abgetastet wird, das geradlinige streifenförmige Elektroden besitzt und mit einer
vorgegebenen Frequenz senkrecht zur optischen Achse oszilliert. Durch diese Abtastbewegung wird der
Lichteinfall auf den wirksamen Oberflächen der Einzelelemente beeinflußt. Die bei der Schwingbewegung
von zwei benachbarten Einzelelementen gelieferten elektrischen Signale unterscheiden sich um so mehr
voneinander, je größer die Beleuchtungsunterschiede auf ihren wirksamen Oberflächen sind. Da diese
Beleuchtungsunterschiede von der Feinstruktur des auf der Wandlerfläche entworfenen Bildes abhängen und
diese Feinstruktur bei korrekter Fokussierung am größten ist, sind auch die bei der Schwingbewegung
auftretenden Signaländerungen bei korrekter Fokussierung am größten. Die Auswertung dieser Signaländerungen
ermöglicht eine automatische Scharfeinstellung.
Eine weitere selbsttätige Scharfeinstellvorrichtung für optische Geräte ist durch die DT-OS 14 97 538
bekannt, bei der eine Mehrzahl von Photozellen
vorgesehen ist, deren Klektrodenbreiten und -abstände
so gewählt sind, daß sie in der Größenordnung des kleinsten Zerstreuiingskrciscs des Objektivs liegen. Di?
Einzelelemente sind Bestandteile elektrischer Brückenschaltungen, die /,usainincngcschaltet sind und ein
Ausgangssignal liefern, wenn eine oder mehrere der Einzelbrücken verstimmt sind, was einer Differenz in
der Beleuchtungsstärke benachbarter Einzelelemente entspricht. Diese Differenz ist offensichtlich wieder um
so größer, je besser das Objektiv fokussiert ist. Damit ist das Ausgangssignal der /usiimnicngcschaltetcn Einzelbrücken
ein Maß für den lokiissiorungszustand. Die
Wandlerelcmentc sind auf einer l'hiltc angeordnet, die
senkrecht zur optischen Achse schwingt. Die Amplitude dieser Schwingbewegung ist so groll, daß das abzubildende
Objekt während der Schwitigbewegimg auf den
Wandlerflächen korrekt fokussiert wird und die Brückenschaltungen ein maximales Ausgangssignal
tiefem. Aus dem Abstand dieser Signalmaxima kann der
Fokussierungszustand bestimmt und gegebenenfalls korrigiert werden.
Durch die US-PS 35 62 785 ist ein Verfahren und eine Vorrichutng zur automatischen Scharfeinstellung bekannt,
bei dem die optoelektrischen Wandlerelemente zur Ermittlung des Fokussierungszustandes in Ruhe
verbleiben, also weder in Richtung der optischen Achse noch senkrecht zu ihr schwingen. Bei diesem Verfahren
wird von einer Eigenschaft photoleitender Elemente Gebrauch gemacht, die als »Einsattelungseffekt« bezeichnet
wird. Dieser Einsattelungseffekt äußert sich in einem lokalen Extremwert des Photoleitwertes bei
korrekter Scharfeinstellung. Er ist von der Ortsfrequenz, dem Kontrast und der Objekthelligkeit abhängig.
Bei der durch die genannte US-PS 35 62 785 bekanntgewordenen Vorrichtung sind zwei Photowiderstände
vorgesehen, die jeweils den bilderzeugenden Strahlen ausgesetzt werden, jedoch so angeordnet sind, daß
gleichzeitig nur auf der wirksamen Oberfläche eines der Elemente ein scharfes Bild erzeugt werden kann. Zu
diesem Zweck sind die einzelnen Elemente entweder mit vorzugsweise gleichem Abstand vor und hinter der
Bildebene angeordnet oder sie befinden sich beide in der Bildebene, wobei einem von ihnen eine Streuscheibe
vorgeschaltet ist. Wenn die Ausgangssignale der einzelnen Wandlerelemente z. B. in einer Brückenschaltung
miteinander verglichen werden, ändert sich das Differenzsignal in Abhängigkeit von dem Abstand
zwischen Objektiv und Bildebene. Im erstgenannten Fall, bei dem zwei vor und hinter der Bildebene
angeordnete Wandlerelemente vorgesehen sind, durchläuft das Differenzsignal zwei Extremwerte mit
entgegengesetztem Vorzeichen. Der Nulldurchgang zwischen den beiden Extremwerten entspricht der
korrekten Scharfeinstellung. Im zweiten Fall besitzt das Differenzsignal bei korrekter Scharfeinstellung einen
Maximalwert. Das von jedem der Einzelelemente gelieferte Ausgangssignal besitzt eine Komponente, die
dem Quadrat der Entfernung zwischen der Wandleroberfläche und dem Objektiv umgekehrt proportional
ist. Es ist ein Vorteil der durch die Verwendung zweier Wandlerelemente ermöglichten Differentialmessung,
daß diese Komponente eliminiert wird. Ferner wird auch der Einfluß des Absolutwertes der Objekthelligkeit
kompensiert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der in dem Gattungsbegriff des Patenten- so
Spruchs 1 beschriebenen Art zu schaffen, die sich mit besonders einfachen Mitteln realisieren läßt. Diese
Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 genannten Merkmale gelöst.
Die auf einem gemeinsamen Substrat integrierten Photowiderstände und die zugehörigen Abdeckscheiben
lassen sich vergleichsweise einfach herstellen. Es hat sich gezeigt, daß trotz der vergleichsweise einfachen
Form eine hinreichend genaue Ermittlung des Fokussierungszustandes möglich ist.
Während bei diskreten Photowiderständen, wie sie bei dem in der obengenannten US-Patentschrift
beschriebenen Verfahren Verwendung finden, die die Abhängigkeit zwischen Photoleitwert und Beleuchtungsstärke
wiedergebende Kurve praktisch niemals h> denselben Verlauf hat, ist dies bei auf einem
gemeinsamen Substrat angeordneten Elementen der Fall, so daß der Einfluß der Objekthelligkeit auf die
Meßgenauigkeit tatsächlich besonders wirksam eliminiert wird.
Im folgenden sei die Erfindung an Hand der Zeichnungen näher erklärt:
Fig. la zeigt ein aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen bestehendes
photoelektronisches Bauelement im Querschnitt,
Fig. Ib zeigt die Anordnung der Elektroden des in
Fig. la dargestellten photoelektronischen Bauelementes
in einer Aufsicht,
Fig. Ic zeigt ebenfalls in Aufsicht, die Abdeckscheibe
des photoelektronischen Bauelementes,
F i g. 2 zeigt eine Variante der Elektrodenanordnung;
F i g. 3 zeigt eine Abdeckscheibe, die der in F i g. 2
dargestellten Elektrodenanordnung angepaßt ist;
Fig.4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für das
aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen bestehende photoelektronische
Bauelement;
F i g. 5 zeigt eine Schaltung zur Messung des Fokussierungszustandes;
F i g. 6a bis 6c zeigen die Abhängigkeit des Innenwiderstandes der beiden das photoelektronische Bauelement
bildenden Photowiderstände von der Entfernung zwischen dem abbildenden Objektiv und der
wirksamen Oberflächen des Elementes;
Fi g. 7 zeigt eine weitere Schaltung zur Messung des
Fokussierungszustandes;
F i g. 8 zeigt die Anordnung eines weiteren Ausführungsbeispiels zur Messung des Fokussierungszustandes,
bei dem zwei der erfindungsgemäß aus je zwei Photowiderständen bestehende photoelektronischen
Bauelemente verwendet werden;
Fig.9 zeigt die zu der optischen Anordnung nach
F i g. 8 gehörende Schaltungsanordnung; die
Fig. 1 Oa bis 1 Oc zeigen schließlich Kennlinien, die den
Verlauf von Einzelspannungen in der in Fig.9 dargestellten Schaltung sowie den Verlauf der Überlagerungsspannung
in Abhängigkeit vom Fokussierungswiderstand wiedergeben.
In Fig. la ist in geschnittener Darstellung ein Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäß aus zwei
Photowiderständen zusammengesetzte photoelektronische Bauelement wiedergegeben. Ein gemeinsames
Substrat 5 trägt eine CdS-Schicht 6, auf der Elektroden 9 aufgebracht sind. Eine im wesentlichen röhrenförmige
Wandung 7 bildet den Träger für eine Abdeckscheibe 8, die einen durchsichtigen Bereich 8a und einen diffus
durchscheinenden Bereich Sb besitzt.
Die Abdeckscheibe 8 ist in Fig. Ic in Aufsicht
dargestellt. Das von den Elektroden 9 gebildete Muster ist in der in Fig. Ib gezeigten Aufsicht dargestellt. Das
photoelektronische Bauelement bildet zwischen den Elektroden Cund A einen ersten CdS-Photowiderstand,
dessen Innenwiderstand im folgenden mit Rca bezeichnet
wird, und zwischen den Elektroden Cund B einen
zweiten CdS-Photowiderstand, dessen Innenwiderstand im folgenden mit Rcb bezeichnet wird. Die Elektrode C
ist beiden Photowiderständen gemeinsam. Jedes der Einzelelemente hat im wesentlichen die gleichen
charakteristischen Eigenschaften, z. B. stimmt der y-Wert bei beiden Elementen überein. Die Einzelelemente
sind derart hinter der Abdeckscheibe 8 angeordnet, daß der Photowiderstand mit dem Innenwiderstand
Rcb den den durchsichtigen Bereich 8a und das Element mit dem Innenwiderstand Rca den den
diffus zerstreuenden Bereich der Abdeckscheibe 8 durchdringenden Strahlen /ausgesetzt ist. In Fig. la ist
noch die Zusammenschaltung der einzelnen Elektroden dargestellt.
Anstelle des in Fig. Ib dargestellten Elektrodenmusters
in Form von konzentrischen Kreisen kann auch die in F i g. 2 dargestellte Elektrodenanordnung gewählt
werden. Die zugehörige Abdeckscheibe hat die in F i g. 3 dargestellte Gestalt. Sie ist zur Unterscheidung mit dem
Bezugszeichen 8' versehen. Der durchsichtige Bereich 8a' und der diffus durchscheinende Bereich ibt bilden
Halbkreisflächen auf der Abdeckscheibe 8'. to
Selbstverständlich kann das Elektrodenmuster der Photowiderstände auch eine beliebige andere Gestalt
haben, wobei die Form der durchsichtigen bzw. der diffusen Bereiche der Abdeckscheibe jeweils der
Elektrodenform angepaßt sein muß. Anstelle zweidi- is mensionaler Elektrodenanordnungen kann auch ein
photoelektronisches Bauelement in sogenannter Sandwich-Bauweise verwendet werden, wie es in Fig.4
dargestellt ist. Bei diesem sind die Elektroden auf beiden Seiten einer CdS-Schicht 6 angeordnet.
In F i g. 5 ist eine Schaltung zur Messung des Einsattelungseffekts dargestellt, bei der eines der
vorangehend beschriebenen, aus zwei Photowiderständen zusammengesetzten photoelektronischen Bauelemente
verwendet wird. Die Schaltungspunkte A, B und C in F i g. 5 entsprechen den Elektroden A, B und C in
Fig. 1. Die Innenwiderstände Rca und Rcb der beiden
Teilelemente sind von der Intensität /des auftreffenden Lichts abhängig. Vor den wirksamen Oberflächen der
das photoelektronische Bauelement bildenden Photowiderstände ist eine Abdeckscheibe mit einem durchsichtigen
Bereich 8a und einem diffusen Bereich 8Z> angeordnet. Die Innenwiderstände Rca und Rcb ändern
sich in Abhängigkeit von der Intensität / des einfallenden Lichts im gleichen Verhältnis, falls die
Entfernung zwischen dem Objektiv und der wirksamen Oberfläche des photoelektronischen Bauelements konstant
ist. Das Verhältnis der Innenwiderstände ist deshalb konstant, und die Spannung Vc am Meßpunkt C
ist ebenfalls konstant. Infolgedessen ist auch die Meßempfindlichkeit konstant. Der hinter dem durchsichtigen
Bereich der Abdeckscheibe liegende Photowiderstand ändert seinen Innenwiderstand Rcb infolge
des Einsattelungseffekts in Abhängigkeit von der Entfernung L zwischen dem Objektiv und seiner
wirksamen Oberfläche in der in Fig.6a dargestellten Weise. Der Innenwiderstand Rca des hinter dem
diffusen Teil der Abdeckscheibe gelegenen Photowiderstands zeigt hingegen bei Änderung der Entfernung L
keinen derartigen Einsattelungseffekt. Er ändert sich stetig umgekehrt proportional zum Quadrat von L, wie
dies in Fig.6b dargestellt ist. Dieser Kurvenverlauf
wird im folgenden als 1/L2-Komponente bezeichnet.
F i g. 6c zeigt den Verlauf der MeBspannung Vc an dem
Schaltungspunkt C der Schaltung nach F i g. 5. Diese Kurve besteht aus einer Gleichspannungskomponente,
der die von dem Photowiderstand mit den Innenwiderstand Rc erzeugte Einsattelung überlagert ist. Die
Gleichspannungskomponente hängt von dem Widerstandsverhältnis RcAlRcB^b. w)
Bei der Schaltung, die mit einem aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen
bestehenden photoelektronischen Bauelement ausgestattet ist, ist das Spannungsmaximum im wesentlichen
von der herrschenden Beleuchtungsstärke unab- üs hängig. Der Aussteuerbereich der Schaltung zur
Weiterverarbeitung der Meßsignale kann infolgedessen vereleichsweisc klein sein. Die Empfindlichkeit bei der
Messung des Fokussierungszustandes unterliegt bei wechselnder Beleuchtungsstärke bzw. bei wechselnder
Objekthelligkeit keinen wesentlichen Änderungen, so daß eine derartige Anordnung sich ausgezeichnet zur
genauen Fokussierung eignet.
Bei der in F i g. 5 dargestellten Schaltung ändert sich die l/£.2-Komponente nicht und bildet einen konstanten
Grundwert. In F ä g. 7 ist eine weitere Schaltungsanordnung zur Messung des Fokussierungszustandes dargestellt,
bei der die beiden Teilelemente des photoelektronischen Bauelements Zweige einer Brückenschaltung
bilden. Hierdurch wird die 1/L2-Komponente eliminiert.
Die Brückenschaltung besteht aus den dem durch das Objektiv eintretenden Licht ausgesetzten Elementen
Rcb und Rca und den Brückenwiderständen Ro und Rq.
Der Innenwiderstand der in der Schaltung nach Fig.7 enthaltenen Photowiderstände /?cflund Rca ändern sich
in Abhängigkeit von der Objektiventfernung L in der in F i g. 6a bzw. 6b dargestellten Weise. Das Galvanometer
4 zeigt einen Spannungsverlauf an, der dem in Fig.6c
dargestellten Spannungsverlauf ähnlich ist. Im folgenden seien die Unterschiede zwischen den in den F i g. 5
und 7 dargestellten Schaltungsanordnungen betrachtet. Zunächst kann festgestellt werden, daß die in Fig.7
dargestellte Schaltung keine Gleichspannungskomponente besitzt, wie sie in Fig.6c dargestellt ist. Bei der
Schaltung nach Fig.5 ist die Meßempfindlichkeit konstant, während sie bei der Schaltung nach Fig.7
Veränderungen unterliegt.
In F i g. 8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung dargestellt, das eine
noch höhere Meßempfindlichkeit liefert und das es insbesondere ermöglicht, das Vorzeichen einer Defokussierung
festzustellen, d. h. zu unterscheiden, ob sich die maximale Bildschärfe vor oder hinter der vorbestimmten
Bildebene befindet bzw. ob die Entfernung zwischen Eiidebene und Objektiv vergrößert oder
verkleinert werden muß. Das einfallende Licht / wird durch einen halbdurchlässigen Spiegel 2 aufgeteilt. Ein
erstes aus zwei Photowiderständen zusammengesetztes photoelektronisches Bauelement PH3 (mit den Innenwiderständen
Rcs-BA bzw. Rca-Aa) ist hinter, ein
weiteres aus zwei Photowiderständen zusammengesetztes photoelektronisches Bauelement PHi, (mit den
Innenwiderständen Ra-Bb und Rcb-Ab) ist mit seiner
wirksamen Oberfläche vor der Bildebene bzw. einei äquivalenten Abbildungsebene angeordnet. Die Bildebenen
sind mit f\ bzw. h bezeichnet und liegen indirekten bzw. in dem von dem halbdurchlässig^
Spiegel 2 reflektierten bildseitigen Strahlengang de; Objektivs 1. Die Elektroden der photoelektronischer
Bauelemente PW1 und PWi, sind mit Aa, Ba, Ca bzw. mi
Ab, Bb, und Cb bezeichnet. F i g. 9 zeigt die zugehörige
Schaltung. Die durchsichtigen Bereiche der Abdeckmas ken der beiden photoelektronischen Bauelemente PW
bzw. PWb sind mit 9a und 10a bezeichnet, während di<
diffus durchscheinenden Bereiche die Bezeichnungen 9J bzw. 106 tragen. Die beiden den Diagonalzweig de
Brückenschaltung begrenzenden Schaltungspunkte sine mit den Eingängen eines Differenzverstärkers 11
verbunden. Fig. 10 zeigt die Ausgangsspannungen ai den genannten Schaltungspunkten bzw. am Ausgang
des Differenzverstärkers 11. Man erkennt den Einsatte lungseffekt, der durch die in F i g. 8 dargestellte optisch«
Anordnung in Zusammenhang mit der in Fig.! dargestellten Schaltungsanordnung erzielt wird. Dii
Ausgangsspannungen Vc, und V0, der aus je zwe
Photowiderständen zusammengesetzten photoelektro
nischen Bauelemente sind in Fig.6a bzw. in Fig.6b
dargestellt. Der Unterschied zwischen diesen beiden Spannungskurven besteht darin, daß das den Einsattelungseffekt
kennzeichnende lokale Minimum bei unterschiedlicher Entfernung L zwischen dem Objektiv und
der jeweiligen Oberfläche des photoelektronischen Bauelements liegt. Durch die Verknüpfung der beiden
Ausgangsspannungen VCa und Vb im Differenzverstärker
11 entsteht eine Ausgangsspannung Vo, wie sie in Fig. 10c dargestellt ist. Diese Ausgangsspannung
schneidet die Abszissenachse im Punkt f, der der korrekten Scharfeinstellung entspricht. Durch die
Polarität der Spannung V0 kann erkannt werden, ob sich die maximale Bildschärfe vor oder hinter der vorgegebenen
Bildebene befindet. Ein wichtiger Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß sich durch die Verknüpfung
der Einzelspannungen durch einen Differenzverstärker eine wesentlich höhere Meßempfindlichkeit
erzielen läßt, ein weiterer Vorteil besteht darin, daß sowohl die 1/Z.2-Komponente als auch die Gleichspannungskomponente
eliminiert sind. Ein weiterer Vorteil gegenüber bekannten Anordnungen besteht darin, daß
die Meßgenauigkeit von Änderungen der Lichtintensität unabhängig ist. Infolgedessen eignet sich diese
Anordnung in besonderem Maße als Meßorgan für eine Vorrichtung zur automatischen Scharfeinstellung.
Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen messen die einzelnen CdS-Teilwiderstände der aus je zwei
Photowiderständen bestehenden photoelektronischen Bauelemente die Bildinformationen jeweils an unterschiedlichen
Siellen. Dies ist jedoch unproblematisch, da der hinter dem diffusen Bereich der gemeinsamen
Abdeckscheibe angeordnete CdS-Teilwiderstand lediglich
zur Messung des Betrages der Lichtintensitätsänderung dient.
Aus der vorangehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß die mit den erfindungsgemäßen Merkmalen
ausgestattete Meßanordnung gegenüber den bekannten Meßanordnungen, die vom Einsattelungseffekt Gebrauch
machen, unter anderem den insbesondere für Vorrichtungen zur Autofokussierung, d. h. zur automatischen
Scharfeinstellung wichtigen Vorteil besitzt, daß die Meßempfindlichkeit bzw. -genauigkeit unabhängig
von Änderungen der Lichtintensität praktisch konstant ist. Zudem arbeitet die erfindungsgemäße Meßanordnung
stabiler, was unmittelbar auf die Tatsache zurückzuführen ist, daß zwei CdS-Teilwiderstände auf
einem gemeinsamen Substrat aufgebracht sind und damit eine integrale Einheit bilden, die als homogener
Photowiderstand behandelt werden kann. Bei durch den Stand der Technik bekannten Anordnungen sind
hingegen die Photowiderstände und die Lastwiderstände untereinander in ihrem Temperaturverhalten und in
verschiedenen elektrischen Eigenschaften jeweils sehr unterschiedlich. Die CdS-Teilwiderstände, die auf einem
gemeinsamen Substrat aufgebracht sind, besitzen in
ίο bezug auf ihre Temperaturabhängigkeit, die die übrigen
elektrischen Eigenschaften eines CdS-Widerstandes beeinflußt, übereinstimmende Eigenschaften, so daß
elektrisches »Gleichgewicht« und daraus resultierend ein stabiles Meßsignal gewährleistet sind.
Die besonderen Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung ergeben sich aus der Tatsache, daß die
gegenüber geringsten Abweichungen im Herstellungsverfahren und gegenüber den Umgebungsbedingungen
äußerst empfindliche Cadmiumsulfid-Substanz jeweils für zwei Photowiderstände völlig identische Eigenschaften
besitzt, wenn sie auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht ist, und die CdS-Schicht für beide
Teilwiderstände dieselbe ist.
Abschließend seien einige Vorteile der erfindungsge-
mäßen Anordnung bzw. der vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele noch einmal zusammenfassend
erläutert.
Die Anordnung besitzt einen überaus einfachen Schaltungsaufbau, und die Meßgenauigkeit und -emp-
findlichkeit sind über einen weiten Bereich der Lichtintensität praktisch konstant.
Die Anordnung eignet sich zum Einbau in vergleichsweise kompakte Apparate, z. B. in photographische
Kameras, da der Raumbedarf bei Verwendung nur eines photoelektronischen Bauelements sehr gering ist.
Diejenigen Ausführungsbeispiele, bei denen nur ein aus zwei Teilwiderständen bestehendes photoelektronisches
Bauelement verwendet wird, vermeiden Lichtverluste, da kein Strahlenteiler erforderlich ist.
Infolge der integrierten Anordnung der Photowiderstände ist das Meßsignal stabil.
Die erfindungsgemäße Anordnung läßt sich mit geringem Aufwand und damit sehr preiswert herstellen.
Es ist selbstverständlich, daß die Meßanordnung auch zur Steuerung von Servoverstärkern oder Servomotoren
und damit zum Aufbau von Vorrichtungen zur selbsttätigen Schärfeeinstellung geeignet ist.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
809 612/329
Claims (8)
1. Anordnung zur Messung des Fokussierungszustandes in optischen Systemen, insbesondere in s
photographischen Kameras, mit wenigstens zwei Photowiderständen, die im bildseitigen Strahlengang
des optischen Systems in einer vorbestimmten Position in bezug auf die Bildebene angeordnet sind,
wobei die wirksame Oberfläche eines dieser Photowiderstände direkt den bilderzeugenden
Strahlen ausgesetzt ist, während der wirksamen Oberfläche des anderen Photowiderstandes eine
Streuscheibe vorgesetzt ist, so daß dieser ein von der Feinstruktur des erzeugten Bildes unabhängiges,
lediglich die Grundhelligkeit kennzeichnendes Ausgangssignal liefert, ferner mit Schaltmitteln zur
elektrischen Verknüpfung der von den beiden Photowiderständen gelieferten Ausgangssignale,
dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Photowiderstände (Rcb, Rca) in an sich bekannter
Weise auf einem gemeinsamen Substrat (5) aufgebracht sind, daß die ineinandergreifenden Elektroden
dieser Photowiderstände in Form eines einfachen Musters angeordnet sind, daß beiden Photowiderständen
eine gemeinsame Abdeckscheibe (8) zugeordnet ist, die nach einem dem Elektrodenmuster
entsprechenden Muster in klar durchsichtige und als Streuscheiben wirkende diffus durchscheinende
Bereiche aufgeteilt ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem gemeinsamen Substrat (5) eine
Cadmiumsulfid-Schicht (6) aufgebracht ist, auf deren freier Oberfläche die Elektroden (9) der Photowiderstände
angeordnet sind.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß den beiden auf einem gemeinsamen Substrat (5) aufgebrachten Photowiderständen eine
Elektrode (C) gemeinsam zugeordnet ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (9) der
auf dem gemeinsamen Substrat (5) aufgebrachten Photowiderstände die Gestalt von konzentrischen
Kreisringstücken haben.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame
Elektrode (C) eine symmetrisch sprossenartige Struktur besitzt, in deren Zwischenräume die
gabelartig ausgebildeten Gegenelektroden (A, B) hineinragen.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Photowiderstände
aus zwei auf eine Oberfläche einer Cadmiumsulfid-Schicht (6) aufgebrachten Elektrodenanordnungen
(A, B) bestehen und daß die gemeinsame Gegenelektrode (C) auf der gegenüberliegenden Oberfläche
der Cadmiumsulfid-Schicht (6) angeordnet ist.
7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strahlenteiler
(2) zur Erzeugung zweier konjugierter Bildebenen (f\, fi) vorgesehen ist und daß ein erstes
aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten Photowiderständen (Rc, b>, Ra-Aa) bestehendes
Element (PH11) mit seiner wirksamen Oberfläche hinter der einen (h) der genannten (>s
konjugierten Bildebenen und ein weiteres aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat aufgebrachten
Photowiderständen (Rcbiib, Rn Ab) bestehendes
Element (PHb) vor der zweiten Bildebene (f\) angeordnet ist, derart, daß das aus der Überlagerung
der Ausgangssignale (Va, Va,) der beiden Elemente resultierenden Ausgangssignal (Vo) Abweichungen
von dem korrekten Fokussierungszustand sowohl dem Betrag als auch dem Vorzeichen nach
kennzeichnet
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Photowiderstände des erstgenannten
Elementes (PHa) und die des zweitgenannten Elementes (PHb) zu einer Brückenschaltung zusammengefaßt
sind, daß der Diagonalzweig (Vc* Va) dieser Brückenschaltung mit den Eingängen eines
Differenzverstärkers (11) verbunden ist und daß das Ausgangssignal (V0) dieses Differenzverstärker
(11), welches Abweichungen von dem korrekten Fokussierungszustand sowohl den Betrag als auch
dem Vorzeichen nach kennzeichnet (Fig. 10c), das Ausgangssignal der Meßanordnung bildet.
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